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电子技术基础概念总结

电工学（中册）电子技术第一周

半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，是组成各种电子电路的核心元器件

导体：导电能力很强的物质，主要特征是电阻率ρ很小，一般在0.01~1Ω·mm2/m之间。

绝缘体是导电能力极弱的物质，电阻率ρ大于1014Ω·mm2/m。

半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。其电阻率ρ在10-1013Ω·mm2/m之间。

热敏特性：半导体的导电能力对温度变化反应灵敏，电阻率随温度升高而显著降低。

光敏特性：半导体的导电能力对光照敏感，光照可使半导体的电阻率显著减小。

掺杂特性：在纯净的半导体中加入微量杂质，其电阻率会发生很大变化。

在现代电子技术中，用的最多的半导体是锗和硅。

本征半导体就是完全纯净的，具有完整晶体结构的半导体。

在室温下，由于热激发，会使一些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚成为自由电子。这种现象叫做本征激发。当电子跑出其共价键成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位称作空穴。

自由电子和空穴都称为载流子，自由电子填补空穴的运动称为复合。

N型半导体（电子型半导体）：自由电子导电为这种半导体的主要导电方式。

P型半导体（空穴型半导体）：空穴导电为这种半导体的主要导电方式。

PN结：扩散运动使得P区和N区分别因失去空穴和电子而在交界面两侧留下带负电和正电的离子，形成的空间电荷区。

飘移运动：少数载流子在电场下的有规则的运动。

阳极：P区一侧引出的电极阴极：N区一侧引出的电极

稳压二极管（稳压管）又称齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管。

数字电子技术基础总复习要点

数字电子技术基础总复习要点一、填空题第一章 1、变化规律在时间上和数量上都是离散是信号称为数字信号。 2、变化规律在时间或数值上是连续的信号称为模拟信号。 3、不同数制间的转换。 4、反码、补码的运算。 5、8421码中每一位的权是固定不变的，它属于恒权代码。 6、格雷码的最大优点就在于它相邻两个代码之间只有一位发生变化。第二章 1、逻辑代数的基本运算有与、或、非三种。 2、只有决定事物结果的全部条件同时具备时，结果才发生。这种因果关系称为逻辑与，或称逻辑相乘。 3、在决定事物结果的诸条件中只要有任何一个满足，结果就会发生。这种因果关系称为逻辑或，也称逻辑相加。 4、只要条件具备了，结果便不会发生；而条件不具备时，结果一定发生。这种因果关系称为逻辑非，也称逻辑求反。 5、逻辑代数的基本运算有重叠律、互补律、结合律、分配律、反演律、还原律等。举例说明。 6、对偶表达式的书写。 7、逻辑该函数的表示方法有：真值表、逻辑函数式、逻辑图、波形图、卡诺图、硬件描述语言等。 8、在n变量逻辑函数中，若m为包含n个因子的乘积项，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在m中出现一次，则称m为该组变量的最小项。 9、n变量的最小项应有2n个。 10、最小项的重要性质有：①在输入变量的任何取值下必有一个最小项，而且仅有一个最小项的值为1；②全体最小项之和为1；③任意两个最小项的乘积为0；④具有相邻性的两个最小项之和可以合并成一项并消去一对因子。 11、若两个最小项只有一个因子不同，则称这两个最小项具有相邻性。 12、逻辑函数形式之间的变换。（与或式—与非式—或非式--与或非式等） 13、化简逻辑函数常用的方法有：公式化简法、卡诺图化简法、Q-M法等。 14、公式化简法经常使用的方法有：并项法、吸收法、消项法、消因子法、配项法等。 15、卡诺图化简法的步骤有：①将函数化为最小项之和的形式；②画出表示该逻辑函数的卡诺图；③找出可以合并的最小项；④选取化简后的乘积项。 16、卡诺图法化简逻辑函数选取化简后的乘积项的选取原则是：①乘积项应包含函数式中所有的最小项；②所用的乘积项数目最少；③每个乘积项包含的因子最少。第三章 1、用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。 2、CMOS电路在使用时应注意以下几点：①输入电路要采用静电防护；②输入电路要采取过流保护；③电路锁定效应的防护。 3、COMS电路的静电防护应注意以下几点：①采用金属屏蔽层包装；②无静

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅大小相等，而且相位也相同。二、选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。特性：光敏、热敏和掺杂特性。本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。杂质半导体的特性载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。正偏PN结（P+,N-）:具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结（P-, N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。单向导电性：正向导通，反向截止。

