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电力电子技术复习题(第1章-第4章)

复习题

一、填空题：

1．三相半控桥式整流电路的移相范围为180°。当控制角超过时，电压波形将由连续变为断续。

2．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路一般应用在需要直流电压较低、电流的电工设备中。

3．将直流电源的稳定电压变换为电压的装置称为直流斩波器。

4．常用的逆变器根据换流方式不同，分为换流式逆变器和脉冲换流式逆变器两类。

5．由金属－－半导体场效应管构成的集成电路称为MOS 电路。

6．兼有和P 沟道两种增强型MOS 电路称为CMOS 电路。

7．基尔霍夫第一定律表明，流过任一节点的电流代数和为零；基尔霍夫第二定律表明，在任一回路中电动势的代数和恒等于各电阻上的代数和。

8．由一恒定电流If 与内电导Gi 并联组合而成的电源，称为。

9．已知一个电压源的电动势为E ，内阻为Ri ，若用等效的电流源表示，则电流源的电流I S ＝，并联电导＝Ri

1。 10.涡流在铁心内将引起较大的功率消耗，使铁心，缩短了设备的使用寿命。

11．互感线圈串联时，若端相接，称这种串接方式为反接。

12．互感线圈串联时，若异名端相接，称这种串接方式为。

13. LC 并联谐振回路在谐振时，其阻抗达到最大且呈纯电阻性，此时Z ＝Zmax ＝RC

L ，它的谐振频率fo ＝。 14．场效应管是利用改变半导体中的来实现对其导电能力控制的

器件。

15．场效应管按其结构的不同，可分为结型和型两大类。

16．在结型场效应管中，按其导电沟道的不同，可分为N 沟道和沟道两种。

17．由于结型场效应管中的PN 结始终工作在，其栅极电流几乎等于0，所以输入电阻高。

18．由于结型场效应管的电流几乎为零，讨论它的输入特性没有任何意义，所以只讨论它的转移特性和输出特性。

19．场效应管的转移特性反映了栅源电压对电流的控制作用。

20．场效应管的输出特性反映了电压对漏极电流的影响。

21．单结晶体管的伏安特性曲线分三个区，即截止区、区和饱和区。

22．三相半波可控整流电路，当控制角α的范围是 0°≤α≤ 90°时，其输出电压的平均值为1.17U 2cos α；当 30°≤α≤150°时，输出电压的平均值为，每只晶闸管承受的最大反向电压为2.45U 2，流过晶闸管的平均电流为13

1I 。 23. 在整流电路中往往要与负载串联一个电抗器，以使整流电流连续，并减小电流的。

二、选择题

1.图3－4所示接成的整流电路，加上额定输入电压后，L U 的平均值将（）。

A ．为27V

B ．导致管子烧坏

C ．为13.5V

D ．为0

2．图3－7中处于饱和状态的是（）。

A ．图a

B ．图b

C ．图c B ．图d

3．三相四线制对称电源38021 L L U /60°V 接入一个△形联结的对称负载后,1L I =10/30°该负载消耗的有功功率P=（）。

A ．6.6kw

B ．3.3kw

C ．5.7kw

D ．0

4．在需要直流电压较低、电流较大的设备中，宜采用（）整流电源。

A ．单相桥式可控

B ．三相桥式半控

C ．三相桥式全控

D ．带平衡电抗器三相双反星形可控

5．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，平衡电抗器的作用是使两组三相半波可控整流电路（）。

A ．相串联

B ．相并联

C ．单独输出

D ．以180°相位差相并联

6．在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（）。

A ．30°

B ．60°

C ．90°

D ．120°

7．在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越大，则（）。

A ．输出电压越高

B ．输出电压越低

C ．导通角θ越小

D ．导通角θ越大

8．三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的（）。 A. 2倍 B ．3倍 C ．23倍 D ．23倍

