KTC1027三极管(TO-92L)
B ,Feb ,2013
2. COLLECTOR
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors
KTC1027 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
z Complementary to KTA1023 z High Voltage Applications
MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =1mA,I E =
0 120 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO
I C =10mA,I B =0 120 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO
I E =1mA,I C =
0 5
V
Collector cut-off current I CBO V CB =120V,I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO
V EB =5V,I C =
0 0.1 μA DC current gain
h FE
V CE =5V, I C =
100mA 80 240
Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)
I C =500mA,I B =50mA 1 V Base-emitter voltage V BE V CE =5V, I C =500mA 1 V Collector output capacitance C ob V CB =10V,I E =0, f=1MHz 30 pF
Transition frequency
f T
V CE =5V,I C =100mA
120 MHz
CLASSIFICATION OF h FE
RANK O Y
RANGE
80-160 120-240
Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 120 V V CEO Collector-Emitter Voltage 120 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current
0.8
A P C Collector Power Dissipation 1W R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 125 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg
Storage Temperature
-55~+150
℃
https://www.wendangku.net/doc/6a17137701.html,
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Sponge strip
2000 pcs
Sponge strip The top gasket
Label on the Inner Box
Label on the Outer Box
Inner Box: 333 mm ×203mm ×42mm
Outer Box: 493 mm × 400mm × 264mm
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY”
on the empty box
The top gasket
Inner Box: 240 mm ×165mm ×９５mm
Label on the Inner Box
Outer Box: 525 mm × 360mm × 262mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
常用三极管的标志对应的型号
型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装2PA1576Q FtQ SC-70BC808W 5Ht SOT323BC847BW 1Ft SOT323BC857B 3Fp SOT23 2PA1576R FtR SC-70BC808-16 5Ep SOT23BC847C 1Gp SOT23BC857BS 3Ft SC-88 2PA1576S FtS SC-70BC808-16W 5Et SOT323BC847CT 1G SC-75BC857BT 3F SC-75 2PA1774Q YQ SC-75BC808-25 5Fp SOT23BC847CW 1Gt SOT323BC857BW 3Ft SOT323 2PA1774R YR SC-75BC808-25W 5Ft SOT323BC847W 1Ht SOT323BC857C 3Gp SOT23 2PA1774S YS SC-75BC808-40 5Gp SOT23BC848 1Mp SOT23BC857CT 3G SC-75 2PB1219AQ DtQ SC-70BC808-40W 5Gt SOT323BC848A 1Jp SOT23BC857CW 3Gt SOT323 2PB1219AR DtR SC-70BC817 6Dp SOT23BC848AT 1J SC-75BC857W 3Ht SOT323 2PB1219AS DtS SC-70BC817W 6Dt SOT323BC848AW 1Jt SOT323BC858 3Mp SOT23 2PB709AQ BQ SC-59BC817-16 6Ap SOT23BC848B 1Kp SOT23BC858A 3Jp SOT23 2PB709AR BR SC-59BC817-16W 6At SOT323BC848BT 1K SC-75BC858AT 3J SC-75 2PB709AS BS SC-59BC817-25 6Bp SOT23BC848BW 1Kt SOT323BC858AW 3Jt SOT323 2PB710AQ DQ SC-59BC817-25W 6Bt SOT323BC848C 1Lp SOT23BC858B 3Kp SOT23 2PB710AR DR SC-59BC817-40 6Cp SOT23BC848CT 1L SC-75BC858BT 3K SC-75 2PB710AS DS SC-59BC817-40W 6Ct SOT323BC848CW 1Lt SOT323BC858BW 3Kt SOT323 2PC4081Q ZtQ SC-70BC818 6Hp SOT23BC848W 1Mt SOT323BC858C 3Lp SOT23 2PC4081R ZtR SC-70BC818W 6Ht SOT323BC849 2Dp SOT23BC858CT 3L SC-75 2PC4081S ZtS SC-70BC818-16 6Ep SOT23BC849B 2Bp SOT23BC858CW 3Lt SOT323 2PC4617Q ZQ SC-75BC818-16W 6Et SOT323BC849BW 2Bt SOT323BC858W 3Mt SOT323 2PC4617R