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三极管参数详解

三极管参数详解
三极管参数详解

三极管的参数解释

△λ---光谱半宽度

△VF---正向压降差

△Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路,CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

CL---负载电容(外电路参数)

Cn---中和电容(外电路参数)

Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Coe---共发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容(外电路参数)

Cre---共发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

Ct---总电容

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比

ESB---二次击穿能量

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hFE---共发射极静态电流放大系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

ICM---最大输出平均电流

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IDR---晶闸管断态平均重复电流

ID---暗电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流

IEM---发射极峰值电流

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

IF(AV)---正向平均电流

IF(ov)---正向过载电流

IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IFMP---正向脉冲电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)

IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正

向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

iF---正向总瞬时电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop---工作电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IP---峰点电流

IR(AV)---反向平均电流

IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

Irp---反向恢复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)

ir---反向恢复电流

iR---反向总瞬时电流

ISB---二次击穿电流

Is---稳流二极管稳定电流

IV---谷点电流

Izk---稳压管膝点电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

n---电容变化指数;电容比

PB---承受脉冲烧毁功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pc---集电极耗散功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pd---耗散功率

PFT(AV)---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PGM---门极峰值功率

PG---门极平均功率

Pi---输入功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

Pn---噪声功率

Pomax---最大输出功率

Posc---振荡功率

Po---输出功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Ptot---总耗散功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

Q---优值(品质因素)

r δ---衰减电阻

R(th)ja----结到环境的热阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r(th)---瞬态电阻

rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟---基区扩展电阻(基区本征电阻)

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)

RB---外接基极电阻(外电路参数)

Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)

RE---射频电阻

RE---外接发射极电阻(外电路参数)

RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

RG---信号源内阻

rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻

RL---负载电阻

RL---负载电阻(外电路参数)

roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth---热阻

Rth----热阻

Rz(ru)---动态电阻

Ta---环境温度

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tc---壳温

td---延迟时间

td----延迟时间

tfr---正向恢复时间

tf---下降时间

tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间

tg---电路换向关断时间

Tjm---最大允许结温

Tjm---最高结温

Tj---结温

toff---关断时间

toff---关断时间

ton---开通时间

ton---开通时间

trr---反向恢复时间

tr---上升时间

tr---上升时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

Tstg---贮存温度

ts---存储时间

ts---存贮时间

Ts---结温

V n---噪声电压

V v---谷点电压

V(BR)---击穿电压

VAGC---正向自动增益控制电压

VB2B1---基极间电压

VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)

VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VBE---基极发射极(直流)电压

VB---反向峰值击穿电压

VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCB---集电极-基极(直流)电压

Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)

VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

VCE---集电极-发射极(直流)电压

Vc---整流输入电压

VDRM---断态重复峰值电压

VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEB---饱和压降

VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)

VF(AV)---正向平均电压

VFM---最大正向压降(正向峰值电压)

VF---正向压降(正向直流电压)

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VGT---门极触发电压

Vk---膝点电压(稳流二极管)

VL ---极限电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---中心电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vo---交流输入电压

Vp---穿通电压。

Vp---峰点电压

VRM---反向峰值电压(最高测试电压)

VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)

VRWM---反向工作峰值电压

VR---反向工作电压(反向直流电压)

VSB---二次击穿电压

Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压

Vth---阀电压(门限电压)

Vz---稳定电压

δvz---稳压管电压漂移

η---单结晶体管分压比或效率

λp---发光峰值波长

全系列三极管应用参数代换大全

名称封装极性用途耐压电流功率频率配对管 9012 贴片PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9012 21 PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A0.625W 9012 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 5609 21 NPN 音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 5610 21 PNP音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 60MIAL1 电磁/微波炉1000V 60A 300W 9626 21 NPN 通用 MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A180MHZ

