电子技术试卷试题包括答案.doc
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《电子技术基础》题库
适用班级： 2012 级电钳 3 、4、 5、 6 班
备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：
第一章半导体二极管
○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
4、PN结正偏时， P 区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的 P 区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；
○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V 。11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电
流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路
○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 变大，发射结压降变小。
18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
20、三极管实现放大作用的部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，
同时基区厚度要很小.
21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从 12μA增大到 22μA时， I C从 1mA变为
2mA，那么它的β约为100。
○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。
★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。
★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；
★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
第三章集成运算放大器及其应用
○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.
29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区。
○31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈。
32、稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电
路。
★33、共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。
★34、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。
35. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；
★36. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用；
★37. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；
★38. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。
★39. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。
第五章直流稳压电源
○ 40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。
○ 41 、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。
★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。
43、在稳压管稳压电路中，利用稳压管的反向击穿特性，实现稳压；
★44 、整流二级管和整流堆统称为整流器
件。第六章晶闸管及应用电路
○45、晶闸管是一种电力半导体器件。
46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。
★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力
差。第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。
○49、门电路又称为逻辑门电路。
50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。
二、选择题
第一章半导体二极管
1、当加在硅二极管两端的正向电压从 0 开始逐渐增加时，硅二极管 (C)
A、立即导通
B、到 0.3V 才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
2、把电动势为 1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ A）
A、基本正常
B、将被击穿
C、将被烧坏
3、当硅二极管加上0.4V 正向电压时，该二极管相当于（B）
A.很小的电阻
B.很大的电阻
C.断路
★4、某二极管反向击穿电压为 150V，则其最高反向工作电压（ C）
A、约等于 150V
B、略大于 150V
C、等于 75V
5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（B）
A、增大
B、减小
C、不变
6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用欧姆挡拨到（C）
A、R×100 B 、R×1k C 、R×1
★7、用万用表 R× 100Ω挡来测试二极管，如果二极管（ C）说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零
B、正、反向电阻都为无穷大
C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
8、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用（C）
A、R×1Ω挡
B、R×1kΩ挡C
.
★9、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（A）
A、变大 B 、变小 C 、不变化
10、变容二极管工作时，应加（A）
A、反向电压 B 、正向电压 C 、反向电压或正向电压
○11、发光二级管工作时，应加（A）
A、正向电压 B 、反向电压 C 、正向电压或反向电压
★12、变容二极管常用在（ A）电路中。
A、高频 B 、低频 C 、直流
★13、交通信号灯采用的是（ A）管
A、发光二极管 B 、光电二极管 C 、变容二极管
第二章半导体三极管及其放大电路
14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V、6V、 2.7V，则三个电极分别是（ C ）。
A、（
B、
C、E） B 、（ C、 B、 E） C 、（ E、 C、 B）
★15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）
A、饱和失真B 、截止失真C 、交越失真
○16、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A、稳定 Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
17、共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。
A、电压串联负反馈 B 、电流串联负反馈 C 、电压并联负反馈★18、为了使
放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。
A、电压 B 、电流 C 、串联
○19、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
A 大B小C相等
20、在（ A）、（ B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是( B )
A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路
○21、在（A）、（ B）、（ C）三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是()
A 共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路
★22、一个平衡 PN结，用导线将 P 区和 N 区连起来，而导线中（ B ）。
A、有微弱电流 B 、无电流 C、有瞬间微弱电流
○23、晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B）。
A、增加 B 、下降 C 、不变
○24、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（Ａ）。
.