ZR SC-75BC818-25 6Fp SOT23BC849C 2Cp SOT23BC859 4Dp SOT23 2PC4617S ZS SC-75BC818-25W 6Ft SOT323BC849CW 2Ct SOT323BC859A 4Ap SOT23 2PD1820AQ AtQ SC-70BC818-40 6Gp SOT23BC849W 2Dt SOT323BC859AW 4At SOT323 2PD1820AR AtR SC-70BC818-40W 6Gt SOT323BC850 2Hp SOT23BC859B 4Bp SOT23 2PD1820AS AtS SC-70BC846 1Dp SOT23BC850B 2Fp SOT23BC859BW 4Bt SOT323 2PD601AQ ZQ SC-59BC846A 1Ap SOT23BC850BW 2Ft SOT323BC859C 4Cp SOT23 2PD601AR ZR SC-59BC846AT 1A SC-75BC850C 2Gp SOT23BC859CW 4Ct SOT323 2PD601AS ZS SC-59BC846AW 1At SOT323BC850CW 2Gt SOT323BC859W 4Dt SOT323 2PD602AQ XQ SC-59BC846B 1Bp SOT23BC850W 2Ht SOT323BC860 4Hp SOT23 2PD602AR XR SC-59BC846BT 1B SC-75BC856 3Dp SOT23BC860A 4Ep SOT23 2PD602AS XS SC-59BC846BW 1Bt SOT323BC856A 3Ap SOT23BC860AW 4Et SOT323 BC807 5Dp SOT23BC846W 1Dt SOT323BC856AT 3A SC-75BC860B 4Fp SOT23 BC807W 5Dt SOT323BC847 1Hp SOT23BC856AW 3At SOT323BC860BW 4Ft SOT323 BC807-16 5Ap SOT23BC847A 1Ep SOT23BC856B 3Bp SOT23BC860C 4Gp SOT23 BC807-16W 5At SOT323BC847AT 1E SC-75BC856BT 3B SC-75BC860CW 4Gt SOT323 BC807-25 5Bp SOT23BC847AW 1Et SOT323BC856BW 3Bt SOT323BC860W 4Ht SOT323 BC807-25W 5Bt SOT323BC847B 1Fp SOT23BC856W 3Dt SOT323BC868 CAC SOT89 BC807-40 5Cp SOT23BC847BPN 13t SC-88BC857 3Hp SOT23BC868-10 CBC SOT89 BC807-40W 5Ct SOT323BC847BS 1Ft SC-88BC857A 3Ep SOT23BC868-16 CCC SOT89 BC808 5Hp SOT23BC847BT 1F SC-75BC857AT 3E SC-75BC868-25 CDC SOT89 BC857AW 3Et SOT323BC869 CEC SOT89 BC869-16 CGC SOT89BCV49 EG SOT89BCX51-10 AC SOT89BF820W 1Vt SOT323 BC869-25 CHC SOT89BCV61 1Mp SOT143B BCX51-16 AD SOT89BF821 1Wp SOT23 BCF29 C7p SOT23BCV61A 1Jp SOT143B BCX52 AE SOT89BF822 1Xp SOT23 BCF30 C8p SOT23BCV61B 1Kp SOT143B BCX52-10 AG SOT89BF822W 1Wt SOT323
异质结发展现状及原理
异质结发展现状及原理 pn结是组成集成电路的主要细胞。50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。pn结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的(例如锗、硅及砷化镓等)，所以称之为“同质结”。如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。掺杂类型不同的称为“异型异质结”。另外,异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结。 1 异质结器件的发展过程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月,肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。1956年三人因为发明晶体管对科学所做的杰出贡献,共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。 1949年肖克莱提出pn结理论,以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。由于技术条件的限制,当时未能制成pn结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。 1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结,比同质结具有更高的注入效率。 1962年,Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。 1968年美国的贝尔实验室和RCA公司以及苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal—。As双异质结激光器l；人5)．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对． 在70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE)
三极管中文资料大全
三极管中文资料大全 品名极性管脚功能参数 C752 NPN 21 通用 30V0.1A300MHz2 ]& f7 R/ `+ K9 C C815 NPN 21 通用 60V0.2A0.25W9 i# `- U+ Z8 h, ^! y! |. J C828 NPN 21 通用 45V0.05A0.25W C900 NPN 21 低噪放大 30V0.03A100MHZ$ N m5 a' A# Y4 i C943 NPN 4A 通用 60V0.2A200MHZ C945 NPN 21 通用 50V0.1A0.5W250MHZ C1008 NPN 6 通用 80V0.7A0.8W50MHZ C1162 NPN 29 音频功放开关 35V1.5A10W2 s/ R, p" i! I7 Q$ d) L C1213 NPN 39B 监视器专用 35V0.5A0.4W( _3 u+ L: V* z- ?3 ]' u& ^" t C1222 NPN 21 低噪放大 60V0.1A100MH BU2525AF NPN 30 开关功放 1500V12A150W /350NS FBU2525AX NPN 30 开关功放 1500V12A150W /350NS BU2527AF NPN 30 开关功放 1500V15A150W ZBU2532AW NPN 30 开关功放 1500V15A150W(大屏)* ]% ~9 h1 x2 H& _& P# e& O2 t BUH515 NPN BCE 行管 1500V10A80W; m j* x/ M/ ~8 \! A BUH515D NPN BCE 行管 1500V10A80W(带阻尼) BUS13A NPN 12 开关功放 1000V15A175W. K! q# r9 h" w p; b7 N! Z* P BUS14A NPN 12 开关功放 1000V30A250W BUT11A NPN 28 开关功放 1000V5A100W* E& a! ]3 w' D, ^' `9 H BUT12A NPN 28 开关功放 450V10A125W- ], K$ I! _' U: y: o BUV26 NPN 28 音频功放开关 90V14A65W /250ns BUV28A NPN 28 音频功放开关 225V10A65W /250ns. S1 U! }. a7 o( }4 T* Q" y BUV48A NPN 30 音频功放开关 450V15A150W BUW13A NPN 30 功放开关 1000V15A150W BUX48 NPN 12 功放开关 850V15A125W BUX84 NPN 30 功放开关 800V2A40W6 F0 n6 |* K, }3 X4 S" E# \* ]
三极管型号大全
三极管型号大全： 品名极性管脚功能参数 MPSA42NPN21E电话视频放大300V0.5A0.625W MPSA92PNP21E电话视频放大300V0.5A0.625W MPS2222ANPN21高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 9011NPNEBC高频放大50V30m三极管的检测A0.4W150MHz 9012PNP贴片低频放大50V0.5A0.625W 9013NPNEBC低频放大50V0.5A0.625W 9013NPN贴片低频放大50V0.5A0.625W 9014NPNEBC低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015PNPEBC低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9018NPNEBC高频放大30V50MA0.4W1GHZ 8050NPNEBC高频放大40V1.5A1W100MHZ 8550PNPEBC高频放大40V1.5A1W100MHZ 2N2222NPN4A高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222ANPN小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369NPN4A开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907NPN4A通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055NPN12功率放大100V15A115W 2N3440NPN6视放开关450V1A1W15MHZ 2N3773NPN12音频功放开关160V16A150WCOP2N6609 2N3904NPN21E通用60V0.2Aβ=100-400 2N3906PNP21E通用40V0.2Aβ=100-4002N5401PNP21E视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551NPN21E视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685NPN12音频功放开关60V50A300W 2N6277NPN12功放开关180V50A250W 2N6609PNP12音频功放开关160V15A150WCOP2N37732N6678NPN12音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718NPN小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ 3DA87ANPN6视频放大100V0.1A1W 3DG6ANPN6通用15V20mA0.1W100MHz 3DG6BNPN6通用20V20mA0.1W150MHz 3DG6CNPN6通用20V20mA0.1W250MHz 3DG6DNPN6通用30V20mA0.1W150MHz 3DG12CNPN7通用45V0.3A0.7W200MHz 3DK2BNPN7开关30V30mA0.2W 3DK4BNPN7开关40V0.8A0.7W 3DK7CNPN7开关25V50mA0.3W 3DD15DNPN12电源开关300V5A50W 3DD102CNPN12电源开关300V5A50W 3522V5.2V稳压管录像机用 A634PNP28E音频功放开关40V2A10W A708PNP6NF/S80V0.7A0.8W A715CPNP29音频功放开关35V2.5A10W160MHZ
全系列常用三极管型号参数资料(精)
全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
常用三极管型号及参数
常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应
常用二极管三极管参数
9月28日 常用二极管参数 整流二极管主要参数 50V 100V 200V 300V 400V 500V 600V 800V 1000V 1A 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1.5A 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 2A PS200 PS201 PS202 PS204 PS206 PS208 PS209 3A 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 1N5409 稳压二极管主要参数 型号最大功耗(mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号 国产稳压管日立稳压管 最小值最大值新型号旧型号 HZ4B2 500 3.8 4 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3
三极管型号参数查询大全
