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南京邮电大学模拟电子线路答案-黄丽亚_杨恒新_机械... 2

模拟电子线路作业题参考答案

第1章

1.1解：（1）0n ≈?21410cm 3- ，0p =?125.1610cm 3

- 。该半导体为N 型。（2）0p ≈14101?cm 3- 0n =?25.2610cm 3

-。该半导体为P 型。

1.3 解：（1）D I =53mA (2) D R =13.2Ω D r =0.49Ω 1.4解：（1）100==

L R E

I mA （2）93)(=-=L

on D R U E I mA （3）5.77)(=+-=

L on D R R U E I mA （4） 0I ≈-=或S I I

（5）E 增加，直流电流D I 增加，交流电阻

I U 下降。 1.6解：(1)在图(a)中，V 2导通，V 1截止，U 0＝5V 。

(2)在图(b)中，V 1导通，V 2截止，U 0＝0V 。 (3)在图(c)中，V 1、V 2均导通，此时有

V R R R R R E U 984.12

)051.0//1(42

6)//(432140=++?=++?=

1.7解：(1)在图(a)中：当u i ＞一

2.7V 时，V 管截止，u 0＝一2V ；当u i ≤一2.7V 时，V 管导

通，u 0＝u i +0.7。当u i ＝5sin ωt(V )时，对应的u 0波形如图答图1.7(a)所示。

(2)在图(b)中：当u i ＞1.3V 时，V 管截止，u 0＝u i ；当u i ≤1.3V 时，V 管导通，u 0＝1.3V 。其相应波形如答图1.7 (b)所示。

答图1.7

1.9解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝

2.3V。

u1、u2均为0时，u o＝一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。

答图1.9

1.10解：当u i≥5V时，V z击穿，u0＝5V。当u i≤一0.7V时，V z正向导通，u0＝一0.7V。

当一0.7V＜u i＜5V时，V z截止，u0＝u i。由此画出的u0波形如答图1.10所示。

答图1.10

1.11 解：（1）因为

Ω=-=+-=

400301022mA

)(I I U U R min L min Z Z max i min

式中，因m ax L R ∞→，所以min L I =0，22102020=?+=.U max i V Ω=+-=+-=45751251018mA

).(V

)(I I U U R max L min Zm Z min i max

式中 5.12800

max ==

L I mA,).(U min i 102020?-=V=18V 选择R 应满足：400Ω

(2) 当Ω=250L R 时，40250

==L I mA 。

当Z I 达到最大时，1710104030=+?+=++=.)(U R )I I (U Z L max Z max i （V ）当Z I 为min Z I 时，5141010405..)(U R )I I (U Z L min Z min i =+?+=++=（V ）即i V 的变化范围是14.5~17V 。

第2章

2.1

2.3题图（a ）3AX 为PNP 锗管，30.U BE -=V （正偏），74.U CE -=V （反偏），放大状态题图（b ）：e 结反偏，c 结反偏，截止状态题图（c ）：e 结正偏，c 结正偏，饱和状态题图（d ）：e 结开路，晶体管损坏 2.6解：（1）Q 1点：。点：0,502≈≈ββQ

0V 0.7V

硅

NPN -8V 0V -0.7V

硅

PNP 1V

3.7V

锗

PNP 9V 4.3V 锗NPN 4V

题图（a ）：

题图（b ）：

题图（c ）：

题图（d ）：

（2）

。

mW P V U CM CEO BR 330,40)(≈≈()。。因而管子处于截止状态中，由于在题图V U U ,U a CC C BE 120==< 2.7解：

题图（b ）：因0>BE U 而使发射结导通，假设管子工作在放大状态。则有

A R R I E

B BQ μβ25)1(7

.015=++-=

，mA I I BQ CQ 5.2==β，

V V U CEQ 7.0)(5.735.215>=?-=，故假设成立，管子处于放大状态。

题图（c ）：因0>BE U 而使发射结导通，假设管子工作在放大状态。则有

A I BQ μ71=，1.7=CQ I mA ，V V U CEQ 7.03.6)12(1.715<-=+-=

不可能，表明晶体管处于饱和状态。

2.9 []

[]V

R R I U U U mA R U I V

U R R R U C E CQ CC ECQ CEQ E RB CQ CC B B B RB 4.5)23.1(212(23

.13

.09.23.09.21215

4715

)1()22122-=+?--=+--=-==-=-=

=?+=+=

解：

（2）当R B1开路时，I BQ =0，管子截止。U C =0。当R B2开路时，则有

R R R U U U I I mA

R R U U I mA

R R U I C E

C sat CE CC C sat B B C E sat CE CC sat B E B CC B 1.723

.123

.012035.0100)23.1(3

.012)(066.03.1101473

.012)1(3.0)

()()

