模拟电子技术复习 Microsoft Word 文档

（五）题型

1．根据二极管的开关条件判断二极管的工作状态，求输出信号及波形。

2．根据稳压管的特点，分析稳压管电路，求输出信号及波形。

3．利用图解分析、模型分析、微变等效电路分析法分析二极管直流、交直流电路。

例1．求图所示电路的静态工作点电压和电流。

解：（1）图解分析法联立方程Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ i D =f(u D)

将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上，如图所示，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。

（2）模型分析法

①理想二极管模型Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ

②恒压降模型设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ

例2．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。设二极管为理想的。解：分析方法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；

（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之

则截止。若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然

后再按以上方法分析其它管子的工作情况。

本题中： D2优先导通，此时， D1管子截止。ＶA0 = -4V。

例3．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。

解：图（a）中若输入正弦信号ＶI=20sinωt（V）：

在输入信号正半周，若ＶI<12V ，稳压管反向截止，Ｖo=ＶI；若ＶI ≥12V ，稳压管反向击穿，Ｖo=12V。

在输入信号负半周，若ＶI> -1.2V，稳压管截止，Ｖo=ＶI；若ＶI ≤-1.2V，稳压管正向导通，Ｖo=-1.2V。

图（b）中：在输入信号正半周，若ＶI<7.6V，稳压管反向截止，Ｖo=ＶI；若ＶI ≥7.6V 稳压管反向击穿，Ｖo=7.6V。

在输入信号负半周，若ＶI> -5.6V，稳压管截止，Ｖo=ＶI；若ＶI ≤-5.6V，稳压管正向导通，Ｖo=-5.6V。

例1．电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极

电流Ic。解：（1）当开关Ｋ置A，在输入回路ＩBＲb+ＶBE=Vcc，可得ＩB=Vcc/Ｒb=0.3mA

假设工作在放大区，则ＩC=β．ＩB=24mA，ＶCE=Vcc-ＩC．Ｒe< 0.7V，故假设不成立，三级管工作在饱和区。此时，ＶCE=ＶCES=0.3V，ＩC=Vcc/Ｒe=3mA

（2）当开关Ｋ置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，ＩC=βＩB=1.92mA

（3）当开关Ｋ置C，三级管工作在截止状态，ＩC=0

单元检测（二）

1、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在__区。

2、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类

型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。

3、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。

单元检测（二）答案

1.饱和 2．ebcNPN硅管 cbePNP硅管 cebPNP锗管 3. 放大、截止、临界饱和例4. 电路如图所示，已知三极管的β=100，

V BE=-0.7V，V cc=-12V，r bb1=200Ω

（1）试计算该电路的Q点；

（2）画出简化的H参数小信号等效电路；

（3）求该电路的电压增益AV，输入电阻Ri,

输出电阻Ro。

（4）若VO中的交流成分出现如图所示的失

真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？解：(1)ＩB=ＶCC/Ｒb=40μA ＶCE=-ＶCC+ＩC*ＲC=-4V

(2)步骤:画出放大电路的交流通路，三极管用小信号模型替代，得到放大电路的小信号等效电路。（注意受控电流源的方向）

(3)ｒbe=200+(1+β)26mA/ＩEQ =857ΩＡV=-β(ＲC//ＲL)/ｒbe=-155.6

Ri=Ｒb//ｒbe Ro=ＲC (4)因为ｖEB =-ｖi+ＶEB

输出波形对应ｖs正半周出现失真，即对应ｖEB减小部分出现失真，即为截止失真。减小Ｒb，提高发射结的电压，可消除此失真。

说明：分析这类问题时，要抓住两点：（1）发生饱和失真或截止失真与发射结的电压有关，发射结电压过大，发生饱和失真；过小，发生截止失真。

（2）利用放大电路交、直流共存的特点，找出发射结电压与输入信号之间的关系。

例5.图示场效应管放大电路的组态是（）

（1）共漏；（2）共源；（3）共栅；（4）差动放大

解：共源组态。因为输入信号加在T1管的栅极，输出信号取

自T1管的漏极，所以为共源组态。T2为有源负载，作为T1管的漏极电阻。

三、差分放大电路

概念：输出电压与输入电压之差成正比，又称差动放大电路。

㈠差分放大电路工作原理

1．电路特点：V1、V2参数对称，构成共射电路。有两个输入端，两个输出端。P79 2．分类：按输入和输出的方式分为：双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、单端输入单端输出。

