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阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命

阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命

崔国庆;黄庆安;王建华

【期刊名称】《电子器件》

【年(卷),期】2004(027)004

【摘要】少子寿命是PIN二极管的重要参数,对二极管的正向压降和开关时间有很大的影响.阶越反向恢复法是常用的测试少子寿命方法之一.本文通过分析电荷控制方程得到了更精确的表达式,并用这种方法计算了储存电荷法的公式.表达式用MEDICI器件模拟软件进行了验证.结果表明与目前常用的方法相比,本文的方法具有更好的精确性,而且简单易行,适合实际应用.

【总页数】4页(585-588)

【关键词】少子寿命;PIN二极管;连续性方程

【作者】崔国庆;黄庆安;王建华

【作者单位】东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;合肥工业大学理学院,合肥,230009;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096;合肥工业大学理学院,合肥,230009

【正文语种】中文

【中图分类】TN31

【相关文献】

1.基于集总电荷的PIN二极管反向恢复模型 [J], 王润岑; 张佳佳; 叶尚斌; 张逸成; 姚勇涛

2.PiN二极管反向恢复机理研究 [J], 关艳霞; 董方媛; 潘福泉

3.PiN二极管反向恢复机理研究 [J], 关艳霞; 董方媛; 潘福泉

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