逻辑IC失效分析
TECHNICAL REPORT
NXP Reference Number: C0905144
CUSTOMER INFORMATION NXP INFORMATION
Customer: Arrow - HK NXP Part No.: 74HC14D
Customer Ref. No.: Diffusion Process: PM61
Customer Part. No.: Package Type: SO14
Quantity Returned: 5 Pieces NXP 12NC NO.: 933714400653
Quantity Failing: 5 Pieces Registration Date: 24-Jul-2009
Location of Failure: Application Testing Start Date: 24-Jul-2009
Customer Contact: You, Owen Previous Report: -
Customer failure description
complain 74HC14D, customer find that failure sample can't program, and PIN12 have no high voltage output, then customer take A-B-A test, it's OK.
Summary of analysis
Conclusion
Received from customer Arrow 5 devices of 74HC14D for analysis.
Returned device #1 and 5 passed all tests and no deviation could be observed during testing with curve tracer and ATE under full operating temperature range. Devices #1 and 5 must therefore be considered as good device.
The returned device #2, 3 and 4 of 74HC14D from customer are confirmed reject due to short failure.
Device #2 and 3 failed due to Electrical Overstress (EOS) on pin 12.
Device #4 failed Input Leakage test at pin 9 as a result of an overstress situation but we are not sure which, EOS or ESD.
D0 Symptoms
complain 74HC14D, customer find that failure sample can't program, and PIN12 have no high voltage output, then customer take A-B-A test, it's OK.
D1 Team
Name Job Title
Lodder, G Quality Manager
Kalasri, A Failure Analyst
Deken, P Quality Assurance Engineer
Taveaumnuaysup, T Failure Analyst
Wang, Michelle Admin
D2 Verification and problem definition
D3 Containment Actions
Not Applicable
D4 Failure analysis and root cause/ escape point
Fig.1: EOS damage on device2
Device #4
After decapsulation, no damage could be observed on the crystal surface, see figure 2. PEM analysis was performed in order to locate damaged die location, a hot spot was
Fig.2 Fail area device4
fig.3: Hot spot location
CONCLUSION:
The returned device #2, 3 and 4 of 74HC14D from customer are confirmed reject due
to short failure.