3．工作原理

⑴静态分析静态是指无外输入信号时电路所处的状态。分析时，输入信号置零，即输入端短路。共用电阻Re在半电路中应等效为2Re。双端输出时，Uo=0。

⑵动态分析

1）差模信号与共模信号

共模信号是由一对幅值相等、极性相同的输入信号组成，即ui1=ui2。

差模信号是由一对幅值相等、极性相反的输入信号组成，即ui1=-ui2。

差模输入电压uid=ui1-ui2=2ui1 共模输入电压uic=ui1-ui2=0

2）差模输入与差模特性

①差模增益Aud：指差分放大电路差模输出电压uod对差模输入电压uid的比值，双端输出时Aud=uod/uid=2uo1/2ui1=Aud1=-βＲC/ｒbe ，单端输出时差模增益为双端输出时的一半。②差模输入电阻Rid：指差分放大电路从两输入端看进去所呈现的电阻，其值为两共射放大电路输入电阻之和，即Rid=2ｒbe。③差模输出电阻Rod：单端输出时，任一端的差模输出电阻即为共射放大电路的输出电阻；双端输出时，差模输出电阻为两共射放大电路输出电阻之和，即Rod=2ＲC。

3）共模输入与共模参数

①共模增益Auc：双端输出时，共模电压增益为0，因此，差分放大电路对差模信号有良好的放大能力，对共模信号有较强的抑制能力。

②共模抑制比K CMR：差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值，即K CMR=Aud/Auc，K CMR越大，抑制共模信号的性能越好。

4）作用：作为多级放大电路的输入级，抑制零点漂移。

零点漂移：当温度、电源发生变化时，各级静态工作点发生变化，产生工作点漂移。 5)抑制零点漂移的原理利用电路的对称性和发射级电阻Re或恒流源形成的共模负反馈。

4、题型差分放大电路的参数计算（差模增益Aud、差模输入电阻Rid、差模输出电阻Rod）例5．差分式放大器如图，已知 Vcc=6V，Rb=6KΩ，Rc=6KΩ，Re=5.1KΩ，ＶBE=0.7V，ｒbb'=700Ω，β=100。计算：（1）电路静态工作点（ＩCQ、ＶCEQ ）

（2）差模电压放大倍数。（3）差模输入电阻、输出电阻。

解：1.静态分析：静态工作点时ＶI1=ＶI2=0 ，即ＶB=0 。

发射极电位ＶE=-ＶBE =-0.7V射极电阻Re上电流ＩE=（ＶE+ＶEE）/Re =1.04mA 因为T1、T2对称性，所以ＩCQ1=ＩCQ2 =1/2×ＩE =0.52mA

ＶCEQ1 =ＶCEQ2 =ＶC -ＶE =(6-Rc.ＩCQ )-(-0.7)=3.58V

2.动态分析：求差模电压放大倍数

思路：首先画出差模信号工作时电路交流通路,Re电阻交流短接。

Avd =Vo/Vi= -βRc/(Rb+ｒbe)

ｒbe= ｒbb'+(1+β)26/ＩEQ =100+(1+100)26/0.52 =5.15K

所以，Avd=-84

3.求输入电阻及输出电阻

由交流通路可直接求得 Rid=2(Rb +ｒbe )=14.3K Rod=2Rc =1.2K

例6．若上题输出电压ｖo从C2取出，即ｖo =ｖC2 ，其它不变

求：（1）差模电压放大倍Avd数。（2）Rid及Rod

解：（1）Avd =1/2×βRc/(Rb+ｒbe)= 42 （2） Rid=2（Rb+ｒbe ）=14.3K

Rod=Rc=6K

㈡有源负载（带恒流源的）差分放大电路

1．电流源电路P83

⑴电路组成：分压式电流负反馈偏置电路的共射极电路--电流源电路。⑵符号:

