晶体管放大器结构原理图解

晶体管放大器结构原理图解

功率放大器的作用是将来自前置放大器的信号放大到足够能推动相应扬声器系统所需的功率。就其功率来说远比前置放大器简单，就其消耗的电功率来说远比前置放大器为大，因为功率放大器的本质就是将交流电能“转化”为音频信号，当然其中不可避免地会有能量损失，其中尤以甲类放大和电子管放大器为甚。

一、功率放大器的结构

功率放大器的方框图如图1-1所示。

1、差分对管输入级

输入级主要起缓冲作用。输入输入阻抗较高时，通常引入一定量的负反馈，增加整个功放电路的稳定性和降低噪声。

前置激励级的作用是控制其后的激励级和功劳输出级两推挽管的直流平衡，并提供足够的电压增益。

激励级则给功率输出级提供足够大的激励电流及稳定的静态偏压。激励级和功率输出级则向扬声器提供足够的激励电流，以保证扬声器正确放音。此外，功率输出级还向保护电路、指示电路提供控制信号和向输入级提供负反馈信号（有必要时）。

一、放大器的输入级功率放大器的输入级几乎一律都采用差分对管放大电路。由于它处理的信号很弱，由电压差分输入给出的是与输入端口处电压基本上无关的电流输出，加之他的直流失调量很小，固定电流不再必须通过反馈网络，所以其线性问题容易处理。事实上，它的线性远比单管输入级为好。图1-2示出了3

种最常用的差分对管输入级电路图。

图1-2种差分对管输入级电路

1、加有电流反射镜的输入级

在输入级电路中，输入对管的直流平衡是极其重要的。为了取得精确的平衡，在输入级中加上一个电流反射镜结构，如图1-3所示。它能够迫使对管两集电极电流近于相等，从而可以对二次谐波准确地加以抵消。此外，流经输入电阻与反馈电阻的两基极电流因不相等所造成的直流失调也变得更小了，三次谐波失真

也降为不加电流反射镜时的四分之一。

在平衡良好的输入级中，加上一个电流反射镜，至少可把总的开环增益提高6Db。而对于事先未能取得足够好平衡的输入级，加上电流反射镜后，则提高量最大可达15dB。另一个结果是，起转换速度在加电流反射镜后，大致提高了一倍。

2、改进输入级线性的方法

在输入级中，即使是差分对管采用了电流反射镜结构，也仍然有必要采取一定措施，以见效她的高频失真。下面简述几钟常用的方法。

1）、恒顶互导负反馈法

图1-4示出了标准输入级（a）和加有恒定互导（gm）负反馈输入级（b）的电路原理图。经计算，各管加入的负反馈电阻值为22Ω当输入电压级为-40dB条件下,经测试失真由0.32%减小到了0.032%。同时，在保持gm为恒定的情况下，电流增大两倍,并可提高转换速率(10~20)V/us。

图1-3标准电流反馈镜输入级1-4 标准输入级和加有恒定互导负反馈输入级

（2）将输入管换成互补负反馈型对管

将输入管换成互补反馈行对管的方法，简称为CFP法，电路示于图1-5。

图1-5 改进型差分管输入级

这种输入级与上述恒定互导负反馈输入级相比，在输入电压级为-30dB情况下，测试结果显示，恒定互导负反馈输入级给出的三次谐波失真为0.35%，而CFP 型输入级的三次谐波失真为0.045%，对其它情况来说，后者的三次谐波失真大致为前者的一半。

（3）共射—共基互补型输入级

共射—共基互补输入电路示于图1-6（c）在该图示值情况下，当输入电平级为-30Db时，失真见效到0.016%左右。另外，由于该电路在输入管集电极处不存在值得重视的电压波动，其主要好处是把输入器件用来工作的电压Vce给降下来。这样就可以允许她以较低的温度工作，从而改善其热平衡，通常Vce为5V即

可工作的很好。

一、电压放大级

由于电压放大级不仅要提供全部的电压增益，而且还要给出正个输出的电压摆幅，因而电压放大级被人为是声频放大器中最关键的部分。然而，设计的好的电压放大级，其对整个放大器的综合时针是没有多达影响的，电压放大级自身产生的失真是很小的。图1-7给出了6中电压放大级的原理图，其中（a）为以电流源为负载的常规电压放大级；图(b)为负载被自举的常规电压放大级；（c）为通过加强β的射极跟随器，深化局部负反馈电压放大级；（d）为采用共射—共基接法，深化局部负反馈电压放大级；（e）为加有缓冲的电压放大级；(f)为采用交替缓冲对电压放大管负载加以自举的电压放大级。

图1-7 电压放大级的6种变形电路

使电压放大级具有交稿的局部开环增益是很重要的，因为只有这样一来才能对电压放大级记忆线性化，且可采用有源负载技术，以提高电压增益。例如图1-7（a、b、f）所示，若要进一步改进电压放大级，其较有成效的途径是致力于改善其特性曲线的非线性。

一、功率输出级

众所周知，决定输出级时针的最基本因素就是工作类别。由于甲类工作状态不会产生交越失真和开关失真，因而成为理想的模式。然而，其产生的大信号失真仍未能小到可以忽略的程度。对甲乙类而言，如果输出功率超出甲类工作所能承受的电平，则总谐波失真肯定会增大。因为这时的偏置控制是超前的，其互导倍增效应（即位于甲类工作区，两管同事导通所导致的电压增益增大现象）对时针残留物产生影响而出现了许多高次谐波。这个事实似乎还鲜为人知，恐怕是由于在大多数放大器中这种互导倍增失真的电平相对都比较小，并被七台河失真所完全淹没了的缘故。对于甲乙类而言，通过对它与甲乙类失真残留物频谱分析可知，除不可避免的输出级失真外，所有的非线性都已有效地加以排除，且在奇次谐波幅度上，最佳乙类状态要比甲乙累低10Db。实际上，奇次谐波普遍认

为是最令人讨厌的东西，因此正确的做法是不避免甲乙类工作状态。

由此看来，关于输出级工作状态的选择，似乎只能在甲镭和乙类二者中选取。但是，如果从效率、大信号失真、温升及其它失真等方面综合加以考虑的话，乙类的各项性能指标是压倒其它类别的，因此输出级选择乙类工作状态得到广泛应用。

