当前位置：文档库 › 最新常用集成电路功能简介：2

最新常用集成电路功能简介：2

常用集成电路功能简

介：2

IAP722 调频高放、混频集成电路

IFC380HC 图像中频放大集成电路

IN065 二本振压控振荡集成电路

IN706 数字混响延时集成电路

IR2112 半桥式变换驱动集成电路

IR2E01 发光二极管五位显示驱动集成电路IR2E02 发光二极管七位显示驱动集成电路IR3N06 调频中频放大集成电路

IR3R15 音频前置放大集成电路

IR3R18 双声道前置放大集成电路

IR3R20A 自动选曲集成电路

IR3R49 伺服控制集成电路

IR3Y29AM 色度解码集成电路

IRT1260 红外遥控信号发射集成电路

IS61C256AH-15N 存储集成电路

IS93C46 存储集成电路

IX0035CE 场扫描输出集成电路

IX0040AG 音频功率放大集成电路

IX0040TA 音频功率放大集成电路

IX0042CE 伴音制式切换6MHZ集成电路

IX0052CE 伴音中频放大、鉴频及前置放大集成电路IX0062CE 图像中频放大、视频放大集成电路

IX0064CE 图像中频放大、检波、视频放大集成电路IX0096CE 伴音信号处理集成电路

IX0101SE 微处理集成电路

IX0113 图像中频放大、检波、预视放集成电路

IX0113CEZZ 图像中频放大、检波及预视放集成电路IX0118CE 视频放大集成电路

IX0129CE 色度解码集成电路

IX0132CE 液晶显示解码集成电路

IX0147CE 电子选台集成电路

IX0162GE 伺服控制集成电路

IX0195CE 色度信号处理集成电路

IX0203GE 频段转换集成电路

IX0205CE 开关电源稳压集成电路

IX0211CE 图像中频放大、视频信号处理集成电路IX0212G 高频、中频放大集成电路

IX0214CE 音频控制集成电路

IX0232CE 存储集成电路

IX0237CE 微处理集成电路

IX0238CEZZ 场扫描输出集成电路

IX0241CE 音频控制集成电路

IX0245CE 微处理集成电路

IX0246CE 双向比较放大集成电路

IX0247CE 开关电源稳压集成电路

IX0250CE 音频功率放大集成电路

IX0261CE 图像、伴音中频放大集成电路

IX0304CE 色度解码及行场扫描处理集成电路

IX0304CEZZ 色度解码及行场扫描处理集成电路

IX0308CE 开关电源厚膜集成电路

IX0310PAZZ 红外遥控信号接收集成电路

IX0323CE 开关电源稳压集成电路

IX0324CEN 视频、色度及行场扫描信号处理集成电路IX0365CE 伴音功率放大集成电路

IX0371GE 磁头控制集成电路

IX0388CE 中频放大集成电路

IX0411CEN1 微处理集成电路

IX0412CE 字符发生集成电路

IX0438CE 红外遥控信号选台集成电路

IX0439CE 存储集成电路

IX0442CE 微处理集成电路

IX0464CE 图像、伴音中频放大集成电路

IX0464CEZZ 图像中频放大集成电路

IX0479GEZZ 计数控制集成电路

IX0508CE 开关电源稳压集成电路

IX0512 开关电源厚膜集成电路

IX0579GE 微处理集成电路

IX0580GD 单片语音录放集成电路

IX0581GE 微处理集成电路

IX0602CE 图像、伴音中频行场扫描信号处理集成电路IX0603CE 视频、色度信号处理集成电路

IX0605CE 微处理集成电路

IX0607CE 电子开关切换集成电路

IX0614CE 红外遥控信号接收集成电路

IX0640CE 场扫描输出集成电路

IX0689CE 开关电源稳压集成电路

IX0711CEN1 图像伴音中频放大集成电路

IX0712CEN1 亮度、同步分离及行场扫描信号处理集成电路IX0715CE 存储集成电路

IX0718CE 中频信号处理集成电路

IX0733PA 红外遥控信号发射集成电路

IX0736CE 图像中频放大集成电路

IX0773CE 红外遥控信号发射集成电路

IX0776CE 伴音混频集成电路

IX0812CE 开关电源厚膜集成电路

IX0823GE 微处理集成电路

IX0875CE 开关电源厚膜集成电路

IX0933CE 微处理集成电路

IX0948CE 场扫描输出集成电路

IX0969 色度、亮度信号处理集成电路

IX0981CEN1 微处理集成电路

IX0981GE 伺服控制接口集成电路

IX1194CEN2 微处理集成电路

IX1461GE 射频前置放大集成电路

IX1463GE 误差信号发生集成电路

IX1473GE 伺服控制集成电路

IX1474GE 解码、纠错集成电路

IX1504AF 状态控制集成电路

IX1763CEN1 视频、色度及行场扫描信号处理集成电路IX1807CE 微处理集成电路

IX2164CE 微处理集成电路

IX2249AF 系统控制处理集成电路

IX2287CE 存储集成电路

IX2341AF 伺服控制集成电路

IX2372CE 微处理集成电路

IX2915CE 色度、亮度及行场扫描信号处理集成电路IX3081CE2 微处理集成电路

IZ0052CE 字符信号处理集成电路

IZ0055CE 音频控制集成电路

IZ0068CE 视频缓冲放大集成电路

JCE4501 数/模转换集成电路

JLC1562BF 输入/输出扩展接口集成电路