⑶工作原理前提：三级管工作在放大区。I1>>Ib时，U BQ=R B2V CC/R B1+R B2 I EQ=(U BQ-U BEQ)/R E 电路参数一定，I C一定，不受R L影响,恒流。放大区时，Ib一定，Ic不变，Δic=0,动态电阻很大⑷改进的恒流源电路：①二极管补偿电路②比例型电流源③多路输出比例电流源

④镜像电流源⑤微电流源

2、具有恒流源的差分放大电路电流源具有直流电阻小而交流电阻大的特点，因此作为有源负载，用来代替Re，提高差分放大电路的共模抑制比。

3、问题（1）在差分式放大电路的射极电阻Re上是否要加旁路电容Ce？答：不能加。因为Re电阻对输入信号的差模分量，其上电流的变化量为0，所以不必加旁路电容Ce。再者Re对输入信号的共模分量，形成较强的负反馈来抑制零漂，所以不能加旁路电容Ce。（2）在差分放大电路分析中，为什么要考虑信号源内阻Rs？答：差分式放大电路是直接耦合放大电路，输入端无耦合电容，Rs的不同会影响管子的静态工作点，Rs不同影响也不同。一般经常在信号源和输入管基极间接较大的电阻Rs。

四、功率放大电路

㈠功率放大电路

1．概念：能够向负载提供足够信号功率的放大电路，简称功放。

2．与放大电路的关系：无本质区别，只是功放不是单纯追求高输出电压、电流，而是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率。

3、分类①甲类放大：整个信号周期内，管子导通，导通角3600，I CQ较大

②乙类放大：只有半个信号周期内，管子导通，导通角1800，I CQ=0

③甲乙类放大：大半个信号周期内，管子导通，3600>导通角>1800，I CQ较小

4、特点①甲类放大：输出波形失真小，管耗大，效率低，用于小功率放大

②乙类放大：功耗小，效率高，输出波形失真严重。

③甲乙类放大：功耗小，效率高，减小失真，广泛用于功率放大。

㈡乙类双电源互补对称功率放大电路（OCL）

1、电路的组成和工作原理P91

两个参数对称的异型管（一NPN型，一PNP型），都工作在乙类放大状态，一个在输入信号正半周期工作，另一个在负半周期工作，两电路输出加到同一负载上，从而在负载上得

到一个稳定完整波形。

2、输出信号U EQ=O，不用电容耦合—OCL电路。

因为是两个射极输出器，所以Uo=Ui,且Ro小，负载能力强，可提供较大输出功率。3、主要性能指标：1）性能指标的计算：①输出功率和最大不失真输出功率

输出功率:是指输出端变化的电压和电流有效值的乘积，

即Ｐo=Ｖo·Ｉo=(Ｖom·Ｉom)/2=(Ｖom)2/(2ＲL)

其中Ｖom和Ｉom分别表示输出电压和输出电流的交流峰值,R L为负载电阻。

最大不失真输出功率：当输入信号达到允许的最大值时，输出功率将达到“最大不失真输出功率”，即Ｐom=(Ｖcem·Ｉcm)/2=(Ｖcem)2/(2ＲL)≈（Ｖcc）2/（2ＲL）