常用三极管参数大全

型号耐压(V)电流(A)功率(W) 型号耐压(V)电流(A)功率(W) B857 70V4A40W BU2508A 1500V8A125W BU2508AF1500V8A45W BU2508DF1500V8A45W BU2520AF1500V10A45W BU2520AX1500V10A45W BU2520D F 1500V10A45W BU2520DX1500V10A45W BU2522AF1500V10A45W BU2522AX1500V10A45W BU2522D F 1500V10A45W BU2522DX1500V10A45W BU2525AF1500V12A45W BU2525AX1500V12A45W BU2527AF1500V12A45W BU2527AX1500V12A45W BU2532AL1500V15A150W BU2532AW1500V16A125W BU2725D X 1700V12A45W BU406 400V5A60W BU4522AF1500V10A45W BU4522AX1500V10A45W BU4523AF1500V11A45W BU4523AX1500V11A45W BU4525AF1500V12A45W BU4525DF1500V12A45W BU4530AL1500V16A125W BU4530AW1500V16A125W BUH1015 1500V14A70W BUH315D 1500V6A44W BUT11A 1000V5A100W C3039 500V7A50W C3886A 1500V8A50W C3996 1500V15A180W C3997 1500V20A250W C3998 1500V25A250W c4242 450V7A40W C4288A 1600V12A200W C4532 1700V10A200W C4634 1500V0.01A2W C4686A 1500V50mA10W C4762 1500V7A50W C4769 1500V7A60W C4891 1500V15A75W C4897 1500V20A150W C4924 1500V10A70W C5027 1100V 50W C5039 800V5A30W C5045 1600V15A75W C5047 1600V25A25W C5048 1500V12A50W C5086 1500V10A50W C5088 1500V8A60W C5129 1500V10A50W C5142 1500V20A200W C5144 1700V20A200W C5148 1500V8A50W C5149 1500V8A50W C5243 1700V15A200W C5243 1700V15A200W C5244 1500V20A200W C5244A 1600V20A200W C5250 1500V8A50W C5251 1500V12A50W C5252 1500V15A50W C5294 1500V20A120W C5296 1500V8A60W C5297 1500V8A60W C5301 1500V20A120W C5302 1500V15A75W C5331 1500V15A180W C5386 1500V7A50W 三极管参数大全1