三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W**NMOS场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W**NMOS场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应IRFP460500V20A250W**NMOS场效应IRFP450500V14A180W**NMOS场效应IRFP440500V8A150W**NMOS场效应IRFP353350V14A180W**NMOS场效应IRFP350400V16A180W**NMOS场效应IRFP340400V10A150W**NMOS场效应IRFP250200V33A180W**NMOS场效应IRFP240200V19A150W**NMOS场效应IRFP150100V40A180W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFP140100V30A150W**NMOS场效应IRFP05460V65A180W**NMOS场效应IRFI744400V4A32W**NMOS场效应IRFI730400V4A32W**NMOS场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应IRFD12380V 1.1A1W**NMOS场效应IRFD120100V 1.3A1W**NMOS场效应IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W**NMOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W**NMOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W**NMOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W**NMOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRF9610200V1A20W**PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF954160V19A125W**PMOS场效应IRF953160V12A75W**PMOS场效应IRF9530100V12A75W**PMOS场效应IRF840500V8A125W**NMOS场效应IRF830500V 4.5A75W**NMOS场效应IRF740400V10A125W**NMOS场效应IRF730400V 5.5A75W**NMOS场效应IRF720400V 3.3A50W**NMOS场效应IRF640200V18A125W**NMOS场效应IRF630200V9A75W**NMOS场效应IRF610200V 3.3A43W**NMOS场效应IRF54180V28A150W**NMOS场效应IRF540100V28A150W**NMOS场效应IRF530100V14A79W**NMOS场效应
锗化硅材料导电特性的综述
锗化硅材料导电特性的综述 摘要：从Si材料到化合物半导体再到SiGe，微电子领域应用对材料提出了很高的要求，而这些材料却具有不断优化的性能，SiGe在高速发射和集成方面有很大的进步，SiGe-HBT等新技术的实验与开发为新材料带来了非常大的应用空间。 1引言 随着半导体材料的发展和生产工艺的发展，对于半导体材料的性能要求越来越高，领域内产品的开发和人们的需求对于半导体材料在其电学特性上的要求也越来越高。在微电子领域，30 多年以来，Si 一直是半导体工业中占绝对优势的半导体材料。尽管最早采用的是Ge ，并且其他某些半导体材料也许具有较高的载流子迁移率、较大的载流子饱和漂移速度和较宽的禁带宽度,但由于Si 的许多优良特性，利用Si 能够实现最廉价的集成电路工艺,所以在整个微电子技术中，Si 器件的应用超过了97 %。 然而不同的半导体材料具有不同的电学特性，也具有针对不同需求的应用功能。在此同时，还诞生了很多新型半导体材料，比如SiC、SiGe，这些化合物半导体融合了元素半导体的强项性能，在微电子领域有更好的应用。本文介绍的是SiGe材料的导电特性，分别从理论和实验应用方面展开论述。 2理论研究和实验研究 2.1 理论研究 虽然现在Si 在微电子技术中占据着主导地位,但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移速度较低，而且具有间接跃迁能带结构,限制了它在若干方面的应用。因此，在许多模拟电子技术领域，特别是在高频、高速方面(例如射频功率放大器和激光器) ，往往是GaAs、InP 等化合物半导体起主要作用。然而化合物半导体技术难以大规模集成，同时，加工不便、成本较高，所以人们还是希望从Si 技术中寻找出适应高频、高速需要的新技术。最早由IBM 提出的SiGe 技术在很大程度上满足了这种需求。SiGe 技术由于能够在Si 片上通过能带工程和应变工程改善Si 的性能，同时又能够采用成熟和廉价的Si 工艺技术来加工，所以受到人们的极大关注。以下分析一下Ge组分对SiGe的影响： 一．Ge的带隙宽度为0.67V，而Si的带隙宽度为1.12V，所以其特性有较大的改善，便于作HBT的基区以提高发射效率。 二．Ge的电子迁移率是Si的2.6倍，空穴迁移率是Si的3.5倍，而器件的速度取决于在一定电压下载流子被“推动”而通过期间的速度，所以Ge的注入在很大程度上提高了发射速率，增大了电流增益。 三．同时因能带作用，SiGe基区可以进行高掺杂，使基区可以做的很薄，打打缩短了电子在基区中的渡越时间，所以器件速度得以大幅度提高。 增加电子和空穴的迁移率在理论方面带来的利处有：
三极管资料大全 (2)-12页精选文档
MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W | MPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W MPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-400 2N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-400 2N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W 2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W 2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N3773 2N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ 3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W 3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz 3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz 3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz 3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz 3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz 3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W 3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W 3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W 3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W 3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W 3522V 5.2V稳压管录像机用 A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10W A708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8W
