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电子技术基础总结

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电子技术基础总结怎么写?以下是小编整理的相关范文,欢迎阅读。

电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差,同时又缺乏主动学习的自觉性,如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣,致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学,重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题,就会带着问题主动学习,这样使学生变要我学习为我要学习,提高学习的主动性,这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力,同时也提高了教学质量和教学效率。

组织召开专题会

为了确保课改取得实效,机电一体化教研组组织有关教师召开专题会,就如何开展好课改工作进行讨论,认真听取这门课有经验老师的建议,制定出课改实施方案。

教学内容的选取原则

1、坚持课程与技能岗位相对接;

2、下企业调研岗位工作任务;

3、提取典型工作任务;

4、确定课程学习任务与技能目标;

5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定

在对企业充分调研的基础上,进行工作任务的分类归总,提取企业典型工作任务,确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块

内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分,任务的层次也是由易到难,十三个学习情境如下图所示。

项目教学的组织实施

1、所谓项目教学法,就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理,项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。

“项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在:目标指向的多重性;培训周期短,见效快;可控性好;注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目,共同取得进步的教学方法。

2、在项目教学法的具体实施过程中,学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行,其中2节为理论课时,其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够,后改为4节理论,3节实训。相比于理论课,学生还是偏向于上实训课,更喜欢做训练动

手能力的项目。在教学方法上,摒弃了之前一味地只讲授书本上的理论知识,而是结合了我们设计的项目任务,在任务的完成中找出知识点,并结合实物消化重点,让学生不仅能够了解所学知识点,更能够掌握怎样将所学习的理论知识运用到实际的操作当中去。例如一个小的心形灯,它所涵盖的知识点有二极管、三极管、电容、电阻等元器件的原理、技术参数等。当一个心形灯焊接完毕时,学生们不但了解了这些元器件的性能、作用。还能从中知道它的工作原理。相比较于之前的传统教学方法有了很大的改观。

3、由于是初次尝试项目教学,因经验不足以及该班三自教育和技能大赛等原因,导致本学期只完成了11个项目教学,有电子温度计、行走机器人两个项目未能完成。

1、开展项目教学,打破了体统的教学模式,极大地丰富了课堂的教学内容,课堂气氛活跃。

2、能够充分调动学生学习的主动性与热情,形成全员参与的好局面,变学生“要我学习”为“我要学习”。

3、增进学生间的团结,培养学生的团队合作能力。

4、有利于培养学生的学习能力与沟通能力。

5、通过项目教学法的实施,有利于教师及时发现教学中存在的问题,及时修改补充完善课程标准。

6、提高了学生的动手实践能力及对仪表工具的正确使用。

7、开展项目教学,更有利于学生对知识点的掌握与记忆。

1、本课程的实训项目是在4号楼201、402进行,因做实训项目时需要大量插座,但实训室条件无法满足,故需要大量的接线板代替。存在着严重的安全隐患问题。

2、在项目任务的设计上还存在一定的缺陷,如有的项目任务涉及到的教学重点是重复的。有的项目任务所需时间很短,而有的项目任务又较为复杂。难易程度缺乏过渡性衔接,造成在知识点的过渡上存在一定的跳跃性。