电子技术基础离线作业

浙江大学远程教育学院《电子技术基础》课程作业模拟电子技术基础部分题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。解:题中的电路就是二极限幅电路,对电路(a), 当输入电压幅度6+≥i v V 时, 二极管导电,输出电压电压6+≤i v 时D 截止,为+6V,当输入输入电压i o v v =;对电输出电压等于电压幅度6+≤i v V 时路(b),当输入二极管导电,输出电压为i o v v =,输入电压6+≥i v V 时,二极管截止,输出电压为+6V ;对电路(c),就是一个双向限幅电路,当输入电压6-≤i v V 时,D 1导电、D 2截止,输出为—6V ,当输入电压8+≥i v V 时,D 2导电、D 1截止,输出电压为+8V 。题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D 的导通压降V D =0、7 V,并求出D 导通时电流I D 的大小。 (1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω; (2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1=R 2= 3 k Ω; (3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。图2 解:(1)求出二极管两端的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极管导电,然后再求出流过二极管的电流。二极管开路后流过R1与R2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25 12 2121==++= ,则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0、7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0、7V 。此时流过二极管的图1

电子技术基础总结

电子技术基础总结电子技术基础总结怎么写？以下是小编整理的相关范文，欢迎阅读。电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差，同时又缺乏主动学习的自觉性，如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣，致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学，重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题，就会带着问题主动学习，这样使学生变要我学习为我要学习，提高学习的主动性，这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力，同时也提高了教学质量和教学效率。组织召开专题会为了确保课改取得实效，机电一体化教研组组织有关教师召开专题会，就如何开展好课改工作进行讨论，认真听取这门课有经验老师的建议，制定出课改实施方案。教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接； 2、下企业调研岗位工作任务； 3、提取典型工作任务； 4、确定课程学习任务与技能目标； 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定在对企业充分调研的基础上，进行工作任务的分类归总，提取企业典型工作任务，确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分，任务的层次也是由易到难，十三个学习情境如下图所示。项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法，就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理，项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在：目标指向的多重性；培训周期短，见效快；可控性好；注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目，共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中，学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行，其中2节为理论课时，其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够，后改为4节理论，3节实训。相比于理论课，学生还是偏向于上实训课，更喜欢做训练动

模拟电子技术基础期末试题答案

课程模拟电子技术基础班级学号姓名一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数会变。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大信号、抑制信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路（填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以通频带，非线性失真。

10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ，那么它的β约为。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中，电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈。 A.容性 B.阻性 C.感性三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第一篇第4章习题

第一篇第4章习题题1.4.1 在图题1.4.1所示电路中，设BJT 的100=β，Ω=k r be 1，0=s R 。（1）求电路的下限频率L f ；（2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？输出电压与信号源电压的相位差为多少？图题1.4.1 图题1.4.2 答：（1）考虚了耦合电容和输入回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 159=；（2）141=vL A ，相位差-225o ；题1.4.2 电路如图题1.4.2所示，设BJT 的50=β，Ω=k r be 1。（1）求电路的下限频率L f ；（2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？答：（1）它的下限频率由输出回路决定，考虚了耦合电容和回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 8.39=；（2）36.1=vL A ；题1.4.5 某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为 ()() kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++-= 画出波特图，求其下限截止频率L f 和上限截止频率H f 。答：波特图如下。f L =10Hz ， f H =50kHz 。

题1.4.6 某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为 ()() MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++-= 画出波特图，求其上限截止频率H f 的近似值。答：波特图为：图3.1.20 上限截止频率 f H ≈100kHz 。题1.4.7 已知某反相放大电路电压放大倍数的对数幅频特性曲线如图题1.4.7所示： (1) 写出该放大电路电压放大倍数的频率特性表达式； (2) 写出该放大电路电压放大倍数的相频特性表达式，画出对数相频特性曲线。图题1.4.7 答：（1）频率特性表达式为：（2）对数相频特性表达式为： )100/arctan()10arctan()1.0/arctan(180z f z f z f o MH -MH -MH --=? )100/1)(10/1)(1.0/1(104 . z jf z jf z jf A V MH +MH +MH +-=

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管~，锗管~。 *死区电压------硅管，锗管。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是自由电子。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须正偏、集电结必须反偏；三极管最重要的特性是具有电流放大作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 21.基本数字逻辑关系有与、或、非三种。

西南交《数字电子技术基础A》离线作业

西南交《数字电子技术基础A》离线作业 1. 已知输入信号A、B、C的波形，试画出图2所示各电路输出（L1、L2、L3）的波形。设触发器的初态为0。（10分）图2 2. 如图3所示，为检测水箱的液位，在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件，当水面低于检测元件时，检测元件输出低电平，水面高于检测元件时，检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路，要求：当水面在A、B之间的正常状态时，仅绿灯G亮；水面在B、C 间或A以上的异常状态时，仅黄Y灯亮；水面在C以下的危险状态时，仅红灯R亮。（10分）

3. 逻辑电路如图4所示，试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。（10分） 4. 已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。（10分） 1．列出电路的状态转换真值表，写出每个触发器的驱动方程和状态方程 2．试用D触发器和与非门实现该时序逻辑电路，要求电路最简。画出逻辑电路图。