2、输出级的类型

输出级的类型约有20余种，例如射极跟随器式输出级、互补反馈对管式输出级、准互补式输出级、三重式输出级、功率FET式输出级等，还有误差校正型输出级、电流倾注行输出级及布洛姆利（Blomley）型输出级等。现仅介绍几钟如下：

（1）射极跟随器式输出级（达林顿结构）

图1-8是最常见的3种射极跟随器式输出级，他们是双重射极跟随器结构，其中第一个跟随器是第2个跟随器（输出管）的驱动器。这里所以不称为答林顿结构，因为达林顿结构暗含着它可以是包括了驱动管、输出管以及各种射极电阻的集成块。

图1-8 3种类型的射极跟随器输出级

射极跟随器式输出级的特点是输入是通过串联的两个发射结传递给输出端，且这一级末加局部负反馈。另一个特点是在扁压与射极电阻Re之间存在两个不同的

发射结，所传输的电流不同，且结温也不同。

三种类型电路中，（a）为盛行的一种，其特征是把驱动管的射极电阻连接到输出电路上去。而（b）类型两驱动官所公有的射极电阻Rd不在接到输出电路上，可以在输出管正处于关断时让驱动管对其发射结加以反偏置。（c）类型是通过把两驱动管射极电阻分别接到侧供电电路上（而不是接到输出电路上）来维持驱动管工作于甲类状态的一种结构。其突出的特点是在对输出管基极进行反偏置这一点上，表现的与（b）类型同等良好，高频事会关端得更为干脆。

事实上，上述三种类型输出级的共同特点都是在输入端与负载之间串接了两个发射结。另一

个特点就是增益降落产生在大输出电压与重负载的场合。

（2）互补反馈对管式输出级

互补反馈对管式输出级也称为西克对管（Szik Lai-Pair）式输出级，见图1-9。其特点是，驱动管是按照有利于对输出电压与输入电压加以比较的需求来设置的，

他可以给出更好的线性以及叫好的热稳定性。

由博里叶分析可知，互补反馈对管式输出级产生的大信号非线性比射极跟随器的要小，同时，交越区的宽度也窄的多，约为±0.3V。

（3）准互补式输出级

图1-10（a）示出了标准型准互补电路，（b）为巴克森德尔（Baxand all）准互补电路。标准型准互补电路在交越区附近的对称性不佳，而对称性得到较大的改善的是采用跋克森徳尔二极管的巴克森徳尔互补电路。它常用语放大器的闭环中，在其它时针已大大地排除之后，它能够给出很好的性能。例如，当用于负反馈因数为34dB左右（30KHz）的放大器时，在100W条件下，失真可很容易做到0.0015%（1KHz）与0.15%（10k Hz）。

图1-9 互补反馈对管式输出级图1-10 准互补式输出级

（3）三重式输出级

三重式输出级的电路结构，是在输出级的每一半电路部分使用3个晶体管二不是2只，它可以有7种变形之多。该电路形式运用得正确，可有以下两个好处：

a、对于大输出电压与电流所给出的现行叫好；

b、由于能够让前驱动管来处理功率很小的信号，耳使其可一直保持很低的工作温度，从而使静态设定条件更加稳定。图1-11示出了产品设计中所常用的3种

重式输出电路。

1、输出级的失真

输出级的时针可细分为大信号非现行失真、交越失真和开关（关断）失真3种。

（1）大信号非线性时针

在考虑所有双极晶体管级的情况下，它们的大信号非线性失真（LSN）共同表现如下：

a、LSN随负载阻抗的减小而增大

在负载为8Ω的典型输出级中，其闭环LSN通常可忽略不计，但当负载阻抗为4Ω时，其相对较纯的三次谐波会在THD残留物中变得明显起来。

b、LSN随驱动管发射极活集电极电阻的减小而加重。

出现上述情况的原因是驱动管摆幅变大，然而其好处是可见效关端失真，二者兼顾折衷的方法是取阻值为47~100Ω。

需要指出的是，LSN在总失真所占有的比重（负载为8Ω时）与交越失真和关断失真相比是很小的。这个论断在4Ω负载时是不成立的，更不要说是2Ω负载了。

如果设计重点不是放在使关断失真最小化上，册互补反馈对管式输出级通常是最佳的选择。

c、大Ic时的增益跌落可又简单有效的前馈机制部分地加以抵消。

（1）交越失真

交越时针之所以对乙类功放最为有害，是由于它会产生令人讨厌的高次谐波，而且其值会随信号电品的下降而增大。事实上，就一太驱动8Ω负载放大器而言，其综合线性是由交越失真来决定的，即使是在其输出级设计的很好，并且加的偏压也为最佳值时，也是如此。

图1-12（欠图）示出了失真加噪声（THD+N）随输出电平降低而增大的情形，但其变化比较缓慢。实际上，射随器式互补反馈对管式输出级都具有与图1-12相类似的曲线，不管偏置不足的程度有多大，总谐波失真在输出电压减半时将增加1.5倍。

图1-12 THD+N随输出电平变化曲线（欠图）

关于交越失真的情况，英国有关部门文献的报道如下：

实验证明，就大多数指标而言，互补反馈对管式输出级优于射极跟随器式输出级。有关实验结果于表1-1、1-2、1-3中，其中表1-2、1-3分别为互补反馈对管式输出级及射极跟随器输出级和互补反馈对管输出级的实验结果。表中Vb为倍增偏置发生器在驱动级基极两端建立的电压，工作于乙类放大状态时，Vb=Vq~3 Vq，Vq为在两个发射极电阻Re两端产生的静态电压，通常Vq=5~50mV，依所选的电路结构而定。静态电流Iq为流过输出器件的电流，其中不包括驱动级稳

定电流。

为了改善交越失真，记住以下条件结论是很重要的：

a、静态电流本身无关紧要，而VQ却是至关重要的参量；

b、一个能使VQ严格保持正确的热补偿方案，只需要知道驱动管和输出管的结温。令人遗憾的是，这些结温实际上是不能准确测得的，但至少我们可以知道

目标是什么。

（1）关断失真

关断失真取决于几个可变因素，尤其是输出器件的速度特性和输出拓扑。关键的因素是输出级能否使输出其间b、e结反向偏置，致使载流子吸出速度最大，以便使输出器件迅速截止。前述图1-8（b）射随器输出级电路是唯一能使输出b、e结反向偏置的普通电路。

