新方法改进了激光二极管的检测
新方法改进了激光二极管的检测
作者：Paul Meyer
电信用高功率激光二极管的检测存在一些误差源。这些误差源包括耦合高电流脉冲、光探测器耦合、探测器本身的慢速响应和误差。处理好这些问题，就可以缩短测试时间、提高测试的准确性，降低不合格率。
LIV曲线
激光二极管的基本检测是光-电流-电压（LIV）曲线，即同时测量电和光的输出功率特性。这种测试可以在生产的任何阶段进行，但首先用于激光二极管的挑选，即提前排除坏的二极管。
对被测器件进行电流扫描，记录每一步扫描的电压，同时，使用仪表监测光输出功率。这个测试最好以脉冲方式在生产初期，在激光二极管被装进模块之前进行。此时，二极管仍处于原始状态，脉冲检测是必要的，因为此时组件没有温度控制电路。如果用直流电测试，至少会改变它们的特性，最坏会将它们损坏。在随后的生产中，当它们被安装在有温度控制的模块中时，可用直流电进行测试，结果可与脉冲测试对比。另外，一些二极管能通过直流测试但不能通过脉冲测试。
分析LIV测试数据可以确定激光器的特性，包括产生激光的临界电流、量子效率和输出的非线性特性（图1）。
检测激光二极管需要一个恰当形式的电流脉冲。它应尽快地达到满电流状态，并保持足够长时间的平稳，以确保结果的准确。在最初阶段的测试中，一般使用宽度为0.5ms到1ms的脉冲。电流变化范围从几十毫安到5安培。
图一
阻抗匹配
要传递高速电流脉冲给激光二极管，同时要避免反射问题，一般认为可以选用传输线——例如一段同轴电缆。但最常用的那种同轴电缆有50Ω的阻抗，而二极管的阻抗大约为2Ω，很不匹配。尽管可以串联一个48Ω的电阻，但这样将产生新的问题；50Ω的系统通过5A电流将需要250V的电压，这对于人和设备都是十分危险的。此外，由于激光器的动态电阻随 电流增大而减少，所以测试条件随测试进程而改变。
使用低阻抗同轴电缆可能是一个有效的解决办法，但这样做会改变激光二极管的动态电阻。另外一个办法是：用两根10Ω的同轴电缆连接激光二极管，在电缆两端施加脉冲电流（图2）。这样，对二极管施加小于10V的电压就可产生5A 电流。因为系统有电流源，避免了二极管动态电阻改变带来的问题。
即使最仔细地对阻抗进行匹配，也不可能完美，因此使用尽可能短的传输线是很实际的方法。这也是为了将连接激光二极管的回路面积减少到最小。
图二
电测量
在激光二极管上加上高速脉冲时，测量它的电压和电流不太容易。用阴极射线管探测器来测量电压也会引发问题，其中一个问题是如何接地。探测器的频率范围必须达到1GHz。
电流测量就简单一点。用一个低值电阻器（阻值低于激光二极管的电阻）与二极管串联就能进行测量，但要求电阻器的电容和电感系数很低。绕线电阻器有电感损耗，所以不适于高频测试。
选择光探测器
现有三种常用探测器材料：硅、锗和铟镓砷（InGaAs），每一种有它自己的优点和缺点。如图3所示，探测器的选择很大程度上取决于它所适应的波长。当波长小于800nm时，硅是唯一的选择。但电信领域中常用的波长在1300nm到1700nm之间，这时铟镓砷是最好的，因为它的响应特性在此区间非常平稳。然而，铟镓砷对脉冲的响应存在问题。为避免激光二极管过热，最好用足够短的脉冲来测试，但铟镓砷探测器却需要足够长的时间来达到某种稳定状态。
如图4所示，即使在10微秒脉冲内，铟镓砷探测器也很不稳定。如果脉冲宽度减少到1微秒，这问题将会更严重。锗探测器不存在这种问题，所以它更适用于短脉冲。
图三
图四
探测器耦合
有几种方法可以将激光二极管的输出耦合到探测器。一种方法是将激光直接打到探测器上，但这种方法有几个缺点。其一，不能保证所有的光都照射到探测器上。例如，发射光束的截面是椭圆形的，或者光束的直径大于探测器的有效接收区域，再或者发射光束没有对准探测器，这些都会导致一部分光丢失。其二，一些探测器对偏振敏感，这将引发更多的错误。其三，一些高功率激光二极管的输出会使许多探测器达到饱和而失效。
积分球通常是最佳的解决方案，它是一个中空的球体，内表面涂有高反射材料，有两个端口，一端固定在探测器上，另一端用来输入被测光（图5）。积分球能接收从光源发出的所有的光，经散射将光均匀分布在内表面上，安装在积分球侧面的探测器能“看到”输入光的一个固定比例（大约1%）。这样既可以算出全部入射光的功率，还可以测量很高功率的光，而不必担心探测器被损坏。
图五
检测速度
曾经有段时间，光纤通信设备的需求超过供给，生产商的效率成了次要的问题。然而，今天检测工作也必须像其它事情一样快速、准确和便宜。这表明光功率计不是好的选择，这种仪器的检测时间过长。
为避免这个问题，标准的做法是使用一套仪器，包括脉冲源、光测量部件（光敏二极管探测器等）、一对高速电流电压转换器和一个高速多信道数字取样示波器（DSO）。脉冲源产生脉冲，其它仪器测量电学和光学响应。