9．三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的（）。

A ．1倍

B ．l/2倍

C ．l/3倍

D ．1/6倍

10．三相全控桥式整流输出的平均电压L U 的计算式为L U ＝（）。

A ．1.17α?cos 2U

B ．2.34 α?cos 2U

C. 1.17α?sin 2U D ．2.34α?sin 2U

11．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的（）。

A ．1/2倍

B ．1/3倍

C ．1/4倍

D ．l/6倍

12．把直流电源中恒定的电压变换成（）的装置称为直流斩波器。

A ．交流电压

B ．可调交流电压

C．脉动直流电压 D．可调直流电压

13．把（）的装置称为逆变器。

A．交流电变换为直流电

B．交流电压升高或降低

C．直流电变换为交流电

D．直流电压升高或降低

14．当阳极和阴极之间加上正向电压而控制极不加任何信号时，晶闸管处于（）。

A．导通状态 B．关断状态 C．不确定状态

15．三相半波可控整流电路带负载时，其触发脉冲控制角a的移相范围是（）。

A．120° B．150° C．180°

16．晶闸管整流电路中“同步”的概念是指（）。

A.触发脉冲与主回路电源电压同时到来，同时消失

B.触发脉冲与电源电压频率相同

C.触发脉冲与主回路电源电压频率和相位上具有相互协调配合的关系

17．周期性非正弦电路中的平均功率，等于直流分量功率与各次谐波平均功率（）。

A．平方和的平方根 B．之和 C．和的平方根18．对于一确定的晶闸管来说，允许通过它的电流平均值随导电角的减小而（）。

A．增加 B. 减小 C．不变

U，则单相全控桥式整流电路中的晶闸管19．设变压器二次电压有效值为

可能承受的最大反向电压为（）。

A ．22U /2

B ．22U

C ．222U

20．三相半波可控整流电路带阻性负载时，当控制角大于（）时，输出电流开始断续。

A ．30°

B ．60°

C ．90°

21．三相半波可控整流电路带阻性负载时，若触发脉冲加于自然换向点之前，则输出电压将（）。

A ．很大

B ．很小 C. 出现缺相现象

22．带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后，晶闸管的导通角比没有二极管前减小了，此时电路的功率因数（）。

A ．提高了

B ．减小了

C ．没变化

23．如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其他一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。

