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2009-2010(1)电路与电子技术试卷

2009-2010(1)电路与电子技术试卷
2009-2010(1)电路与电子技术试卷

2009 — 2010 学年第 1 学期课程名称电路与电子技术

试卷类型 B 考试形式闭卷考试时间 100 分钟命题人张艳华 2009 年 12 月 28 日使用班级 08计本1、2班 08网络本

教研室主任年月日教学院长年月日姓名班级学号

一、填空题(共20空,每空1 分,共计20 分)

1.图1电路中电流I等于____A。

0.2Ω

u s

图 1 图 2

2.若电压源的开路电压是4V,其短路电流为10A,则该电压源的电动势为V,内阻为Ω

。3.某正弦电压的频率为20Hz,有效值为V,在t=0时电压的瞬时值为5V,且此电压在增高,则该电压的周期T=,瞬时表达式u(t)=。

4.电路如图2所示,则电路的谐振频率为f=。

5.晶体管的输出特性曲线被划分为、和三个区域。

6.温度升高时,晶体管的电流放大系数β,反向饱和电流CBO

I,正向结电压BE

U。

7.在放大电路中,两种主要的非线性失真为______失真和______ 失真;前者是由于静态工作点靠近区而引起的,后者是由于静态工作点靠近区而引起的。

8.晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的__________区。

9.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入_______负反馈;若要稳定输出电流,应引入______负反馈。

10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。

二、选择题(共10小题,每题2分,共计20 分)

1.图3电路中电流i S等于()

A. 1.5A

B. -1.5A

C. 3A

D. -3A

_

+

图 3 图 4

2. 在图4电路中,电压U 等于( )。

A .2.5V

B .5V

C .7.5V

D .10V 3.当PN 结反向工作时,其结电容主要是( )。

A .势垒电容

B .扩散电容

C .平板电容

D .势垒和扩散电容并存 4.对于串联谐振电路的特点,以下表述错误的是( )。

A .电路呈现电阻性

B .电压与电流同相位

C .电路的串联阻抗最小

D .电感电压与电容电压大小相等,相位相同

5.随着温度的升高,晶体三极管的( )将变小。

A. B.()BE on U C.CBO I D.EBO I

6.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输入端信号的( )。 A.和值 B.差值 C.平均值 D.乘积值

7.对于电压并联负反馈而言,下列哪个回答是正确的?( )。

A. 输入电阻变大,输出电阻变大

B. 输入电阻变大,输出电阻变小

C. 输入电阻变小,输出电阻变大

D. 输入电阻变小,输出电阻变小

8.实验测得某有源二端网络的开路电压为6V ,短路电流为2A ,则当外接电阻为3Ω时,其端电压

为( )。 A .3V B .4V C .6V D .9V

9.已知某一放大器的A=100,现要求引入反馈以后增益A f =10,问反馈系数F 应为多少?( )

A.0.01

B.0.05

C.0.09

D.0.10 10.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入( )。

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

三、判断题(共10 小题,每题 1 分,共计 10 分)

1. 电源等效互换的等效是对互换的电路内部而言的。 ( )

2. 支路电流法可适用于任意线性电路。 ( )

3. 相量和它所表示的正弦量相等。 ( )

4. 无功功率并不消耗电能,所以对于低功率因数的设备不必采取措施。 ( ) 5.在三相四线制供电系统中,中线不带电,所以是可有可无的。 ( ) 6. 双极结型晶体管是通过基极电流控制较大的集电极电流,而场效应管是以栅源电压控制漏极电流的。

( ) 7. 稳压管电路中应串联电阻来限制通过稳压管的电流。 ( ) 8. 零点漂移等效于共模输入,所以差动放大电路具有很强的共模抑制能力。 ( ) 9. 频率失真属于非线性失真。 ( ) 10.差动放大器采用单端输入时,输入方式属于差模输入。 ( )

四、计算题:(共 4小题,每题 10 分,共计40 分)

1. 如图5电路所示,试用叠加原理计算图中的电压U 。

15

Ω

15V

3

图 5

2.如图6所示,换路前电路处于稳态,试求换路后的()c u t 。

图 6

3.放大电路如图7所示,已知三极管的β =50,V B E =0.6V ,r b b ’=200Ω,r ce 的阻值很大可忽略,全部外接电容对信号短路。 (1) 计算静态工作点I C ;

(2) 用小信号电路模型取代三极管,

画交流微变等效电路;

图 7

4.画出能实现式()123420.5O I I I U U U U =-++运算关系的运算电路。

五、分析题(共 2 小题,每题 5 分,共计 10 分)

1. 若购得一台耐压为 300V 的电器,是否可用于 220V 的线路上?