这一过程可能需要几千个脉冲。有时候每一个电平就有几百个脉冲。这样看起来是提高了灵敏度、准确度和精确度，但掩盖了波形扭曲的问题。这也是一个漫长的过程，每个被测设备要花费几十秒到几分钟的时间。这套系统每天大约能测2500个零件，每套检测设备大约花费15万美元。
更新的办法是在一个单一仪器中包括所有功能。这种仪器本质上是一个脉冲源测量单元，其输出阻抗和电缆与激光二极管的阻抗十分匹配。系统的测量部分将多通道数据采集、专门的定时电路、高速电流电压转换器和数字信号处理器（DSP）整合为一体，数字信号处理器仿效DSO的功能并控制测量程序。
這種儀器按照GPIB總線給定的檢測順序，由內部的DSP進行編程，決定LIV掃描的先後順序。一旦完成編程，就不需要其它設備的指令或計算機控制，數字信號處理器將獨自執行脈衝的LIV掃描。實際上，儀器通過數字I/O端口直接給各部件提供控制信號。
通過DSP實現了對脈衝測量結果的快速分析，不再像以前那樣耗時。這樣將脈衝電流電壓檢測時間降低到了幾秒鐘，並且將軟件的複雜性降到了最低。
因單台檢測只需幾秒鐘，即使在系統利用率只有85%的情況下，每天仍可對15000個二極管進行檢測。購買這樣的系統只需花費原來價格的一小部分，但帶來了更高的生產能力。
這類系統可設計成脈衝和非脈衝兩種模式。兩種功能可在同一個平臺使用，通過同樣的檢測通道對兩種類型的LIV 進行掃描。比較脈衝式和非脈衝式的檢測結果可為被測器件的性能提供更完全的信息。
將所有相關功能合並到一個儀器中的第3代LIV檢測系統可大大提高檢測能力。
激光二极管的特性
激光二极管的特性 1、伏安特性 半导体激光器是半导体二极管，具有单向导电性，其伏安特性与二极管相同。反向电阻大于正向电阻，可以通过用万用表测正反向电阻确定半导体激光二极管的极性及检查它的PN结好坏。但在测量时必须用1k以下的档，用大量程档时，激光器二极管的电流太大，容易烧坏。 2、P—I特性 激光二极管的出射光功率P与注入电流I的关系曲线称为P-I 曲线。 注入电流小于阈值电流I th时，激光器的输 出功率P很小，为自发辐射的荧光，荧光的输 出功率随注入电流的增加而缓慢增加。 注入电流大于Ith时，输出功率P随注入 电流的增加而急剧增加，这时P—I曲线基本上 是线性的。当I再增大时，P—I曲线开始弯曲呈非线性，这是由于随着注入电流的增大，使结温上升，导致P增加的速度减慢。 判断阈值电流的方法：在P—I特性曲线中，激光输出段曲线的向下延长线与电流轴的交点为激光二极管的阈值电流。 3、光谱特性
激光二极管的发射光谱由两个因素决定：谐振腔的参数，有源介质的增益曲线。 腔长L确定纵模间隔，宽W和高H决定横模性质。如果W和H 足够小，将只有单横模TEM00存在。 多模激光二极管在其中心波长附近呈现出多个峰值的光谱输出。单纵模激光器只有一个峰值。 工作在阈值以上的1mm腔长的增益导引LD的典型发射光谱 激光二极管是单模或多模还与泵浦电流有关。折射率导引LD，在泵浦电流较小、输出光功率较小时为多模输出；在电流较大、输出光功率较大时则变为单模输出。而增益导引LD，即使在高电流工作
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半导体激光器光束准直技术研究 摘要：相较于其他激光器，半导体具有结构简单、功耗低、操作方便等优点， 且目前已广泛应用于激光领域，例如：激光通信、激光测距等。基于半导体激光 器的基本结构，在垂直于结平面方向上，它发出的光束的发射角大小大约为30o；而在平行于结平面方向上，它的发射角大约为10o。正是由于两者的发射角相差 太大，所以半导体激光器在应用过程中，利用特殊的光学系统对其输出光束进行 准直是非常有必要的。 本文开篇部分主要介绍了半导体激光器的发展现状和准直意义，中间部分主 要讲述了半导体激光器的基本原理与结构分类，最后大概介绍了一些半导体激光 器光束准直方法。 关键词：半导体激光束；准直；整形 一、半导体激光器的发展现状和准直意义 半导体激光器从二十世纪六十年代开始发展，较其他激光器落后几年，如今 半导体激光器的技术已相当成熟。二十世纪七十年代开始，人们重点研究了半导 体激光器的动态特性，使其主要朝着两个方面发展，其一是功率型激光器，主要 以提高光功率为主；其二是信息型激光器，主要以传递信息为主。近年来，人们 也研发出了高功率半导体激光器，其指的是脉冲输出功率在5W以上，且连续输 出功率在100mW以上。二十世纪九十年代，在泵浦固体激光器的作用下，高功 率半导体激光器的研发取得了实质性进展，主要指半导体激光器的连续输出功率 可以达到5W~30W左右，得到了很大的提高。现在，高功率半导体激光器在国内 外的发展已相当白热化，其中国外商品化的大功率半导体激光二极管阵列已达到 千瓦级别，而国内的样品器件要稍微落后一点，但也已达到了600W。 现如今，半导体激光器已广泛应用于各行各业，但是在应用过程中，出现了 一些问题，主要是由于半导体激光器的波导结构造成的。