Ａ、强Ｂ、弱Ｃ、一般
第三章集成运算放大器及其应用
★25、射极跟随器具有（Ｃ）特点。
A 、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低
26、引入并联负反馈，可使（Ｃ）。
Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环输入电阻增加Ｃ、反馈环输入电阻减小
★27、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（Ａ）。
Ａ、好Ｂ、差Ｃ、相同
★28、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C）。
A、引入正反馈 B 、 |AF| ≥ 1 C 、 AF=1
○29、稳压二极管是利用 PN结的（ C ）。
A单向导电性 B.反偏截止特性
C反向击穿特性
○30、只用万用表判别晶体管 3 个电极，最先判别出的应是 B 。
Ae极Bb极Cc极
第五章直流稳压电源
★31、共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其A。
A输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。
B输入和输出均具近似的恒流特性。
C输入和输出均具有近似的恒压特性。
第六章晶闸管及应用电路
★32、放大电路中有反馈的含义是B。
A、输出与输入之间有信号通路
B、电路中存在反向传输的信号通路
C、除放大电路以外还有信号通道
○33、根据反馈的极性，反馈可分为C反馈
A 直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈
○34、根据反馈信号的频率，反馈可分为A反馈
A 直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈
○35、根据取样方式，反馈可分为B反馈
A 直流和交流B电压和电流C正和负
.
○36、根据比较的方式，反馈可分为C反馈
A 直流和交流B电压和电流C串联和并联
37、负反馈多用于A。
A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压
38、正反馈多用于B。
A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压
39、交流负反馈是指B。
A只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B交流通路中的负反馈
C变压器耦合电路中的负反馈
40、若反馈信号正比于输出电压，该反馈为C反馈。
A 串联B电流C电压D并联
○41、若反馈信号正比于输出电流，该反馈为B反馈
A 串联B电流C电压
○42、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A
反馈。
A 串联B电流C电压
○43、当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为C反馈。
A 串联B电流C并联
★44、电压负反馈可以A。
A 稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率
45、串联负反馈A。
A 提高电路的输入电阻B降低电路的输入电阻
C提高电路的输出电压
★46、电压并联负反馈B。
A 提高电路的输入电阻B降低电路的输入电阻
C 提高电路的输出电压
47 、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为B反馈系数。
A 电流B互阻C互导
★48、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指C。
A输入信号所包含的干扰和噪声
B反馈环外的干扰和噪声
C反馈环的干扰和噪声
49、负反馈放大电路是以降低电路的C来提高电路的其它性能指标。
A 通频带宽B稳定性C增益
○50、 PN 结的最大特点是具有（ C）。
A导电性 B. 绝缘性 C. 单向导电性
三、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
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第一章半导体二极管
1、半导体随温度的升高，电阻会增大（×）
2、PN结正向偏转时电阻小，反向偏置时电阻大。（×）
○3、二极管是线性元件。（×）★4、一般来说，硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。（×）○5、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V 左右。（×）○6、二极管具有单向导电性。（√）○7、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（×）★8、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向
击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（√）
9、二极管加正向电压时一定导通。（×）
10、二极管加反向电压时一定截止。
（×）
★11、有两个电极的元件都叫二极管。
（×）
○12、二极管一旦反向击穿就一定损坏。（√）第二章集成运算放大器及其应用
13 、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）
★14 、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）
15 、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）
★16 、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）
★17 、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何
放大电路的输出毫无变化；（×）
★18 、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（×）第三章集成运算放大器及其应用
19、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（√）
★20、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（×）
○21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√）
○22、利用两只 NPN型管构成的复合管只能等效为 NPN型管。（√）
○23、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（√）
