文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 版图设计期末复习

版图设计期末复习

版图设计期末复习
版图设计期末复习

第一章绪论

1、什么是Scaling-down,它对集成电路的发展有什么重要作用?在器件按比例缩小过程中

需要遵守哪些规则(CE,CV,QCE),这些规则的具体实现方式

(1)为了保证器件性能不变差,衬底掺杂浓度要相应增大。通过Scaling-down使集成电路的集成度不断提高,电路速度也不断提高,因此Scaling-down是推动集成电

路发展的重要理论。

(2)在CE规则中,所有几何尺寸,包括横向和纵向尺寸,都缩小k倍;衬底掺杂浓度增大k倍;电源电压下降k倍。

(3)在CV规则中,所有几何尺寸都缩小k倍;电源电压保持不变;衬底掺杂浓度增大k2倍。

(4)在QCE规则中,器件尺寸k倍缩小,电源电压α/k倍(1<α

2、什么是摩尔定律?

集成电路容量每18个月增加一倍。

3、什么是版图设计?包含哪两个要素?

(1)版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数,设计出元件的图形并进行排列互连,以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形,称为版图或工艺复合图(2)一定功能的电路结构;一定的工艺规则

4、集成电路全定制和半定制设计的过程,及区别

自动化技术:半定制,标准单元技术

手工技术:全定制,一般用于高性能数字电路或者模拟电路

第二章电路基础知识

1、管子的串并联,电阻模型分析。

串联:两个宽长比为W/L的管子串联,若等价为一个管子,其宽长比为多少?

并联:两个宽长比为W/L的管子并联,若等价为一个管子,其宽长比为多少?

2、管子的尺寸标注

3、复杂逻辑门的功能分析(写出逻辑表达式),或根据逻辑表达式,画出CMOS电路图

4、传输门结构,原理

(1)由两个增强型MOS管(一个P沟道,一个N沟道)组成。

(2)C=0,!C=1时,两个管子都夹断,传输门截止,不能传输数据。

(3)C=1,!C=0时,传输门导通。

(4)双向传输门:数据可以从左边传输到右边,也可以从右边传输到左边,因此是一个双向传输门。

5、CMOS电路中,NMOS和PMOS管子的宽长比,对输出特性的影响。例如:对于CMOS 反相器,若要获得对称的输出特性,两个管子应如何设计?若NMOS和PMOS管子的宽长比相同,则上升和下降时间之间有什么关系。

第三章半导体制造工艺

1、当掺杂的杂质浓度增高时,电阻率会随着浓度增高快速降低吗?

与温度有关:杂质需要完全电离;掺杂半导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而显著下降

2、集成电路单道工艺通常包含哪几类?

(1)薄膜制备工艺:包括外延生长、氧化工艺、薄膜淀积工艺,如制造金属、绝缘层等。(2)图形转移工艺:包括光刻工艺和刻蚀工艺。

(3)掺杂工艺:包括扩散工艺和离子注入工艺。

3、什么是制版?

光刻掩膜版就是将电路版图的各个层分别转移到一种涂有感光材料的优质玻璃上,为将来再转移到晶圆做准备,这就是制版

4、根据给定的光刻胶类型(正胶或负胶),以及需要转移的图形形状,画出需要的掩膜版。

5、多晶硅的刻蚀需要哪几步?

预刻蚀、主刻蚀、过刻蚀

6、什么是光刻?什么是刻蚀?

光刻:将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶

刻蚀:将图形转移到光刻胶下面组成器件的各层薄膜上

7、哪一种刻蚀方法容易产生横向钻蚀?

湿法刻蚀

8、常用的掺杂工艺有哪两种?二者相比,优势工艺体现在哪些方面?

(1)主要的掺杂工艺:扩散和离子注入

(2)扩散:根据扩散的原理,使杂质从高浓度处向低浓度处扩散。两个要素:高温和浓度梯度,用于结较深,线条较粗的器件

(3)离子注入:与扩散比,离子注入技术具有加工温度低、大面积注入杂质仍能保证均匀、掺杂种类广泛等优点,用于浅结与细线条图形

9、什么是方块电阻?与电阻值的关系(用公式表示)?

1/g用R■表示,称为方块电阻

第四章版图设计基础

1、绘图层和研磨层之间存在什么关系?

研磨层来自绘图层,要比绘图层多n:1

2、会画MOS管版图(四端)和尺寸标注

3、接触孔和通孔的区别

接触孔特指最低层金属孔,用于将最低层金属和多晶硅或者扩散层连接起来。

而通孔则是指允许更高层金属进行相互连接的孔

4、什么是版图设计规则?制定的目的是什么?

设计规则:考虑器件在正常工作的条件下,根据实际工艺水平和成品率要求,给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制,以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现

目的:使芯片尺寸在尽可能小的前提下,避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题,尽可能地提高电路制备的成品率

5、版图设计规则包括哪两种?各自优缺点?