这些问题主要表现在三 个方面：其一，半导体激光束在快轴方向和慢轴方向的发射角之间相差太大，其 中在慢轴方向的发射角大概在10o左右，而在快轴方向上的发射角甚至可以达到60o左右；其二，半导体激光器具有固有像散，即半导体激光器在慢轴和快轴两 个方向上的束腰不在同一地方；其三，半导体激光器的远场的光斑为椭圆形的。 基于这些特点，在那些条件较高的领域，几乎都要利用特殊的光学系统对输出光 束进行准直。 二、半导体激光器的基本原理与结构分类 半导体激光器是利用半导体中的电子光跃迁导致光子受激辐射从而产生的光 振荡器和光放大器的统称。 受激辐射是指若入射光的能量满足式（2-1）且大于带隙能量Eg时，则导带 中的电子将发生跃迁以及价带中的空穴将发生光子辐射。而自发辐射是指没有入 射光的光子发射。式（2-1）如下， （2-1） 其中，h是普朗克常量，是角频率。 假如系统具有数量较多的电子，那么在热平衡状态下，低能级的电子数小于 高能级的电子数，即电子的能量分布是服从费米-狄拉克分布的，所以基本来讲， 光还是被吸收的。半导体激光束发挥作用主要依靠的是激光辐射，而激光作用的 基本原理就是光放大，其是靠系统的能量分布产生反转而形成的净的光辐射产生的。对于半导体激光器来说，其与别的激光器的基本原理是无本质差别的，且阈
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激光二极管LIV测试仪 苏美开 （济南福来斯光电技术研究室，flsoe@https://www.wendangku.net/doc/6411204655.html,） 1.概述 激光二极管LIV测试仪是测量半导体激光器（LD）主要性能参数和特性指标的仪器。通过给受试LD提供不同的工作电流，采集不同工作条件下受试LD的各种参数信号，计算得出该LD的光电转换特性、伏安特性、光谱特性、远场/近场特性(近场特性正在开发中)和热特性。打印测试报告，保存数据。主要特点是： 1.1系统按功能模快化,采用单片机控制, 性能稳定可靠，维修使用方便； 1.2 测试功率覆盖范围宽：mW~1000W以上； 1.3 测试封装类型多：TO系列、光纤输出系列、Bar系列、管芯系列以及各种组件等等； 1.4 高质量的LD驱动电源：既可连续工作，又可脉冲工作，具有LD过流保护功能，低噪声、无浪涌和过脉冲； 1.5自动化程度高：整个测试、数据采集和数据处理、显示及打印都由系统自动完成； 1.6操作简单、测量速度快。 1.7 USB/RS232接口自选 2 功能 系统主要功能包括测量LD的光电特性（LI和LI M）、伏安特性（VI）、光谱特性（SP）、远场特性（FF）和热特性（R），具体如下： 曲线，检测、推算工作电流、输出光功率、 2.1进行LIV和LI测试，绘制LIV曲线和LI M 工作电压、阈值电流、功率效率、斜率效率、微分电阻、背光电流等参数； 2.2进行光谱测试：绘制光谱曲线，推算峰值波长、光谱谱宽； 2.3进行远场测试: 绘制远场曲线，推算水平发散角、垂直发散角； 2.4进行热阻测试； 2.5测试数据能够保存、导入，可打印标准测试报告。 2.6可测量参数见表1： 表1 可测量参数 3主要技术指标 测试仪按照功率分类应包括小功率测试仪（0-100mW）；中功率测试仪（0-10W），大功率测试仪（0-100W以上）。表2给出了不同功率类型仪器的主要技术指标。
Maxim 激光驱动器和激光二极管的接口(1)
Maxim 激光驱动器和激光二极管的接口 Maxim 高频/光纤通信部 一概述 用激光驱动器驱动高速商用激光二极管是设计人员所面临的一项挑战本文旨在就这一主题为光学系统设计者提供参考以尽可能地简化设计过程激光管接口电路的设计难点在于 激光驱动器的输出电 路 激光二极管的电气特性和 二者之间的接口 (通常采用印刷电路板实现 ) 以下首先讨论激光二极管和激光驱动器的电气特性然后再结合二者讨论印刷电路板的接口以Maxim 的 2.5 Gbps 通信激光驱动器 MAX3867 和 MAX3869 为例来说明典型的应用 二激光二极管特性 流过激光管的电流超过它的门限值时半导体激光二极管产生并保持连续的光输出对于快速开关操作激光二极管的偏置需略高于门限以避免开关延迟激光输出的强弱取决于驱动电流的幅度电流-光转换效率或激光二极管的斜率效率门限电流和斜率效率取决于激光器结构制造工艺材料和工作温 度 图1给出了典型激光二极管的电压-电流特性和光输出与驱动电流的关系当温度升高时门限电流将以指数方式增加可近似用下式表示 I T T I th e K I T I ?+=0)( (1) 式中 I 0, K I 和 T I 是激光器常数例如对DBF 激光器 I 0 = 1.8mA, K I = 3.85mA, T I = 40°C 激光器的斜率效率(S) 是输出光功率 (mW) 与输入电流mA)的比值温度升高将导致斜率效率降低下式较好地表示了斜率效率与温度的函数关系 S T T S e K S T S ??