3、在实训内容的监管方面,因教师人手不够,导致理论内容花费时间过多,而用于实操训练的时间没有保证。导致不能达到预期的教学效果。

4、学生过多的在意产品制作的成就感,而对于元器件的工作原理和特性及相关知识点缺乏深度的了解学习。

五、需改进的方面

1、项目任务的设计在现在执行的基础上还需进一步的完善。

2、过程考核的表格设计上还需完善,增强学生对知识点的重点学习,应充分体现项目教学的特点。

3、考核时不仅要考核学生的实操能力、团结协助能力,但更要注重学生的品格品质等方面,培养学生的安全意识和文明操作。

电子技术基础总结二本学期的教学工作已经结束。现对工作做一个简单的总结,总结成绩,思考不足,以便更好地改进工作。

本学期受学校的安排,担任了20xx级机械2班《电工与电子技术基础》教学工作,期间还进行了电工电子的实训任务。20xx级机械2班还是高一新生,总体上讲,学生的文化底子较差,综合素质离一个合格高中学生还相差很远,对于学习专业基础理论课的倾向性与意志力也较底。相反的方面倒是好动,喜欢有动手机会的实践性课程。而《电工与电子技术基础》是一门专业基础理论课,理论性要求高,其难度对于我们的学生来说还是偏大。于是这样跨越式的教学显得难度较大。,为此,采取的教学策略只能是尽量降低理论难度,以尽量通俗易懂、学生能够接受方式进行理论知识的讲授,并穿插适当、必要的数学、物理知识;力求使学生打下必要的专业理基础。教学以学生学会、够用为主,注意理论联系实际的原则,注重基础知识在实践中的应用,注重实践技能的养成。

通过一年的学习,我要求学生应掌握的知识和应具备的技能、能力都有:

1、初步掌握电工、电子线路的基础知识;

2、初步掌握电子设备、电子产品常用原器件及材料的基本知识;

3、初步具有操作和使用常用电工、电子仪器、仪表的能力;

4、尝试学习阅读整机控制线路和工艺文件的初步能力;

5、初步掌握电工、电子产品生产工艺管理的能力;

6、了解电工、电子设备、电子产品装配、调试、检测、销售与维修的技能;

7、初步具有操作、使用与维护一般电工设备的能力;

8、基本掌握薄壁铜管的钎焊技能、一般的电焊技能、了解基本的机加工过程;

9、初步具有使用计算机的能力。

虽然我在教学中取得了一些小小的成绩,但还是存在许多不足。主要是:教学内容不是很熟悉,班主任事务繁杂、分散精力,实训时间偏少、学生动手能力不强等。我在今后的工作中,一定更加努力,找出差距,不断进步。

20xx年7月

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时,若给其施加正向电压时,二极管导通,若施加反向电压时,则二极管截至,这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 V C >V B >V E ,基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中,测得I C=3mA,I E=,则I B= , = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式,可组成共基、共集和共射三种基本放大电路;其中共集电路输出电阻低,带负载能力强;共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态,并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端,对于每一组输入代码,有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时,其B、E两端可用一个线性电阻等效代替,其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种,分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反,因而使 净输入量 减小的反馈,称为 负反馈 。 为了判别反馈极性,一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区,使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0,见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码,则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等,而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端,则会出现( C )问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ,负极电位是,则该二极管处于( A )状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时,具有如下特点( A ). A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管,它一般工作在( C )状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管,其各极对地电压分别为,2V ,6V ,则该管( A )。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区,当+u >-u 时,则( A ) A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时;时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为( B )。

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越 高,本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性 载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 (P-, N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。单向导电性:正向导通,反向截止。

电子技术发展史概述-首次

电子技术发展史概述 电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破,电子技术在二十世纪发展最为迅速,应用最为广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。 从20世纪60年代开始,电子器件出现了飞速的发展,而且随着微电子和半导体制造工艺的进步,集成度不断提高。CPLD/FPGA、ARM、DSP、A/D、D/A、RAM和ROM等器件之间的物理和功能界限正日趋模糊,嵌入式系统和片上系统(SOC)得已实现。以大规模可编程集成电路为物质基础的EDA技术打破了软硬件之间的设计界限,使硬件系统软件化。这已成为现代电子设计的发展趋势。 现在,人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识,而且电子技术还在不断的发展着。这些知识是人们长期劳动的结晶。 我国很早就已经发现电和磁的现象,在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。磁石首先应用于指示方向和校正时间,在《韩非子》和东汉王充著《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。以后由于航海事业发展的需要,我国在十一世纪就发明了指南针。在宋代沈括所著的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”的记载。这不仅说明了指南针的制造,而且已经发现了磁偏角。直到十二世纪,指南针才由阿拉伯人传入欧洲。 在十八世纪末和十九世纪初的这个时期,由于生产发展的需要,在电磁现象方面的研究工作发展的很快。库仑在 1785 年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力,电荷的概念开始有了定量的意义。