贴片三极管上的印字与真实型号对照手册
贴片三极管上的印字与真实名称的对照表 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA
硅基锗材料的外延生长及其应用
硅基锗材料的外延生长及其应用 摘要:硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥各自的优点,弥补硅材料的不足。本文介绍了硅衬底上的锗材料外延生长技术进展,讨论了该材料在微电子和光电子等方面的可能应用,重点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用。 关键词:硅基;锗,外延;光电探测器 Epitaxy and application of Ge layer on Silicon substrate Huiwen Nie1, Buwen Cheng2 (1.Hunan Chemical Engineering Machinery School, Hunan Industrial Technology College 2.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)
Abstract: Silicon is the most important semiconductor material and it is irreplaceable in the information industry. But Silicon also has some shortcomings, such as very low luminescence efficiency and low device speed due to the indirect bandgap and low carrier mobility. Growing other semiconductors on Si substrate can take the advantages of the different semiconductors and improve the performance of the Si-based devices and integrated circuits. The progress of Ge growth on Si was introduced in the paper. The application of the Si-based Ge epitaxy layer was discussed, especially the application on Si-based high speed photodetectors operating at long wavelength. Key words: Si-based, Germanium, Epitaxy, Photodetector 1引言 硅基光电集成将微电子技术和光子学技术进行融合,是 微电子技术的继承和发展,是信息技术发展的重要前沿研究 领域。其研究内容包括硅基高效光源、硅基高速光电探测器、硅基高速光调制器、低损耗光波导器件等。硅衬底上外延生长的锗(Ge)材料是硅基高速长波长光电探测器的首选材料
常用三极管90系列80系列
9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 150MHZ hFE ：100～1000 (放大倍数分段可选) 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ hFE ：100～1000 (放大倍数分段可选) 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE ：150～500 (放大倍数分段可选) 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE ：150～500 (放大倍数分段可选) 8050是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极-基极电压Vcbo ：40V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和8550（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大 8050 SOT-23 引脚图 放大 8050 TO-92 引脚图 9013是一种最常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极电流Ic ：Max 500mA ? 集电极-基极电压Vcbo ：40V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和9012（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用
o 射频放大 9013 SOT-23 引脚图 放大 9013 TO-92 引脚图 放大 9014是一种常用的普通三极管。 它是一种小电压,小电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极电流Ic ：Max 100mA ? 集电极-基极电压Vcbo ：50V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和9015（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大 9014 SOT-23 引脚图 放大 9014 TO-92 引脚图 放大 BC817是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流的NPN 型硅三极管 ? 大集电极电流Ic ? 集电极-基极电压Vcbo ：50V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和BC807（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大
常用贴片三极管主要参数及丝印
常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G