=0)( (2) 对上述同样的DFB 激光器特征温度T S 近似等于40°C 其它两个参数 S 0 = 0.485mW/mA K S = 0.033mW/mA 激光管工作电压正向电压V 和电流I 的关系可由二极管的电压和电流特性模型来表示 T V V S e I I ??≈η, (3) 其中 I S 是二极管饱和电流 V T 是热电压η是结构常数当激光二极管被驱动至门限上下时电压和电流的关系近似为线性如图1所示 图2是激光二极管的简化模型图中直流偏置电压V BG 是激光二极管的带隙电压 R L 是二极管的动态电阻当驱动激光管至门限以上时激光管的输出光功率P 0 (图2)可由下式来表示 )(0th I I S P ??= (4) 图2. 简化的激光二极管等效电路 激光管电流
半导体激光器特性测量
半导体激光器特性测量实验 摘要：激光器的三个基本组成部分是：增益介质、谐振腔、激励能源。本实验通过测量半导体激光器的输出特性、偏振度和光谱特性，进一步了解半导体激光器的发光原理，并掌握半导体激光器性能的测试方法。 关键字：半导体激光器偏振度阈值光谱特性 一、引言 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。半导体激光器发射激光必须具备三个基本条件：（1）产生足够的粒子数反转分布；（2）合适的谐振腔起反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）满足阀值条件，使光子的增益≥损耗。半导体激光器工作原理是用某种激励方式，将介质的某一对能级间形成粒子数反转分布，在自发辐射和受激辐射的作用下，将有某一频率的光波产生（用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔），在腔内传播，并被增益介质逐渐增强、放大，输出激光。 二、实验仪器 半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑、光功率指示仪等。 三、实验原理 3.1半导体激光器的基本结构 半导体激光器大多数用的是GaAs或Gal-xAlxAs材料，p-n结激光器的基本结构如图1所示，p-n结通常在n型衬底上生长p型层而形成。在p区和n区都要制作欧姆接触，使激励电流能够通过，这电流使结区附近的有源区内产生粒子数反转，还需要制成两个平行的端面其镜面作用，为形成激光模提供必须的光反馈。图1中的器件是分立的激光器结构，它可以与光纤传输连成线，如果设计成更完整的多层结构，可以提供更复杂的光反馈，更适合单片集成光电路。
激光二极管原理及应用
激光二极管参数与原理及应用 2011-06-19 17:10:29 来源:互联网 一、激光的产生机理 在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程， 一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射； 二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射； 三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。 自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（这样情况称为离子数反转），才能发出激光。 产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激活物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射，不断引起新的受激辐射，使其不断被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗，即满足一定的阈值条件: P1P2exp(2G - 2A) ≥1 （P1、P2是两个反射镜的反射率，G是激活介质的增益系数，A是介质的损耗系数，exp 为常数），才能输出稳定的激光，另一方面，激光在谐振腔内来回反射，只有这些光束两两之间在输出端的相位差Δф=2qπq=1、2、3、4。。。。时，才能在输出端产生加强干涉，输出稳定激光。设谐振腔的长度为L，激活介质的折射率为N，则 Δф=（2π/λ）2NL=4πN(Lf/c)=2qπ， 上式可化为f=qc/2NL该式称为谐振条件，它表明谐振腔长度L和折射率N确定以后，只有某些特定频率的光才能形成光振荡，输出稳定的激光。这说明谐振腔对输出的激光有一定的选频作用。 二、激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。 半导体激光二极管的基本结构如图所示，垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里—
