常用晶体管型号
[电子基础知识延伸]三极管数据手册
名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管
D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿
9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012
9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015
9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014
9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ
8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550
8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050
2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS
2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ
2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS
2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955
2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609
2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W
2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A
2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A
2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ
2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W
2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W
2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W
9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ
9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W
3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ
3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ
3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ
MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012
3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W
3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W
3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W
3522V 5V稳压管
A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W
A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W
A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ
A733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZ
A741 4 PNP 开关20V 0.1A 70／120NS
A781 39B PNP 开关20V 0.2A 80／160NS
A928 ECB PNP 通用20V 1A 0.25W
A933 21 PNP 通用50V 0.1A 140MHZ
A940 28 PNP 音频功放开关150V 1.5A 25W 4MHZ C2073 A966 21 PNP 音频激励输出30V 1.5A 0.9W 100MHZ C2236 A950 21 PNP 通用30V 0.8A 0.6W
A968 28 PNP 音频功放开关160V 1.5A 25W 100MHZ C2238 A1009 BCE PNP 功放开关350V 2A 15W
A1220P 29 PNP 音频功放开关120V 1.5A 20W 150MHZ
A1013 21 PNP 视频放大160V 1A 0.9W C2383
A1015 21 PNP 通用60V 0.1A 0.4W 8MHZ C1815
2N6050 12 PNP 音频功放开关60V 12A 150W
2N6051 12 PNP 音频功放开关80V 12A 150W
A1175 PNP 通用60V 0.10A 0.25W 180MHZ
A1213 贴片PNP 超高频50V 0.15A 80MHZ
A719 ECB PNP 通用30V 0.50A 0.625W 200MHZ
B12 G－PNP 音频30V 0.05A 0.05W
B1114 ECB PNP 通用贴片20V 2A 180MHZ
B205 锗管PNP 音频功放开关80V 20A 80W
B1215 BCE PNP 功放开关贴片120V 3A 20W 130MHZ
C294 6 NPN 栾生对管25V 0.05A 200MHZ
C1044 6 NPN 视放45V 0.3A 2.2GHZ
C1216 6 NPN 高速开关40V 0.2A T,20ｎS
C1344 ECB NPN 通用低噪30V 0.10 230MHZ
C1733 6 NPN 栾生对管30V 0.05A 2GHZ
C1317 21ECB NPN 通用30V 0.5A 0.625W 200MHZ
C546 21ECB NPN 高放30V 0.03A 0.15W 600MHZ
C680 11 NPN 音频功放开关200V 2A 30W 20MHZ
C665 12 NPN 音频功放开关125V 5A 50W 15MHZ
C4581 BCE NPN 电源开关600V 10A 65W 20MHZ?
C4584 BCE NPN 电源开关1200V 6A 65W 20MHZ
C4897 BCE NPN 行管1500V 20A 150W
C4928 BCE NPN 行管1500V 15A 150W
C5411 BCE NPN 彩显行管17” 1500V 14A 60W
HQ1F3P 贴片NPN 功放开关20V 2A 2W
TIP132 28 NPN 音频功放开关100V 8A 70W TIP137
A1020 21 PNP 音频开关50V 2A 0.9W
A1123 21 PNP 低噪放大150V 0.05A 0.75W
A1162 21D PNP 通用贴片50V 0.15A 0.15W
A1216 BCE PNP 功放开关180V 17A 200W 20MHZ C2922 A1265 BCE PNP 功放开关140V 10A 100W 30MHZ C3182 A1295 BCE PNP 功放开关230V 17A 200W 30MHZ C3264 A1301 BCE PNP 功放开关160V 12A 120W 30MHZ C3280 C3280 BCE NPN 功放开关160V 12A 120W 30MHZ A1301
A1302 BCE PNP 功放开关200V 15A 120W 30MHZ C3281 C3281 BCE NPN 功放开关200V 15A 120W 30MHZ A1302 A1358 BCE PNP 120V 1A 10W 120MHZ
A1444 BCE PNP 高速电源开关100V 15A 30W 80MHZ
A1494 BCE PNP 功放开关200V 17A 200W 20MHZ C3858 A1516 BCE PNP 功放开关180V 12A 130W 25MHZ
A1668 BCE PNP 电源开关200V 2A 25W 20MHZ
A1785 BCE PNP 驱动120V 1A 1W 140MHZ
A1941 BCE PNP 音频功放形状140V 10A 100W C5198
C5198 BCE NPN 音频功放形状140V 10A 100W A1941
A1943 BCE PNP 功放开关230V 15AA 150W C5200