第二个影响因素就是驱动级发射极或集电极的电阻值，该电阻愈小，可除去已存储电荷的速度就越快，应用这些准则可明显减小高频失真。

此外，图1-8(b)所示的射随器输出电路的共用驱动级电阻Rd上并联一个加速电容后，可以减小高频时的THD失真。比如，在40Hz时，可使THD减小1半，这说明输出器件截止要“纯净”得多。当然在300Hz~8KHz范围内也是会有同样的好处。

4、输出级的选择

对于双结型晶体管构成的输出级而言，最佳输出级的选择如下：

（1）第二种射极跟随器式输出级

这种输出级在对付截止失真方面是最好的，但静态电流稳定性可能有问题。

（2）互补反馈对管式输出级

这种输出级具有良好的静态电流稳定性和很小的大信号非线性，但最大的特点是如果不另加高压电源，就不可能通过输出基极反偏置来时间快速截止。

（3）巴克森徳尔准互补式输出

这种输出级在现行方面与射极跟随器输出级差不多，但具有节约输出器件成本的优点。然而其静态电流稳定性却不如互补反馈对管式输出级。

一、放大器的电源

这里简单的举几例常用电源。

1、采用TL431的稳压电源

图1-13是用与集成运放的电源实例，该电路可输出约0.3A的电流，是一个性能很好的并联稳压电源，各晶体三极管要加足够大的散热器。

图1-13 采用TL431的稳压电源

并联稳压电源的原理是由限流电路提供一比负载电流更大的电流，其一部分供给负载，多余的全部由调整管对地“短路”泄放掉，一保持输出电压的恒定。而串联电源电路则是负载需要多少电流，电压调整管则“放过”多少电流，一保持输出电压恒定。并联型稳压电路与串联型稳压电路的区别只在于电压调整管于电源的连接方式。它们同样是起着稳压作用，但电源内阻的区别带来音质的区别。两种电路在相同的输入电压、相同的负载时，串联型稳压电路的内阻比并联型的要大的多。比如，负载Rf所需电压U1=30V，电流If=50Ma，稳压电路输入电压U0=40V，那么在相同条件下，并联型稳压电路的内阻只是串联型的33%。而电源内阻低则意味着电源有交稿的能量传输速率，使负载所需需瞬间大电流得到及时供给，使放大器接下来度于力度得到相当的改善和提高。并联型稳压电路有功耗大的特点，不过这对于所需电流叫嚣的前级是不成问题的，即使对于电流较大的后级，为了改善音质也往往采用此种稳压电路。

1、采用场效应管的稳压电源

场效应管是电压驱动类型的器件，有许多优良的特性，例如负温度系数、抗二次击穿频率特性好、低噪声等。用于电源调整管可取得极好的性能，尤其用与高

压电源，不必再去寻找高Β的高反压双结晶体三极管了。

图1-14示出了一再改进的使用电路，恒流电路采用耐压较高的低噪声三极管。

放大电路原理

放大电路原理 放大器有交流放大器和直流放大器。交流放大器又可按频率分为低频、中源和高频；接输出信号强弱分成电压放大、功率放大等。此外还有用集成运算放大器和特殊晶体管作器件的放大器。它是电子电路中最复杂多变的电路。但初学者经常遇到的也只是少数几种较为典型的放大电路。 读放大电路图时也还是按照“逐级分解、抓住关键、细致分析、全面综合”的原则和步骤进行。首先把整个放大电路按输入、输出逐级分开，然后逐级抓住关键进行分析弄通原理。放大电路有它本身的特点：一是有静态和动态两种工作状态，所以有时往往要画出它的直流通路和交流通路才能进行分析；二是电路往往加有负反馈，这种反馈有时在本级内，有时是从后级反馈到前级，所以在分析这一级时还要能“瞻前顾后”。在弄通每一级的原理之后就可以把整个电路串通起来进行全面综合。 下面我们介绍几种常见的放大电路。 低频电压放大器 低频电压放大器是指工作频率在 20 赫～ 20 千赫之间、输出要求有一定电压值而不要求很强的电流的放大器。 （ 1 ）共发射极放大电路 图 1 （ a ）是共发射极放大电路。 C1 是输入电容， C2 是输出电容，三极管 VT 就是起放大作用的器件， RB 是基极偏置电阻 ,RC 是集电极负载电阻。 1 、 3 端是输入， 2 、3 端是输出。 3 端是公共点，通常是接地的，也称“地”端。静态时的直流通路见图 1 （ b ），动态时交流通路见图 1 （ c ）。电路的特点是电压放大倍数从十几到一百多，输出电压的相位和输入电压是相反的，性能不够稳定，可用于一般场合。

（ 2 ）分压式偏置共发射极放大电路 图 2 比图 1 多用 3 个元件。基极电压是由 RB1 和 RB2 分压取得的，所以称为分压偏置。发射极中增加电阻 RE 和电容 CE ， CE 称交流旁路电容，对交流是短路的； RE 则有直流负反馈作用。所谓反馈是指把输出的变化通过某种方式送到输入端，作为输入的一部分。如果送回部分和原来的输入部分是相减的，就是负反馈。图中基极真正的输入电压是RB2 上电压和 RE 上电压的差值，所以是负反馈。由于采取了上面两个措施，使电路工作稳定性能提高，是应用最广的放大电路。 （ 3 ）射极输出器 图 3 （ a ）是一个射极输出器。它的输出电压是从射极输出的。图 3 （ b ）是它的交流通路图，可以看到它是共集电极放大电路。

集成电路分析与设计课程实验(一)