电路具自启动能力 5. 用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q3Q2Q1Q0 =0001，试画出各输出端Q3、Q2、Q1、Q0和L的波形。（10分）解：

6. 电路如图7所示，图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN为各种不同输入时，电路分别是那几种不同进制的计数器。（10分） 7. 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a所示。已知vI的电压波形如图b所示。试对应vI画出图中vO1、vO2的波形；（10分）解： 8.逻辑电路如图2 a、b、c所示。试对应图d所示输入波形，分别画出输出端

L1、、L2 和L3的波形。(设触发器的初态为0) （10分）图 2 9.发由全加器FA、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a所示。试在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图（不用化简）。（10分）

电子技术基础期末复习

第1章检测题一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（通用阵列逻辑），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（输出逻辑宏单元）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。二、根据要求作题：（共16分） 1．试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构成，试分别写出F1、F2、F3的表达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。（8分）解： R ＋

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第二篇第5章习题

第二篇第5章习题题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。求：（1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？（2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？（3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V (W 5.41621222 2=?== L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V 题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。）图题2.5.2

解：W 982)21 (2)21(2 2(max)=?==CC L CC om V R V P V CC =24(V) ∴电源电压V CC 至少24V 题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。试回答下列问题：（1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？（2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？（3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？图题2.5.3 解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。 (2) 若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。 (3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路，则(m A)58.3221 21=-==R V V I I BE CC B B I C1=I C2=βI B1=179(mA) P C =I C1·V CE =I Ｃ１·5V=895(mW)＞Pcm,∴功率管会烧坏。题2.5.4 在图题2.5.3电路中，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载的电流i L =0.45cos ωt （A ）。求：（1）负载R L 所能得到的信号功率P o ；（2）电源供给的功率P E ；（3）两个管子的总管耗P T 。解：(1) (W)54.3)2 ( 2≈=L Lm o R i P

模拟电子技术基础期末复习总结

第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。两种掺杂半导体： N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。 P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。二极管 PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0), 三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。要求隔“直”，又能使信号顺利通过。放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。图解法：

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器（） A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（） A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴（） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（）

注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0=。四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是：（1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反；（4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求：（1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。

数字电子技术基础学习总结

数字电子技术基础学习总结光阴似箭，日月如梭。有到了这个学期的期末，对我来说又是一次对知识的大检查。这学期总共学习了4章，分别是数字逻辑基础、逻辑门电路基础、组合逻辑电路、触发器。在第一章学习数字逻辑基础包括模拟信号与数字信号、数字电路、数制、各种数制之间的转换和对应关系表、码制（BCD码、格雷码、ASCII码）、逻辑问题的描述（这个是重点）、逻辑函数的五种描述方法、逻辑函数的化简；在数制里学习四种进制十进制、二进制、八进制、十六进制；十进制是逢十进一，二进制是逢二进一，在八进制中只是二进制的一种简便表示方法而已，它的规律是逢八近一，而十六进制有09ABCDEF十六个数码这个要记住和一些算法。比如十进制的534，八进制为1026，过程为： 534/8=66,余数为6; 66/8=8,余数为2; 8/8=1,余数为0; 1/8=0,余数为1;

仍然是从下往上看这些余数，顺序写出，答案为1026 所以在数制的之间转换有5种转换，10和2转换（除2取余数法，如上题一样），10和8转换对整数除8取余，对小数点乘8取整。10和16转换对整数除16取余，对小数点乘16取整,2和8转换对应关系3位二进制对应1位八进制可看对应关系图。2和16转换4位二进制对应1位十六进制数，可看对应关系图。在码制的学习中学习了3种码BCD码、格雷码、ASCII码。 BCD码：用4位二进制数来表示1位十进制数中的0~9这10个数码，简称BCD码，还有几个常用的BCD码：8421（常用）、5421、2421、余3。如8421码321的8421码就是（查表） 3 2 1 0011 0010 0001 原因:0011=8x0+4x0+1x2+1x1=3 、 0010=8x0+4x0+2x1+1x0=2、0001=8x0+4x0+2x0+1x1=1；格雷码：有两个特点1相邻性2循环性。

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语：数字电子技术基础知识有哪些呢？接下来是小编为你带来收集整理的文章，欢迎阅读！处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。其主要特点是： 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时，信号的波形也改变，即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面：1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。其主要特点是： 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础，使用二进制数字信号，既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等)，因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单，系统可靠以二进制作为基础的数字逻辑电路，可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响，温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高，功能实现容易集成度高，体积小，功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便，随着集成电路技术的高速发展，数字逻辑电路的集成度越来越高，集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路，通过编程的方法实现任意的逻辑功能。模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。模拟信号是关于时间的函数，是一个连续变化的量，数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件，电子线路为载体的，在一个信号处理中，信号的采集，信号的恢复都是模拟信号，只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号，不随时间变化，时间域和值域上均连续的信号，如语音信号。而数

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础试题（一）一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式