C5200 BCE NPN 功放开关230V 15A 150W A1943
A1988 BCE PNP 功放开关
B449 锗管12 PNP 功放开关50V 3.5A 22.5W
B647 21 PNP 通用120V 1A 0.9W 140MHZ D667
D667 21 NPN 通用120V 1A 0.9W 140MHZ B649
B1375 BCE PNP 音频功放60V 3A 2W 9MHZ
D40C BCE NPN
对讲机用
40V 0.5A 40W 75MH
B688 BCE PNP 音频功放开关120V 8A 80W D718
B734 39B PNP 通用60V 1A 1W D774
B649 29 PNP 视放180V 1.5A 20W D669
D669 29 NPN 视频放大180V 1.5A 20W 140MHZ B649
B669 28 PNP 达林顿功放70V 4A 40W
B675 28 PNP 达林顿功放60V 7A 40W
B673 28 PNP 达林顿功放100V 7A 40W
B631K 29 PNP 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ D600K D600K 29 NPN 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ B631K C3783 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 100W
B1400 28B PNP 达林顿功放120V 6A 25W D1590
B744 29 PNP 音频功放开关70V 3A 10W
B1020 28 PNP 功放开关100V 7A 40W
B1240 39B PNP 功放开关40V 2A 1W 100MHZ
B1185 28B PNP 功放开关60V 3A 25W 70MHZ D1762
B1079 30 PNP 达林顿功放100V 20A 100W D1559
B772 29 PNP 音频功放开关40V 3A 10W D882
B774 21 PNP 通用30V 0.1A 0.25W
B817 30 PNP 音频功放形状160V 12A 100W D1047
B834 28 PNP 功放开关60V 3A 30W
B1316 54B PNP 达林顿功放100V 2A 10W
B1317 BCE PNP 音频功放180V 15A 150W D1975
B1494 BCE PNP 达林顿功放120V 20A 120W D2256
B1429 BCE PNP 功放开关180V 15A 150W
C380 21 NPN 高频放大35V 0.03A 250MHZ
C458 21 NPN 通用30V 0.1A 230MHZ
C536 21 NPN 通用40V 0.1A 180MHZ
2N6609 12 PNP 音频功放开关160V 15A 150W ＞2MHZ 2N3773 C3795 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 40W
C2458 21ECB NPN 通用低噪50V 0.15A 0.2W
C3030 BCE NPN 开关管900V 7A 80W. 达林顿
C3807 BCE NPN 低噪放大30V 2A 1.2W 260MHZ
C3858 BCE NPN 功放开关200V 17A 200W 20MHZ A1494
D985 29 NPN 达林顿功放150V ±1.5A 10W
C2036 29 NPN 高放低噪80V 1A 1－4W
C2068 28E NPN 视频放大300V 0.05A 1.5W 80MHZ
C2073 28 NPN 功率放大150V 1.5A 25W 4MHZ A940
C3039 28 NPN 电源开关500V 7A 50W
C3058 12 NPN 开关管600V 30A 200W
C3148 28 NPN 电源开关900V 3A 40W
C3150 28 NPN 电源开关900V 3A 50W
C3153 30 NPN 电源开关900V 6A 100W
C3182 30 NPN 功放开关140V 10A 100W A1265
C3198 21 NPN 高频放大60V 0.15A 0.4W 130MHZ
3DK4B 7 NPN 开关40V 0.8A 0.8W
3DK7C 7 NPN 开关25V 0.05A 0.3W
3D15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W
C2078 28 NPN 音频功放开关80V 3A 10W 150MHZ
C2120 21 NPN 通用30V 0.8A 0.6W
C2228 21 NPN 视频放大160V 0.05A 0.75W
C2230 21 NPN 视频放大200V 0.1A 0.8W
C2233 28 NPN 音频功放开关200V 4A 40W
C2236 21 NPN 通用30V 1.5A 0.9W A966
C1733 小铁NPN 孪生对管30V 2GHZ
C1317 21EBC NPN 通用30V 0.5A 0.625W 200MHZ
C2238 28 NPN 音频功放开关160V 1.5A 25W 100MHZ A968
C752 21 NPN 通用30V 0.1A 300MHZ
C815 21 NPN 通用60V 0.2A 0.25W
C828 21 NPN 通用45V 0.05A 0.25W
C900 21 NPN 低噪放大30V 0.03A 100MHZ
C945 21 NPN 通用50V 0.1A 0.5W 250MHZ
C1008 21 NPN 通用80V 0.7A 0.8W 50MHZ
C1162 21 NPN 音频功放35V 1.5A 10W
C1213 39B NPN 监视器专用30V 0.5A 0.4W
C1222 21 NPN 低噪放大60V 0.1A 100MHZ
C1494 40A NPN 发射36V 6A PQ=40W 175MHZ
C1507 28 NPN 视放300V 0.2A 15W
C1674 21 NPN HF/ZF 30V 0.02A 600MHZ
C1815 21 NPN 通用60V 0.15A 0.4W 8MHZ A1015
C1855 21F NPN HF/ZF 20V 0.02A 550MHZ
C1875 12 NPN 彩行1500V 3.5A 50W
C1906 21 NPN 高频放大30V 0.05A 1000MHZ
C1942 12 NPN 彩行1500V 3A 50W
C1959 21 NPN 通用30V 0.4A 0.5W 300MHZ
C1970 28 NPN 手机发射40V 0.6A PQ=1.3W 175MHZ
C1971 28A NPN 手机发射35V 2A PQ-7.0W 175MHZ
C1972 28A NPN 手机发射35V 3.5A PQ=15W 175MHZ
C2320 21 NPN 通用50V 0.2A 0.3W 200MHZ
C2012 21 NPN 高放30V 0.03A 200MHZ
C2027 12 NPN 行管1500V 5A 50W
D814 BCE NPN 低噪放大贴片150V 0.05A 150MHZ
C5142 BCE NPN 彩行1500V 20A 200W
D998 BCE NPN 音频功放开关120V 10A 80W
MOSFET—大功率入门介 RSD200N10
特性描述
4V驱动型Nch 大功率MOSFET，其特性如下：
1、VDS=100V。
2、VGS=4V。
3、ID=20A 。
4、RDS=45?（VGS=4V)
5、PD=20W（T=25℃）
6、工作温度：150℃
7、封装形式：CPT3
MOSFET—大功率
B
常用稳压二极管技术参数及老型号代换
常用稳压二极管技术参数及老型号代换 型号最大功耗 (mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号国产稳压管日立稳压管 HZ4B2 500 3.8 4.0 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4.0 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7.0 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10.0 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3 RD24E 400 22 25 10 2CW116 2CW21H 24-1
2N系列功率晶体管技术参数(精)