1820 年,奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用,揭开了电学理论的新的一页。同年,安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似,这就指出了此现象的本质问题。有名的欧姆定律是欧姆在 1826 年通过实验而得出的。法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献,他在1831 年发现的电磁感应现象是以后电子技术的重要理论基础。在电磁现象的理论与使用问题的研究上,楞次发挥了巨大的作用,他在1833 年建立确定感应电流方向的定则(楞次定则)。其后,他致力于电机理论的研究,并阐明了电机可逆性的原理。楞次在 1844 年还与英国物理学家焦耳分别独立的确定了电流热效应定律(焦耳 - 楞次定律)。与楞次一道从事电磁现象研究工作的雅可比在 1834 年制造出世界上第一台电动机,从而证明了实际应用电能的可能性。电机工程得以飞跃的发展是与多里沃 - 多勃罗沃尔斯基的工作分不开的。这位杰出的俄罗斯工程师是三相系统的创始者,他发明和制造出三相异步电机和三相变压器,并首先采用了三相输电线。在法拉第的研究工作基础上,麦克斯韦在 1864 年至 1873 年提出了电磁波理论。他从理论上推测到电磁波的存在,为无线电技术的发展奠定了理论基础。1888 年,赫兹通过实验获得电磁波,证实了麦克斯韦的理论。但实际利用电磁波为人类服务的还应归功于马克尼和波波夫。大约在赫兹实验成功七年之后,他们彼此独立的分别在意大利和俄国进行通信试验,为无线电技术的发展开辟了道路。 人类在自然界斗争的过程中,不断总结和丰富着自己的知识。电子科学技术就是在生产斗争和科学实验中发展起来的。 1883 年美国发明

电子技术部工作总结

电子技术部工作总结 — 一、紧抓思想政治学习,营造和谐工作环境 全体工作人员积极参加学院及图书馆组织的政治学习,在思想上、行动上同 ___保持高度一致,自觉维护祖国统一和民族团结。在坚决反对民族分裂非法宗教活动重大问题上,立场坚定、旗帜鲜明。每人按学院要求撰写三篇学习心得和1万字的学习笔记。并结合本部的具体工作, 坚持科学发展观,营造一个高效创新,团结和谐的工作环境。 二、以服务为工作重心,拓展电子文献查询 技术部全体工作人员始终坚持“读者第一,服务育人”的根本宗旨,依据“构思新颖、富有创意、格调健康“的阅览要求,在电子文献查询学习窗口的平凡的岗位工作中做到热心、耐心、细心。 (1)本学期,针对不同年级的学生,将各级段学生微机操作要点跟踪记录。确保明确每个级段学生计算机操作的知识点要点。

(2)导读服务:网络的开放性与无约束性给读者带来了许多负面影响,因此,本部工作人员必须在开放过程中每隔一小时巡视,加强读者上网道德和法规宣传教育,本学期完全杜绝在阅览室中有登陆非法网站的阅览。 (3)在馆长的直接领导下,本部参与新制定技术部规章制度及业务流程六条。包括:图书馆系统维护制度,图书馆计算机系统安全条例,图书馆主页维护管理规定,网页管理员岗位职责,网页系统管理员岗位职责,图书馆网站内容维护和更新的规定。 (4)系统及软件维护:本部门工作人员除了日常工作量之外,还要承担有关设备管理、保养和维护工作。对阅览室开放过程中出现的机器硬件故障,在半小时内通知方正公司维修方,系统故障在1个小时内力所能及的给予修复,确保阅览室正常开放。 (5) 网站制作/维护:在馆长的直接制作与领导下,开发制作了图书馆的主页,大致框架已经完成。于今年11月10日公开发布了。根据馆长的要求,在11月中旬又增加静态页面和多媒体新闻系统、增加网站栏目、网页内容、论坛等。