集成电路分析与设计 课程实验1（2010-03-18） 熟悉Cadence设计软件中的Schematic Editing进行原理图编辑，并使用Spectre工具进行仿真验证。 要求及说明： 1. NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维，P32)中表 2.1，相应的Spectre 模型为hquicmodel_v1.0.scs。 2. 假设VDD=3V，NMOS和PMOS器件的衬底端子（B，除非另有说明）分别接地和VDD （或最正的电压节点），（W/L）=50/2（即W=50u，L=2u）。 3. 采用直流扫描（DC Sweep，改变VX），画出IX和晶体管的跨导关于VX的函数曲线图。 4. 解释分析结果，比较仿真分析结果与你的手工计算结果。 5. 报告截止提交日期为2008年3月25日。 题目： （参考拉扎维的模拟CMOS集成电路设计P34-35） 2.5 对图2.42的每个电路，画出I X 和晶体管跨导(g m )关于V X 的函数曲线。V X 从0变化到V DD 。 +1.9V x V (b) 1V x V 2.42 图 2.6 对图2.43的每个电路，画出I X 和晶体管跨导(g m )关于V X 的函数曲线。V X 从0变化到V DD 。

I 原理图绘制篇 1.右键open Terminal 2.输入icfb&

3.回车启动Cadence 4.Tools – Library Manager…

5.File-Library新建项目 6.输入建立的项目的名称-OK

7.选择Don’t need a Techfile-OK 8. File-Cell View新建项目

间架结构九十二法帖

间架结构九十二法帖 结构，是书法学习中常遇到的头疼环节。由清末书法家黄自元根据前人书论整编的《间架结构九十二法帖》，科学性的分析了楷书间架结构，是楷学经典法帖。基于楷学的“92法”对书法学习者了解间架结构很有指导意义，甚至对于行书，也具有很好的参考价值。在清末及民国初年达到了家喻户晓、人手一册、学书之人案头必备的程度。可见其效果不一般。 今天，我们把这一系统的、全面的法帖理论配图（由书法家汪钟鸣先生临写），发布给大家，供参考学习，内容如下： 1. 天覆者凡画皆冒于其下上面是宝盖的字，其余笔画应帽于其下。如：宇、宙、定 2. 地载者有画皆托于其上下面有底托状的字，其余笔画应托于其上。如：至、孟、圣 3. 让左者左昂右低以左半部为主的字，左边要高，右边要低。如：部、幼、即 4. 让右者右伸左缩以右半部为主的字，右边要长，左边要短。如：绩、议、读 5. 横担者中画宜长有横担的字，中横应该写得长些；如：喜、吾、安 6. 直卓者中竖宜正有竖笔贯中的字，中竖应正直不歪。如：甲、平、干、午 7. 勾拿法其身不宜曲短以横折钩为主笔，且被包围部分笔画较多的字，横折钩宜长直而挺，折角正方。如：葡、萄、蜀、葛 8. 勾衂法，其势不可直长以横折钩为主笔，且被包围部分笔画较少的字，横折钩宜稍短而右倾，折角内收。如：句、匀、勿

9. 画短撇长横短撇长；如：左、在、尤、龙 10. 画长撇短横长撇短；如：右、有、灰 11. 画短直长横画短竖画长的字，撇捺应延伸。如：木、本、朱 12. 画长直短，撇捺宜缩横画长竖画短的字，撇捺应缩短为相背的点，两相呼应。如：乐、集 13. 横长直短在一个字中，横长则竖宜短，横长而细挺，竖短而粗健。如：十、上、下、士 14. 横短直长在一个字中，横短则竖宜长。横短略粗，竖垂直下挺。如：才、斗、丰、井 15. 上下有画，须上短而下长上下有横画的字，应上短而下长。如：丕、正、亚 16. 左右有直，须左收而右展左右有竖画的字，左边应收而右边伸展。如：目、自、因、固 17. 左撇右直，须左缩而右垂左为撇画右为竖画的字，应左撇短右竖长。如：川、升、邦 18. 左直右撇，左敛而右放左为竖画右为撇画的字，左竖应收缩上靠而右撇应放展。如：伊、侈、修 19. 点复者，宜偃仰向背以求变有几点的字，各点方向要不同，使其有所变化。如：亦、赤、然

场效应管工作原理 1

场效应管工作原理（1） 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109?）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场

间架结构八大规律

间架结构八大规律 1、间距相等规律： 横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等 竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等 撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等 点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律： 先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律： 独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。 例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律： 玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律： 首点居正：主、宇、市、京、童、庄 中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂 上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。6、错位规律： 凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。 如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等 如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等 7、包围结构组字规律： 左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。 左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎 右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、 左下包右上：旭、翘、延、述、尴、尬、超、题、毯、咫 左三包围：区、医、巨、臣 下三包围：画、凶、幽、函 上三包围：同、问、冈、风、月 全包围：国、四、田、回、目 8、章法排列规律： 字间一线，字距相等；繁字应大，简字应小；斜钩写长，长竖突出；开门字大，尾字加重。 写字口诀 总括：上下结构找主笔，左右结构作对比，独体结构如上下，包围结构有诀窍。

(完整版)对场效应管工作原理的理解

如何理解场效应管的原理，大多数书籍和文章都讲的晦涩难懂，给初学的人学习造成很大的难度，要深入学习就越感到困难，本人以自己的理解加以解释，希望对初学的人有帮助，即使认识可能不是很正确，但对学习肯定有很大的帮助。 场效应管的结构 场效应管是电压控制器件，功耗比较低。而三极管是电流控制器件，功耗比较高。但场效应管制作工艺比三极管复杂，不过可以做得很小，到纳米级大小。所以在大规模集成电路小信号处理方面得到广泛的应用。对大电流功率器件处理比较困难，不过目前已经有双场效应管结构增加电流负载能力，也有大功率场管出现，大有取代三极管的趋势。场效应管具有很多比三极管优越的性能。 结型场效应管的结构 结型场效应管又叫JFET，只有耗尽型。 这里以N沟道结型场效应管为例，说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型材料并引出一个电极，称为栅极(G)。这样在沟道和栅极间便形成了两个PN结。当栅极开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随型号而不同，一般为数百欧至数千欧。如果在漏极及源极之间加上电压U Ds，就有电流流过，I D将随U DS的增大而增大。如果给管子加上负偏差U GS时，PN结形成空间电荷区，其载流子很少，因而也叫耗尽区(如图a中阴影区所示)。其性能类似于绝缘体，反向偏压越大，耗尽区越宽，沟道电阻就越大，电流减小，甚至完全截止。这样就达到了利用反向偏压所产生的电场来控制N型硅片(沟道)中的电流大小的目的。 注：实际上沟道的掺杂浓度非常小，导电能力比较低，所以有几百到几千欧导通电阻。而且是PN结工作在反向偏置的状态。刚开机时，如果负偏置没有加上，此时I D是最大的。 特点：1，GS和GD有二极管特性，正向导通，反向电阻很大 2：DS也是导通特性，阻抗比较大 3：GS工作在反向偏置的状态。 4：DS极完全对称，可以反用，即D当做S，S当做D。 从以上介绍的情况看，可以把场效应管与一般半导体三极管加以对比，即栅极相当于基极，源极相当于发射极，漏极相当于集电极。如果把硅片做成P型，而栅极做成N型，则成为P沟道结型场效应管。结型场效应管的符号如图b所示。