2N系列功率晶体管技术参数 2N1304GE-N25V0.3A0.15W10MHz 2N1305GE-P30V0.3A0.15W5MHz 2N1307GE-P30V0.3A0.15W B>60 2N1613SI-N75V1A0.8W60MHz 2N1711SI-N75V1A0.8W70MHz 2N109GE-P35V0.15A0.165W 2N1893SI-N120V0.5A0.8W 2N2102SI-N120V1A1W<120MHz 2N2148GE-P60V5A12.5W 2N2165SI-P30V50mA0.15W18MHz 2N2166SI-P15V50mA0.15W10MHz 2N2219A SI-N40V0.8A0.8W250MHz 2N2222A SI-N40V0.8A0.5W300MHz 2N22232xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2223A2xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2243A SI-N120V1A0.8W50MHz 2N2369A SI-N40V0.2A.36W12/18ns 2N2857SI-N30V40mA0.2W>1GHz 2N2894SI-P12V0.2A 1.2W60/90ns 2N2905A SI-P60V0.6A0.6W45/100 2N2906A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2907A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2917SI-N45V0.03A>60Mz
2N2926SI-N25V0.1A0.2W300MHz 2N2955GE-P40V0.1A0.15W200MHz 2N3019SI-N140V1A0.8W100MHz 2N3053SI-N60V0.7A5W100MHz 2N3054SI-N90V4A25W3MHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055H SI-N100V15A115W800kHz 2N3251SI-P50V0.2A0.36W 2N3375SI-N40V0.5A11.6W500MHz 2N3439SI-N450V1A10W15MHz 2N3440SI-N300V1A10W15MHz 2N3441SI-N160V3A25W POWER 2N3442SI-N160V10A117W0.8MHz 2N3495SI-P120V0.1A0.6W>150MHz 2N3502SI-P45V0.6A0.7W200MHz 2N3553SI-N65V0.35A7W500MHz 2N3571SI-N30V0.05A0.2W 1.4GHz 2N3583SI-N250/175V2A35W>10MHz 2N3632SI-N40V0.25A23W400MHz 2N3646SI-N40V0.2A0.2W 2N3700SI-N140V1A0.5W200MHz 2N3707SI-N30V0.03A0.36W100MHz 2N3708SI-N30V0.03A0.36W80MHz 2N3716SI-N100V10A150W4MHz
常用三极管型号及参数
常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 （一）半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
常用二极管型号及参数大全
1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
(完整word版)常用三极管90系列80系列
9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 150MHZ hFE ：100～1000 (放大倍数分段可选) 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ hFE ：100～1000 (放大倍数分段可选) 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE ：150～500 (放大倍数分段可选) 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ hFE ：150～500 (放大倍数分段可选) 8050是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极-基极电压Vcbo ：40V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和8550（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大 8050 SOT-23 引脚图 放大 8050 TO-92 引脚图 9013是一种最常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极电流Ic ：Max 500mA ? 集电极-基极电压Vcbo ：40V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和9012（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用
o 射频放大 9013 SOT-23 引脚图 放大 9013 TO-92 引脚图 放大 9014是一种常用的普通三极管。 它是一种小电压,小电流,小信号的NPN 型硅三极管 ? 集电极电流Ic ：Max 100mA ? 集电极-基极电压Vcbo ：50V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和9015（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大 9014 SOT-23 引脚图 放大 9014 TO-92 引脚图 放大 BC817是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流的NPN 型硅三极管 ? 大集电极电流Ic ? 集电极-基极电压Vcbo ：50V ? 工作温度：-55℃ to +150℃ ? 和BC807（PNP ）相对 ? 主要用途： o 开关应用 o 射频放大
双极型晶体管介绍
双极型晶体管 晶体管的极限参数 双极型晶体管（Bipolar Transistor） 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管. 晶体管分类：NPN型管和PNP型管 输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。 输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双击型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。 ★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，U CE@0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。 ★放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。 ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。 ◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。 ◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。 极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。
常用二极管型号与参数大全
1. 塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02 ?-13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?-13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?-13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?-13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?-13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2. 快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
常用二极管型号与参数大全
1.塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V DO-41
11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V DO-15