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r = ,o r = 。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 (填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以 通频带, 非线性失真。

10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA , 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中, 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

电子技术基础总结

电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写?以下是小编整理的相关范文,欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差,同时又缺乏主动学习的自觉性,如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣,致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学,重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题,就会带着问题主动学习,这样使学生变要我学习为我要学习,提高学习的主动性,这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力,同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效,机电一体化教研组组织有关教师召开专题会,就如何开展好课改工作进行讨论,认真听取这门课有经验老师的建议,制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接; 2、下企业调研岗位工作任务; 3、提取典型工作任务; 4、确定课程学习任务与技能目标; 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上,进行工作任务的分类归总,提取企业典型工作任务,确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分,任务的层次也是由易到难,十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法,就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理,项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在:目标指向的多重性;培训周期短,见效快;可控性好;注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目,共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中,学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行,其中2节为理论课时,其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够,后改为4节理论,3节实训。相比于理论课,学生还是偏向于上实训课,更喜欢做训练动

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ; 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

[整理]《数字电子技术基础》习题没答案.

《数字电子技术基础》习题 第一章第一章数字电子技术概述 1.数字信号和模拟信号各有什么特点?描写脉冲波形有哪些主要参数 2.和模拟电路相比,数字电路有哪些优点? 3.在数字系统中为什么要采用二进制?它有何优点? 4.数字电路和模拟电路的工作各有何特点? ⒌把下列二进制数转换成十进制数: 10010110 11010100 0101001 110110.111 101101.101 ⒍将下列数转换为十进制数:1101B 4FBH 110.11B ⒎将下列数转换为二进制数:7.85D 3DF.2BH 256D ⒐将下列数转换为十六进制数:256D 1101.11B 110.11B ⒑将下列十进制数转换为对应的八进刺数: 21 130 27 250 48 1012 95 100.625 ⒒分别用842lBCD码、余3码表示下列各数: (9.04)10 (263.27)10 (1101101)2 (3FF)16 (45.7)8 ⒓列出用BCD码代替二进制的优点 ⒔列出用BcD码代替二进制的主要缺点j ⒕在数字系统的运算电路中使用BCD的主要缺点是什么 ⒖格雷码的另一个名字是什么 ⒗二极管电路及输入电压ui的波形如图1-1所示,试对应画出各输出电压的波形。 图1-1 ⒘半导体三极管的开、关条件是什么?饱和导通和截止时各有什么特点?和半导体二极管比较,它的主要优点是什么? ⒙⒙判断图1-2所示各电路中三极管的工作状态,并计算输出电压u o的值。

图1-2 ⒚N沟造增强型MOS管的开、关条件是什么?导通和截止时各有什么特点?和P沟道增强型MOS管比较,两者的主要区别是什么? 第二章第二章集成逻辑门电路 ⒈请举出生活中有关“与”、“或”、“非”的逻辑概念.并各举两个例子说明。 ⒉如图2-1所示,是二极管门电路,请分析各电路的逻辑功能.并写出其表达式。