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

三极管参数大全

Order Code Description IEP EURO -------------------------------------------------------------------------------- 022PO2 HIGH VOLTAGE DIODE 6.59 8.37 0403-000571 ZD1S30 DIODE SAMSUNG SVB30IK 1.69 2.15 1.5KE400C BIDIR TRANSIL/400V/15000W 0.89 1.13 100V/1.3W ZENER-DIODE 100V/1.3W per 5 0.97 1.23 10V/0.4W ZENER-DIODE 10V/0.4W per 5 0.67 0.85 10V/1.3W ZENER-DIODE 10V/1.3W per 5 0.97 1.23 10VT27 FERGUSON-IC 5.95 7.55 1150040500 BR1 RECTIFIER PACE MSP990 1.88 2.39 11V/0.4W ZENER DIODE 11V/0.4W per 5 0.67 0.85 11V/1.3W ZENER DIODE 11V/1.3W per 5 0.97 1.23 1200003001 D54/300V DIODE PACE MSS1000 0.97 1.23 120V/1.3W ZENER-DIODE 120V/1.3W per 5 0.97 1.23 12V/0.4W ZENER DIODE 12V/0.4W per 5 0.67 0.85 12V/1.3W ZENER DIODE 12V/1.3W per 5 0.97 1.23 130V/1.3W ZENER DIODE 130V/1.3W per 5 0.97 1.23 13V/0.4W ZENER DIODE 13V/0.4W per 5 0.67 0.85 13V/1.3W ZENER DIODE 13V/1.3W per 5 0.97 1.23 14DN244 AMSTRAD IC 13.98 17.75 14DN329 AMSTRAD IC 14.99 19.03 14DN363 AMSTRAD IC=MN6748FVZ 11.89 15.10 14DN379 ARMSTRAD TVR3 IC4 =MN14831FVL 34.87 44.28 14DN487 IC AMSTRAD 12.54 15.92 1422112 GO TO 5V1/0.4W please ask 14V/0.4W ZENER DIODE 14V/0.4W 0.12 0.15 15/80H THYR.TRACE/900V/5.5A 5.88 7.47 15/85R THYR.RETRACE/900V/5.5A 4.84 6.15 150V/1.3W ZENER DIODE 150V/1.3W per 5 0.97 1.23 15V/0.4W ZENER DIODE 15V/0.4W per 5 0.67 0.85 15V/0.5WSMD ZENER DIODE SMD 15V/5% per 5 0.98 1.24 15V/1.3W ZENER DIODE 15V/1.3W per 5 0.97 1.23 16FR120 DIODE 1200V/16A 5.21 6.62 160V/1.3W ZENER-DIODE 160V/1.3W 0.19 0.24 16RIA100 THYRISTOR 1000V TO48 15.00 19.05 16V/0.4W ZENER-DIODE 16V/0.4W per 5 0.67 0.85 16V/1.3W ZENER-DIODE 16V/1.3W per 5 0.97 1.23 17058 GO TO 17088 please ask 17088 THY+DI/900V/3A/TRACE 2.70 3.43 17089 THY+DI/900V/3A/RETRACE 2.70 3.43 17127 THYRISTOR 1.80 2.29 17160 THYRISTOR please ask 176K5887SS IC ROADSTAR 44.76 56.83 18022 GO TO 17088 4.40 5.59 180V/1.3W ZENER DIODE 180V/1.3W per 5 0.97 1.23 18V/0.4W ZENER DIODE 18V/0.4W per 5 0.67 0.85 18V/1.3W ZENER DIODE 18V/1.3W per 5 0.97 1.23 1CXP508690 IC704 DAEWOO ACD7500 =CXP566HQ-590 please ask 1N4007 RECT.1000V/1A per 10 0.87 1.10 1N4148 GEN.REC.75V/75MA=1N4448 per 10 0.47 0.60 1N4448 GO TO 1N 4148 please ask 1N4744 GO TO 15V/1.3W please ask 1N4933 RHDX0527BMZZ DIODE SHARP 51C03IR/59C03IR/66CS03IR 1.39 1.76 1N4934 RHDX0528BMZZ DIODE SHARP 51CS03IR/55CS03IR/66CS03IR 0.79 1.00 1N4936 GO TO BYD 33M please ask

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号:大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在,大屏幕彩色电视大都是数字高清,原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点,所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度,即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行,这样就会使行扫描的频率提高一倍,自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加,普通的行输出管已经不能胜任,要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有:C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等,这些行输出管的耐压都在1500V以上,电流多大于20A,但是由于其功耗比较大,损坏率还是比较高。归纳起来,其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足,行管不能迅速截止与饱和,导致行管内阻变大,将造成行输出电路的功耗增加,引起行输出管发烫,一旦超过行管功耗的极限值,便会使行管烧坏。 在海信高清电视中,行振荡方波信号是由数字变频解码板输出,经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后,送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态,故障率相对较高,损坏后就会造成行激励不足,损坏行输出管,对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外,行管基极的限流电阻阻值一般为Ω,与行管的发射极串联,再与行激励变压器并联,若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障,且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间,偏转线圈会对逆程电容充电,逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小,充电时间越短,充电电压越高,因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以,当行一旦超过行管的耐压值,就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时,一般是测量电容的直流参数,而一些ESR等交流参数无法测量,所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降,产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善,则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善,所以这种情况不多见,表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的,电源设计比较合理,保护功能全,不像以前的老式电源电路,电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现,但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高,最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻,如果采用普通行管,发射结并联电阻的阻值比较小,会造成基极驱动电流小,激励不足,行电流过大(正常高清行电流在500mA~600mA)而再次损坏。更换行管后测量行电流,如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的,可将电阻阻值增大,甚至拿掉;如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的,可减小该电阻阻值,再次测量行电流,如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按:这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

常用晶体三极管参数

常用晶体三极管参数 2008-05-12 11:12 常用晶体三极管参数 名称封装极性耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42

三极管参数代换表三极管参数大全

三极管参数代换表三极管参数大全 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45W BU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45W BU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45W BU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45W BU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45W BU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125W BU2725DX 1700V 12A 45W BU406 400V 5A 60W BU4522AF 1500V 10A 45W BU4522AX 1500V 10A 45W BU4523AF 1500V 11A 45W BU4523AX 1500V 11A 45W