JQ5544H 电子石英闹钟集成电路

JRC4555D 双运算放大集成电路

集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。前端设计的主要流程： 1、规格制定芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基

常用集成电路的型号及功能说明

型号功能 ACP2371NI 多制式数字音频信号处理电路ACVP2205 梳状滤波、视频信号处理电路 AN5071 波段转换控制电路 AN5195K 子图像信号处理电路 AN5265 伴音功率放大电路 AN5274 伴音功率放大电路 AN5285K 伴音前置放大电路 AN5342K 图像水平轮廓校正、扫描速度调制电路AN5348K AI信号处理电路 AN5521 场扫描输出电路 AN5551 枕形失真校正电路 AN5560 50/60Hz场频自动识别电路 AN5612 色差、基色信号变换电路 AN5836 双声道前置放大及控制电路 AN5858K TV/AV切换电路 AN5862K(AN5862S) 视频模拟开关 AN5891K 音频信号处理电路 AT24C02 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C04 2线电可擦、可编程只读存储器 AT24C08 2线电可擦、可编程只读存储器 ATQ203 扬声器切换继电器电路 BA3880S 高分辨率音频信号处理电路 BA3884S 高分辨率音频信号处理电路 BA4558N 双运算放大器 BA7604N 梳状切换开关电路 BU9252S 8bitA/D转换电路 CAT24C16 2线电可擦、可编程只读存储器 CCU-FDTV 微处理器 CCU-FDTV-06 微处理器 CD54573A/CD54573CS 波段转换控制电路 CH0403-5H61 微处理器 CH04801-5F43 微处理器 CH05001(PCA84C841) 微处理器 CH05002 微处理器 CH7001C 数字NTSC/PAL编码电路 CHT0406 微处理器 CHT0803(TMP87CP38N*) 8bit微处理器 CHT0807(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0808(TMP87CP38N) 8bit微处理器 CHT0818 微处理器 CKP1003C 微处理器 CKP1004S(TMP87CK38N) 微处理器 CKP1006S(TMP87CH38N) 微处理器

各种集成电路简介

各种集成电路简介转帖]三.（精华）各种集成电路简介第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的 78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识）有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为 100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。

79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。第二节语音集成电路电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。别看语音IC应用电路很简单，但是它确确实实是一片含有成千上万个晶体管芯的

集成电路的介绍

概述集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。集成电路是六十年代出现的，当时只集成了十几个元器件。后来集成度越来越高，也有了今天的P－III。分类集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别，而具体功能更是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模中规模小规模三类。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插” 的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等。对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿IC，最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数，如工作电压，散热等。数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异。集成电路有各种型号，其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。 LM386N是美国国家半导体公司的产品，LM代表线性电路，N代表塑料双列直插。集成电路型号众多，随着技术的发展，又有更多的功能更强、集成度更高的集成电路涌现，为电子产品的生产制作带来了方便。在设计制作时，若没有专用的集成电路可以应用，就应该尽量选用应用广泛的通用集成电路，同时考虑集成电路的价格和制作的复杂度。在电子制作中，有许多常用的集成电路，如NE555（时基电路）、LM324（四个集成的运算放大器）、TDA2822（双声道小功率放大器）、KD9300（单曲音乐集成电路）、LM317（三端可调稳压器）等。这里有些集成电路的样子：