VDMOS功率晶体管版图设计

VDMOS功率晶体管的版图设计 系 专业姓名 班级学号 指导教师职称 指导教师职称 设计时间2012.9.15－2013.1.4

摘要 VDMOS 是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。因具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率、制造工艺简单等一系列优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。目前，国际上已形成规模化生产，而我国在VDMOS 设计领域则处于起步阶段。 本文首先阐述了VDMOS 器件的基本结构和工作原理，描述和分析了器件设计中各种电性能参数和结构参数之间的关系。通过理论上的经典公式来确定VDMOS 的外延参数、单胞尺寸和单胞数量、终端等纵向和横向结构参数的理想值。根据结构参数，利用L-edit版图绘制软件分别完成了能够用于实际生产的60V、100V、500V VDMOS 器件的版图设计。在此基础之上确定了器件的制作工艺流程，并对工艺流水中出现的问题进行了分析。最后，总结全文，提出下一步研究工作的方向。 关键词：，功率半导体器件，版图设计，原胞，击穿电压

目录

第1章绪论 电力电子系统是空间电子系统和核电子系统的心脏，功率电子技术是所有电力电子系统的基础。VDMOSFET 是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源以及为电机设备提供驱动。几乎大部分电子设备和电机设备都需用到功率VDMOS 器件。VDMOS 器件具有不能被横向导电器件所替代的优良性能，包括高耐压、低导通电阻、大功率和可靠性等。 半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，也称为电力电子开关器件。它是用来进行高效电能形态变换、功率控制与处理，以及实现能量调节的新技术核心器件。电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的可控制特性决定了电力电子系统的效率、体积和重量。实践证明，半导体功率器件的发展是电力电子系统技术更新的关键。通常，半导体功率器件是一种三端子器件，通过施加于控制端子上的控制信号，控制另两个端子处于电压阻断（器件截至）或电流导通（器件导通）状态。20 世纪50 年代初，世界上第一只可控性半导体器件双极结型晶体管（BJT）诞生，从那时起，BJT 开始广泛应用于各类电子系统中，并促使人类真正进入大功率电能转换的时代。 实际上大容量电功率概念与半导体器件技术相结合的研究开发从50 年代就已经开始。1958 年世界上第一只晶闸管（早期称为可控硅整流管，300V/25A）研制成功，使半导体技术在工业领域的应用发生了革命性的变化，有力的推动了大功率（高电压、大电流）电子器件多样化应用的进程。在随后的二十多年里，功率半导体器件在技术性能和应用类型方面又有了突飞猛进的发展，先后分化并制造出功率逆导晶闸管、三端双向晶闸管和可关断晶闸管等。在此基础上为增强功率器件的可控性，还研制出双极型大功率晶体管，开关速度更高的单极MOS 场效应晶体管和复合型高速、低功耗绝缘栅双极晶体管，从此功率半导体器件跨入了全控开关器件的新时代。进入90 年代，单个器件的容量明显增大，控制功能更加灵活，价格显著降低，派生的新型器件不断涌现，功率全控开关器件模块化和智能化集成电路已经形成，产品性能和技术参数正不断改进和完善。电力电子技术的不断发展及广泛应用将反过来又促进现代功率半导体器件制造技术的成熟与发展。 20 世纪70 年代末，随着MOS 集成电路的发展，诞生了MOS 型半导体功率功率VDMOS 器件结构与优化设计研究器件。MOSFET 不仅是微电子学的重要器件，有

场效应管工作原理

场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP 型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在

运算放大器的工作原理

运算放大器的工作原理-标准化文件发布号：（9556-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

运算放大器的工作原理 放大器的作用： 1、能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。原理:高频功率放大器用于发射机的末级，作用是将高频已调波信号进行功率放大，以满足发送功率的要求，然后经过天线将其辐射到空间，保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平，并且不干扰相邻信道的通信。高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。按其工作频带的宽窄划分为窄带高频功率放大器和宽带高频功率放大器两种，窄带高频功率放大器通常以具有选频滤波作用的选频电路作为输出回路，故又称为调谐功率放大器或谐振功率放大器；宽带高频功率放大器的输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路，因此又称为非调谐功率放大器。高频功率放大器是一种能量转换器件，它将电源供给的直流能量转换成为高频交流输出在“低频电子线路”课程中已知，放大器可以按照电流导通角的不同， 运算放大器原理 运算放大器（Operational Amplifier,简称OP、OPA、OPAMP）是一种直流耦合﹐差模（差动模式）输入、通常为单端输出（Differential-in, single-ended output）的高增益（gain）电压放大器，因为刚开始主要用于加法，乘法等运算电路中，因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性：无限大的输入阻抗、等于零的输出阻抗、无限大的开回路增益、无限大的共模排斥比的部分、无限大的频宽。最基本的运算放大器如图1-1。一个运算放大器模组一般包括 一个正输入端(OP_P)、一个负输入端(OP_N)和一个输出端(OP_O)。 图1-1 通常使用运算放大器时，会将其输出端与其反相输入端（inverting input node）连接，形成一负反馈（negative feedback）组态。原因是运算放大器的电压增益非常大，范围从数百至数万倍不等，使用负反馈方可保证电路的稳定运作。但是这并不代表运算放大器不能连接成正回