A.误导通

B.有可能因局部过热而损坏

C.失控

24．如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高，最好采用（）滤波。

A ．串平波电抗器

B ．并大电容

C ．串大电阻

25. 在三相半控桥式整流电路中，要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为（）。

A.60°

B.120°

C.150°

D.180°

26．在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组三相半波电路是（）工作的。

A.同时并联

B.同时串联

C.不能同时并联

D.不能同时串联

27．晶闸管斩波器是应用于直流电源方面的调压装置，其输出电压（）。

A.是固定的

B.可以上调，也可以下调

C.只能上调

D.只能下调

28．逆变器的任务是把（）。

A.交流电变成直流电

B.直流电变成交流电

C.交流电变成交流电

D.直流电变成直流电

29．电力晶体管的缺点是（）。

A.功率大量小

B.必须具备专门的强迫换流电路

C.具有线性放大特性

D.易受二次击穿而损坏

30．电力晶体管在使用时，要防止（）。

A.二次击穿

B.静电击穿

C.时间久而失效

D.工作在开关状态

31．绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制。

A.栅极电流

B.发射极电流

C.栅极电压

D.发射极电压

32．线圈自感电动势的大小与（）无关。

A.线圈中电流的变化率

B.线圈的匝数

C.线圈周围的介质

D.线圈的电阻

33．单相半桥逆变器（电压型）的直流端接有两个相互串联的（）。

A. 容量足够大的电容

B. 大电感

C. 容量足够小的电容

D. 小电感

34．电压型逆变器的直流端（）。

A. 串联大电感

B. 串联大电容

C. 并联大电感

D. 并联大电容

35．自感电动势的大小正比于本线圈中电流的（）。

A. 大小

B. 变化量

C. 方向

D. 变化率

36．在三相半控桥式整流电路中，要求共用极组晶闸管的触发脉冲之间的相位差为（）。

A. 60°

B. 120°

C. 150°

D. 180°

37．在工业生产中，若需要低压大电流可控整流装置，常采用（）可控整流电路。

A. 三相半波

B. 三相全波

C. 三相桥式

D. 带平衡电抗益的双反星形

38．电力场效应管MOSEFT是（）器件。

A. 双极型

B. 多数载流子

C. 少数载流子

D. 无载流子

39．自感应电流是由于通过本线圈的原电流的变化而产生的，它的方向是（）。

A．总与原电流方向相反

B. 与原电流方向相同

C．阻碍原电流的变化趋势

40．电感量一定的线圈产生的自感电动势大，说明该线圈中通过的电流

（）。

A．大 B．变化率大 C. 时间长

41．图中电路中通过电阻R的电流为（）。

A．7安

B. l2安

C. 13安

42.场效应管的漏极、源极、栅极与三极管的（）三个电极相对应。

A．（e.b.c） B．（c.e.b） C．（c.b.e）43．反映场效应管放大性能的参数是（）。

A．Up B．Gm C．Ro D．Idss

44. MOS管是（）。

A．半导体器件 B．结型场效应管 C．绝缘栅场效应管45．结型场效应管中应有（）个PN结。

A．一个 B．二个 C．三个

46．结型场效应管的基本工作原理是（）。

A．改变导电沟道中的载流子浓度

B．改变导电沟道的有效长度

C．改变导电沟道的截面积

47．场效应管的三个电极的符号（）。

A．（a．b．c） B．（e．b．c） C．（d．g．s）

48. 在线性电路中，元件的（）不能用叠加原理计算。

A．电流 B. 电压 C. 功率

49．任意一个有源线性二端网络可以等效成一个含有内阻的电压源，该等效

电源的内阻和电动势是（）。

A. 网络的参数和结构决定的

B ．由所接负载的大小和性质决定的

C ．由网络和负载共同决定的

50．有一组正弦交流电压，其瞬时值表达式如下：=1u U m sin （314t ＋60°）； =2u U m cos （314t ＋150°）；=3u U m sin （314t －120°）；=4u U m cos （314t －30°），其中相位相同的是（）。