其中Ｖcem和Ｉcm为相应量的峰值最大值。

②直流电源供给功率：是指一个周期内的平均功率。直流电源供给的功率，一部分转换为负载所需的交流功率，还有一部分被功率管消耗。

集电极平均电流Ic1=Ic2=1/2π∫IcmSinwtd(wt)= Icm/π

两个电源提供的总功率ＰDC= Ic1Ｖcc+Ic2ＶEE=2Ｖcc Icm /π，Ｐom时，ＰDC= 2Ｖcc2 /πＲL

③转换效率：η=Ｐo/ＰDC=πＶom/(4Ｖcc)在理想情况下,当Ｖom=Ｖcc时，效率为78.5%。

④管耗：ＰT=ＰT1 +ＰT2=ＰDC -Ｐo=2(ＶCC·Ｖom/π-Ｖom·Ｖom/4)／ＲL

4、功率管的选择⑴最大管耗与最大输出功率关系每一功率管集电极最大允许管耗ＰCM >0.2 Ｐo(max)。⑵管子的Ｖ（BR）CEO >2Ｖcc。

⑶导通的最大电流Ｉom(max)=Ｖcc/ＲL，所以管子的集电极允许电流ＩCM>Ｖcc/ＲL 。

㈢甲乙类互补对称功率放大电路

1、交越失真由于三极管输入特性有门槛电压，在输入信号的一个周期内，互补的两管轮流导通时，基极电流=0的附近区域内出现失真，使输出电压、电流出现同样的失真——“交越失真”。

2、甲乙类双电源互补对称功率放大电路

电路组成及电路工作原理：给两管的发射结加一个合适的

偏压，使它们静态时处于微导通状态，轮流导通，电路工作在

甲乙类，减小交越失真。

㈣甲乙类单电源互补对称功放（OTL）

1.电路组成及分析：它与OCL电路的根本区别在于输出端

接有大电容C。就直流而言，只要两管特性相同，Ｋ点的电位ＶK=Vcc/2，而大电容C 被充电到ＶC=ＶK=Vcc/2 。就交流而言，只要时间常数;R L C比输入信号的最大周期大得多，电容上电压可看作固定不变，而C对交流可视为短路。这样，用单电源和C 就可代替OCL电路的双电源。T1管上的电压是Vcc 与V K之差，等于Vcc/2 ，而T2 管的电源电压就是0与ＶK之差，等于Vcc/2 。OTL电路的工作情况同OCL电路。但在用公式估算性能指标时，要用Vcc/2代替。

2.选管原则:(同双电源互补对称功放)原公式中Vcc用Vcc/2替代。

㈤复合管互补对称功放

1、复合管1）概念：两只或两只以上的三极管按照一定的连接方式组成一只等效的三极管。2）类型：同第一只三极管。输出电流、饱和压降：由最后的三极管决定。

2、复合管互补对称放大电路举例（略）

㈥题型

1、失真的判断

2、输出功率和效率的估算

3、复合管的判断

例7设电路如图所示，管子在输入信号vi作用下，在一周期内T1和T2轮流导电约180，电源电压Vcc=20V，负载 RL=8Ω,试计算：

（1）在输入信号Vi=10V（有效值）时，电路的输出功率，管耗，直流电源供给功率和效率。（2）当输入信号Vi的幅值为Vim=Vcc=20V时，电源的输出功率，管耗，直流电源供给功率和效率。解：（1）Ｖi=10V 时Ｖim=14V ,Ｖom=14V

Ｐo=Ｖom×Ｖom/2ＲL=142/(2×8)=12.25W

ＰT1=(ＶccＶom/π-ＶomＶom/4) /ＲL =5.02W

η=Ｐo/Ｐv=12.25/22.29×100%=54.96%

（2）Ｖim=Ｖcc=20V Ｖom=20V

Ｐo=20×20/(2×8)=25W ＰT1=6.85W

Ｐv=31.85W η=78.5%

例8.单电源互补对称电路如图所示，设T1,T2的特性完全对称，Vi

为正弦波，试回答下列问题：（1）静态时，电容两端电压应是多少？

调整哪个电阻能满足这个要求？（2）动态时，若输出电压出现交越

失真，应调哪个电阻？如何调整？解：(1)Vc2=Vcc/2=6V，调R1或R3

可以满足。（2）交越失真，可以增大R2。

五、多级放大电路概念：两级或两级以上的基本单元电路连接起来

㈠多级放大电路的组成和性能指标

1、多级放大电路的组成1）输入级：与信号源相连接的第一级放大电路

2）中间级：输入与输出级之间的放大电路。输入级和中间级构成前置级，进行小信号放大

3）输出级：与负载相相连接的末级放大电路，进行大信号放大

2、级间耦合方式1）直接耦合：前级输出直接接后级输入。易产生零点漂移：静态工作点发生变化时，产生工作点漂移。前级的漂移被传至后级，并被逐级放大，即使输入信号为零，输出电压也会偏离原来初始值而上下波动--零点漂移。2）电容耦合：级间通过耦合电容连接