最高耐压 300V

u波形正半周出现了失真,试分析:2.放大电路如图8所示,用示波器测得输出电压

o

(1)说明是哪一种失真?

R应如何改变?

(2)要消除失真,

b

u

图8

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电子技术基础试卷1

电子上期期末考试试卷 考号姓名 一、填空题(30空×1分=30分) 1、在N型半导体中是多子,在P型半导体中是少子。 2、PN结加正向电压时,加反向电压时,这种特性称为PN结的特性。 3、三极管的极限参数有:____________、____________和____________。 4、加在二极管两端的反向电压超过U(BR)时,二极管将被。流过二极管的正向电流长时间超过I FM时,二极管将被。 5、三极管的发射极电流、集电极电流和基极电流关系为。 6、NPN三极管三个电极的电位关系是。 7、三极管输出特性曲线可以分为区、区和________________区。 8、放大器的放大倍数有____________、__________和____________。 9、放大器必须设置,能避免产生非线性失真。 10、二极管特性:________________性,它的符号________。 11、三极管有________、________、________三个电极,________和 ________两个PN结。 12、基本共发射放大电路又称为____________,其缺点是____________, 它的输出电压与输入电压相位____ ______,因此这种放大电路又称为____________。 二、选择(将正确的答案填入对应的表格中10×2分=20分) 1、在N型半导体中()。 A、只有自由电子 B、只有空穴 C、有空穴也有自由电子 2、下列说法错误的是()。 A、I E =I B +I C适合各类三极管 B、I C =βI B适合各类三极管 C所有三极管放大都要满足发射结正偏,集电结反偏

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

模拟电子技术考试试卷1

《模拟电子技术》考试试卷1 一、填空题(20分,每题2分) 1、 半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。 2、 半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压U RM =_______U 2, 负载电压U O =_________U 2。 3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。 4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。 5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真, 而________互补对称功率放大电路,可以消除这种失真。 6、C W79XX 系列三端稳压器各脚功能是:①脚________; ②脚________;③脚________。 7、当信号发生器电压调在1V ,现在用40dB 衰减其输出电压为______mV 。 8、当示波器幅度旋钮位置V/div 在0.5V 时读数为4格, 其电压的有效值为______V 。 9、当示波器频率旋钮位置T/div 在0.5ms 时读数为2格, 其周期为______Hz 。 10、要抑制50Hz 的工频信号的影响,应选择________ 滤波电路。 二、判断题(20分,每题2分,对的打√错的打╳) 1、 稳压二极管必需工作在正向导通状态。 ( ) 2、 在集成电路中采用直接耦合。 ( ) 3、 石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。 ( ) 4、 尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。( ) 5、 在正弦波振荡电路中只能引入正反馈,不允许出现负反馈。 ( ) 6、 射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。 ( ) 7、 在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。 ( ) 8、 硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。( ) 9、 跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i +=i - 。 ( ) 10、判断正负反馈时,我们采用瞬时极性法, ( ) 当使净输入信号增强时即为负反馈。 三、简答题(25分,每题5分) 1、 电路如下图所示,二极管是导通还是截止,R=10K ,试求出AO 两点间的电压U AO ? (设二极管的正向压降是0.7V ) A O 8V D 2、 如下图所示,稳压管D 1、D 2的稳定电压分别为8V 、6V ,设稳压管的正向压降是0.7V , 试求U O 。