半导体激光器输出特性的影响因素
半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器，在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的输出特性，并分析影响这些输出特性的主要因素。 1． 波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)。 hf=Eg f(Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s ，h=6.628×10?34J ·s ，leV=1.60×10?19J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是半导体材料和温度。 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg ，因而有不同的发射波长λ：GaAlAs-GaAs 材料适用于0.85μm 波段，InGaAsP-InP 材料适用于1.3~1.55μm 波段。 温度的升高会使半导体的禁带宽度变小，导致波长变大。 2． 光功率 半导体激光器的输出光功率 其中I 为激光器的驱动电流，P th 为激光器的阈值功率；I th 为激光器的阈值电流；ηd 为外微分量子效率；hf 为光子能量；e 为电子电荷。 hf 、e 为常数，Pth 很小可忽略。由此可知，输出光功率主要取决于驱动电流I 、阈值电流I th 以及外微分量子效率ηd 。驱动电流是可随意调节的，因此这里主要讨论后两者。除此之外，温度也是影响光功率的重要因素。 1）阈值电流 半导体激光器的输出光功率通常用P-I 曲线表示。当外加正向电流达到某一数值时，输出光功率急剧增加，这时将产生激光振荡，这个电流称为阈值电流，用I th 表示。当激励电流II th 时，有源区不仅有粒子数反转，而且达到了谐振条件，受激辐射为主，输出功率急剧增加，发出的是激光，此时P-I 曲线是线性变化的。对于激光器来说，要求阈值电流越小越好。 阈值电流主要与下列影响因素有关： a) 晶体的掺杂浓度越大，阈值电流越小。 b) 谐振腔的损耗越小，阈值电流越小。 c) 与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结小得多。 d) 温度越高，阈值电流越大。 2）外微分量子效率 ) (th d th I I e hf P P -+=ηλ c =f
红外线激光准直器
红外线激光准直器 Laser marking-off equipment (gy)可广泛用于各种板材切割成型机、石材机械、木工机械、金属锯床、包装机械的对刀、放线。能产生一条清晰明请打零贰玖捌捌柒贰陆柒柒叁亮的红线、体积小巧、方便调节、易于安装、稳定可靠。能较大幅度的提高工作效率。我们还可以提供电源内置一体式激光辅助定位灯，使客户的使用更加方便。 The equipment is wide applies to various boards cutting machine, stone material machine, woodcutting machine, metal sawing machine, packaging machine collimated. It can emit a clear red light, and has small body with easy adjusted and set up and also safe stability. It can improve working efficiency highly. We can offer a unity series laser marking-off equipment with power supply inside for using easier. 