460．1u 和2u B ．3u 和4u C. 1u 和4u

51．在RL 串联电路中，已知电源电压为U ，若R ＝X L ，则电路中的无功功率为（）。

A ．U 2／X L

B . U 2／（2X L ）

C ．U 2／（2X L ）

52．在RLC 并联电路中，当电源电压大小不变而频率从电路的谐振频率逐渐减小到零时，电路中的电流值将（）。

A ．从某一最大值渐变到零

B ．由某一最小值渐变到无穷大

C ．保持某一定值不变

53．RLC 并联电路在某一频率下的总阻抗呈感性，若在保持总阻抗仍为感性的前提下增大电源频率，则该电路的功率因数将（）。

A ．增大

B ．减小

C ．保持不变

54．RLC 串联电路发生串联谐振的条件是（）。

A. ωL ＝ωD

B. L ＝C

C. ωL ＝1／ωC

55．三相四线制对称电源U L1L2＝380∠60°V ，接入一个△联结的对称三相负

载后，I L1＝10∠30°A，该负载消耗的有功功率P＝（）。

A. 6.6kW

B. 3.3kW

C. 5.7kW

D. 0

56．在三相交流供电系统中，一个△联结的对称三相负载，若改接成Ｙ联结，则其功率为原来的（）。

A．3倍 B．1／3倍 C．l／3倍

57．周期性非正弦电路中的平均功率，等于直流分量功率与各次谐波平均功率（）。

A．平方和的平方根 B．之和 C．和的平方根58．在二极管桥式整流电容滤波电路中，若有一个二极管接反，将造成（）。

A．半波整流

B．短路、损坏元件

C. 断路、不能工作

59．当阳极和阴极之间加上正向电压而门极不加任何信号时，晶闸管处于（）。

A．导通状态 B．关断状态 C．不确定状态60．晶闸管触发导通后，其门极对电路（）。

A．仍有控制作用

B．失去控制作用

C. 有时仍有控制作用

61. 要想使正向导通着的普通晶闸管关断，只要（）即可。

A．断开门极

B. 给门极加反压

C．使通过晶闸管的电流小于维持电流

62．对于一个确定的晶闸管来说，允许通过它的电流平均值随导电角的减小而（）。

A．增加 B．减小 C. 不变

63．如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高，最好采用（）滤波。

A．串平波电抗器 B. 并大电容 C. 串大电阻64．晶闸管整流电路中“同步”的概念是指（）。

A．触发脉冲与主电路电源电压同时到来，同时消失

B. 触发脉冲与电源电压频率相同

C．触发脉冲与主电路电源电压频率和相位上具有相互协调配合的关系

65．带续流二极管的单相半控桥式整流大电感负载电路，当触发延迟角α等于（）时，流过续流二极管电流的平均值等于流过晶闸管电流的平均值。

A．120° B．90° C. 60°

66．三相半波可控整流电路带电阻负载时，每只晶闸管的最大导通角为（）。

A．60° B．150° C. 90° D．120°67．三相半波可控整流电路带电阻负载时，其触发延迟α的移相范围是（）。

A．0°～120° B．0°～150° C. 0°～180°68．三相半波可控整流电路带阻性负载时，若触发脉冲加于自然换相点之前，

则输出电压将（）。

A．很大 B．很小 C．出现缺相现象

69．三相半波可控整流电路带阻性负载时，当触发延迟角大于（）时，输出电流开始断续。

A．30° B．60° C．90°

70．在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，在一定范围内若负载电感量越大，则（）。

A．输出电压越高 B．输出电压越低

C．导通角θ越小 D．导通角θ越大

71．带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后，晶闸管的导通角比没有二极管前减小了，此时电路的功率因数（）。

A．提高了 B. 减小了 C．并不变化

72．在需要直流电压较低、电流较大的场合，宜采用（）整流电源。

A．单相桥式可控 B. 三相桥式半控

C．三相桥式全控 D．带平衡电抗器三相双反星形可控73．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，平衡电抗器的作用是使两组三相半波可控整流电路（）。

A．相串联 B．相并联

C．单独输出 D．以180°相位差相并联

74．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的（）。

A．1／2倍 B．l／3倍 C．l／4倍 D．1／6倍

75．三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的（）。

A．2倍 B．3倍 C．2×3倍 D．23倍76．三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的（）。

A．1倍 B．1／2倍 C．1／3倍 D．1／6倍77．三相全控桥式整流电阻性负载电路中，整流变压器二次相电压的有效值为U2?，当触发延迟角α的变化范围在30°～60°之间时，其输出平均电压为U d ＝（）。

A.1.17U2?cosα。

B. 2.34 U2?cosα

C. U d＝2.34 U2?［1＋cos（60°＋α）］

D．2.34 U2?sinα

78．晶闸管整流装置，若负载端串接大电感使输出电流为平直波形，则负载上消耗的功率为（）。

A．输出直流电压U d与输出直流电流I d的乘积

B．输出直流电压U d与输出有效电流I d的乘积

C. 输出有效电压U与输出直流电流I d的乘积

79．晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角θ（），即输出电压越低时，波形与正弦波差别越大。