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××-20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) (时间90分钟 满分100分) (适用于 ××学院 ××级 ××专业学生) 一、 填空题(30分,每空1分)。 1.如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。(只写简称) 2.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ;带阻感负载时,α角移相范围为 ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3.直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4.升降压斩波电路呈现升压状态时,占空比取值范围是__ _。 5.与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即 _和 。 8.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ;控制方式是 。 9.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 型逆变器和 型逆变器。 10.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题(18分,每题6分)。 1.逆变电路多重化的目的是什么?如何实现?串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合? 2.交流调压电路和交流调功电路有什么异同? 3.功率因数校正电路的作用是什么?有哪些校正方法?其基本原理是什么? 三、计算题(40分,1题20分,2题10分,3题10分)。 1.一单相交流调压器,电源为工频220V ,阻感串联作为负载,其中R=0.5Ω,L=2mH 。 试求:①开通角α的变化范围;②负载电流的最大有效值;③最大输出功率及此时电源侧的功率因数;④当2πα=时,晶闸管电流有效值,晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2..三相桥式电压型逆变电路,工作在180°导电方式,U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 .如图所示降压斩波电路E=100V ,L 值极大,R=0.5Ω,E m =10V ,采用脉宽调制控制方式,T=20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值

电子技术试卷1

电子技术试卷1 一、单项选择题:在下列各题中将唯一正确的答案代码填入括号内 (共30分,每小题2分) 1.在P 型半导体中,多数载流子是( )。 (a) 正离子 (b) 自由电子 (c) 空穴 2. 在图示1-1电路中,二极管的工作状态为( )。 (a) D 1、D 2均导通 (b) D 1导通、D 2截止 (c) D 1截止、D 2导通 3. 某N 沟道场效应晶体管,测得U GS =0,漏极电流I D =0,则该管的类型为( )。 (a) 耗尽型管 (b) 增强型管 (c) 无法确定 4.放大电路如图1-2所示,V CC =12V ,静态时U CE =4V , R C =4k Ω,当逐渐加大输入信号u i 时,输出信号u o 首先出现( )。 (a) 截止失真 (b) 饱和失真 (c) 截止和饱和失真 5. 射极输出器的主要特点是( )。 (a) 输入电阻高,输出电阻低,电压放大倍数接近于+1 (b) 输入电阻高,输出电阻高,电压放大倍数接近于-1 (c) 输入电阻低,输出电阻低,电压放大倍数接近于+1 6. 在下列运算放大器的各种应用电路中,运算放大器工作在非线性状态的电路是( )。 (a) 反向比例放大器 (b) 有源滤波器 (c) 电压比较器 7. 已知某个逻辑门电路输入A 、B 和输出F 的波形 如图1-3所示,则该逻辑门为( )。 (a) 同或门 (b) 或门 (c) 异或门 8. 逻辑函数表达式ABC BC A C B A F ++= 的最简与 或表达式为( )。 (a) BC BC A F += (b) AC C B F += (c) BC AC F += ?1-1 A B F 图1-3 ?1-2

电子技术基础期末试卷(A卷)

内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷(A卷) 班级姓名学号 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC 应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为() A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴() 2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降() 3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 4.稳压二极管工作在反向击穿区域() 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件() 图2

电路与模拟电子技术期末考试试卷

皖西学院07–08学年度第2学期期末考试试卷(A 卷) 计算机系计算机科学技术专业本06级电路与模拟电子技术课程 参考答案 一.填空题:本大题共12小题,每小题2分,共24分。 1、换路定律主要针对储能元件而言,电场储能不能突变,对电感而言,是指电感两端的 电流 不能突变,用数学表达式表示为 i(0+)=i(0-) 。 2、在对称三相交流电路中,各相之间的相位差为 120度或2/3π ,线电压与相电压的关系为 U L =1.73U P 。 3、稳压二极管配以合适的电阻在电路中起稳压作用,稳压二极管正向接入电路时,其元件上的压降为 0.5——0. 7V 。 4、微分电路中,对电容的取值有要求,设输入交流信号的周期T ,负载等效电阻为R L ,则R L ·C 与T 之间的关系应满足 R L C <<0.2MIN{t p ,T-t p } 。 5 、正弦交流量的三要素是指 振幅 、 周期 、 相位(初相) 。 6、光电二极管的电路符号为 。 7、NPN 型三极管的电路符号为 。 8、晶体三极管是 电流 型控制元件,场效应管是 电压 型控制元件。 9、运算放大器为了减小零点漂移,输入级采用 差动 放大电路。 10、运算放大器的电压放大倍数主要在 中间 级(输入、中间、输出), 为 直接耦合放大 。 11、有一8位T 形电阻网络D/A 转换器,已知U R =+8V,R F =3R 当D 7~D 0为10000000,时的输出电压U 0= -4V 。 二. 绘图题:本大题共3小题, 共10分。 1、 1、图形正确3分,计算出3.7得1分 2、本电路是正反馈电路(3分)。 3、本电路是负反馈电路(3分)。 三.应用题:本大题共8小题,共66分。 1、解:各点的电位 d 点为参考点,Ud =0V Ub =Ubd =I 3R 3=2A ×5Ω=10V Ua =Uad =E 1=40V Uc =Ucd =E 2=5V 电压 Uab = Ua - Ub = 40V -10V = 30V Ubc = Ub - Uc = 10V -5V = 5V 2、解: 电路等效如图所示: Ω 6 ab R =Ω=+++??++?46106 36 36 )10636 3(