(1) 设计规则或规整格式设计规则

优点:版图设计独立于工艺和实际尺寸

缺点:与工艺线所具有的工艺分辨率有关,线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差

(2)微米设计规则,又称自由格式规则

优点:由于各尺寸可相对独立地选择,所以可把尺寸定得合理

缺点:对于一个设计级别,就要有一整套数字,因而显得烦琐

6、版图设计规则,填表。

7、分析芯片设计结果图,分析是由于违反了哪种设计规则。

8、识版图:根据版图,给出逻辑表达式(管子的串并联)。

9、版图验证包括哪些?各个概念。DRC ERC LVS

第五章数字电路版图设计

1、驱动能力的设计原则

在确保驱动的前提下,尽量选择小的器件

2、在标准单元技术中,如何兼顾局部优化和全局优化?

对每个逻辑门都进行专门设计,即获得局部优化;在互连过程中,应用软件工具,实现全局优化。

3、标准单元库需要哪三方面的内容?分别在集成电路设计流程的哪一步使用?

(1)逻辑单元符号库与功能单元库;

(2)拓扑单元库;

(3)版图单元库。

4、版图单元的特点有哪些?(宽度,高度,电源、地线,输入/输出端)

(1)各版图单元可以有不同的宽度,但必须有相同的高度。

(2)单元的电源线和地线通常安排在单元的上下端,从单元的左右两侧同时出线,电源、地线两侧的位置要相同,线的宽度要一致,以便单元电源、地线的对接。

(3)单元的输入/ 输出端通常安排在电源和地线垂直的位置

5、输入单元主要考虑(保护)功能,输出单元除了考虑其(驱动)能力之外,还要具有一定的(功能)。

6、什么是ESD(Electrostatic discharge),静电放电,为什么CMOS集成电路要考虑ESD保护问题?

由于薄栅氧化层的击穿电压较低,必须加入有效的在片ESD保护电路以箝位加到内部电路栅氧上的过冲电压

7、采用漏端开路结构实现逻辑与。

第六章模拟电路版图设计

1、与数字电路版图设计相比,模拟电路版图设计更注重(性能)。

2、模拟电路版图设计需要考虑的寄生效应包括哪些?

寄生电容、寄生电阻、寄生电感

3、减少寄生电容的设计方法包括哪些?

(1)让那一部分布线寄生参数小的导线尽量短,以减少重叠

(2)选择远离衬底的金属层走线

(3)在布线时最好绕过电路模块,而不是仅仅简单的在它上面走线。应该让敏感的信号远离

4、在版图设计中,可以利用寄生参数吗?为什么?

5、模拟集成电路中的匹配技术有哪些?(靠近、周围环境、方向、电路功能、根器件、指状交叉、虚设器件、四方交叉、寄生参数匹配)

实验考试:

画版图:给定库名称,单元名称,设计规则,画出版图,写主要步骤。

常用快捷键名称和作用

版图设计论文15篇

版图设计论文15篇 版图设计论文 摘要:集成电路版图设计教学应面向企业,按照企业对设计工程师的要求来安排教学,做到教学与实践的紧密结合。从教学开始就向学生灌输IC行业知识,定位准确,学生明确自己应该掌握哪些相关知识。从集成电路数字版图、模拟版图和逆向设计版图这三个方面就如何开展教学可以满足企业对版图工程师的要求展开探讨,安排教学有针对性。在教学方法与内容上做了分析探讨,力求让学生在毕业后可以顺利进入IC行业做出努力。 关键词 版图设计设计论文设计 版图设计论文:一种基于厚膜工艺的电路版图设计 摘要:在电子线路版图设计中,通常采用印刷线路板技术。如果结合厚膜工艺技术,可以实现元器件数目繁多,电路连接复杂,且安装空间狭小的电路版图设计。通过对3种不同电路版图设计方案的理论分析,确定了惟一能满足要求的设计方案。基于外形尺寸的要求,综合考虑电路的性能和元件的封装形式,通过合理的电路分割和布局设计,验证了设计方案的合理性和可实现性。体现了厚膜工艺技术在电路版图设计中强大的优越性,使一个按常规的方法无法实现的电路版图设计问题迎刃而解。 关键词:电路版图设计;电路分割设计;厚膜混合集成电路;厚膜工艺 0 引言 随着电子技术的飞速发展,对电子设备、系统的组装密度的要求越来越高,对电路功能的集成度、可靠性等都提出了更高的要求。电子产品不断地小型化、轻量化、多功能化。除了集成电路芯片的集成度越来越高外,电路结构合理的版图设计在体积小型化方面也起着举足轻重的作用。

1 厚膜工艺技术简述 厚膜工艺技术是将导电带和电阻通过丝网漏印、烧结到陶瓷基板上的一种工艺技术[1]。 厚膜混合集成电路是在厚膜工艺技术的基础上,将电阻通过激光精调后,再将贴片元器件或裸芯片装配到陶瓷基板上的混合集成电路[2]。 厚膜混合集成电路基本工艺流程图见图1。 图1 厚膜工艺流程图 厚膜工艺与印制板工艺比较见表1。 2 电路版图设计 2.1 设计要求 将电路原理图(图2,图3)平面化设计在直径为34 mm的PCB板上(对电路进行分析后无需考虑相互干扰),外形尺寸图见图4。其中:序列号及电源为需要引出的引脚。 表1 厚膜工艺与印制板工艺比较 图2 原理图(1)

PCB版图设计报告

兰州交通大学电信学院课程设计实验报告 实验名称:负反馈放大电路PCB设计 无线话筒PCB设计(选作) 试验日期: 2012年6月25日 班级: 电子科学与技术092班 姓名: 刘光智 学号: 200910112