A．越大 B．越小 C．等于 90°

80. 把直流电源中恒定的电压变换成（）的装置称为直流斩波器。

A．交流电压 B．可调交流电压

C．脉动方波直流电压 D．可调直流电压

81．把（）的装置称为逆变器。

A．交流电变换为直流电

B．交流电压升高或降低

C．直流电变换为交流电

D．直流电压升高或降低

82．在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有（）晶闸管导通。

A．两个 B. 三个 C．四个

83．晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器是属于（）导通型。

A．120° B．150° C. 180°

84. 在三相串联二极管式电流型逆变器中，除换相点外任何时刻，均有（）晶闸管导通。

A．两个 B. 三个 C．四个

三、判断题

（）1．采用定宽制调制方法的斩波器，是指保持斩波器通断频率不变，通过改变电压脉冲宽度来使输出电压平均值改变。

（）2．三相桥式半控可控整流电路中，一般都用三只二极管和三只晶闸管。

（）3．三相桥式半控整流电路中，任何时刻都至少有两只二极管是处于导通状态。

（）4．三相桥式可控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压值为变压器二次相电压的最大值。

（）5．三相桥式可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流值是负载电流的1/3。

（）6．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每时刻都有两只晶闸管导通。

（）7．带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的1/3。

（）8．直流电源可利用斩波器将其电压升高或降低。

（）9．直流斩波器的作用就是把直流电源的电压由固定的电压变为可调电压。

（）10．把直流电变换为交流电的过程称为逆变。

（）11．采用定宽制调制方法的斩波器，是指保持斩波器通断频率不变，通过改变电压脉冲宽度来使输出电压平均值改变。

（）12．斩波器又称滤波器。

（）13．晶闸管具有可以控制的单向导电性，而且控制信号很小，阳极回路被控制的电流可以很大。

（）14．直流斩波器可以把固定电压的直流电源变成大小可调的直流电源。

（）15．定宽调频斩波器输出电压脉冲的宽度是固定的。欲改变输出电压平均值

U，只需改变主晶闸管的触发脉冲频率。

（）16．定频调宽斩波器向负载输出的电压脉冲频率是可调的。

（）17．采用定宽制调制方法的斩波器是指保持斩波器通断频率不变，通过改变电压脉冲宽度来使输出电压平均值改变。

（）18．主振电路的振荡频率决定了斩波器输出电压的频率，而输出电压的宽度却要求按照指令进行调节。

（）19．直流—交流变频器，是指把直流电能（一般可采用整流电源）转变为所需频率的交流电能，所以也叫逆变器。

（）20．逆变器的工作过程与晶闸管整流器的有源逆变一样，是把变换过来的交流电反馈回电网去。

（）21．晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

（）22．续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，对输出电压值、电流值没有影响。

（）23．造成晶闸管误导通的原因有两个，一是干扰信号加于控制极，二是加到晶闸管上的电压上升率过大。

（）24．通过晶闸管的电流平均值，只要不超过晶闸管的额定电流值，

就是符合使用要求的。

（）25．晶闸管斩波器的作用是把可调的直流电压变为固定的直流电压。

（）26．节点电压法适用于求解支路较多而节点较少的电路。

（）27．电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

（）28．以电力晶体管组成的斩波器适于特大容量的场合。

（）29．绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。

（）30. 单相半桥逆变器（电压型）的输出电压为正弦波。

（）31．电压型逆变器适宜于不经常起动、制动和反转的拖动装置中。

（）32．晶闸管斩波器的作用是把可调的直流电压变为固定的直流电压。

（）33．电力场效应管是理想的电流控制器件。

（）34．斩波器属于直流/直流变换。

（）35．在电压型逆变器中，是用大电感来缓冲无功能量的。

（）36．当线圈中电流减少时，线圈中产生的自感电流方向与原来电流的方向相同。

（）37.电力场效应管属于双极型器件。

（）38．把直流变交流的电路称为变频电路。

（）39. 线圈中感生电动势的大小与线圈中用通的变化率成正比。

（）40．两个线圈之间的电磁感应现象称为自感。

（）41．同名端指互感线圈上由于绕向一致而使感生电动势的极性始终保持一致的端点。

（）42．整流滤波后的直流电压波动完全是由于电网电压的波动引起的。

（）43. 要让N沟道结型场效应管正常工作；通常漏极电压须比源极电

压高。

（）44. 要使P沟道结型场效应管正常工作，其栅源电压Ugs必须是正值。

（）45.P沟道结型场效应管作放大器时，其漏极电压比源极电压高。

（）46．场效应管的伏安特性有输入特性和输出特性两种。

（）47．结型场效应管是利用半导体内电场效应的原理进行工作的。

（）48．半导体三极管和结型场效应管中都有两个PN结，所以它们的工作原理相似。

（）49. 场效应管是利用改变栅极电压来控制漏流的半导体器件。

（）50．在场效应管中，传导电流的载流子只有电子这一种，电子是负极性的、所以称场效应管是单极型器件。

（）51. 对于结型场效应管，其栅源电压Ugs必须是负值，它才能正常工作。

（）52．在大中功率整流电路中，用电抗器均流效果最好，损耗小，并起限制电流上升率的作用。

（）53．线圈自感电动势的大小，正比于线圈中电流的变化率，与线圈中电流的大小无关。

（）54．在RLC串联电路中，总电压的有效值总是大于各元件上的电压有效值。

（）55.当RLC串联电路发生谐振时，电路中的电流将达到其最大值。

u100sin（ωt＋60o）V，相（）56．若对称三相电源的U相电压为=

u173.2sin（ωt＋90o）V。

序为U－V－W，则当电源作星形联结时线电压=

（）57．三相负载作三角形联结时，若测出三个相电流相等，则三个线

电流也必然相等。

（）58．带有电容滤波的单相桥式整流电路，其输出电压的平均值与所带负载的大小无关。

（）59．晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。