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

电路与模拟电子技术第二版第三章习题解答

第三章 正弦交流电路 两同频率的正弦电压,V t u V t u )60cos(4,)30sin(1021?+=?+-=ωω,求出它们的有效值和相位差。 解:将两正弦电压写成标准形式 V t u )18030sin(101?+?+=ω V t u )9060sin(42?+?+=ω, 其有效值为 V U 07.72 101== ,V U 83.22 42== ?=?-?=150,15021021??或 ?=-=?6021??? 已知相量2 1421321,,322,232A A A A A A j A j A &&&&&&&&?=+=++=+=,试写出它们的极坐标表示式。 解: ?∠=?=??? ? ??+=?304421234301 j e j A & ?∠=??? ? ??+=604232142j A & 312 2(21)(1)45A A A j j =+=++=+=∠?&&& 412 443060169016A A A j =?=?∠?+?=∠?=&&& 已知两电流 A t i A t i )45314cos(5,)30314sin(221?+=?+=,若21i i i +=,求i 并 画出相图。 解:A t i )9045314sin(52?+?+=,两电流的幅值相量为 1230m I A =∠?&,A I m ?∠=13552& 总电流幅值相量为

)135sin 135(cos 5)30sin 30(cos 221?+?+?+?=+=j j I I I m m m &&& ?∠=+-=++-=11285.453.480.1)2 251(2 253j j A t t i )112314sin(85.4)(?+= 相量图如右图所示。 某二端元件,已知其两端的电压相量为V 120220?∠=U &,电流相量为A I ?∠=305&, f=50H Z ,试确定元件的种类,并确定参数值。 解:元件的阻抗为 449044305120220j I U Z =?∠=?∠?∠==&& 元件是电感,44=L ω, H L 14.050 244 44 =?= = πω 有一10μF 的电容,其端电压为V )60314sin(2220?+=t u ,求流过电容的电流i 无功功率Q 和平均储能W C ,画出电压、电流的相量图。 解:?∠=60220U &,6 11 3183141010c X C ω-===Ω?? A j jX U I C ?∠=-? ∠=-= 15069.0318 60220&& A t t i )150314sin(269.0)(?+= 电流超前电压90°,相量图如右图所示。 Q C =-UI=-220×=-152Var 26211 10102200.24222 C W CU J -==???= 一线圈接在120V 的直流电源上,流过的电流为20A ,若接在220V ,50H Z 的交流电 源上,流过的电流为22A ,求线圈的电阻R 和电感L 。 解:线圈可看作是电感L 与电阻R 的串联,对直流电,电感的感抗等于0,故电阻为 Ω=== 620 120I U R 通以50Hz 的交流电时,电路的相量模型如右图所示 I jX R I jX I R U U U L L L R &&&&&&)(+=+=+= &R j X L +1 I 2&

电力电子技术试题及答案(3)

考试试卷 一、填空题(本题共17小题,每空1分,共20分) 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有与。 2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以。 3、晶闸管的导通条件是。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO。 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法,目前采用较多的是 触发方法。 8、可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。 10、三相桥式整流电路中,当控制角α=300时,则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。 13、有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成相连,且满足|U d|<|E d|。 14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败,一般βmin应取,以保 证逆变时能正常换相。 15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r,三 角波的频率为f c,则载波比表达式为K= 。 16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量,并用 电阻将其消耗。 17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。 二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分) 1、晶闸管的伏安特性是指( ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系

数字电子技术基础试题及答案(1)