电子技术工程师工作总结

电子技术工程师工作总结 回顾以往,机电工作有收获也有不足,我们紧紧围绕安全生产方针,认真执行《煤矿安全规程》,以人为本,与时俱进,狠抓管理,基本实现了机电系统的安全、安装,稳定、经济、高效运行。希望对大家有所帮助,欢迎阅读。 电子技术工程师工作总结 (一) 时光匆匆,转眼之间已经毕业三年了。在xx 公司工作也已经有二年多的时间了,由于工作的需求和提高自己的技术水平,我进入xx 配电设备有限公司技术部学习和工作。在xx 公司工作至今两年多,已经成长为一名合格的电气工程师。 、成长过程。 刚进公司时,必须去电气车间实习。期间主要是熟悉产品,为以后的设计打基础。 实习结束后,我正式进入技术部工作。 刚开始时,主要负责设计小箱、pgl、ggd 、一些比较标准的xgn36(15)-12 等一些小订单,通常数量在几台,或者产值不超过10 万的订单。这段时间跟着总工和老工程师学习,晚上培训专业技能和基础知识,然后在订单上检验学习成果。这段时间的学习和工作给我留下了深刻的印象和影响。 一些比较标准的工程订单,如星三角降压启动、全压启动、自耦降压启动、电机正反转等,这些都是在学校学习过的,但当时印象不深,做了这些电动机控制的项目后,将以前的理论和实际结合在一起,能够举一反三,设计出有自己风格的控制产品。 比如温度控制箱、瓦斯控制箱、路灯控制箱等等。这类产品主要遇到的问题就是元器件的布置摆放,直接影响到箱体或柜体的外型尺寸,以及电缆走向。一旦不细心,用 户在安装、使用过程中就会遇到大量的问题。做这类产品时,必须要细心,多去现场和客户沟通,了解客户意图后,最好能设计出大概的布置图和外型图给客户确认。 随着经验的增长,开始做比较大套的gck 、通常数量在几十台或上百台,产值通常超过五十万元,甚至百万元。主要功能单元有:计量柜、进线柜、电容补偿柜、馈 电柜、市发电转换柜、联络柜。计量柜基本每两年广东电网东莞供电局会提出新的要求,通常提出新要求的一个月内,出现问题的情况是最多的。比如以前要求315kva 及以上的变压器要求装设两组电流互感器、一个有功表、一个电子表,采用低压计费的方式。而现在为一组电流互感器、一个有功表,必须装10kv 高压计量柜,采用高压

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

电子技术发展史概述-首次

电子技术发展史概述电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破,电子技术在二十世纪发展最为迅速,应用最为广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。 从20世纪60年代开始,电子器件出现了飞速的发展,而且随着微电子和半导体制造工艺的进步,集成度不断提高。CPLD/FPGA、ARM、DSP、A/D、D/A、RAM和ROM等器件之间的物理和功能界限正日趋模糊,嵌入式系统和片上系统(SOC)得已实现。以大规模可编程集成电路为物质基础的EDA技术打破了软硬件之间的设计界限,使硬件系统软件化。这已成为现代电子设计的发展趋势。 现在,人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识,而且电子技术还在不断的发展着。这些知识是人们长期劳动的结晶。 我国很早就已经发现电和磁的现象,在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。磁石首先应用于指示方向和校正时间,在《韩非子》和东汉王充着《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。以后由于航海事业发展的需要,我国在十一世纪就发明了指南针。在宋代沈括所着的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”的记载。这不仅说明了指南针的制造,而且已经发现了磁偏角。直到十二世纪,指南针才由阿拉伯人传入欧洲。 在十八世纪末和十九世纪初的这个时期,由于生产发展的需要,在电磁现象方面的研究工作发展的很快。库仑在1785年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力,电荷的概念开始有了定量的意义。1820年,奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用,揭开了电学理论的新的一页。同年,安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似,这就指出了此现象的本质问题。有名的欧姆定律是欧姆在1826年通过实验而得出的。法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献,他在1831年发现的电磁感应现