（）60．单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。

（）61．场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值越大，场效应管的控制能力越强。

（）62．额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A的两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。

（）63．对于门极关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。

（）64．晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。

（）65．晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。

（）66．在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。

（）67．晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。

（）68．单相半波可控整流电路，无论其所带负载是感性还是纯阻性的，晶闸管的导通角与触发延迟角之和一定等于180°。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

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第二章电力电子器件一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√）三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。

(完整版)《电力电子技术》第1章课后习题答案

1.1 晶闸管导通的条件是什么？由导通变为关断的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：u AK>0且u GK>0。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 1.2晶闸管非正常导通方式有几种？（常见晶闸管导通方式有5种，见课本14页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发）答：非正常导通方式有： (1) Ig=0，阳极加较大电压。此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又通过正反馈放大漏电流，最终使晶闸管导通； (2) 阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通 (3) 结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。 1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管 1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答:GTO和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P1N1P2 和N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α2 = 1 是器件临界导通的条件。α1 + α2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通；α1 + α2＜1 不能维持饱和导通而关断。GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： 1）GTO 在设计时α2 较大,这样晶体管T2 控制灵敏,易于GTO 关断; 2)GTO 导通时α1 + α2 的更接近于l,普通晶闸管α1 + α2 ≥1.5 ,而GTO 则为α1 + α2 ≈1.05 ，GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; 3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2 极

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 _ 有源逆变 _ ，欲实现有源逆变，只能采用 __ 全控 _ 电路；对于单相全波电路，当控制角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。第 3 章直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术复习提纲

《电力电子技术》复习提纲期末考试：总成绩分配比例：平时10%+实验20%+期末70% 题型：填空、简答、计算、分析题（1308、1309）第一章绪论本章要点：1、电力电子技术概念。 2、电力变换的种类。 1电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2 电力变换的种类：（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术 4.电力电子技术的诞生1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管，1904年出现电子管，1947年美国著名贝尔实验室发明了晶体管。 5 电子技术分为信息电子技术与电力电子技术。信息电子技术主要用于信息处理，电力电子技术主要用于电力变换。第2章电力电子器件本章要点：1、电力电子器件的分类。 2、晶闸管的基本特性和主要参数（额定电流和额定电压的确定）。 3、全控型器件的电气符号。复习参考：P42 2、3、4 1、电力电子器件一般工作在开关状态。 2、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3、电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。 5、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 6、属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR，属于复合型电力电子器件得有IGBT ；在可控的器件中，容量最大的是晶闸管，工作频