数字集成电路总结

数字集成电路基础学习总结

第一章数字电子技术概念 1.1 数字电子技术和模拟电子技术的区别模拟信号：在时间上和数值上均作连续变化的电路信号。数字信号：表示数字量的信号，一般来说数字信号是在两个稳定状态之间作阶跃式变化的信号，它有电位型和脉冲型两种表达形式：用高低不同的电位信号表示数字“1”和“0”是电位型表示法；拥有无脉冲表示数字“1”和“0”是脉冲型表示法。数字电路包括：脉冲电路、数字逻辑电路。数字电路的特点：1）小、轻、功耗低2）抗干扰力强3）精度高按电路组成的结构可分立元件电路集成电路数数字电路分类小规模按集成度的大小来分中规模大规模超大规模双极型电路按构成电路的半导体器件来分单极型电路组合逻辑电路按电路有记忆功能来分 1.2 1.3 三极管：是一种三极（发射极E、基极B(发射结、集电结)半导体器件，他有NPN和PNP两种，可工作在截止、放大、饱和三种工作状态。电流公式：I(E)=I(B)+I(C) 放大状态：I(C)=βI(B) 饱和状态：I(C)< βI(B) 1.4 数制，两要素基数权二进制，十进制，十六进制之间的转换：二进制转换成十进制：二进制可按权相加法转化成十进制。十进制转换成二进制：任何十进制数正数的整数部分均可用除2取余法转换成二进制数。二进制转化成八进制：三位一组分组转换。二进制转换成十六进制：四位一组分组转换。八进制转换成十六进制：以二进制为桥梁进行转换。 1.5 码制十进制数的代码表示法常用以下几种：8421BCD码、5421BCD码、余3BCD码。 8421BCD码+0011=5421BCD码第二章逻辑代数基础及基本逻辑门电路

数字电路常用芯片应用设计

74ls138 摘要： 74LS138 为3 －8 线译码器，共有54/74S138和54/74LS138 两种线路结构型式，其中LS是指采用低功耗肖特基电路. 引脚图：工作原理：当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，可将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。利用G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器。内部电路结构：

功能表真值表：简单应用：

74ls139： 74LS139功能: 54/74LS139为2 线－4 线译码器,也可作数据分配器。其主要电特性的典型值如下：型号54LS139/74LS139 传递延迟时间22ns 功耗34mW 当选通端（G1）为高电平，可将地址端（A、B）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。若将选通端（G1）作为数据输入端时，139 还可作数据分配器。 74ls139引脚图：

引出端符号： A、B：译码地址输入端 G1、G2 ：选通端（低电平有效） Y0～Y3：译码输出端（低电平有效74LS139内部逻辑图:

74LS139真值表： 74ls164: 164 为8 位移位寄存器,其主要电特性的典型值如下：54/74164 185mW 54/74LS164 80mW当清除端（CLEAR）为低电平时，输出端（QA －QH）均为低电平。串行数据输入端（A，B）可控制数据。当A、B任意一个为低电平，则禁止新数据输入，在时钟端（CLOCK）脉冲上升沿作用下Q0 为低电平。当A、B 有一个为高电平，则另一个就允许输入数据，并在CLOCK 上升沿作用下决定Q0 的状态。引脚功能： CLOCK ：时钟输入端CLEAR：同步清除输入端（低电平有效）A，B ：串行数据输入端QA－QH：输出端 (图1 74LS164封装图)

常用集成电路功能

鹏运发科技有限公司收音机用集成电路序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统 2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191 3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600 4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619 5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800 6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003 7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111 8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149 9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T 10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130 11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131 12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343 13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA7640 音频功率放大集成电路序号产品型号功能与用途封装形式境外同类产品 1 YD1001 720mW单声道音频功放电路 DIP8 2 YD1006 18W单声道音频功放电路 TO-220B 3 YD1008 22W单声道音频功放电路 TO-220B 4 YD1026 具有待机、静音功能的25W双声道音频功放电路 FZIP12 5 YD131 6 2W双声道音频功放电路 FDIP14 μPC1316C 6 YD1519 具有待机、静音功能的6W双声道音频功放电路 FSIP9 TDA1519 7 TDA2003 10W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2003 8 YD2025 2.3W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 9 YD2025A 2.4W单声道音频功放电路 DIP16 TEA2025B 10 YD2025H 2.4W单声道音频功放电路 HDIP12 11 YD2030 18W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030 12 YD2030A 20W单声道音频功放电路 TO-220B TDA2030A