3、性能指标1）电压放大倍数Au

Au =UO/Ui=Uo1/Ui*Uo2/Uo1*Uo3/Uo2…*Uo/Uon-1 =Au1*Au2*Au3…Aun 即多级放大电路电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。

2）输入电阻Ri：由第一级求得的考虑到后级放大电路影响的输入电阻。即Ri=Ri1

3）输出电阻Ro：由末级求得的输出电阻。即Ro =Ron

4、题型求多级放大电路的参数电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro

例9.电路如图所示为一两级直接耦合放大电路，已知两三极管的电流放大倍数均为β，输入电阻为ｒbe，电路参数如图，计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

解：本放大电路

为一两级直接

耦合放大电路，

两级都是共集

电极组态。（1）

求电压放大倍

数ＡV=ＶO/Ｖi

画出放大电路的小信号等效电路。

ＡV1=ＶO1/Ｖi=（1+β）（Re1//RL1）/[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）]

ＡV2=ＶO/ＶO1=（1+β）（Re2//RL）/[ｒbe+（1+β）（Re2//RL）]

ＡV=ＶO/Ｖi=ＡV1*ＡV2

其中：RL1为第一级放大电路的负载电阻，RL1=ｒbe+（1+β）（Re2//RL）

（2）输入电阻Ri Ri=Ｖi/I i=Rb1//[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）

（3）输出电阻Ro Ro=Re2//[（ｒbe+Ro1）/（1+β）]

其中：Ro1为第一级放大电路的输出电阻Ro1=Re1//[（ｒbe+（Rb1//Rs））/（1+β）]

六、集成电路运算放大器（集成运放）

㈠集成运放

1、概念：是一种高差模放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直接耦合多级放大电路，是一种模拟集成电路。

2、组成：通常由输入级、中间级、输出级及偏置电路组成。P101

1）输入级：采用双输入差分放大电路构成，提高共模抑制比KCMR，提高输入电阻。

2）中间级：电压放大级，采用恒流源负载和复合管的差放和共射电路，提高电压增益。

3）输出级：功放级，采用甲乙类互补对称功放，提高带负载能力。

4）偏置电路：给各级提供静态偏置电流，由各种电流源电路组成。

3、分类：分为通用型和专用型两大类

㈡集成运放的电路符号及理想化条件1、电路符号2、集成运放特性的理想化

1）等效电路2）理想化条件：开环差模电压增益Aud→∞，Rid→∞,Ro→∞, KcMR→∞集成运放线性工作时，若uo为有限值，则uid=u--u+=uo/Aud→0

即u-≈u+------“虚短”而Rid→∞,则i-≈i+≈0------“虚断”

单元检测（三）

1、为保证共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证

|ＩCQ|≥_______，|ＶCEQ|≥_______。

2、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四组数据。找出其中错误的一组。

A. Ic=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37V

B.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62V

C. Ic=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96V

D.Ic=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V

3、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是____。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真

4、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻

RL，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？

A.可能使失真消失

B.失真更加严重

C. 可能出现波形两头都削平的失真。

5、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？

A.共射电路

B.共基电路

C.共集电路

6、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ, Rb2=6KΩ，Rc=2KΩ，

Re=3.3K Ω,Rl=2K Ω。电容C1，C2和Ce 都足够大。若更换晶体管使β由50改为100，ｒ

bb'约为0，则此放大电路的电压放大倍数____。

A. 约为原来的2倍

B.约为原来的0.5倍

C.基本不变

D.约为原来的4倍

7、对于如上图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？

A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]

B.-β[(Rc||RL)/rbe]

C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]