Altium designer简介 Altium Designer 提供了唯一一款统一的应用方案,其综合电子产品一体化开发所需的所有必须技术和功能。Altium Designer 在单一设计环境中集成板级和FPGA系统设计、基于FPGA和分立处理器的嵌入式软件开发以及PCB版图设计、编辑和制造。并集成了现代设计数据管理功能,使得Altium Designer成为电子产品开发的完整解决方案-一个既满足当前,也满足未来开发需求的解决方案。 一、实验目的 1.了解并学会运用Altium designer软件绘制简单PCB 2.会运用Alitum designer软件设计库元件 3.掌握印刷电路板布线流程 4.掌握印刷电路板设计的基本原则 二、设计内容 1.要求用Alitum designer软件画出电路原理图 2.按照所画原理图自动生成PCB版图 3.会自己设计元件和库 三、实验步骤(负反馈放大器PCB设计) 1、新建工程、为工程添加项目:在D盘新建一个自己的文件夹重命名为ffk,运行Alitum designer软件,然后单击文件/新建/工程/PCB工程,然后右击所建的PCB工程选择给工程添加原理图,然后添加PCB,建完PCB工程保存工程到D/ffk内,保存时三个文件都命名为ffk.扩展名 2、画原理图:在原理图窗口画出所要画的PCB原理图,本次实验所画电路图如图1: 图1 3、对所画电路图进行编译:点击工程/Compile Document mic.SchDoc,然后点击工程/Compile PCB Project PCB_mic.PrjPCB,然后打开Messages窗口查看编译结果,若有错误按照提示对错误进行改正再编译,直至没有错误结束编译

毕业课程设计

目录 第1章绪论 (3) 第2章设计总体方案 (4) 2.1设计要求 (4) 2.2 设计思路 (4) 2.3 设计方案 (4) 第3章硬件电路设计 (5) 3.1 A/D转换模块 (5) 3.1.1 逐次逼近型A/D转换器原理 (5) 3.1.2 ADC0808 主要特性 (6) 3.1.3ADC0808的外部引脚特征 (6) 3.1.4 ADC0808的内部结构及工作流程 (7) 3.2 单片机系统 (9) 3.2.1 AT89C51性能 (9) 3.2.2 AT89C51各引脚功能 (9) 3.3 复位电路和时钟电路 (10) 3.3.1 复位电路设计 (10) 3.3.2 时钟电路设计 (11) 3.4 LED显示系统设计 (12) 3.4.1 LED基本结构 (12) 3.4.2 LED显示器的选择 (13) 3.4.3 LED译码方式 (14) 3.4.4 LED显示器与单片机接口设计 (14) 3.5 总体电路设计 (15) 第4章程序设计 (17) 4.1 程序设计总方案 (17) 4.2 系统子程序设计 (17)

4.2.1 初始化程序 (17) 4.2.2 A/D转换子程序 (17) 4.2.3 显示子程序 (17) 4.2.4程序代码 (17) 第5章总结 (20) 参考文献 (21) 致谢 (22)

第1章绪论 什么是数字电压表?数字电压表就是采用数字化技术,把需要测量的直流电压转换成数字形式,并显示出来。通过单片机技术,设计出来的数字电压表具有精度高,抗干扰能力强的特点。通过网上资料显示,目前由各种A/D转换器构成的数字电压表已经广泛的应用于电工测量,工业自动化仪表等各个领域。 在电量的测量中,电压、电流和频率是最基本的三个被测量,其中电压量的测量最为经常。而且随着电子技术的发展,更是经常需要测量高精度的电压,所以数字电压表就成为一种必不可少的测量仪器。数字电压表简称DVM,它是采用数字化测量技术,把连续的模拟量转换成不连续、离散的数字形式并加以显示的仪表。由于数字式仪器具有读数准确方便、精度高、误差小、测量速度快等特而得到广泛应用。 目前,数字电压表的内部核心部件是A/D转换器,转换的精度很大程度上影响着数字电压表的准确度,因而,以后数字电压表的发展就着眼在高精度和低成本这两个方面。 本文是以简易数字直流电压表的设计为研究内容,本系统主要包括三大模块:转换模块、数据处理模块及显示模块。其中,A/D转换采用ADC0808对输入的模拟信号进行转换,控制核心AT89C51再对转换的结果进行运算处理,最后驱动输出装置LED显示数字电压信号。

CMOS运算放大器设计毕业设计

毕业论文声明 本人郑重声明: 1.此毕业论文是本人在指导教师指导下独立进行研究取得的成果。除了特别加以标注地方外,本文不包含他人或其它机构已经发表或撰写过的研究成果。对本文研究做出重要贡献的个人与集体均已在文中作了明确标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 2.本人完全了解学校、学院有关保留、使用学位论文的规定,同意学校与学院保留并向国家有关部门或机构送交此论文的复印件和电子版,允许此文被查阅和借阅。本人授权大学学院可以将此文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本文。 3.若在大学学院毕业论文审查小组复审中,发现本文有抄袭,一切后果均由本人承担,与毕业论文指导老师无关。 4.本人所呈交的毕业论文,是在指导老师的指导下独立进行研究所取得的成果。论文中凡引用他人已经发布或未发表的成果、数据、观点等,均已明确注明出处。论文中已经注明引用的内容外,不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体,均已在论文中已明确的方式标明。 学位论文作者(签名): 年月