★24、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（×）
第五章直流稳压电源
25、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（×）
○26、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变化电路。（×）。○27、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（√）。★28、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波
整流电路输出电流的2倍。
（√）。
★29、若 V2变压器副边电压的有效值，则半波整流有电容滤波电路和全波整流滤波电路在空载输出电压均为2V2。
（√）。
★30、一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路的效率高。（√）。○31 、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（√）。
★ 32 、整流的目的是将高频电流变为低频电流。（×）。33、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为
原来的一半。
（√）。
○34、直流稳压电源中滤波电路的目的是将交流变为直流。（×）。
第六章晶闸管及应用电路
35、晶闸管和晶体三极管都能用小电流控制电流，因此它们都具有放大作用。（×）
36、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力（×）
★37、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门限电流称为维持电流。( √) 第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○38、逻辑电路中、一律用“1”表示高电平，用“ 0“表示低电平。（×）
39、”与“门逻辑功能是”“有 1 出 1，全 0 出 0”（×）
40、“异或”门的逻辑功能是“相同出0，不同出 1”（×）
○41、常用的门电路中，判断两个输入信号的是否相同的门电路是“与非”门。（×）★42、由分立元件组成的三极管“非”门电路，实际上是一个三极管反相器。
○43、逻辑代数又称为布尔代数。( √ )
○44、常用的化简方法有代数法和卡诺图法。
★45、任何一个逻辑函数的表达式一定是唯一的。（×）
46、任何一个逻辑表达式经化简后，其简式一定是唯一的。( √)
四综合题
第一章半导体二极管
○１、半导体的特性是什么？
答；光敏特性，热敏特性，掺杂特性。
２、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
答：从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管的死区电压为 0.5V, 锗管的死区电压为0.2V; 硅管的导通管压降为 0.7 V ，锗管的导通管压降为 0.3 V 。
3、有 A、B 两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和0.2 A，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和 8mA，你认为哪一个管的性能较好？
答： B 好，因为 B 的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管
相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。
★4、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？
答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因
此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温
度升高少数载流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反
向特性影响大。
第二章半导体三极管及其放大电路
△5. 如图所示，已知 V CC=10V，R B=250KΩ， R C=3KΩ，β =50，试求放大电路的静态工作点。
解：I BQ=V CC/R B=10/250mA=0.04mA
I CQ=βI BQ=50×0.04=2mA
U CEQ=V CC-I C R C=（10-2×3）=4V
.
6、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，
将每只管子所用材料（Si 或 Ge）、类型（ NPN或 PNP）及管脚为哪个极（e、b 或c）填入表。
管
T 1T 2T 3管号T 1T 2T 3
号
管
T 1 T 2 T 3 管
号号
T 1T 2T 3 管脚①0.7 6.2 3 电①
②0 6 10 极
②
电位
③ 5 3 名③
3.7
（V）称
材类
料型
.
管
① 6.2 3 ① B E E 脚0.7 电
6 极
E B C
电②10 ②
位名
③ 3 称③ C C B
（ V）
5 3.7
材S G S 类NPN PNP NPN
料i e i 型
△7 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图 3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。
(a)(b)
题图(c)(d)
答：题图所示的各个三极管的工作状态，图（ a）为放大，图（ b）为放大，图（c）为饱和，图（ d）为 C、E 极间击穿。
.
8. 什么叫“虚短” “虚断”？
答：“虚短”两输入电压 u P _ u N =0, u N =u P “虚断”两输入端的输入电流为零，即 i N =i P =0
第五章 直流稳压电源
★ 9. 单相半波整流电路，已知变压器一次侧电压 U i =220V ，变压比 n=10，负载电阻R L =10k Ω，试计算：
（ 1）整流输出电压 U L 。
（ 2）二极管通过的电流和承受的最大反向电压。
解：（ 1）因为 n=U i /U 2 U 2 =220/10=22v
又因为 U
=0.45 U=0.45 ×22=9.9v
L
2
（2）I F =I L = U L /R L =0.99mA U
=
U =31.11v
Rm
2 2
△ 10. 一个单相桥式整流电容滤波电路，变压器二次侧电压为 10V 。（1） 如果空载电压为 14V ，满载为 12V ，是否正常？
（2） 如果空载电压低于 10V 是否正常？为什么？
解：（ 1）空载时电压 U L = 2 U 2 =1.414 ×10=14.1v
带负载时电压 U L =1.2 U 2=1.2 ×10=12v
所以正常
（ 2）不正常 因为正常情况下 U = 2
U =14v
L
2
★ 11. 试判断图 5-3 所示电路中元件 R 、L 、C 能否起滤波作用。
.