输出波长：635nm 650nm 输出功率：635nm 10～30mw 650nm 20～150mw 工作电压：5V DC 工作电流：≤450mA 光束发散度：0.1～1.5mrad 出光张角：10o～135o 光线直径：≤0.5mm ＠0.5m；≤1.0mm ＠3.0m；≤1.5mm ＠6.0m； 直线度：≤1.0mm ＠6.0m 光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜 尺寸：Φ16×55mm；Φ16×65mm；Φ16×80mm；Φ22×85mm；Φ26×110mm（可定制） 尺寸：Φ45×210mm；Φ60×210mm（电源内置一体式） 工作温度：－10～75℃ 储存温度：－40～85℃ 使用寿命：连续使用大于8000小时 附件：专用电源工业支架 激光等级：Ⅲb Output wavelength: 635nm 650nm Output power: 635nm 10～30mw 650nm 20～150mw Operating voltage: 5V DC Operating current: ≤450mA Beam divergence: 0.1～1.5mrad Fan angle: 10o～135o Beam diameter: ≤0.5mm ＠0.5m；≤1.0mm ＠3.0m；≤1.5mm ＠6.0m； L ine degree:≤1.0mm ＠6.0m Optics: coated glass lens or plastic lens Size: Φ16×55mm；Φ16×65mm；Φ16×80mm；Φ22×85mm；Φ26×110mm（made as requirement; Φ45×210mm；Φ60×210mm（power supply inside series）
激光器测试验收报告
谷老师谈话整理——激光器验收 一、仪器基本情况及关键指标 锁模紫外激光器主要技术参数：1)波长(nm)：355；2)输出模式：TEM00（高斯光）；3)工作模式：锁模，准连续激光（由于脉冲频率很高，几乎相当于连续的）；4)重复频率(MHz)：100±1；5)平均功率(mW)：150；6)功率稳定性(over 8 hours)：< ±1% rms； 7)脉宽：﹥10ps；8)预热时间(minutes)：<10；9)光斑发散角(mrad)： <2.0；10) 光斑直径(mm)：0.9 ±15%；11) 工作温度(℃)：15～ 35；12) 偏振：水平偏振。 二、验收项目 1)波长(nm):355；4)重复频率(MHz):100±1；5)平均功率(mW)： 150；6)功率稳定性(over 8 hours) :< ±1% rms；7)脉宽: ﹥10ps； 9)光斑发散角: (mrad)：<2.0；10) 光斑直径: (mm)：0.9 ±15%；11) 工作温度(℃)：15～35；12) 偏振：水平偏振。 关键验收指标：激光器的稳定性、均匀性、持续时间，涉及到的关键指标有：脉冲宽度、重复频率、平均功率（峰值功率）、光斑发散角 注：以上指标在不同温度下测试 三、验收仪器 波长计（光谱仪）、光电探测器（将光信号转换为电信号）、示波器、功率计、光束分析仪（光斑分析仪） 四、验收方法与操作流程
1）结合光电探测器+示波器：通过示波器可观看到激光的脉冲宽度、重复频率、功率峰值大小，并观察其稳定性情况，正 常情况下各项指标误差在±2%以内； 2）功率计：测试平均功率密度； 注：结合偏振片还可测试偏振方向，改变偏振片取向看功率 计中入射功率的变化。 3）波长计或光谱仪：测试波长纯度，应满足误差不超过±1%； 4）光束分析仪或光斑分析仪：测试光斑直径大小和衍射角注：当没有上述仪器时，可以简单设计以下测试方案：即，在激光光路上的不同位置记录下光斑直径的大小，测量相应位置距离，即可计算出衍射角大小 5) 功率均匀性测试方法：光束先后经过透镜、光阑，光束经过光阑调制后进入功率计，测试不同位置功率大小。 6）BBO晶体正入射的调制方法：光束经透镜聚焦后经过光阑调制进入BBO晶体，如果BBO没有垂直放置的话，经BBO反射的激光将不能反射返回进入光阑中（聚焦透镜应该选择吸收和散射较少的，一般要求石英制作透镜）。 注意：1）355nm激光不能直接打到光电探测器上，2）观察各项测试指标在其连续工作数小时后是否保持稳定，可以每隔一小时测试一次；
半导体激光器pi特性测试实验
太原理工大学现代科技学院 课程实验报告 专业班级 学号 姓名 指导教师
实验名称 半导体激光器P-I 特性测试实验 同组人 专业班级 学号 姓名 成绩 一、 实验目的 1. 学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理 2. 了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系 3. 掌握半导体激光器P （平均发送光功率）-I （注入电流）曲线的测试方法 二、 实验仪器 1. ZY12OFCom13BG 型光纤通信原理实验箱 1台 2. 光功率计 1台 3. FC/PC-FC/PC 单模光跳线 1根 4. 万用表 1台 5. 连接导线 20根 三、 实验原理 半导体激光二极管（LD ）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，（处于高能级E 2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E 1，这个过程称为光的受激辐射。