场效应管工作原理

场效应管工作原理

场效应管工作原理 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D

汉字间架结构八大规律92法

汉字间架结构八大规律 1、间距相等规律： 横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律： 先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律： 独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。 例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律： 玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律： 首点居正：主、宇、市、京、童、庄中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂 上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。 6、错位规律： 凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等. 7、包围结构组字规律： 左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。 左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、左下包右上：旭、翘、延、述、尴、尬、超、题、毯、咫左三包围：区、医、巨、臣下三包围：画、凶、幽、函上三包围：同、问、冈、风、月全包围：国、四、田、回、目

运算放大器构造及原理

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运算放大器的工作原理 放大器的作用： 1、能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。原理:高频功率放大器用于发射机的末级，作用是将高频已调波信号进行功率放大，以满足发送功率的要求，然后经过天线将其辐射到空间，保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平，并且不干扰相邻信道的通信。高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。按其工作频带的宽窄划分为窄带高频功率放大器和宽带高频功率放大器两种，窄带高频功率放大器通常以具有选频滤波作用的选频电路作为输出回路，故又称为调谐功率放大器或谐振功率放大器；宽带高频功率放大器的输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路，因此又称为非调谐功率放大器。高频功率放大器是一种能量转换器件，它将电源供给的直流能量转换成为高频交流输出在“低频电子线路”课程中已知，放大器可以按照电流导通角的不同，运算放大器原理 运算放大器（Operational Amplifier,简称OP、OPA、OPAMP）是一种直流耦合﹐差模（差动模式）输入、通常为单端输出（Differential-in, single-ended output）的高增益（gain）电压放大器，因为刚开始主要用于加法，乘法等运算电路中，因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性：无限大的输入阻抗、等

运算放大器的工作原理

运算放大s得工作原理 放大器得作用：仁能把输入讯号得电压或功率放人得装置，由电了管或晶体管■电源变压器与其她电器元件组成。用在通讯、广播.需达、电视、自动控制等各种装置中。原理：高频功率放人器用于发射机得末级，作用就是将高频已调波信号进行功率放大,以满足发送功率得炎求，然后经过天线将其辐射到空间,保证在?定区域内得接收机可以接收到满意得信号 电平，并且不干扰相邻信道得通信。高频功率放大器就是通信系统中发送装置得重要组件。 按其工作频带得宽窄划分为窄带简频功率放人器与宽带高频功率放人器两种，窄带周频功率放人器通常以具有选频滤波作用得选频电路作为输出回路，故又称为调谐功率放人器或谐振功率放人器：宽带简频功率放人器得输出电路则就是传输线变圧器或其她宽带匹配电路，W此又称为非调谐功率放大器?高频功率放人能就是?种能量转换器件，它将电源供给得直流能量转换成为高频交流输出在“低频电r 线路噪程中己知倣人器可以按照电流导通角得不同, 运算放人器原理 运算放人器（Op e r atio n a 1 AmpI i Pier-简称OP、OPA、OPAMP）就是?种直 流耦合，差模（差动模式）输入、通常为单端输出（D 1 ffere ntial—in, sing 1 e—ended o utput）得高增益（gain）电压放人器阴为刚开始主耍用于加法，乘法等运算电路中? W而得名??个理想得运算放大器必须具备下列特性：无限人得输入阻抗.等于零得输出阻抗、无限人得开回路 增益、无限大得共模計#斥比得部分.无限人得频宽。最基本得运算放人器如图1-1- 一个运算放人器模组?般包括?个正输入端（OP_P〉、?个负输入端（OP_N〉与?个输出端（0 P_0）。 图1?1 通常使用运算放大器时，会将其输出端与其反相输入端（inverting input node ）连接,形成一负反馈（negative feedback）组态。原因就是运算放人器得电压増益非常大，范 圉从数百至数万倍不等，使用负反馈方可保证电路得稳定运作。但就是这并不代衣运算放人器不能连接成正回馈（positive f e edbac k ）,相反地，在很多需要产生震荡讯号得系统中，正回馈组态得运算放大器就是很常见得组成元件。 开环回路

2016年高考--高频率语病题型(含答案)

一、语病专题之高频率错题集锦回顾练习，请指出下列句子语病的错误（直接在句子画出错点并改正），并从中总结出语病题型的几点规律： 每小题1.5分，共60分。 1、自从实施飞行员培训计划后，学员报名十分踊跃，有航空爱好者，有想开飞机节省时间的企业家，还有一些家长想给孩子增加一项实用技能。句式杂糅 2、2、目前，市场上有转基因食品如大豆油、油菜籽油及调和油等均已作了标志，今后，农业部门将借鉴国外标志管理经验，进一步完善转基因产品标志管理制度。句式杂糅 3、3、南京中央商场凭借丰富的商品、可靠的质量、合理的价格、周到的服务吸引了大量顾客，其中有20% 是国际友人慕名前来。句式杂糅 4、达芬奇家具涉嫌虚假宣传被曝光，社会各界对此极为关注，央视记者采访该企业负责人时，正式向消费者道歉。句式杂糅---暗换主语 5、行政执法应该遵循有法可依、有法必依、执法必严、违法必究以及公平公正、公开高效为原则，既对社会实行规范管理，又向公众提供优质服务。结构混乱---两种结构混用 6、他家离铁路不远，小时候常常去看火车玩儿，火车每当鸣着汽笛从他身边飞驰而过时，他就很兴奋，觉得自己也被赋予了一种力量。结构混乱---中途易辙 7、10月8日零点，随着全国各地高速收费站的收费杆的落下，使持续八天的高速公路免费通行鸣金收兵，首次实施的重大节假日小客车免费通行政策首战告捷。缺主语 8、由于美国农作物产量会对全球粮食市场产生举足轻重的影响，使联合国粮食计划署等机构对明年的粮价忧心忡忡。缺主语 9、我们来到这举世闻名的博物馆，看到琳琅满目的艺术珍品，无不使人感到自豪。缺主语（也可归类为“句式杂糅---暗换主语”） 10、中心思想是针对文章的整体内容而言的，要求具有较高的分析概括能力和准确的语言表达能力。缺主语 11、为改变因大山阻隔世代守着一片沃土却过着清贫日子□□，鄂西南五峰土家古城山的19户农民自筹资金，在山中打出210米长的隧道，一解百年阻隔之痛。缺宾语 12、执法部门对向未成年人出售、出租或以其他方式传播反动、淫秽、暴力、凶杀、封建迷信的图书报刊、音像制品□□，应依法从重处罚。缺宾语 13、眼下，很多人都认为武侠小说已穷途末路，再写武侠的人多是抱着勇于承担责任，不顾自己利益□□。可是武侠名家温瑞安，却认为只要写得好，武侠小说家的日子会很好过。缺宾语 14、政府主导，媒体监督与宣传，社会各界积极行动，是解决目前我国农村约5 800万缺失父母庇护的留守儿童身心成长、学习生活所面临的失管、失教和失衡问题□□。缺宾语15、最近又发动了全面的质量大检查运动，要在这个运动中完成建立与加强技术管理制度等一系列的工作。搭配不当 16、近年来，随着教育教学改革的不断深化，高校学生的培养深受社会广大用人单位的欢迎，就业率明显提高。搭配不当 17、北京市疾控中心学校卫生所所长段佳丽表示，眼保健操起到的是舒缓眼部疲劳、眼睛保健的功能，在一定程度上可以预防近视，但不是网友理解的治疗近视眼。搭配不当