C R C
R R L C R L L R L a）×b）√c）×L L R C
C C1 C2 R
R L R L R L
d）√e）
f）×√
图5-3
★12. 直流电源如图 5-7 所示，已知 U O=24V，稳压管稳压值 U Z=5.3V，三极管的U BE=0.7V。
（1）试估算变压器二次侧电压的有效值。
（2）若 R3=R4=R P=300Ω，试计算 U L的可调围。
V5
+
+
R1 R2
V1 V2
R3 V6
U1 U2
+
U0
R L C
RP U L
+ R4
V3 V4 U z
V7
_ _ _
图 5-7
解：（ 1）
因为 U =1.2 U
.
2
U =24/1.2=20v
L
2
（2） RP 滑到最上端时 U L 最小
U Lmin =（R 3+R 4+R p ）/ （R 4+R p ）×（ U Z +U BE ） =9V RP 滑到最下端时 U L 最大
U Lmax =（ R 3+R 4+R p ）/R 4×（ U Z +U BE ） =18 V 稳压电路输出 U L 的调整围是 9≤U L ≤18
第六章 晶闸管及应用电路 △13. 简述晶闸管导通的条件。
答：（ 1）阳极和阴极间加正向电压（ 2）门极与阴极间加正向电压以上两个条件，必须同时满足，晶体管才能导通。
请说明下列型号规格中各项所代表的含义。
14． 3CT-200/150
3 ——三个电极 C —— N 型硅材料 T ——晶闸管元件
200 ——额定正向平均电流 150 ——正向阻断峰值电压
15 K P200-18F K ——晶闸管 P ——普通型
200——额定电流
18F ——通态平均电压组别 F △ 16 什么是控制角？
答：把晶闸管从开始承受正向阳极电压起，到触发导通，期间的电角度称为控制
角。
★17. 有一单相半波可控制整流电路，交流电源电压 U2=220V ，R L =5Ω，控制角α
=60°。求输出电压平均值和负载中的平均电流。
解： U L 0.45U 2
1 COS
0.45 220
1
COS 60
74.25V
2
2
U L 74.25 I L
14.85A
R L
5
答：输出电压平均值 74.25v 。负载中的平均电流 14.85A 。
★18. 电阻性负载单相半控桥式整流电路最大输出电压时 110V ，输出电流为 50A 。 求：
（1）交流电源电压的有效值 U 2
. （2） 当α =60°时的输出电压。
.
U L 0.9U 2 1 COS
110 2
1 COS0
解：（1） 0.9U 2 2 110
U 2 122V
答：交流电源电压的有效值 U 2 . 为 122V
（2） U L
0.9 122
1 COS60
82.5V
2
答：当α =60°时的输出电压为 82.5V
19. 写出下图所示逻辑电路的逻辑函数表达式。
解：图逻辑函数表达式：
F
A B
BC
20. 哪一种电路能够有效地抑制零漂？
答：采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。
将下列十进制数转换成二进制数。
21. 5= （ 101）2
22 8= （1000）2
23 36= （100100）2 24 235= （ 11101011）2 △ 25 1782= （） 2
将下列二进制转换成十进制。
26. 11101=2 0+22+23+24 =（ 29）10 △27 11001100=2 2+23 +26+27=（204）10
用逻辑代数的基本公式证明下列等式。
28
A( A B) AB
左=0+AB=AB=右
△29 AB
AB AB A B
左=A(B+B )+ AB
=A+AB
=A+B=右
★30 ABC ABC ABC AB AC
左=AC(B+B )+AB C
=AC ABC
=A(C+B C )=A(C+B)=AC+AB=右
31 AB AB + A B A B
左=
= A AB
=A+B=右
用代数法将下列逻辑函数化为最简表达式。
32 Y AB ABC BC
=AB BC(A 1)
=AB+BC
★ 33Y B ABC BC
= B BC( A 1)
=B+BC
=B(1+C)
=B
△ 34 Y= ABC ABC ABC ABC
= AC (B B) AB (C C )
= AC AB
35 Y A B AB
= B A B 1 A 1
★36Y A( A B) B(B C ) B
= A A AB BB BC B
=
= AB BC B
=B( A C 1) B(1 A) B
△37. 控制角、导通角之间有什么关系？
答；控制角、导通角之间的关系控制角越大，导通角越小。
△38. 组合逻辑电路的组成？
答；组合逻辑电路是数字逻辑电路中的一种类型，它是由若千个基本逻辑门电路
和复合逻辑门电路组成的，是一种非记忆性逻辑电路。
39.二进制，十进制的代码和计数规律是什么？
答；二进制只有 0 和 1 两个代码，计数规律是逢二进一，十进制有 10 个数码，计数规律是逢十进一。
△40. 组合逻辑电路的特点是什么？
答；组合逻辑电路的特点是该电路在任一时刻的输出状态取决于该时刻电路的输入状
态，与电路原来所处的状态无关。
41.数字逻辑电路中三种基本逻辑关系是什么？能实现这三种逻辑关系的电路
分别是什么？
答；数字逻辑电路中三种基本逻辑关系是或，与和非，能实现这三种逻辑关系的
电路分别是与门、非门和或门。
△42. 晶闸管整流电路与晶体二极管整流电路的最大区别是：
答；晶闸管整流电路的输出是可改变直流输出电压大小，而晶体二极管整流电路
的输出是脉动直流电。
43.单相半波可控整流电路中，变压器二次侧电压的有效值 U2=10V，当控制角α分别为 0°、 90°和 180°时，负载电阻 R L上所得到的直流平均电压分别为多少？
答； 4.5V 、2.25 V 和 0V。
44. 常见的复式滤波电路有？
答； LC-T 型LC- π型RC- π型
★45. 放大电路中，静态工作点设置得太高静态工作点设置太低时会出现什么现
象？
的正半轴和 U 的负半周失真，称答；放大电路中，静态工作点设置得太高，使 i
c ce
为饱和失真；静态工作点设置太低时，会使 i c负半周和 u ce正半周失真，称为截止失真。基本放大电路中，通常通过调整R B，I BQ来消除失真。
★46. 共发射极基本放大电路中，若 R B=24KΩ， R C=3KΩ， U CC=12V，β =40，若忽略U BEQ，则 I BQ I CQ U CEQ电压放大倍数各为多少？