Device #2 and 3 failed due to Electrical Overstress (EOS) on pin 12.
Device #4 failed Input Leakage test at pin 9 as a result of an overstress situation but we
are not sure if overstress is caused by EOS or ESD.
D5 Permanent corrective actions
Not Applicable
D6 Implementation and verification of corrective actions
Not Applicable
D7 Prevent Recurrence
Not Applicable
D8 Reported by/ Approved by/ Distribution list
Reported by:Deken, P Date: 30-Jul-2009 Approved by:Lodder, G
Distribution List:
Wang, Michelle Admin Lodder, G Quality Manager Kalasri, A Failure Analyst You, Owen Account Manager
Taveaumnuaysup, T Failure Analyst
PCB失效分析技术及部分案例
PCB失效分析技术及部分案例 作为各种元器件的载体与电路信号传输的枢纽，PCB已经成为电子信息产品的最为重要而关键的部分，其质量的好坏与可靠性水平决定了整机设备的质量与可靠性。但是由于成本以及技术的原因，PCB在生产和应用过程中出现了大量的失效问题。 对于这种失效问题，我们需要用到一些常用的失效分析技术，来使得PCB在制造的时候质量和可靠性水平得到一定的保证，本文总结了十大失效分析技术，供参考借鉴。 1.外观检查 外观检查就是目测或利用一些简单仪器，如立体显微镜、金相显微镜甚至放大镜等工具检查PCB的外观，寻找失效的部位和相关的物证，主要的作用就是失效定位和初步判断PCB 的失效模式。外观检查主要检查PCB的污染、腐蚀、爆板的位置、电路布线以及失效的规律性、如是批次的或是个别，是不是总是集中在某个区域等等。另外，有许多PCB的失效是在组装成PCBA后才发现，是不是组装工艺过程以及过程所用材料的影响导致的失效也需要仔细检查失效区域的特征。 2.X射线透视检查 对于某些不能通过外观检查到的部位以及PCB的通孔内部和其他内部缺陷，只好使用X 射线透视系统来检查。X光透视系统就是利用不同材料厚度或是不同材料密度对X光的吸湿或透过率的不同原理来成像。该技术更多地用来检查PCBA焊点内部的缺陷、通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点的定位。目前的工业X光透视设备的分辨率可以达到一个微米以下，并正由二维向三维成像的设备转变，甚至已经有五维（5D）的设备用于封装的检查，但是这种5D的X光透视系统非常贵重，很少在工业界有实际的应用。 3.切片分析 切片分析就是通过取样、镶嵌、切片、抛磨、腐蚀、观察等一系列手段和步骤获得PCB
失效案例分析
工程材料失效分析 姓名：丁静 学号：201421803012
案例一乙烯裂解炉炉管破裂原因分析某石化公司化工一厂裂解车间CBL一Ⅲ型乙烯裂解炉于1998年9月投入运行，1 999年4月检查发现一根裂解炉管发生泄漏。为查明炉管泄漏原因，对失效炉管进行了综合分析。 CBL一Ⅲ型乙烯裂解炉炉管工作温度为1050～llOO℃，材质化学成分（质量分数）为0.35~0.60%C;1.0%~2.0%Si;1.O%~1.50%Mn;33%~38%Ni;23%~28%Cr及微量Nb.Ti.Zr等。宏观观察失效炉管表面可以看出，泄漏部位炉管内、外壁均有两个孔坑，两个孔坑在内、外表面相互对应，孔坑边缘金属略有凸起，呈火山口状。仔细观察发现，在内壁两个孔坑附近表面有一约3 mm xl mm凸棱，凸棱略高于附近炉管表面（图11-1、图11-2）。
化学成分分析结果表明，失效炉管化学成分符合厂家技术要求。金相检查结果表明，失效炉管显微组织基体为奥氏体，晶界分布有骨架状碳化物，晶内和晶界分布有一定数量的颗粒状碳化物（图11-3）。 能谱分析结果表明，这些颗粒状碳化物为Nb.Zr.Ti或Cr的