关于毕业论文使用授权的声明 本人在指导老师的指导下所完成的论文及相关的资料(包括图纸、实验记录、原始数据、实物照片、图片、录音带、设计手稿等),知识产权归属华北电力大学。本人完全了解大学有关保存,使用毕业论文的规定。同意学校保存或向国家有关部门或机构送交论文的纸质版或电子版,允许论文被查阅或借阅。本人授权大学可以将本毕业论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用任何复制手段保存或编汇本毕业论文。如果发表相关成果,一定征得指导教师同意,且第一署名单位为大学。本人毕业后使用毕业论文或与该论文直接相关的学术论文或成果时,第一署名单位仍然为大学。本人完全了解大学关于收集、保存、使用学位论文的规定,同意如下各项内容:按照学校要求提交学位论文的印刷本和电子版本;学校有权保存学位论文的印刷本和电子版,并采用影印、缩印、扫描、数字化或其它手段保存或汇编本学位论文;学校有权提供目录检索以及提供本学位论文全文或者部分的阅览服务;学校有权按有关规定向国家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入学校有关数据 库和收录到《中国学位论文全文数据库》进行信息服务。在不以赢利为目的的前提下,学校可以适当复制论文的部分或全部内容用于学术活动。 论文作者签名:日期: 指导教师签名:日期:

异或门版图设计报告

西安科技大学 高新学院 微电子专业实验报告 专业:微电子 班级:1001 姓名:黄升 学号:1001050120 指导老师:王进军

设计软件:tanner软件 实验目的和要求: 1、掌握L-edit软件的基本设定和集成电路工艺和版图的图层关系。 2、根据性能和指标要求,明确设计要求和规则。 3、电路版图实现过程中电源线的走法。 4、掌握L-edit和S-edit仿真环境,完成异或门的仿真。 5、掌握LVS环境变量。 异或门版图的设计方法: 1、确定工艺规则。 2、绘制异或门版图。 3、加入工作电源进行分析。 4、与LVS比较仿真结果。 实验内容: 完成COMS异或门版图设计,COMS异或门原理如下,要求在S-edit 中画出每一电路元件,并给出输入输出端口及电源线和地线。(一)异或逻辑关系式及真值表:F=A⊕B=A′B+ AB′

(二)原理图: (三)版图:

(四)仿真分析: Main circuit:Module0 .include“E:\ProgramFiles\tannerEDA\T-Spice10.1\models\m12_125.md M1 N3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M2 F B N3 Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M3 F N3 B Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M4 N3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M5 F B A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M6 F A B Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u v7 Vdd Gnd 5.0 v8 B Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 200n) v9 A Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 400n) .tran In 800n .print tran v(A) v(B) v(F) End of main circuit:Module0

D锁存器版图设计实验报告

第一章:绪论 1.1 简介 1.1.1 集成电路 集成电路版图设计是电路系统设计与集成电路工艺之间的中间环节。通过集成电路版图设计,将立体的电路系统转变为二维平面图形。利用版图制作掩模板,就可以由这些图形限定工艺加工过程,最终还原为基于半导体材料的立体结构。 以最基本的MOS器件为例,工艺生产出的器件应该包含源漏扩散区、栅极以及金属线等结构层。按照电路设计的要求,在版图中用不同图层分别表示这些结构层,画好各个图层所需的图形,图形的大小等于工艺生产得到的器件尺寸。正确摆放各图层图形之间的位置关系,绘制完成的版图基本就是工艺生产出的器件俯视图。 器件参数如MOS管的沟道尺寸,由电路设计决定,等于有源区与栅极重叠部分的尺寸。其他尺寸由生产工艺条件决定,不能随意设定。 在工艺生产中,相同结构层相连即可导电,而不同结构层之间是由氧化层隔绝的,相互没有连接关系,只有制作通孔才能在不同结构层之间导电。与工艺生产相对应的版图中默认不同图层之间的绝缘关系,因此可以不必画氧化层,却必须画各层之间的通孔。另外,衬底在版图设计过程中默认存在,不必画出。而各个N阱、P阱均由工艺生产过程中杂质掺杂形成,版图中必须画出相应图形。 1.1.2 版图设计基本知识 版图设计是创建工程制图(网表)的精确的物理描述的过程,而这一物理描述遵守由制造工艺、设计流程以及仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。版图设计得好坏,其功能正确与否,必须通过验证工具才能确定。版图的验证通常包括三大部分:设计规则检查(DRC)、电学规则检查(ERC)和版图与电路图对照(LVS)。只有通过版图验证的芯片设计才进行制版和工艺流片。 设计规则的验证是版图与具体工艺的接口, 因此就显得尤为重要, Cadence 中进行版图验证的工具主要有dracula和diva。Dracula 为独立的验证工具, 不仅可以进行设计规则验证(DRC) , 而且可以完成电学规则验证(ERC)、版图与电路验证(LV S)、寄生参数提取(L PE) 等一系列验证工作, 功能强于Diva。 1.2 软件介绍 Cadence是一个大型的EDA软件,它几乎可以完成电子设计的方方面面,包括ASIC 设计、FPGA设计和PCB板设计。Cadence在仿真、电路图设计、自动布局布线、