答； I BQ=50 A， I CQ=2mA， U CEQ=6V， A U=-144
.
答：将集电极的电流变化变换成集电极的电位变化以实现电压放大。
△48 集成运放线性应用时，电路中必须引入什么反馈才能工作在什么区？
答；集成运放线性应用时，电路中必须引入负反馈才能保证集成运放工作在线性区；它的输出量与输入量成比例关系。
△49. 小型直流稳压电源电路由什么组成？
答：变压器整流电路滤波电路稳压电路。
50.“与非”门的逻辑功能是？
答：全 1 出 0，有 0 出 1
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
《电路与电子技术基础》期末考试卷(附答案)
《电路与电子技术基础》期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； · 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 ~ D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 . 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. ° B. －° C. ° D. －° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V ] ①② -2V ③ -8V ' u s(t
电子技术基础试卷及答案
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏
8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电 源的极，N区接电源的极。(4 分)
电子技术试卷(B)及参考答案
电子技术试卷(B)及参考答案 课程名称:电工电子技术（2）考试时间: 年月日 一、填空(每空1分，共30分) 1．在纯净半导体掺入微量杂质，称为杂质半导体。杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两大类。 2．半导体二极管加（）向电压时导通，加（）向电压时截止。硅二极管的正向导通电压为（）~（）V；锗二极管的正向导通电压为（）~（）V。 3．在图1.1中，放大电路如图（a）所示，晶体管的输出特性及交、直流负载线如图（b）所示，图中Q为静态工作点。则电源电压U CC=（）V，静态I B=（）μA，静态I C=（）mA，静态U CE=（）V，晶体管β=（），电阻R B≈（）kΩ，R C=（）kΩ，最大不失真输出电压U om≈（）V。
图1.1 4．理想运算放大器的理想化条件是开环电压增益A uo→（），输入电阻r id→（），输出电阻r od→()，共模抑制比K CMRR →()。 5．负反馈放大电路有（）负反馈、（）负反馈、（）负反馈和（）负反馈四种类型。 6．振荡电路产生自激振荡的条件是：（1）相位条件，即必须是（ ）反馈；（2）幅值条件，即F A u（）。采用电阻和电容组成选频电路的称为（）正弦波振荡电路；采用电感和电容组成选频电路的称为（）正弦波振荡电路。 7．或非门的逻辑功能是有1出（），全0出（）。 二、单项选择题（每题只有一个正确答案，错选或多选不给分。每题1分，共20分） 1．在图2.1所示电路中，忽略二极管的正向压降，则U O=（）。A．1V；
B．4V； C．10V； 2．在图2.2电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（）。A．D1、D2截止，D3导通； B．D1导通，D2、D3截止； C． D1、D2、D3均导通；3．在图2.3电路中，稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和7V，则U O=（）。 A．0V； B．5V； C．7V。4．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（）。A．V C＜V B＜V E；B．V C＞V B＞V E；C．V C＞V B＜V E。 5．测得某放大电路某晶体管三个极的电为分别为-9V，-6.2V，-6V，则-6V的那个极为（）极。A．集电极；B．基极；C．发射极；6．对某电路中一个NPN晶体管进行测试，测得U BE＞0，U BC＜0，U CE＞0，则该管工作在（）。A．放大区；B．饱和区；C．截止区。7．若减小共发射极交流放大
电子技术基础期末复习资料(含答案)。
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ；三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存 在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
电力电子技术期末考试试题及答案修订稿
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电子技术基础与技能试题及答案
电子技术基础与技能试题 使用教材：电子技术基础与技能试题围：全册 ：高等教育版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V，CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V，一般要求其输出高电平电压大于等于V，输出低电平电压小于等于V，CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作，建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。
真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）
《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案
《电路与电子技术基础》2004~2005学年第二学期期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL与非门中多余的输入端应接电平是（）。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t