晶体管设计

晶体管设计 大功率晶体管是功率驱动电路的核心元件。大功率晶体管通常工作在极限参数状态下，其主要参数是击穿电压和电流容量。分析了大功率晶体管的工作原理和设计原则，并针对一个具体的大功率晶体管的参数要求，设计了晶体管的纵向和横向结构尺寸，并确定了材料参数和工艺参数。 大功率品体管以其电压高，电流大，功率大的独特优势随着社会的进步得到了不断的拓展。在五十年代，锗合金工艺相对硅成熟，因此锗管成为大功率品体管的先声，在大功率晶体管中占据着主流地位。硅大功率晶体管在1956年问世。从此品种繁多的各种硅功率管大量应用到通讯和雷达设备、发射电路中的功率放大器、倍频器和振荡器等。由于硅材料容易获得且能工作在较高温度具有小的反向电流和高的耐压特性等优点，因而在后期硅的发展速度远远超过锗管。 功率开关管作为各种类型开关电源的主功率开关器件，随着开关电源的日益发展，其应用范围更加广泛。目前，硅大功率晶体管已广泛地应用于: (1)电源开关、反相器、电机速度控制: (2)汽车的点火电路，制动电路; (3)用于广播、电视的高频放大和电子计算机，通信设备的电源装置和各类开关电源等方面。 (4)军事工业和航空航天工业大功率设备。 大功率晶体管以其电压高、电流大、功率大的独特优势在自动化控制系统、

计算机电源系统、交通电气设备、不停电电源装置及各类开关电源、各种变流系统、军事工业及航空航夭工业部门的大功率设备中占有非常重要的地位。即使在集成电路技术和新型电力电子器件迅速发展的今天，普通型大功率晶体管在半导体产业这个大家族中仍占有一席之地，特别是在集成电路所不能胜任的领域(诸如低噪声，高耐压，大电流，大功率和微波性能等方面)发挥愈来愈大的作用。因此，进一步研究、设计、制造大功率晶体管具有重要意义。 大功率晶体管区别于小功率晶体管的最大工作特点就是在大的耗散功率或输出功率条件下工作(即在大电流或高电压)。因此，大功率品体管除了在大电流一下保证足够的放大能力和承受较高的集电极电压外，还必须有良好的散热能力。 2. 1大功率晶体管的大电流效应 从晶体管原理可知，当晶体管在大电流或则高压下工作时，会发生一些不同于小电流工作的效应和现象:基区电导调制效应，基区增宽效应，基极电阻自偏压效应和发射极电流集中现象等。 基区电导调制效应:从晶体管的工作机理可知，晶体管的工作电流越大，则注入到基区的少数载流子就越多。为了保持基区电中性的要求，在基区内需要引入同等数量的多数载流子。这样一来，就会使基区内导电的载流子浓度增加，增大了基区的电导率，也就是说，基区的电导率受到了工作电流的调制。山于基区电导率的增加，将使少子在基区内被复合的几率增加，导致电流放大系数下降。 基区增宽效应:在大的电流密度时，晶体管集电结空间电荷区域内的运动载流一子浓度将大大增加。当集电极电流密度达到或超过某一定值时，由于运动载流子浓度的急剧增加，致使集电结附近的空间电荷出现重新分布的现象一基区一边集电结的电荷密度将大大增加，而集电区一边的集电结空间电荷密度将下降。由

场效应管工作原理

场效应管工作原理 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P 沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N 型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM UGS=0时的漏极电流。UP —夹断电压，使ID=0对应的UGS的值。P沟道场效应管的工作原理与N沟道类似。我们不再讨论。下面我们看一下各类绝缘栅场效应管(MOS场效应管)在电路中的符号。§3 场效应管的主要参数场效应管主要参数包括直流参数、交流参数、极限参数三部分。 一、直流参数 1、饱合漏极电流IDSSIDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数。定义：当栅、源极之间的电压UGS=0，而漏、源极之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。 2、夹断电压UPUP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数。定义：当UDS一定时，使ID减小到某一个微小电流(如1μA， 50μA)时所需UGS的值。 3、开启电压UTUT是增强型场效应管的重要参数。定义：当UDS一定时，漏极电流ID达到某一数值(如10μA)时所需加的UGS 值。 4、直流输入电阻RGSRGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比，由于栅极几乎不索取电流，因此输入电阻很高，结型为106Ω以上，MOS管可达1010Ω以上。 二、交流参数