5.某地址译码电路如图2所示,当输入地址变量 A7-A0的状态分别为什么状态 时,丫1、丫6分别才为低电平(被译中) 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 ________________ 和 _______________ 两分组成。 2. 十进制数(56) 10转换为二进制数为 ____________ 和十六进制数为 __________ 3. 串行进位加法器的缺点是 _________ ,想速度高时应采用 ____________ 加法器< 4. 多谐振荡器是一种波形 _________ 电路,它没有稳态,只有两个 ______________ 5. 用6个D 触发器设计一个计数器,则该计数器的最大模值M ________________ 二、化简、证明、分析综合题: 1. 写出函数F (A,B,C,D) = A B C D E 的反函数 2. 证明逻辑函数式相等: BC D D(B C)(AD B) B D 3. 已知逻辑函数 F= E( 3,5,8,9 , 10, 12) +E d(0,1,2) (1) 化简该函数为最简与或式: (2) 画出用两级与非门实现的最简与或式电路图: 4. 555定时器构成的多谐振动器图1所示,已知R 1=1K Q , R 2=8.2K Q , C=0.1卩F 试求脉冲宽度T ,振荡频率f 和占空比q 。 ) 级 班 ( 业 专 M As As 扣 As

6?触发器电路就输入信号的波形如图 3 所示,试分别写出D 触发器的Q 和Q1 的表达式,并画出其波形。 Q n+1= 7.已知电路如图4所示,试写出: ① 驱动方程; ② 状态方程; ③ 输出方程; ④ 状态表; ⑤ 电路功能。 二、设计题:(每10分,共20分) 1 ?设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量 A B C 输入组合中的“ T 的 个数为偶数时F=1,否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求: (1)列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式; (2)画出逻辑电路图 2 .试用74161、3-8译码器和少量门电路,实现图 5所示波形V01 VO2 其中CP 为输入波形。要求: 1 A Rd O E 營 _TLnJTTLTL D= J - Q i =

电路与模拟电子技术课后答案

第一章电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中,各元件电压为U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载? 解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI。P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。 本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此 P1=-U1×3= -(-5)×3=15W; P2=-U2×3=-2×3=-6W; P3=U3×(-1)=-3×(-1)=3W; P4=-U4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W。 元件2、4是电源,元件1、3是负载。 1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中,已知求i、u R和u L。 解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向 1.3 在题1.3图中,已知I=2A,求U ab和P ab。 解:U ab=IR+2-4=2×4+2-4=6V, 电流I与U ab为关联参考方向,因此 P ab=U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中,已知I S=2A,U S=4V,求流过恒压源的电流I、恒流源上的电压U及它们的功率,验证电路的功率平衡。 解:I=I S=2A, U=IR+U S=2×1+4=6V P I=I2R=22×1=4W, U S与I为关联参考方向,电压源功率:P U=IU S=2×4=8W, U与I为非关联参考方向,电流源功率:P I=-I S U=-2×6=-12W, 验算:P U+P I+P R=8-12+4=0 1.5 求题1.5图中的R和U ab、U ac。 解:对d点应用KCL得:I=4A,故有 RI=4R=4,R=1Ω U ab=U ad+U db=3×10+(-4)=26V U ac=U ad-U cd=3×10- (-7)×2=44V 1.6 求题1.6图中的U1、U2和U3。 解:此题由KVL求解。 对回路Ⅰ,有: U1-10-6=0,U1=16V

电工电子技术(一)试卷A答案

1.已知图中U 1=2V,U 2 =-8V,则U AB =-10 。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是18 Ω;若把它们并联,等效电阻2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB = -24 V。 7.直流电路如图所示,R 1所消耗的功率为2W,则R 2 的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。10.我国工业交流电采用的标准频率是50 Hz。 11.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L 与相电流I P 间的关系是:I P =3I L 。 12.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。

1.理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。 (错) 2.因为正弦量可以用相量来表示,所以说相量就是正弦量。 (错) 3.电压三角形是相量图,阻抗三角形也是相量图。 (错) 4. 中线的作用就是使不对称Y 接负载的端电压保持对称。 (对) 5.互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 (错) 6.自耦变压器由于原副边有电的联系,故不能作为安全变压器使用。(对) 7.电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 (对) 8.一个1/4W,100Ω的金属膜电阻,能够接在50V 电源上使用。 (错) 9.三相对称电路中,负载作星形联接时,P 3I I l 。 (错) 10.电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 (错) 三、选择题(每题1分,共20分) 1.电位和电压相同之处是( C )。 A .定义相同 B .方向一致 C .单位相同 D .都与参考点有关 2.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( A ) A .4:1 B .1:4 C .1:2 D .2:1 3.有一段16Ω的导线,把它们对折起来作为一条导线用,其电阻是( C )。 A .8Ω B .16Ω C .4Ω D .32Ω 4.电路中两点间的电压高,则( B )。 A .两点的电位高 B .两点间的电位差大 C .两点的电位一定为正 D .两点的电位一定为负 5.一个由线性电阻构成的电器,从220V 的电源吸取1000W 的功率,若将此电器接到