电子技术工程师工作总结

电子技术工程师工作总结 总结是把一定阶段内的有关情况分析研究,做出有指导性的结论;总和各方面的情况。以下是小编收集的电子技术工程师工作总结,欢迎查看! 电子技术工程师工作总结(一) 我是一位电子技术工程师,xx年2月入职,到现在也1年多了,这期间(包括现在)一直呆在一家公司。最近心绪波动很大,在为自身以后职业发展方向作选择的时候摇摆不定、有点迷茫,主客观因素都有吧,一直没有想彻底。现在把这一年多的工作经历罗列出来,以期能总结一下过去,更深入的认识自身。 因我以前在这家公司实习,后来快毕业的时候就自愿留下来了。入职后就负责一个项目中几个产品的开发。初期对此项目认识不足,管中窥豹,没有分析到开发整个系统需要做哪些工作,后来才发现要开发的事情太多,还好一步步挺下来了。 现在产品已见雏型,也正在推向市场,心中也说不上高兴,最主要的是对产品不放心,担心应用时会出现很多问题,给客户带来很大的不便。 所在部门的经理告诉我,开始工作的头几年对自身以后的职业发展影响很大,特别是在头一两年里,会慢慢形成一

种工作态度、做事特点、行为习惯等,这些习惯一旦形成就很难改变,所以一定不要形成不好的工作习惯和态度。还好我坚持了一年,不过最近有点懈怠了,可能事情少了,人也变得有点懒散了。 一年多的时间里,我从学生慢慢发展到初级工程师(自封),期间也学到不少知识技能。我负责的项目也算是嵌入式应用系统,涉及到硬件和软件设计,只是没用到操作系统。刚开始部门经理参与和我一起做了一阵,后来项目全由我负责,从系统功能设计,硬件设计、制板,软件编程(c语言),元器件采购,功能模块调试、系统调试,到和结构工程师探讨结构设计,外协技术合作、加工,到拜访客户、了解市场具体需求等都经历过,深刻体会到做产品设计除了技术能力外,更需要耐心、细致的秉性,要做一个精致的工程师。 总之一句话,设计开发的产品要让自身非常满意,若自身都不满意的话,就不要指望客户满意了,当然期望要高一点。 下面结合产品开发的经历说一下我的切身感悟吧,希望能得到批评、指点。 1.产品开发之前一定要全面了解市场需求,大致确定具体的客户群,不要把网撒的太大,不要顾及太多的客户需要,否则会给后续的开发工作带来很大的工作量和更多的考虑

电子技术基础复习试题与答案

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题:(每空1分,共16分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、( 逻辑图 )、( 逻辑表达式 )和( 卡诺图 )。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是( 0 )。 3.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是( TTL )电路和( CMOS )电路。 4.施密特触发器有( 两 )个稳定状态.,多谐振荡器有( 0 )个稳定状态。 5.已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( 10 )条,数据线( 4 )条。 6.已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( 20 )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( 50 )。 7.GAL 器件的全称是( 通用阵列逻辑 ),与PAL 相比,它的输出电路是通过编程设定其( 输出逻辑宏单元 )的工作模式来实现的,而且由于采用了( E 2CMOS )的工艺结构,可以重复编程,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共16分) 1. 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解:1. 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成,图3由 CMOS 门电路构 成,试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解:.2. 三、已知电路及输入波形如图4(a )(b )所示,其中FF1是D 锁存器,FF2是维持-阻塞D 触发器,根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 (8分) 解: R +

最新模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1.本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。前者是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料)。 ·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高,本征激发越强。 +载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q +电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。 格中的空位,使局部显示q ·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。 2.杂质半导体 ·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。 ·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。 ·由于杂质电离,使N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。 ·在常温下,多子>>少子(图1-7)。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。 3.半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4.PN结 ·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,会形成一个特殊的薄层——PN结(图1-8)。 ·PN结是非中性区(称空间电荷区),存在由N区指向P区的内建电场和内建电压;PN结内载流子数远少于结外的中性区(称耗尽层);PN结内的电场是阻止结外两区的 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢1

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是() 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是() 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为() 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域() 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