汉字书写间架结构规律

汉字书写间架结构规律 1、左边偏旁或部件短，偏上不偏下，(左小左齐上)如“唱、吩、明、峰”“听” 2、右边偏旁或部件短，偏下不偏上，(右小右下停)如“打、知、妇、细”配、缸 3、上盖稍长，罩住下方；如：会、富、穿， 4、底横要长，托住上方；如：至、孟、监（“垂”除外） 5、上下相同，上小下大才像样。（重形下载上）如：吕、炎、串、昌”等。 6、左耳小，右耳大，单耳向下拉。如“队、陈，都、邦，印、即”等。 7、横长则撇短（横长撇易短）如“布、右、有”等； 8、横短则撇长，（横短撇易长）如“左、龙、灰、存”等； 9、横长竖短则撇捺收，横短竖长则撇捺放，如“杂、杀，术、朱、本”等。 10、有中竖的字，笔画要正直，如“甲、平、午”等； 11、有中横的字，中横要长，如“喜、安、意、类”等。 12、左右有竖的，左竖收右竖伸，如“日、固、临、界”； 13、上下有横，上横短下横长，如“二、天、正、亚（“末”除外）”。 14、三包框的字，下缺、右缺向里收，如“同、用，臣、医”等； 15、上缺、左缺向外出，如“凶、幽、司、匐”等。 16、上中下结构的字要写肥一点，如“翼、冀、霎、蕊”等； 17、左中右结构的字要写得瘦一点，如“嫩、渺、徽”等； 18、全包围的字要写得略小点，如“国、回、囫囵”等。 19、捺在左内缩成点，如：林 20、左边底横要变提，如：地 21、月字当底撇变竖，如：育 22、左竖弯钩变竖提，如： 23、西四当头不拐弯，如：谭 24、雨字当头短而齐，如：需

25、小可几羽在上钩收起。如：歌，翼 26、排点齐有形如：雨、函 27、重横上易短如：春、老 28、重竖右易伸如：川、顺 29、连折兼方圆如：界、花、富 30、连勾角不同如：弯、穷 31、三点意不断如：法、亦 32、两撇对上胸如：行、得 33、四横求变形如：兼 34、四竖下合迎如：带、舞 35、疏者易舒展如：大、小 36、堆积要等腰如、品、晶 37、并立让右行如：林、流 38、大字促其小如：赢、赣 39、小字见大形如：一、十、东 40、长者自然长如：廿 41、横竖起平衡如：十、田 42、撇捺求飘逸如：贪、春 43、勾折有力量 44、点要有精神

运算放大器的工作原理

运算放大器的工作原理 放大器的作用：1、能把输入讯号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。用在通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种装置中。原理:高频功率放大器用于发射机的末级，作用是将高频已调波信号进行功率放大，以满足发送功率的要求，然后经过天线将其辐射到空间，保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平，并且不干扰相邻信道的通信。高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。按其工作频带的宽窄划分为窄带高频功率放大器和宽带高频功率放大器两种，窄带高频功率放大器通常以具有选频滤波作用的选频电路作为输出回路，故又称为调谐功率放大器或谐振功率放大器；宽带高频功率放大器的输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路，因此又称为非调谐功率放大器。高频功率放大器是一种能量转换器件，它将电源供给的直流能量转换成为高频交流输出在“低频电子线路”课程中已知，放大器可以按照电流导通角的不同， 运算放大器原理 运算放大器（Operational Amplifier,简称OP、OPA、OPAMP）是一种直流耦合﹐差模（差动模式）输入、通常为单端输出（Differential-in, single-ended output）的高增益（gain）电压放大器，因为刚开始主要用于加法，乘法等运算电路中，因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性：无限大的输入阻抗、等于零的输出阻抗、无限大的开回路增益、无限大的共模排斥比的部分、无限大的频宽。最基本的运算放大器如图1-1。一个运算放大器模组一般包括一个正输入端(OP_P)、一个负输入端(OP_N)和一个输出端(OP_O)。 图1-1 通常使用运算放大器时，会将其输出端与其反相输入端（inverting input node）连接，形成一负反馈（negative feedback）组态。原因是运算放大器的电压增益非常大，范围从数百至数万倍不等，使用负反馈方可保证电路的稳定运作。但是这并不代表运算放大器不能连接成正

汉字间架结构八大规律92法之令狐采学创编

汉字间架结构八大规律 令狐采学 1、间距相等规律： 横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律： 先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律： 独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。 例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律：

玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律： 首点居正：主、宇、市、京、童、庄中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂 上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。 6、错位规律： 凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等. 7、包围结构组字规律： 左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。 左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、左下包右

运算放大器工作原理是什么

运算放大器工作原理是什么? 运算放大器（Operational Amplifier,简称OP、OPA、OPAMP）是一种直流耦合﹐差模（差动模式）输入、通常为单端输出（Differential-in, single-ended output）的高增益（gain）电压放大器，因为刚开始主要用于加法，乘法等运算电路中，因而得名。一个理想的运算放大器必须具备下列特性：无限大的输入阻抗、等于零的输出阻抗、无限大的开回路增益、无限大的共模排斥比的部分、无限大的频宽。最基本的运算放大器如图1-1。一个运算放大器模组一般包括一个正输入端(OP_P)、一个负输入端(OP_N)和一个输出端(OP_O)。 通常使用运算放大器时，会将其输出端与其反相输入端（inverting input node）连接，形成一负反馈（negative feedback）组态。原因是运算放大器的电压增益非常大，范围从数百至数万倍不等，使用负反馈方可保证电路的稳定运作。但是这并不代表运算放大器不能连接成正回馈（positive feedback），相反地，在很多需要产生震荡讯号的系统中，正回馈组态的运算放大器是很常见的组成元件。

开环回路运算放大器如图1-2。当一个理想运算放大器采用开回路的方式工作时，其输出与输入电压的关系式如下： Vout = ( V+ -V-) * Aog 其中Aog代表运算放大器的开环回路差动增益（open-loop differential gai 由于运算放大器的开环回路增益非常高，因此就算输入端的差动讯号很小，仍然会让输出讯号「饱和」（saturation），导致非线性的失真出现。因此运算放大器很少以开环回路出现在电路系统中，少数的例外是用运算放大器做比较器（comparator），比较器的输出通常为逻辑准位元的「0」与「1」。 闭环负反馈 将运算放大器的反向输入端与输出端连接起来，放大器电路就处在负反馈组态的状况，此时通常可以将电路简单地称为闭环放大器。闭环放大器依据输入讯号进入放大器的端点，又可分为反相（inverting）放大器与非反相（non-inverting）放大器两种。 反相闭环放大器如图1-3。假设这个闭环放大器使用理想的运算放大器，则因为其开环增益为无限大，所以运算放大器的两输入端为虚接地（virtual ground），其输出与输入电压的关系式如下： Vout = -(Rf / Rin) * Vin