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有：（1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

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电力电子复习姓名：杨少航

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α，由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。第3章直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；

电力电子技术试题

1. 什么是电力电子技术？答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？答：对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？答：不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。答：开关电源：优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。线性电源：优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。将逐步被开关电源所取代。 6. 解释：不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件，并举出代表性器件的名称。答：不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件：电力二极管导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。关断条件：反向偏置，即承受反向电压。半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其

在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件：晶闸管全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。典型器件：GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向漏电流”。答：

《电力电子技术》第1章课后习题答案

《电力电子技术》第1章课后习题答案 -标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

1.1 晶闸管导通的条件是什么由导通变为关断的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：u AK>0且u GK>0。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 1.2晶闸管非正常导通方式有几种 1.3 （常见晶闸管导通方式有5种，见课本14页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发）答：非正常导通方式有： (1) Ig=0，阳极加较大电压。此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又通过正反馈放大漏电流，最终使晶闸管导通； (2) 阳极电压上率du/dt过高；产生位移电流，最终使晶闸管导通 (3) 结温过高；漏电流增大引起晶闸管导通。 1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管 1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管 V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α２，由普通晶闸管的分析可得，α1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。α1 + α 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通；α1 + α 2＜1 不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )

电力电子技术课后习题答案

第一章电力电子器件使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK>0 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。解：a) I d1= I1= b) I d2= I2= c) I d3= I3= .上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1A, I d10.2717I m189.48A b) I m2 I d2 c) I m3=2I=314 I d3= 和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通的条件。两个等效晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： l)GTO在设计时较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断； 2)GTO导通时的更接近于l，普通晶闸管，而GTO则为，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 .如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏? 答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点： ①一般在不用时将其三个电极短接； ②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； ③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高； ④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点? 答：IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用

电力电子技术试题库

电力电子技术作业题一、选择题（每题20分） 1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。 A. 1～2倍 B. 2～3倍 C. 3～4倍 D. 4～5倍 2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（ A ）。 A. 1.5～2倍 B. 2～2.5倍 C. 2.5～3倍 D. 3～3.5倍 3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（ B ）。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSM D. 最小工作电流IMIN 4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。 A. 1～2倍 B. 2～4倍 C. 3～5倍 D. 6～8倍 5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( D )标定。 A. 平均值 B. 最大值 C. 最小值 D. 有效值 6.( C )晶闸管属于 A. 全控型器件 B.场效应器件 C.半控型器件 D.不可控器件 7.( )晶闸管可通过门极( C )。 A. 既可控制开通，又可控制关断 B.不能控制开通，只能控制关断 C.只能控制开通，不能控制关断 D.开通和关断都不能控制 8.（）使导通的晶闸管关断只能是( C )。 A. 外加反向电压 B.撤除触发电流 C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零 D. 在门极加反向触发 9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。 A. 阴极K B. 阳极A C. 门极K D. 发射极E 10. （）晶闸管导通的条件是（ A ）。 A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲 B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲 C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲 D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲 11. ( )可关断晶闸管（GTO）是一种（ A ）结构的半导体器件。 A.四层三端 B.五层三端 C.三层二端 D.三层三端 12 . （）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。 A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极 D.发射极、基极、集电极 13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）。 A.减小至维持电流I H以下 B.减小至擎住电流I L以下 C.减小至门极触发电流I G以下 D.减小至5A以下 14. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（ B ）。 A．0～90° B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180° 15. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D ）时，U d = 0。 A．90° B. 120°C. 150°D. 180° 16. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D ）时，U d=0.45 U2。 A．0° B. 90°C. 150°D. 180° 17.( )单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（ C ）。 A．U2 B. 2 C. 2 D. 2U2 18.（）单相半波可控整流电路，带电阻性负载R，设变压器二次侧相电压有效值为U2，