BU4525AF 1500V 12A 45W BU4525DF 1500V 12A 45W BU4530AL 1500V 16A 125W BU4530AW 1500V 16A 125W BUH1015 1500V 14A 70W BUH315D 1500V 6A 44W BUT11A 1000V 5A 100W C3039 500V 7A 50W C3886A 1500V 8A 50W C3996 1500V 15A 180W C3997 1500V 20A 250W C3998 1500V 25A 250W c4242 450V 7A 40W C4288A 1600V 12A 200W C4532 1700V 10A 200W C4634 1500V 0.01A 2W C4686A 1500V 50mA 10W C4762 1500V 7A 50W C4769 1500V 7A 60W C4891 1500V 15A 75W C4897 1500V 20A 150W C4924 1500V 10A 70W C5027 1100V 50W C5039 800V 5A 30W C5045 1600V 15A 75W C5047 1600V 25A 25W C5048 1500V 12A 50W C5086 1500V 10A 50W C5088 1500V 8A 60W C5129 1500V 10A 50W C5142 1500V 20A 200W C5144 1700V 20A 200W

三极管选型表

全系列三极管应用参数 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关20V 0.1A 70/120NS A781 39B PNP 开关20V 0.2A 80/160NS

三极管型号及参数选用大全

NPN与PNP三极管的区别 电子知识2008-08-29 16:06 阅读25 评论0 字号:大中小小 NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。 NPN 是用B→E 的电流(IB)控制C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC > VB > VE PNP 是用E→B 的电流(IB)控制E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC < VB < VE 总之VB 一般都是在中间,VC 和VE 在两边,这跟通常的BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的,不会出现电流从低电位流向高电位的情况。 如今流行的电路图画法,通常习惯“男上女下”,哦不对,“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板(直接或间接)。PNP电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间接)。这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。一般的电路中,有了NPN的,你就可以按“上下对称交换”的方法得到PNP 的版本。无论何时,只要满足上面的6个“极性”关系(4个电流方向和2个电压不等式),BJT电路就可能正常工作。当然,要保证正常工作,还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件,即所谓“工作点”条件。 对于NPN电路: 对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。 对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC。

三极管的主要参数

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 详情如下: 90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构:NPN 集电极-发射极电压30V 集电极-基电压50V 射极-基极电压5V 集电极电流0.03A 耗散功率0.4W 结温150℃

特怔频率平均370MHZ 放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构:PNP 集电极-发射极电压-30V 集电极-基电压-40V 射极-基极电压-5V 集电极电流0.5A 耗散功率0.625W 结温150℃ 特怔频率最小150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构:NPN 集电极-发射极电压25V 集电极-基电压45V 射极-基极电压5V 集电极电流0.5A 耗散功率0.625W 结温150℃ 特怔频率最小150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

如何选用合适的三极管

当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管,而又找不到同型号的管子时,如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN 结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整,因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多,根据实践经验,我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT 即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右;电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右;UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz,所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。 小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定,一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。当三极管的负载是感性负载时,如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重,感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2~8倍(如节能灯中的升压三极管)。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V,所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。 一般小功率三极管的ICM在30~50mA之间,对于小信号电路一般可以不予考虑。但对

常用贴片三极管主要参数及丝印

常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G

部分常见三极管参数大全

部分常见三极管参数大全[1] 晶体管型号反压Vbe0电流IC m功率PCM放大系数特征频率管子类型2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SC752G 40V 0.2A 0.2W * * NPN 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA933S 50V 0.1A 0.9W * * PNP BF324 30V 0.26A 0.25W * * PNP BD941F 120V 3A 19W * * NPN BC636 45V 1A 0.8W * * PNP 2SD1480 80V 4A 25W * * NPN 2SC3271 300V 0.1A 5W * * NPN 2SC2688 300V 0.2A 10W * * NPN 2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SD1138C 150V 2A 30W * * NPN 2SB882 60V - 1.7W * * PNP 2SC2377 20V 0.015A 0.2W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IR FP G42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

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