数字电子技术基础学习总结

数字电子技术基础学习总结 光阴似箭,日月如梭。有到了这个学期的期末,对我来说又是一次对知识的大检查。 这学期总共学习了4章,分别是数字逻辑基础、逻辑门电路基础、组合逻辑电路、触发器。 在第一章学习数字逻辑基础包括模拟信号与数字信号、数字电路、数制、各种数制之间的转换和对应关系表、码制(BCD码、格雷码、ASCII码)、逻辑问题的描述(这个是重点)、逻辑函数的五种描述方法、逻辑函数的化简; 在数制里学习四种进制十进制、二进制、八进制、十六进制;十进制是逢十进一,二进制是逢二进一,在八进制中只是二进制的一种简便表示方法而已,它的规律是逢八近一,而十六进制有09ABCDEF十六个数码这个要记住和一些算法。 比如十进制的534,八进制为1026,过程为: 534/8=66,余数为6; 66/8=8,余数为2; 8/8=1,余数为0; 1/8=0,余数为1;

仍然是从下往上看这些余数,顺序写出,答案为1026 所以在数制的之间转换有5种转换,10和2转换(除2取余数法,如上题一样),10和8转换对整数除8取余,对小数点乘8取整。10和16转换对整数除16取余,对小数点乘16取整,2和8转换对应关系3位二进制对应1位八进制可看对应关系图。2和16转换4位二进制对应1位十六进制数,可看对应关系图。 在码制的学习中学习了3种码BCD码、格雷码、ASCII码。 BCD码:用4位二进制数来表示1位十进制数中的0~9这10个数码,简称BCD码,还有几个常用的BCD码:8421(常用)、5421、2421、余3。 如8421码321的8421码就是(查表) 3 2 1 0011 0010 0001 原因:0011=8x0+4x0+1x2+1x1=3 、 0010=8x0+4x0+2x1+1x0=2、0001=8x0+4x0+2x0+1x1=1; 格雷码:有两个特点1相邻性2循环性。

《电子技术基础》教学大纲.doc

电子技术恭础教学大纲 电子技术基础是入门性质的技术基础课,它既有自身的理论体系,乂有很强的实践性。本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养分析问题和解决问题的能力,为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。本课程是高等教育工科电类专业本科生的必修课。而且随着电子技术深入到国民经济的各个领域,也越来越多地成为非电类专业本科生的必修课。 清华大学的电子技术基础课已开设了40余年,目前巳形成包括模拟电子技术基础、数字电子技术基础、模拟电子技术导论、电子技术综合实验、电子技术基础课程设计等而门课的系列课程。 通过本课程,学生不但能够掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能,而且初步建立“系统观念、工程观念、科技进步观念和创新观念”,对综合素质的培养起着重要作用。 该课程采用课堂教学、实验教学、网络教学和EDA教学相互交又融合的结构。课堂教学强调基础性,精讲多练,启发引导,留有余地,归纳总结;实骑教学突出工程性和实践性,分基础实验、综合实验、系统实验三个台阶,层次分明,循序渐进;网络教学开展讨论,自主学习,交流互动,举一反三,活跃气氛;EDA教学贯穿整个课程,由浅入深,不断增强题目的复杂性、设计性、综合性,提倡答案的多样性;教学的各个环节形成为有机的整体。 电子技术基础课程内容大纲如下: 一、模拟电子技术基础 1.绪论 电子信息系统的组成 模拟信号与模拟电路 学习方法 教学要求 2.半导体器件 本征半导体、杂质半导体、PN结 半导体二极管 半导体三极管 3.基本放大电路 放大的概念、放大电路的性能指标 共射放大电路 放大电路的分析方法 晶体管放大电路的三种接法 场效应管及其放大电路 复合管及组合放大电路 4.多级放大电路 耦合方式

电子技术基础(含答案).docx

精品文档《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院版权所有 习题 【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本 习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在() B E C 状态。 A. 击穿 B.截止 C.放大 D.饱和 2.二极管的主要特性是()。 A. 放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在 N 型半导体中()。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C.有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。 A. 放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,I C=1.8mA, 则该三极管的交流电流放大系数为()。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在()。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别 为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于 ()状态。

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