电工电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1,全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0,全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1,相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中,电流、电压随时间按正弦规律变化的,称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V,则此电压的最大值为 311V ,频率为 50HZ ,初相位为 0 。 16、在如图所示的电路,已知I1 = 1A,I2 = 3A ,I5 =4.5A,则I3 = 4 A,

I4 = 0.5 A,则I6 = 3.5 A。 17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极,发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二极管类似,但其输出特性 较为复杂,可分为放大区外,还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1、如图所示电路中,电压表的内阻Rv为20KΩ,则电压表的指示为( B )。 20KΩ 20KΩ A.5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的 相位关系是( D )。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是( C )。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中,若电阻从2Ω变到10Ω,则电流i( C )。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定

电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1

洛阳理工学院模拟电子技术试卷(总) 一、单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(B)。 A.温度; B.杂质浓度; C.电子空穴对数目;D其它 2.稳压二极管稳压时应工作在(C)状态。 A.正向导通;B.反向截止;C.反向电击穿;D.反向热击穿 3. N型半导体是在本征半导体中掺入(C);P型半导体是在本征半导体中掺入(A)。 A.三价元素,如硼等; B.四价元素,如锗等; C.五价元素,如磷等 4.PN结加正向电压时,有(A)形成电流,其耗尽层(D);加反向电压时,由(B)形成电流,其耗尽层(C)。 A.扩散运动; B.漂移运动; C. 变宽; D.变窄 5.当温度升高时,二极管的反向饱和电流(A)。 A.增大; B.不变; C.减小 6.一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中( B)。 A.有微弱电流 B.无电流 C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将( B )。 A.增加; B.下降; C.不变 8.某三极管各电极电位如图1.1所示,由此可判断该三极管处于(A)。 A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 9.双极型三极管用于放大时,应使(B)。 A.发射结正偏、集电结反偏; B.发射结、集电结均正偏; C.发射结反偏、集电结正偏; D.发射结、集电结均反偏 10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时,是由于(B)造成的。 A.静态工作点过低; B.静态工作点过高; C.信号频率过高; D.信号频率过低 11.共射、共基、共集三种组态放大电路中,既有电压放大作用,又有电流放大作用的是(A)组态。 A.共射; B. 共基; C. 共集; D.三种都是 12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为V e=2.1V,V b=2.8V,V c=4.4V,说明此三极管工作在(A)。 A.放大区;B.饱和区;C.截止区;D.反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是(B)。 A.共射电路;B.共集电路;C.共基电路;D.共源极电路 14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是( C ),该管是( D)型。 A、( B、 C、E) B、(C、B、E) C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 15.三极管的反向电流I CBO是由(B )组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 16.射极跟随器具有(C)特点。 A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低 17.为了使一个电压信号能得到有效的放大,而且能向负载提供足够大的电流,应在这个信号源后面接入(A)电路。 A.共射; B.共集; C.共基 18.为了提高差动放大电路的共模抑制比,可用(B)替代公共发射极电阻R e 。 A.恒压源; B.恒流源; C.大电容 19.为了减小零点漂移,集成运放的输入级大多采用(C)。 A.共射电路;B.共集电路;C.差分放大电路;D.乙类放大电路 20.减小零点漂移最有效的方法是采用(C)。 A.共射电路;B.共集电路;C.差分放大电路;D.乙类放大电路 21.图1.2所示集成运算放大器的U OPP=±20V,则输出电压U o=(C)V。 A.0V; B.+4V; C.+20V; D. -20V 22.对功率放大器的要求主要是(B )、(C )、( E )。 A.U 0高; B.P 大; C.功率大; D.R i 大; E.波形不失真 图 1.1 3+ .6V 2+ 5V 1+ 4+ o

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