8、设图所示的的放大电路处于正常放大状态，各电容

都足够大。则该电路的输入电阻为____。

A. Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)]

B. Ri=Re||rbe

C. Ri=Re||{[rbe+(Rb1+ Rb2)] /(1+β)}

D.Ri=Re||[rbe/(1+β)]

9、一个放大电路的对数幅频特性如图所示.由图可知,

中频放大倍数|Avm|=_______, ｆL 为_______,ｆH 为

________,当信号频率为ｆL 或ｆH 时,实际的电压增益为 ________.

10、场效应管（FET ）的输入电阻比双极型晶体管（BJT ）的输入电阻_______。

11、场效应管属于_______控制型器件。

单元检测 (三)答案1. 1mA ，2V 2. D 错 3. 饱和失真 4. 可能使失真消失 5. 共射电

路 6.C 7．B 8. D 9. vm A =100 h f =0.1MHZ, l f =100Hz ,70.7 10．大 11．电压

单 元 检 测（四）

1.判断对错:（1）功率的放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。（√）

（2）功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作

用。（×）（3）功放中,输出功率最大时,功放管的损耗也最大。（×）（4）由于功率放大电路

中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。（√）（5）在输入电平为

零时,甲乙类功放电路中电源所消耗功率是两个管子静态电流与电源电压的乘积。（√）

（6）在OTL 功放电路中,若在负载8Ω的扬声器两端并接一个同样的8Ω

扬声器,则总的输出功率不变,只是每个扬声器得到的功率比原来少一半。

（×）

2.图所示电路工作在__乙_类，静态损耗为_ 0_；电路可能产生的最大输出

功率为__ Vcc 2

/2L R __。 3. 乙类放大器中每个晶体管的导通角是 180 ，该放大器的理想效率为78.5%_，每个管子

所承受的最大电压为_ 2Vcc __。

4． OCL 电路如图所示：

（1）调整电路静态工作点应调整电路中的

哪个元件？如何确定静态工作点是否调

好？

（2）动态时，若输出Ｖo 出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件，

怎样调才能消除失真？3）当Ｖcc=15V,RL=8Ω，ＶCES=2V,求最大不失真输出功率Pom?

5. OTL功放电路如图所示，已知ＶCES=1V，Vcc=20V，RL=8Ω

（1）静态时，电容C3两端电压是多少？调整哪个电阻能满足这个要求？

（2）求电路最大不失真功率？

（3）若电路输出电压为最大值Vom,对应输入信号Vi有效值约为多少？

R;

单元检测（四）答案1.√××√√×. 2. 乙; 0; (Vcc×Vcc)/2

L

3. 180; 78.5%; 2 Vcc.4．(1).调R1和R3 ; 直流Vo 是否为0. (2). 交越失真; 增

加R2. (3)Pom=10.6w. (4).Pcm=2.12w Vceo=30V Icm=1.6mA.

5. (1).Vc3=10V ; 调R1和R3 . (2). Pom=5W. (3).Vi=

6.4V

单元检测（五）

1、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路，最常见的问题是__________，

限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的

________来替代。

2、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd =_8_mV，共模输入电

压Vsc=__14_mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路

输出电压Vo=_-82.8_mV。

3、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。

4、差动放大电路抑制零点漂移的原理是____________________________。

5、选择填空（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为__ c ___。

a.可获得很大的放大倍数；

b.可使温漂小；

c.集成工艺难于制造大容量电容。

（2）通用型集成运放适用于放大__ b __。 a.高频信号；b.低频信号；c.任何频率信号

（3）集成运放的输入级采用差动放大电路是因为可以_ a ___。 a.减小温漂；b.增大放大

倍数；c.提供输入电阻（4）为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用_ a __。

a.共射放大电路；

b.共集放大电路；

c.共基放大电路

6、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型复合管时，图所示的abcd接法中，___ b __