毕业课程设计格式模板

克拉玛依职业技术学院 毕业设计 题目 专业 班级 学号 学生姓名 指导教师

摘要 摘要部分说明: “摘要”是摘要部分的标题,不可省略。 标题“摘要”选用模板中的样式所定义的“摘要”;或者手动设置成字体:黑体,居中;字号:小三;1.5倍行距,段前为0行,段后1行。 设计摘要是设计的缩影,文字要简练、明确。内容要包括目的、方法、结果和结论。单位制一律换算成国际标准计量单位制,除特殊情况外,数字一律用阿拉伯数码。文中不允许出现插图,重要的表格可以写入。 摘要正文选用模板中的样式所定义的“正文”,每段落首行缩进2个汉字;或者手动设置成每段落首行缩进2个汉字,字体:宋体,字号:小四,行距:多倍行距 1.25,间距:前段、后段均为0行,取消网格对齐选项。 篇幅以一页为限,摘要正文后列出3-5个关键词,关键词与摘要之间空一行。 “关键词:”是关键词部分的引导,不可省略,黑体,小四。 关键词请尽量用《汉语主题词表》等词表提供的规范词。关键词之间用分号间隔,末尾不加标点。

1 正文格式说明 (1) 1.1 设计格式基本要求 (2) 1.2 设计页眉页脚的编排 (2) 1.3 设计正文格式 (2) 1.4 章节标题格式 (3) 1.5 各章之间的分隔符设置 (3) 1.6 正文中的编号 (3) 2 图表及公式的格式说明 (5) 2.1 图的格式说明 (5) 2.1.1 图的格式示例 (5) 2.1.2 图的格式描述 (5) 2.2 表的格式说明 (6) 2.2.1 表的格式示例 (6) 2.2.2 表的格式描述 (7) 2.3 公式的格式说明 (7) 2.3.1 公式的格式示例 (7) 2.3.2 公式的格式描述 (8) 2.4 参考文献的格式说明 (8) 2.4.1 参考文献在正文中引用的示例 (8) 2.4.2 参考文献在正文中引用的书写格式 (8) 2.4.3 参考文献的书写格式 (8) 2.4.4 参考文献的书写格式示例 (9) 2.5 量和单位的使用 (9) 2.5.1 使用方法 (9) 2.5.2 中华人民共和国法定计量单位 (9) 2.6 规范表达注意事项 (11) 2.6.1 名词术语 (11) 2.6.2 数字 (11) 2.6.3 外文字母 (12) 2.6.4 量和单位 (12) 2.6.5 标点符号 (12) 3 打印说明 (13)

印制电路研究毕业论文

印制电路研究毕业论文 目录 1 引言 2 印制电路概述 2.1 印制电路板定义 2.2 印制电路板种类 2.3 印制电路板的发展趋势 3 genesis2000软体 3.1 genesis2002基础工具 3.2 genesis2000分析工具 3.2.1 钻孔分析 3.2.2 线路分析 3.2.3 防焊分析 3.2.4 文字分析 3.3 genesis2000输出工具 3.4 genesis2000操作流程 3.4.1 客户资料转档 3.4.2 前置作业检查 3.4.3 钻孔编辑 3.4.4 线路编辑 3.4.5 防焊编辑 3.4.6 文字编辑 3.4.7 排版编辑 3.4.8 资料输出 结论 致谢 参考文献

1 引言 21世纪信息化产业在迅速发展,而PCB行业的发展是信息化产业发展的重要基础,PCB从简单的单面板发展到现在的多层板,高密度互联板(High density board,简称HDI),软板,经历了60多年,其可通过在一个很小的覆铜箔板上做出线路,再贴装一些电路元器件即可做成拥有强大电路导通,连接性能及其他电子性能的电子产品。 计算机辅助制造(Computer Aided Manufacturing,简称CAM)就是为印制电路板的前制程提供辅助制造的,它通过一些软件方便分析出制造电路板的一些技术参数,以及分析出电路板的电器性能是否正确,因此CAM部门在每个PCB 公司都具有非常重要的地位。 在机械制造业中,利用电子数字计算机通过各种数值控制机床和设备,自动完成离散产品的加工、装配、检测和包装等制造过程,简称CAM。目前,在一些PCB公司应用的软件有:GERNESIS、GC-CAM、CAM350、PRCAM、 INCAM等。 CAM 系统可以进行焊盘与走线之间间距、焊盘的环宽、层隔离盘的大小、非孔化孔、无终点线和整个PCB图形到外形间距的检查,以判断该PCB的设计是否符合相关的标准。CAM主要应用在印制电路板的前制程,它通过,客户设计的电路图形及布局,在CAM软件上进行修改技术参数,测量走线,焊盘等的间距,ring

电子科技大学 集成电路原理实验模拟集成电路版图设计与验证 王向展

实验报告 课程名称:集成电路原理 实验名称:模拟集成电路版图设计与验证小组成员: 实验地点:科技实验大楼606 实验时间:2017年6月19日 2017年6月19日 微电子与固体电子学院