碳化物。晶界分布的骨架状碳化物系以铬为主的碳化物。首先，采用扫描电镜观察了泄漏部位炉管内、外表面的放大形貌，观察发现，所有孔坑均存在白亮色块状物。通常，不导电的非金属氧化物或金属氧化物在电子束作用下因积累电荷而呈白亮色。能谱分析结果表明，白亮色块状物含有很高的稀土铈。分析认为，白亮色块状物为稀土氧化物。在泄漏部位，分别在内壁凸棱和孔坑两处，垂直于内表面制备了炉管横截面金相试样。可以看出，不论是凸棱对应部位，还是炉管内、外表面两个孔坑之间，炉管横截面均分布有宏观深灰色金属夹杂物，夹杂物在内、外表面两个孔坑之间连续贯通（图11-4）。 在扫描电镜下进一步观察、分析结果表明，两个横截面深灰色区域同样是稀土铈的氧化物（图11-5）。采用微型拉伸试样，对失效炉管进行了1100℃短时高温拉伸试验，其结果如表11-1所示。可以看出，失效炉管1100℃高温短时拉伸性能低于厂家相关技术要求。
失效分析案例
佳木斯大学 失效分析案例
失效分析案例 0 零件背景： 某?外径为?450 mm, 壁厚为 50mm 的GCrl5SiMn 钢轴承圈 ,在最终热处理后进?磨削加?时,批量产?沿径向由外表?迅速向内表?扩展的开裂,造成很大的经济损失。其?产?艺为轧制(1050～1150℃锻造) 球化退火→机械加?→淬?(840 ℃)?回?(170℃)→磨削等?序。 1.1化学成分分析 取一部分试样碎末，利用化学元素分析仪分析零件成分。 从上表看出，零件的化学成分符合标准要求。 1.2 硬度分析 在?相抛光?上,从裂纹源处开始沿轴向至壁厚中部每隔 3 mm 检测其硬度。 表 2 显?,裂纹边缘硬度与内部硬度基本?致,硬度均大于 60 HRC,符合标准要求;?明显脱碳软化现象。
1.3 断口宏观形貌 采?机械加压?法使套圈沿裂纹断开,?先对断?形貌??眼观察。 ?线切割从试样断?处切取?块含有裂纹源区?裂纹扩展区?压断区的断?试样。?酒精清洗后在丙酮中?超声波清洗 20 min 取出?燥,?扫描电镜观察该断?形貌 通过?眼观察发现,裂纹源位于轴承套圈外表?沟槽尖?处。试样两断?均为裂纹扩展形成,裂纹长?平直,由轴承套圈外表?沿径向向内表?扩展,初始裂纹最深处约为 15 mm,裂纹总长约 60mm。初始裂纹有褐?氧化条纹,继续向?扩展为灰?,裂纹表?光滑细腻呈瓷状,属典型的脆性断?特征。新断?呈银灰?,断?组织细密有?属光泽,说明晶粒很细?。
由图 2a 可见,断?平齐呈放射状特征,没有明显的塑性变形迹象,断?结构呈细瓷状,边缘?明显剪切唇,也?纤维状。 由图 2b 可见,断?形貌为韧窝?解理断?,呈混合断?特征。大部分属于沿晶脆性开裂,沿晶分离?平滑,?微观塑性变形特征,晶粒均匀细?,?过热特征。但发现有很长很深的?条穿晶带(如箭头所?),认为应该存在某种链条状脆性组织缺陷。 由图 3 可见,新压断?处形貌与起裂处大体相同 ,断?形貌仍为韧窝?解理断? ,混合断?特征不变。说明裂纹处与新压断?处的组织相同。另外均未发现有明显的非?属夹杂物和?孔等缺陷。
董斌—模具失效分析完整版
董斌—模具失效分析 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
模具失效分析 目录 1引言模具失效 2模具失效形式案例分析及其改进 模具磨损失效 模具断裂失效 模具塑性变形失效 3总结 4参考文献 1引言模具失效 冲压模具是冲压生产中必不可少的工艺装备，是技术密集型产品。冲压件的质量、生产效率以及生产成本等，与模具设计和制造有直接关系。模具设计与制造技术水平的高低，是衡量一个国家产品制造水平高低的重要标志之一，在很大程度上决定着产品的质量、效益和新产品的开发能力。 生产中的冲压模具经过一定时间使用后，由于种种原因不能再冲出合格的产品，同时又不能修复的现象称为冲压模具的失效。由于冲压模具类型、结构、模具材料、工作条件的不同，所以冲压模失效的原因也各不相同。 一般为塑性变形、磨损、断裂或开裂、金属疲劳及腐蚀等等。 模具的失效也可分为： 正常失效和早期失效
模具模具在工作中，与成形坯料接触，并受到相互作用力产生一定的相对运动造成磨损。当磨损使模具的尺寸、精度、表面质量等发生变化而不能冲出合格的产品时，称为磨损失效，磨损失效是模具的主要失效形式，为冲模的正常失效形式，不可避免。 按磨损机理，模具磨损可分为磨粒磨损、黏着磨损、疲劳磨损、腐蚀磨损。 ①磨粒磨损硬质颗粒存在于坯料与模具接触表面之间，或坯料表面的硬突出物，刮擦模具表面引起材料脱落的现象称为磨粒磨损。 ②黏着磨损坯料与模具表面相对运动，由于表面凹凸不平，黏着部分发生剪切断裂，使模具表面材料转移或脱落的现象称为黏着磨损。 ③疲劳磨损坯料与模具表面相对运动，在循环应力的作用下，使表面材料疲劳脱落的现象称为疲劳磨损。 ④腐蚀磨损在摩擦过程中，模具表面与周围介质发生化学或电化学反应，引起表层材料脱落的现象称为腐蚀磨损。 在模具与坯料相对运动过程中，实际磨损情况非常复杂。工作中可能出现多种磨损形式，它们相互促进，最后以一种磨损形式失效。 冲裁模的工作条件 冲裁模具主要用于各种板料的冲切。从冲裁工艺分析中我们已经得知，板料的冲裁过程可以分为三个阶段： 弹性变形阶段