常用晶体管参数表(Word)
常用晶体管参数表 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2SA 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W * * PNP 2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP 2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP
最全的各类晶体管参数符号汇总,新人务必收藏
Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) Symbol Para m eter V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流 Current 反向电流 I R Reverse I FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流 Voltage 正向直流电压V F Forward C j Typical Junction Capactiance 结电容 Dissipation 耗散功率P D Power T j Operating Junction Temperature 工作结温 T stg Storage Temperature Range 存储温度 R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻 Pin二极管 (Pin Diode) Symbol Para m eter V R Continuous reverse voltage 反向直流电压 I F Continuous forward current 正向直流电流 voltage 正向电压V F Forward current 反向电流 I R Reverse capacitance 二极管电容 C d diode r d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storage TVS二极管 (TVS Diode) Symbol Para m eter I PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流 voltage 钳位电压V C Clampling I R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流 voltage 击穿电压V(BR) Breakdown V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forward voltage 正向电压 current 正向电流 I F Forward current 测试电流 I T Test
二极管型号和参数
05Z6.2Y 硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管1000V, 1A, 1N4148 二极管75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管100V,1.5A, 1N5393 硅整流二极管200V,1.5A, 1N5394 硅整流二极管300V,1.5A, 1N5395 硅整流二极管400V,1.5A, 1N5396 硅整流二极管500V,1.5A, 1N5397 硅整流二极管600V,1.5A, 1N5398 硅整流二极管800V,1.5A, 1N5399 硅整流二极管1000V,1.5A, 1N5400 硅整流二极管50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管100V,3A, 1N5402 硅整流二极管200V,3A, 1N5403 硅整流二极管300V,3A, 1N5404 硅整流二极管400V,3A, 1N5405 硅整流二极管500V,3A, 1N5406 硅整流二极管600V,3A, 1N5407 硅整流二极管800V,3A, 1N5408 硅整流二极管1000V,3A, 1S1553 硅开关二极管70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1554 硅开关二极管55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1555 硅开关二极管35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S2076 硅开关二极管35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF 1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma, 1S2471V 硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma, 1S2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF, 1S2473H 硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma, 2AN1 二极管5A, f=100KHz 2CK100 硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,
常用二极管型号参数大全
For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41
常用二极管型号及参数大全
1?塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1 .1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1 .1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1 .1 PX 20 ERA15-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200- 1000V r 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2?快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
实验二场效应晶体管(FET)特性参数测量
实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量 一、实验设备 （1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001） 二、实验目的 1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理； 2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法； 3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。 三、MOS 晶体管特性参数的测量原理 1、实验仪器 实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。 测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。 值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。 2、参数定义 （1）、输出特性曲线与转移特性曲线 输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。 转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升。（2）、跨导(gm) 跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比。 跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。 跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用S表示，1S=1A/V。或用欧姆的倒数“姆欧”表示，记作“ -1 ”。 （3）、夹断电压VP和开启电压VT 夹断电压VP是对耗尽型管而言，它表示在一定漏源电压VDS下，漏极电流减小到接近于零（或等于某一规定数值，如50μA）时的栅源电压。 开启电压VT是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