一、实验名称:模拟集成电路版图设计与验证 二、实验学时:4 三、实验原理 1、电路设计与仿真 实验2内容,根据电路的指标和工作条件,然后通过模拟计算,决定电路中各器件的参数(包括电参数、几何参数等),EDA软件进行模拟仿真。 2、工艺设计 根据电路特点结合所给的工艺,再按电路中各器件的参数要求,确定满足这些参数的工艺参数、工艺流程和工艺条件。 3、版图设计 按电路设计和确定的工艺流程,把电路中有源器件、阻容元件及互连以一定的规则布置在Candence下的版图编辑器内。并优化版图结构。 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理》课程设置及其特点而设置,为IC设计性实验。其目的在于: 1、根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路版图设计,掌握基本的IC版图布局布线技巧。 2、学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法,并进行版图的的设计与验证。 通过该实验,使学生掌握CMOS模拟IC版图设计的流程,加深对课程知识的感性认识,增强学生的设计与综合分析能力。 五、实验内容 1、UNIX操作系统常用命令的使用,Cadence EDA仿真环境的调用。

2、根据实验2所得参数,自主完成版图设计,并掌握布局布线的基本技巧。 3、整理版图生成文件,总结、撰写并提交实验报告。 六、实验仪器设备 (1)工作站或微机终端一台 (2)EDA仿真软件1套 七、实验步骤 1、根据实验指导书掌握Cadence EDA仿真环境的调用。熟悉版图编辑器Layout Editor的使用。了解基本的布局布线方法及元器件的画法。 2、根据实验2所计算验证的两级共源CMOS运放的元器件参数如表1所示,在版图设计器里画出相应的元器件,对V+、V-、V out、V DD、GND的压焊点位置合理化放置,通过金属画线将各个元器件按实验2的电路图合理连接,避免跳线。 表 1运放各器件版图参数

数字集成电路设计实验报告

哈尔滨理工大学数字集成电路设计实验报告 学院:应用科学学院 专业班级:电科12 - 1班 学号:32 姓名:周龙 指导教师:刘倩 2015年5月20日

实验一、反相器版图设计 1.实验目的 1)、熟悉mos晶体管版图结构及绘制步骤; 2)、熟悉反相器版图结构及版图仿真; 2. 实验内容 1)绘制PMOS布局图; 2)绘制NMOS布局图; 3)绘制反相器布局图并仿真; 3. 实验步骤 1、绘制PMOS布局图: (1) 绘制N Well图层;(2) 绘制Active图层; (3) 绘制P Select图层; (4) 绘制Poly图层; (5) 绘制Active Contact图层;(6) 绘制Metal1图层; (7) 设计规则检查;(8) 检查错误; (9) 修改错误; (10)截面观察; 2、绘制NMOS布局图: (1) 新增NMOS组件;(2) 编辑NMOS组件;(3) 设计导览; 3、绘制反相器布局图: (1) 取代设定;(2) 编辑组件;(3) 坐标设定;(4) 复制组件;(5) 引用nmos组件;(6) 引用pmos组件;(7) 设计规则检查;(8) 新增PMOS基板节点组件;(9) 编辑PMOS基板节点组件;(10) 新增NMOS基板接触点; (11) 编辑NMOS基板节点组件;(12) 引用Basecontactp组件;(13) 引用Basecontactn 组件;(14) 连接闸极Poly;(15) 连接汲极;(16) 绘制电源线;(17) 标出Vdd 与GND节点;(18) 连接电源与接触点;(19) 加入输入端口;(20) 加入输出端口;(21) 更改组件名称;(22) 将布局图转化成T-Spice文件;(23) T-Spice 模拟; 4. 实验结果 nmos版图

(完整版)工商管理专业毕业课程设计

课程设计 设计内容:森马公司的薪酬体系设计 所属课程:《薪酬制度设计》 设计时间:2013年 12 月 5 日至2013年 12 月 25 日 学生姓名: 学生学号: 班级:

指导教师: 所在院(系):商学院工商管理系 2013 年 12 月 25 日

课程设计成绩评定表

森马公司薪酬体系设计 一、公司简介 浙江森马服饰股份有限公司是以虚拟经营为特色,以系列成人休闲服饰和儿童服饰为主导产品的品牌服饰企业,公司旗下拥有“森马”和“巴拉巴拉”两大服饰品牌。“森马”品牌创立于1996年,是中国休闲服饰行业的领先品牌,先后荣获中国驰名商标、中国名牌和国家免检产品等殊荣。“巴拉巴拉”品牌创立于2002年,是中国儿童服饰行业的领军品牌,也是首批荣登中国名牌榜单的童装品牌。 森马自创立以来,大胆采用虚拟经营模式,巧妙地采用“借鸡生蛋”的虚拟生产策略,在珠三角、长三角两大区域以及山东、湖北等地整合了160多家生产能力强大、技术力量雄厚、产品质量过硬的专业生产厂家,强强联合,实行订单化生产,通过服装产业链的垂直整合,建立了一套快速反应的供应链体系,构建成“大物流、大管理”的发展格局。同时强化品质管理,先后通过了ISO9001国际质量体系认证和ISO14001环境管理体系认证,使企业的质量管理直接与国际接轨。森马创立并发展了“小河有水大河满”的经营思想,坚持终端是最好的品牌传播渠道,推出了一系列双赢共赢的市场拓展政策,极大地