是正确的。

7、图电路中，I＝1mA，则Ic3＝_______。

（1）1mA；（2）0.5mA；（3）0.3mA

8、双端输入，双端输出，差分式放大电路如图。

已知：静态时,Vc1=Vc2=10V,Vo=Vc1-Vc2=0，

求：（1）设|Ａvd|=100,Ａvc=0，Ｖi1=10mV,Ｖi2=5mV. 则|Vo|

为（d）a.125mV b.200mV c.250mV d.500mV

（2）设Ａvd=-10,Vi1=0.1V,Vi2=-0.1V, 则Vc1（对地）为

（a）,Vc2对地为（c） a.9V b.10V c.11V d.12V

（3）为提高电路的ＫCMR,Ｒe可用（b）代替。 a.大电容 b.电流源 C、电压源 d.断开

单元检测（五）答案 1.直接;零点漂移;恒流源. 2. 8;14;-82.8. 3.放大;抑制.

4.利用电路的对称性和发射极电阻的共模负反馈.

5.c,b,a,a.

6.b. 8.d,a,c,b.

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。

A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）

模拟电子技术基础期末复习详细总结

模拟电子技术期末复习详细总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人

模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础

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第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

模拟电子技术基础期末复习

一、填空 1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。 2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。 ３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。 ４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。 ５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。 ６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。 7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。 8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。 9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。 10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。 11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。 12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。 14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。 15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。 16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。 17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。 18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。 19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。 20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。 22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。级数愈多则上限频率越。 23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。 24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。 25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的

(精选)模拟电子技术综合复习题(有答案)

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

模拟电子技术期末考试

课程《模拟电子技术》 一、填空题（1分×30=30分） 1、在掺杂半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。 2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和 4、晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生 失真；静态工作点设置太高，将产生 失真。 5、理想集成运放组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ，这称为 。运放的两个输入端电流为 ，这称为 。 6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值，共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ，u i2=18mV 时， u id = mV ，u ic = mV 。 7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大电 路净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。 8、正弦波振荡器的振荡条件中，幅值平衡条件是指 ，相位平衡条件是 指 ，后者实质上要求电路满足 反馈。 9、电路如图所示，已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ，Ucc=15V ，RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。 10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。 二、选择题（2分×10=20分） 1、某晶体管的极限参数为：I CM =100mA ，U BR(CEO)=20V ，P CM =100mW ，则该器件正常工作状态为（ ） A I C =10mA U CE =15V B I C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V D I C =100mA U C E =15V 2、测得晶体管在放大状态的参数时，当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为（ ） A 80 B 60 C 75 D 90 3、射极输出器的输出电阻小，说明电路的（ ） A 带负载能力差 B 带负载能力强 C 减轻前级或信号源的负荷 D 增加前级或信号源的负荷 4、放大电路产生零点漂移的主要原因是： （ ） A 电压增益过大 B 环境温度变化 C 采用直接耦合 D 采用阻容耦合

模拟电子技术期末复习题及答案

《电子技术基础2》复习题 一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分） 1、N型半导体的多数载流子是空穴。（） 2、P型半导体的多数载流子是空穴。（） 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 （） 4、运算电路中一般引入负反馈。（） 5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。（） 9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（） 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（） 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。（） 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。（） 13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。（） 14、共发射极放大电路输出与输入反相。（） 15、共基极放大电路输出与输入反相。（） 16、共集电极放大电路输出与输入反相。（） 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。（） 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。（） 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。（） 22、运放的共模放大倍数越小越好。（） 23、运放的差模放大倍数越小越好。（） 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （） 26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（） 27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（） 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。（） 29、用于滤波的电容通常串联连接。（） 30、用于滤波的电容通常并联连接。（） 31、用于滤波的电感通常串联连接。（） 32、用于滤波的电感通常并联连接。（） 33、稳压管正常工作状态下，处于正向导通状态。（） 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。（） 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。（） 36、电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（）

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。

模拟电子技术基础试题及答案

自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案 一、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。 8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。 9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。 10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。 12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ 14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。 15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共30分） 1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（） A -6V B -9v C -12v 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分

别是（），该管是（）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高C输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声 三、分析计算题（共34分） 1、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通2）U AO=？（5分） 2、已知：电路如图所示Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。