数字集成电路复习资料

第一章数字集成电路介绍第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。可变成本（重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。理想数字门特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。传播延时、上升和下降时间的定义传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。第三章、第四章CMOS 器件手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很慢。当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接地电容。平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚度。边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分：一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著，因为这些导线离衬底更远。例4.5与4.8表格电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电容。耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。例4.2 金属线的电阻考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□′(0.1′106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ′ 10 k Ω ′ 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ′ 10 k Ω ′ 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (2222) +=+=+++??? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN =τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的 Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38′RC = 0.38 ′ (0.075 Ω/μm) ′ (110 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ′ (150 Ω/μm) ′ (88+2′54 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ′ (0.0375 Ω/μm) ′ (5.2+2′12 aF/μm) ′ (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为 2.67cm 第五章CMOS 反相器静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 à 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 à 晶体管可以采用最小尺寸 à 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 à 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) à 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) à 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的。开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()() ()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35 .320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266 ==?==----?-???----=－－－＝分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点用来定义V IH 和V IL 。点。

集成电路型号功能对照表

集成电路型号功能对照表 0206A 天线开关集成电路 03VFG9 发射压控振荡集成电路 1021AC 发射压控振荡集成电路 1097C 升压集成电路 140N 电源取样比较放大集成电路 14DN363 伺服控制集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 1710 视频信号处理集成电路 1N706 混响延时集成电路 20810－F6096 存储集成电路 2252B 微处理集成电路 2274 延迟集成电路 24C01ACEA 存储集成电路 24C026 存储集成电路 24C04 存储集成电路 24C64 码片集成电路 24LC16B 存储集成电路 24LC65 电可改写编程只读存储集成电路27C1000PC－12 存储集成电路

27C2000QC－90 存储集成电路 27C20T 存储集成电路 27C512 电可改写编程只读存储集成电路2800 红外遥控信号接收集成电路 28BV64 码片集成电路 28F004 版本集成电路 31085 射频电源集成电路 32D54 电源、音频信号处理集成电路32D75 电源、音频信号处理集成电路32D92 电源中频放大集成电路 4066B 电子开关切换集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电路424260SDJ 存储集成电路 4260 动态随机存储集成电路 4270351/91B9905 中频放大集成电路4370341/90M9919 中频处理集成电路4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 4580D 双运算放大集成电路 47C1638AN－U337 微处理集成电路 47C1638AU－353 微处理集成电路 47C432GP 微处理集成电路

常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号

常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号
图 D-1 74LS00 四 2 输入与非门
图 D-2 74LS01 四 2 输入与非门（OC）
图 D-3 74LS02 四 2 输入或非门
图 D-4 74LS04 六反相器
图 D-5 74LS08 四 2 输入与门
图 D-6 74LS10 三 3 输入与非门
图 D-7 74LS20 双 4 输入与非门
图 D-8
R
74LS32 四 2 输入或门
S
Q
S R Q
R Q S
R
S
Q
图 D-9 74LS54 4 路 2-2-2-2 输入与或非门
图 D-10 74LS74 双上升沿 D 型触发器
图 D-11 74LS86 四 2 输入异或门
图 D-12
74LS112 双下降沿 J-K 触发器

图 D-13 74LS126 四总线缓冲器
图 D-14
74LS138 3 线-8 线译码器
图 D-15 74LS148 8 线-3 线优先编码器
图 D-16 74LS151 8 选 1 数据选择器
图 D-17 74LS153 双 4 选 1 数据选择器
图 D-18 74LS161 4 位二进制同步计数器
图 D-19 74LS194 4 位双向移位寄存器
图 D-20 74LS196 二-五-十进制计数器
图 D-21 74LS283 4 位二进制超前进位全加器
图 D-22
74LS290 二-五-十进制计数器
图 D-23
CD4011B 四 2 输入与非门
图 D-24 CD4081 四 2 输入与门