鼓舞了广大加盟商的投资热情,销售市场得到迅速扩大。到目前为止,森马在全国各地的销售网点已达5000多家。公司先后与法国PROMOSTYLE公司、韩国色彩协会、德国永恒力物流、北京用友软件、上海奥美广告、美世咨询、上海东华大学、浙江理工大学等一批国内外机构结成战略合作伙伴,成立设计开发中心和技术中心,始终致力于国际化与本土化、时尚与流行的完美结合。2009年又与世界顶级咨询公司--麦肯锡展开了深度合作,为森马制定了未来五年的战略发展目标,致力把森马、巴拉巴拉打造成为一个真正的民族品牌、世界品牌;在品牌提升上,森马全面导入“360度品牌管理”,分别从产品、声誉、顾客、卖场通道、视觉识别、形象等方面提升森马品牌影响力。2003年森马聘请香港小天王谢霆锋和香港美少女组合--TWINS 共同演绎“穿什么就是什么”的品牌休闲风格。2008年,森马又正式携手时下两岸三地最具人气的当红偶像--罗志祥和中韩两地超人气偶像团体--SuperJunior-M共同演绎“Neverthesame”的品牌风格,更好地传播森马崇尚年轻活力、炫耀青春本质的品牌主张。2009年,森马通过对消费者更深入地研究,对时下年轻人生活形态的洞察,将品牌定位作了重新梳理。广告语也正式从“穿什么就是什么”升级为“穿什么潮

共源级放大器的电路设计及版图实现

巢湖学院2014届本科毕业论文(设计) 共源级放大器的电路设计及版图实现 摘要 集成电路设计技术是现在信息时代的关键技术之一,当今的超大规模集成电路(VLSL)设计也已经离不开计算机辅助(CAD)。Tanner 就是CAD软件的一种,它是由Tanner Research公司开发的基于windows平台的用于集成电路设计的工具软件,该软件功能强大,从电路设计、分析模拟到电路布局都可实现。本设计就是基于tanner软件实现共源级放大器的电路图设计及版图绘制。共源极放大器是CMOS电路中的基本增益级。它是典型的反向放大器,负载可以是有源负载或者电流源。共源极放大器需要得到比有源负载放大器更大的增益。设计电流源负载共源极放大器对学习了解IC有着本质的帮助和提高,这是理论与实践的相结合。本论文主要设计三种情况的放大器电路,他们是电阻负载共源级放大器、二极管连接的负载的共源级放大器和电流源负载共源级放大器电路,通过这三种放大器的设计能让我们更好的使用共源级放大器。 关键词:共源级放大器;版图;Tanner Tools

共源级放大器的电路设计及版图实现 Circuit Design and Layout Implementation of the Dommon-source Amplifier Abstract IC design technology is now one of the key technologies of the information age, today's VLSI (VLSL) has been inseparable from computer-aided design (CAD). Tanner is a CAD software, which is based IC design software tools for windows platform, powerful functionality of the software developed by the Tanner Research, analog circuit design, analysis of the circuit layout can be realized. This design is the circuit diagram tanner common source software based amplifier design and layout drawing. Is a common-source amplifier circuit of the basic CMOS gain stage. It is a typical inverting amplifier, or the load may be an active load current source. Common-source amplifier needs to be greater than the active load amplifier gain. Design current source load common-source amplifier IC has to learn to understand the nature of the help and improve, which is a combination of theory and practice. This thesis amplifier circuit design three cases, they are a common source amplifier resistive load of source-level amplifier and a current source diode connected load of the load common source amplifier circuit, amplifier design by these three make us more Use good common source amplifier. Key word: CAD;TANNER;Common-source Amplifier

版图设计实验报告

版图设计实验报告 课程名称:集成电路版图设计 姓名: 学号; 专业;电子科学与技术 教师;老师

目录 (一)实验目的 (3) (二)实验步骤 (4) 1,搭建环境···································································································· 2,运用ic6151··························································································· 3,作图··········································································································· 4,Run DRC·························································································· 5,画原理图··························································································· 6,Run LVS········································································································(三)实验总结·················································································································

Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计毕业论文

论文题目: Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计 摘要 集成运算放大器是一种重要电子元器件,在电子产品中得到广泛应用,可作为误差放大器、比较器、滤波器等。理想的放大器应该无噪声、具有无穷大增益和输入阻抗、无穷小输出阻抗以及零失调电压等。 在这篇论文中,我本文主要研究了运算放大器电路的工作原理和版图设计,同时还了简要解了Bi-CMOS工艺步骤。运算放大器电路主要包括输入级、偏置电路、中间级和输出级,输入信号加载到输入级并在合适的偏置下通过输出级得到放大信号。版图设计主要是熟悉设计规则,布局布线合理美观,并要进行DRC验证和LVS 验证。Bi-CMOS工艺可满足现代大规模集成电路对器件性能的要求,特别适用于高压和大电流的功率电路,在今后的高性能集成电路中有很大的发展潜力。 通过本次毕业设计,我完成了一个增益为86dB,输出共模范围为3.5V,失调电压为6.5mV,摆率较小的放大器电路设计。绘制出了放大器的版图,并且通过了进行DRC验证和LVS验证。 关键词:放大器,电路,版图,工艺