所谓一模一样，是指发射光子和感应光子不仅频率相同，而且相位、偏振方向和传播方向都相同，它和感应光子是相干的。）是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率（≥10mW ）辐射，而且输出光发散角窄（垂直发散角为30～50°，水平发散角为0～30°），与单模光纤的耦合效率高（约30％～50％），辐射光谱线窄（Δλ＝0.1～1.0nm ），适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速信号（>20GHz ）直接调制，非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。 P-I 特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选阈值电流I th 尽可能小，I th 对应P 值小，而且没有扭折点的半导体激光器，这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消光比（测试方法见实验四）大， ……………………………………装………………………………………订…………………………………………线………………………………………
1392nmDFB蝶形激光器(水气检测专用)
1392nmDFB蝶形激光器（水气检测专用） 1,描述 该激光器采用量子阱结构的DFB 激光器，内置半导体制冷器，先进的激光焊接工艺实现蝶形尾纤式封装，结构紧凑，体积小，半导体制冷器高精度温度控制下，激光器功率高稳定、波长高稳定的优势，使得激光器在光纤传感器领域得到广泛应用。 产品特点主要应用 采用进口气体检测专用芯片封装波长稳定 高输出功率 气密性温控封装光纤气体检测系统 气体检测用无源器件生产检测光源 极限参数 参数符号单位参数值 激光二极管正向电流If(LD)mA120 激光二极管反向电压Vr(LD)V 2 背光探测器工作电流If(PD)mA 2 背光探测器反向电压Vr(PD)V 20 致冷器工作电流ITEC A 2.4 致冷器工作电压VTEC V 2.9 工作温度Topr ℃-20～+70 储存温度Tstg ℃-40～+85 管脚焊接温度/时间Tsld ℃/s 260/10 技术参数 参数符号单位最小值典型值最大值出纤功率P0 mw 10 阈值电流Ith mA 12 18 工作电流Iop mA 80 工作电压Vop V 1.5 2 线宽Lw Mhz 2MHZ 中心波长λ c nm 1392 波长随温度变化漂移系数Δλ/T nm 0.1 波长随电流变化漂移系数Δλ/I Nm 0.01 背光监视电流Im mA 0.1 2 背光探测器暗电流Id nA 10 边模抑制比SMSR Db 35 芯片工作温度T ℃25 热敏电阻@25℃R KΩ10
备注： 气体检测中,根据HITRAN 提供的吸收谱线数据,同一种气体通常几个吸收峰,客户应先根据自己的系统需要选择最 佳中心波长位置. 封装尺寸 引脚定义
激光二极管概述
激光二极管概述 作者：阿罗整理来源：阿罗小屋发布日期：2009-11-4 激光二极管的结构 激光二极管的结构图如图(a)所示。激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光器相同。图(b)是激光二极管的代表符号。激光二极管在计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等小功率光电设备中得到了广泛的应用。 激光二极管是一种近红外光激光管，波长在780nm左右，额定功率为 3-5mW。为了能通过电路对激光二极管输出功率进行监控，在同一半导体芯片上同时还制作了一只光敏二极管。它的外形和内部结构如图1 所示。它的管脚排列有三种类型，如图2所示。 目前小功率半导体激光二极管的工作电流均在100mA以内，使用时一定要控制流过激光二极管的电流不能太大。 另外激光是一种能量集中的光源，绝对禁止人仰用眼睛直视激光二极管发出的光轴，以免激光对眼睛造成伤害。 为了便于选用激光二极管，在表1中列出了一些可供CD机、LD 机使用的激光二极管参数。 图1 激光二极管
a)外形尺寸:b)内部封装 图2 激光二极管引脚排列的三种方法 半导体激光二极管常用参数 （1）波长：即激光管工作波长，目前可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。 （2）阈值电流Ith：即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。 （3）工作电流Iop：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。 （4）垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15˚~40˚左右。