数字电路知识点汇总(精华版)

数字电路知识点汇总（东南大学）第1章数字逻辑概论一、进位计数制 1.十进制与二进制数的转换 c.分配律：) A? ?＝+ B (C A? A C ?B A+ B + +） ? = C )() ) (C A B A 3）逻辑函数的特殊规律 a.同一律：Ａ+Ａ+Ａ b.摩根定律：B A+ B ? A = A B A? = +，B

b.关于否定的性质Ａ＝A 二、逻辑函数的基本规则代入规则在任何一个逻辑等式中，如果将等式两边同时出现某一变量Ａ的地方，都用一个函数Ｌ表示，则等式仍然成立，这个规则称为代入规则 B⊕ C A 解：先用摩根定理展开：AB＝B A+再用吸收法Ｌ＝E AB+ + B A ＝E A+ + B + B D A ＝) A A+ D + + ( ) (E B B ＝) A A+ + D + ) 1( 1(E B B

＝B A + 3）消去法利用B A B A A +=+ 消去多余的因子例如，化简函数Ｌ＝ABC B A B A A +++ 解：Ｌ＝ABC E B A B A B A +++ B A B A B A ＝)()()(BC A C B A C B A C B C B A B A +++?++? ＝)()1()1(B B C A A C B C B A +++++? ＝C A C B B A ++? 2.应用举例将下列函数化简成最简的与－或表达式

1）Ｌ＝A D DCE BD B A +++ 2) L=AC C B B A ++ 3) L=ABCD C B C A AB +++ 解：1）Ｌ＝A D DCE BD B A +++ ＝DCE A B D B A +++)( A B B ＝)()(C B A C A ABCD C AB AB ++++ =)1()1(B C A CD C AB ++++ ＝C A AB + 四、逻辑函数的化简—卡诺图化简法：卡诺图是由真值表转换而来的，在变量卡诺图中，变量的取值顺序是按循环码

常用基本数字集成电路应用设计

课程设计题目：常用基本数字集成电路应用设计学生姓名：学号：院系：专业班级：指导教师姓名及职称：起止时间：课程设计评分：常用基本数字集成电路应用设计 1.多谐振荡器概述多谐振荡器是一种自激振荡器，它不需要输入触发信号，接通电源后就可自动输出矩形脉冲。由于矩形脉冲含有丰富的谐波分量，因此，常将矩形脉冲产生电路称为多谐振荡器。 1.1非门电路构成的多谐振荡器设计

1.1.1基本原理门电路构成多谐振荡器非门作为一个开关倒相器件，可用以构成各种脉冲波形的产生电路。电路的基本工作原理是利用电容器的充放电，当输入电压达到与非门的阈值电压VT 时，门的输出状态即发生变化。因此，电路输出的脉冲波形参数直接取决于电路中阻容元件的数值。（1）不对称多谐振荡器非对称型多谐振荡器的输出波形是不对称的，当用TTL与非门组成时，输出脉冲宽度 tw1=RC, tw2=1.2RC, T=2.2RC 调节 R和C值，可改变输出信号的振荡频率，通常用改变C实现输出频率的粗调，改变电位器R实现输出频率的细调。图1为不对称多谐振荡器，为了使电路产生振荡，要求U1A和U1B两个反向器都工作在电压传输特性的转折区，即工作在放大区。（2）对称型多谐振荡器电路完全对称，电容器的充放电时间常数相同, 故输出为对称的方波。改变R和C的值，可以改变输出振荡频率。非门3用于输出波形整形。一般取R≤1KΩ?,当R1＝R2=1KΩ，C1=C2＝100pf～100μf时，f可在几Hz～MHz 变化。