Subject: Analysis and layout design of CMOS integrated OP Abstract Integrated operational amplifier is an important electronic components, it is used in electronic applications is very extensive currently, for example, it can be used as amplifiers, comparators, filters, etc. The ideal amplifier should without noise, has infinite gain and input impedance, infinite output impedance and zero offset voltage. In this paper, I mainly study the works of the op amp circuit principle and layout design, and also study briefly the solution of the Bi-CMOS process steps. The op amp circuit including the input stage, bias circuit, the middle stage and output stage. The input signal is loaded into the input stage and output stage amplifies the signal in the right bias. Layout design main is familiar with the design rules, the layout wiring reasonable and beautiful, and must carry on the DRC validation and LVS verification. Bi-CMOS technology to meet the requirements of modern LVSI device performance, especially suitable for high voltage and high current power circuit, there is great potential in future high performance integrated circuits. By the graduation project, I completed a gain of 86dB; the output common-mode range is 3.5V, the offset voltage of 6.5mV, smaller slew rate amplifier circuit design. Map out the territory of the amplifier, and through the DRC verification and LVS verification. Keywords: Amplifier, Circuit, Layout, Process

基于bandgap版图设计毕业论文

摘要 近年来随着IC设计要求的不断发展,集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节,它不仅关系到集成电路的功能是否正确,而且也会极大程度地影响集成电路的性能、成本。而集成电路中的bandgap可以在温度和电压不稳定的环境中保持稳定的参考电压,被广泛运用于比较器、A/D转换器等模拟电路及数模混合信号集成电路中,其性能直接影响整个系统的精度和性能。因此,bandgap版图设计的研究非常有意义。 本文基于Cadence 版图设计软件平台,采用XFAB0.6μm CMOS 工艺设计。设计的版图元件包括PMOS、NMOS、PNP三极管、电阻、电容。其中对差分放大器、电流镜、电阻等重要元件采用了匹配和对称的设计方法,考虑电气特性的版图设计技术;为防止闩锁效应,本设计还运用了保护环保护整个电路,提高了bandgap 电路的可靠性。 本设计对最终设计出的版图使用calibre验证工具进行LVS和DRC验证,并顺利通过验证。 关键字:版图;带隙基准电压源;Cadence;匹配;验证

ABSTRACT In recent years, along with IC design request of continuously development, IC layout are essential to achieve the design of integrated circuit manufacturing sectors, it is not only related to the IC's functions are correct, but also great extent affect IC performance and cost.But bandgap reference voltage of integrated circuit can keep stability in the unsteady environment of the temperature and the electric voltage of reference electric voltage, used extensively in comparison machine, A/D conversion machine etc. analog electric circuit and some mixture signal integrated circuit. Its function is directly influence the whole accuracy and function of system. Therefore, the research which take the layout design of the bandgap reference voltage is very meaningful. This text ,according to the design software of the Cadence about layout design, adopts XFAB0.6μm CMOS of design rule.The component of layout design include PMOS, NMOS, PNP, electric resistance, electric capacity. To the OP、current and resistance which are importance components adopt layout design technique of consideration electricity characteristic; To reduce latch-up, this design still uses guard ring to protect the whole electric circuit, improving the credibility of bandgap reference voltage. In the end, this design carried LVS and DRC of verification to the landscape used calibre verification tool that finally designs and passed a verification smoothly. Key Words: Layout; Bandgap reference voltage; Cadence; matching; Symmetry

集成电路版图设计_实验三习题

实验三: 1、反相器直流工作点仿真 1)偏置电压设置:Vin=1V;Vdd=2V; 2)NMOS沟道尺寸设置:Wnmos= ;Lnmos= ; 3)PMOS沟道尺寸设置:设置PMOS的叉指数为3,每个叉指的宽度为变量wf;这样Wpmos=3*wf;设置wf=Wnmos;Lpmos= ; 4)直流工作点仿真结果:Ids= ;Vout= ;NMOS工作在工作区域;PMOS 工作在工作区域;该反相器的功耗为; 2、反相器直流工作点扫描设置 1)偏置电压设置:Vin=1V;Vdd=2V; 2)在直流仿真下设置Wnmos= ;Lnmos= ;扫描参数为PMOS的叉指宽度wf,扫描范围为到;扫描步长为;仿真输出wf为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线; 观察wf对Vout的影响; 3)在上述步骤的基础上,记录输出电压Vout=1V时对应的PMOS的叉指宽度wf= ; 3、扫描反相器的直流电压转移特性 1)在上述步骤的基础上,记录Ids= ;该反相器的功耗Pdc= ; 2)扫描参数为Vin,扫描电压范围为到;扫描步长为;仿真输出Vin为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线;观察Vin对Vout的转移特性;结合理论分析在转移特性曲线上标出A、B、C、D、E五个工作区域; 3)扫描参数为Vin,扫描电压范围为到;扫描步长为;仿真输出Vin为横坐标、Ids为纵坐标的波形曲线;观察Vin对Ids的转移特性;结合理论分析反相器的静态功耗和动态功耗; 4、仿真反相器的瞬态特性 1)为反相器设置负载电容为; 2)设置Vin为Vpluse信号源,高电平为;低电平为;Rise time= ;Fall time= ; 周期为; 3)设置瞬态仿真stop time= ;step= ;maxstep= ; 4)观察仿真结果,该反相器的传输延迟= ;

相关文档
相关文档 最新文档