激光器QBH接头及准直系统
激光器Q B H接头及准 直系统 标准化工作室编码[XX968T-XX89628-XJ668-XT689N]
上图为IPG高功率光纤激光器输出端，OBH。OBH的型号为国际标准型号，由于其本身具备一些电气特性，并且输出的激光为发散光，故需要与准直系统配套使用，把QBH插入准直系统即可，所有的准直系统制造商都有IPG的QBH的型号，结构，及电气原理。国内厂商还不具备制造与QBH连接的准直系统的能力。我们的客户也不需要清楚QBH的核心构造，只需知道QBH是比较方便插拔的一种光纤输出端子就好。 上图为准直器，collimator。此准直器为IPG总部提供给我们北京公司的，也是IPG外购的，IPG自己并不生产准直器。大部分情况下准直系统都是和切割头或焊接头一起配送给客户的，切割头或焊接头制造商都具备生产准直器的能力，而且不同生产厂商有各自的设计理念，客户只需要向制造商提出要求，比如：我希望准直后的光斑直径是多少就可以，至于细节问题，这些制造商也不会提供。 这是把QBH插入到collimator中，它的输出光是平行光，客户可以根据用途要求供应商提供相应的准直器。用此准直器输出的光斑大小大约为10毫米。 我们根据这个准直器自己做了个简易切割头，这个切割头极其简单，故不适合工业应用。 这是Lasermech生产的切割头。带高度传感装置，自带电机。 此部分为准直系统。 此切割头为德国Precitec公司生产的切割头，用户应该很清楚，这家做的切割头是世界最好的，这款为专门为光纤激光准备的切割头。 这部分是与QBH连接的准直系统。 综上所述，客户可根据不同需求（对光斑大小的要求不同）寻找切割头或焊接头生产厂家，向这些生产厂家提出要求，至于QBH的尺寸则不需要过多了解，只需知道QBH是标准接头就好。总之准直系统必须要采购（个人意见）。我们可以提供现有的一套供实验用，但需要经过公司领导同意，而且也未必符合客户的需求。
激光驱动器与激光二极管接口优化调试
激光驱动器与激光二极管接口优化调试 Maxim高频/光纤通信部 一、概述: 在激光驱动器与激光二极管的接口电路设计中,即使是对电路做了仔细、周密的考虑,也很难达到最优状态,系统调试过程中仍需对各部分电路加以调整、优化,图1是采用Maxim的2.5Gbps激光驱动器MAX3869构成的激光驱动器典型连接电路。本文以该电路为例,以激光二极管的输出通过光电(O/E)转换后显示在示波器上的波形为基础,列举了一些通用接口问题和可能的解决办法。 二、优化设计 以下列举了八个常见激光管接口问题,激光管的输入是伪随机比特流(PRBS)。 A. 眼图不清晰(图2): 图2中,在显示的眼图最下面有黑色水平线。当减少偏置电流时,波形会被压缩,波形上端下移,底端固定不变。导致这一问题的原因可能是偏置电流设置得太低,数字零电平低于激光管的门限。可以提高激光管的偏置电流,直到示波器上的波形开始上移(表示数字零电平已高于激光管门限),当偏置电流增加时,眼图会变得清晰可辨。 B. 欠阻尼振荡(图3): 在波形图上有较大的过冲,示波器显示的眼图最下方有黑色水平线。减小偏置电流使数字1电平下移,但过冲幅度保持不变,甚至增大。偏置电流减小时波形底端(数字0电平)保持不变。 造成这一现象的可能原因是偏置电流设得太低。数字0电平低于激光管的门限。当激光管从低于门限电平向高电平切换时需要额外的时间,从而导致了上升边沿的延迟。开关延迟使电势积累增加,一旦克服了门限就冲过数字1电平(被称作欠阻尼振荡)。可通过提高激光管的偏置电流解决,提高激光管的偏置电流直到示波器上的波形开始上移(表示数字零电流已高于激光管门限)。当数字0电平高于门限值后,过冲将显著减少。 C. 过冲(图4)： 图4所示,波形的上升沿冲过了数字1电平。当偏置电流和调制电流变化时过冲的相对幅度没有变化。没有明显的振铃。可能原因有两个:(a)上升太快,(b)用于上拉的铁氧体磁珠Q 值太高。解决的方法是:(a)插入截止频率为75%数据率的低通滤波器,减慢上升和下降沿,减小过冲。(b)降低与铁氧体磁珠并联的电阻(图1中的RP)阻值,使Q值降低。(c)调整串联阻尼电阻(图1中的RD)。 D. 欠冲(图5): 当输出电路过阻尼会造成欠冲现象,示波器显示波形的上升或下降沿在单个间隔的前半部分不能到达高或低电平。这是由置于OUT+ 和OUT-间的0.5pF 电容(用来阻尼某些振铃)引起的。 解决途径有:(a)如果可能,减小OUT+和OUT-间的电容。(b) 减小OUT+的负载电容。(c)减小串联阻尼电阻(图1中的RD)的值。 E. 振铃(图6): 振铃指的是眼图的上升或下降沿相对于正确电平出现振荡、振幅逐渐衰减的现象。可能原因是: 阻抗不匹配,电路中电感过大,电路元件产生谐振。在图6显示的图像中,振铃是由拿