脉冲宽度tw1＝tw2＝0.7RC，T＝1.4RC. 图2中，U1A和U1B两个反向器之间经电容C1和C2耦合形成正反馈回路。 (3) 石英晶体稳频的多谐振荡器当要求多谐振荡器的工作频率稳定性很高时，上述几种多谐振荡器的精度已不能满足要求。为此常用石英晶体作为信号频率的基准。用石英晶体与门电路构成的多谐振荡器常用来为微型计算机等提供时钟信号。图3所示为常用的晶体稳频多谐振荡器。（a）、 (b)为TTL器件组成的晶体振荡电路；（c）、 (d)为CMOS器件组成的晶体振荡电路，一般用于电子表中，其中晶体的f0=32768Hz。图3（c）中，门1用于振荡，门2用于缓冲整形。Rf是反馈电阻，通常在几十兆欧之间选取，一般选22MΩ。R起稳定振荡作用，通常取十至几百千欧。C1是频率微调电容器， C2用于温度特性校正。

各种集成电路介绍

第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识）有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。第二节语音集成电路电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。

常用的集成电路

常用的集成电路集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将各元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用“N”等)表示。电子制作中常用的集成电路有稳压集成电路、运放集成电路、语音集成电路、数字集成电路和时基集成电路等。 1．数字集成电路数字集成电路可分为TTL数字集成电路、CMOS数字集成电路和ECL数字集成电路，它们的逻辑电平不同。较常用的是TTL数字集成电路和CMOS数字集成电路。图1是几种常用数字集成电路外形图。

图 1 TTL数字集成电路 TTL电路是晶体管－晶体管逻辑电路的英文缩写。TTL数字集成电路属于双极型晶体管集成电路，它又分为N-TTL、LS-TTL、ALS-TTL、AS-TTL、S-TTL等多种，其工作频率低于100MHz。常用的TTL数字集成电路有74LS××系列、74S××系列、74ALS××系列、74AS××系列和74F××系列等。 COMS数字集成电路

CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路的英文缩写。CMOS数字集成电路属于单极型晶体管集成电路，其工作频率低于100kHz。它有多种类型，但最常见的是门电路。CMOS门电路中的逻辑门有非门、与门、与非门、或非门、或门、异或门、异或非门（同或门）、施密特触发门、缓冲器、驱动器等。常用的CMOS数字集成电路有4000B系列、40H××系列（TC40H××、LR40H××、LS40H××、CC40H××）、74HC××系列等。 2．遥控集成电路遥控集成电路包括红外线遥控集成电路、无限遥控集成电路和超声波遥控集成电路。红外线遥控集成电路红外线遥控集成电路分为红外线遥控发射集成电路和红外线遥控接收集成电路。红外线遥控发射集成电路的作用是将代表各种指令的编码信号调制在红外线载体（红外线发光二极管）上，通过发射驱动电路向外辐射包含指令的红外光波。常用的红外线遥控发射集成电路有MN6014W、M3004LAB1 红外线遥控接收集成电路的作用是将光敏管接收的红外光波（已调制的含有控制指令的红外光波）转换为电信号，再将其解调还原为编码信号，送到译码电路译码后得到各种控制指令。常用的红外线遥控接收集成电路有AN5020、AN5026、CX20106A、KA2182、KA2183、μPC1373、μPC1490HA、LA7224、MC3373、TA8141、TC9134P、TC9149、TC9150、TDA2320、TDA3048等型号。无线遥控集成电路无线遥控电路是用无线电波作为载体来传输控制指令的。无线遥控集成电路也分为无线遥控发射集成电路和无线遥控接收集成电路。无线遥控发射集成电路内部通常由射频振荡器、缓冲器、可控振荡器等组成。常用的无限遥控发射集成电路型号有T630、TDC1808、MC2831A、MC2833P、BA1404等。常用的无线遥控接收集成电路有SL517、T631、M303R、TDC1809、μPC1651、C1676、MC3362、MC3363、MC3367、MC3372、TDA7021等型号。超声波遥控集成电路超声波遥控是利用超声波来传送控制指令的。超声波接收集成电路内部由放大电路、检波电路、整形电路和双稳态电路等组成，常用的型号有NYKD 等。超声波发射集成电路内部由振荡器、单脉冲放大器等组成。常用的型号有NYKO等。NYKO通常与NYKD配合使用。 3．语音集成电路语音集成电路也称语音掩膜ROM或语音合成集成电路，其内部有存储器等电路，是一种大规模CMOS 集成电路，分为语言集成电路和音乐集成电路。厂家在生产语音集成电路时，将语言或音乐等信息以数字代码形式储存固化在集成电路内部，当该集成电路受到触发时，即可输出所储存的信息。