电力电子技术试卷3份答案
《电力电子技术》试卷1答案 一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。 二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×） 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失 控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中 一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 （√） 三、选择题（每题3分，15分）
电工电子技术基础考试试卷答案
《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）
电子技术试题及答案-(
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案
《电路与电子技术基础》2004~2005学年第 二学期期末考试试卷（A ） 时间：120分钟 班级 学号 姓名 成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管 为（C ）。 A. PNP 型硅管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. NPN 型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性 ①② 1
曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（ A ）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t ) = 2 cos t V ， 则电感电流i L (t )的初相等于（ D ）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（ B ）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输 入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U 为（ C ）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL 与非门中多余的输入端应接电平是（ C ）。 A. 低 B. 地 C. 高 D. 悬空 8．考试题图4所示电路的节点电压方程为（ ）。 考试题图3 考试题图2 u s (
电力电子技术试题及答案(B)
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
《电工电子技术基础》 试卷A及参考答案
华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷（A卷） 考试时间：90分钟闭卷任课老师： 班级：学号：姓名：成绩： 一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W，电压220V，I= A . 因为它的功率 因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB= V ；R AB= Ω； 4、单相交流电路： 已知：0 2202sin(31460) u t V =+；则有效值U= V；频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V，线电压为： V； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 装 订 线
15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。 二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos 被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？ 答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U2 =20V，则输出平均电压U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？ 答： 5、变压器有几个功能？写出表达式。 答：
电子技术试题及答案
电子技术基础 参考答案 1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（脉冲信号）_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于1，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出电压，并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻 辑电路图(逻辑图)和卡诺图。
9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时，(A+B+C)AB=O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平，接地，与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号，应选用D/A转换器。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加，并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。 20、TTL非门的灌电流负载发生在输出低电平情况下，负载电流越大，则输出电平越高。 二、选择题
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。