()(1=?+-=

++≈

>=?+-=

++==?+-=++-=

状态。此时，所以晶体管处于饱和因为ββ

=?+-?=+++=K R mA R R R U U I R B B E B BE CC CQ B 45423

.11013

.012100)1()3(1112＝由此解得开路时，由于当ββ

2.14 解：图（a ），输出信号被短路，不能进行电压放大。图（b ），输入信号被B C 短路，不能进行电压放大。图（c ），e 结零偏，管子截止，不能正常放大。

图（d ），e 结零偏，不能进行放大。

图(e)，会使e 结烧坏且输入信号短路，电路不能正常放大。图(f)，电路可以正常放大。

2.17解：（1）CC U 不变，BQ I 不变，故B R 不变。斜率变，故C R 变化，若C R 减小，移至Q '，

C R 增加，移至Q ''。

（2）负载线斜率不变，故C R 不变。CC U 变，BQ I 不变，故B R 变。若CC U ，B R 增加，工作点移至Q '，反之，CC U ，B R 下降，工作点移至Q ''。 2.18

解：（1）输出特性理想化，100=∞=∞=β,r ,U ce A 。（2）先求工作点 20100

50012

1=+=

++-=

B )on (BE C

C BQ R )(R U U I β（μA ）

，直流负载线C E C C CC CE I )R R (I U U 312-=+-=，取两点

()V U ,I ;mA I ,U CE C C CE 12040====，可得直流负载线如图

2.18（b ）中①线，工作

点Q(6=CEQ U V ，2=CQ I mA )，交流负载线的斜率为2

1-=-C R ，可得图2.18（b ）中②线（交流负载线）。

（3）此时直流负载线不变，仍如图2.14（b ）中①线，而交流负载线的斜率为1

//1-=-L C R R ，

如图2.18（b ）中③线。

+ u o

(a)

(b)

题图2.18

（4）为得最大om U ，工作点应选在交流负载之中点。将图2.18（b ）中③线（=L

=1k Ω）

平移使之与直流负载线①线的交点是此交流负载线之中点，即'

Q 点（3=CEQ 'U V ，

3'=CQ I mA ）。此时，om U =3V 。

调节B R 使μ30'

=BQ I A ，则()3

61010112

11030?+≈

++-=

?-B E B on BE CC R R )(R U U β，解得300=B R k Ω。

2.20解：（1）要求动态范围最大，应满足

mA I I mA I I I U R I U U U R I CQ

CQ CQ CQ CES C CQ CC CES CEQ L CQ 06.03

,37

.0212)20//2(====--=--=-='

β解得即

所以，Ω=-=-=

K I U U R BQ BE CC B 18806

.07.012

(2)由直流负载线可知：mA I V U K R V U CQ CEQ C CC 2,4,43

,12==Ω==

=。 Ω====='

K R R R R R L L L C L 3.1,

2//4//所以因为。

Ω=-=-===

K I U U R mA I I BQ BE CC B CQ

BQ 28304

.07.012,04.0502则而β

。 V U U om OPP 4)46(22=-?==。

2.23解：（1）计算工作点和e b r '、ce r 。

已知μ20=BQ I A ，则202.0100=?==BQ CQ I I β（mA ）

2229???

? ??

+-=???? ??

+-=-=CEQ C

L CEQ CQ

CC C CC CEQ U R R U I U IR U U (V) 由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容，负载电阻L R 与工作点有关。由上式解得52.U CEQ =Ｖ。而()312

1001.I U I U r CQ T EQ T e

b '===+=ββ（k Ω），502100===CQ A ce

I U r （k Ω）

（2）计算源电压放大倍数us A 。

先画出图2.23电路的小信号等效电路如下图所示。

693

.115.02

//2//50100////////';''-≈+-=+-=+?-=?=

e b S L c ce be S e b e b L C ce s i i o us r R R R r r R r r R R r U U U U A ββ （3）计算输入电阻i R 、输出电阻o R 。3.1'==e b i r R k Ω，2//=≈=C ce c o R r R R k Ω 2.27电路如题图2.27所示，BJT 的100=β，0'=bb r ，26=T U mA ，基极静态电流由电流源I B 提供，设μ20=B I A ，R S =0.15k Ω,2==L E R R k Ω。试计算i

u U U A 0

、i R 和o R 。电容C 对信号可视为短路。

解： 220100=?==BQ CQ I I β（mA ） 312

100.I U r CQ T e b '===β（k Ω）其小信号等效电路如图(b)所示。

()()()()3102221001311.//.R //R r R L E e b i '≈++=++=β（k Ω）

()()()()()()986

.03

.10215.0)

2//2(101//1//1//1'=+=

++++=+?+=?==L E e b S L E i S i

i L E s i i o s o us R R r R R R R R R R R R U U U U U U A βββ

+ U o

U 题图2.27

U o

R o

R i

(b)

用辅助电源法可求得输出电阻为 )(...//

r R //

R R e b S E o 'Ω≈+=++=414101

115021β

2.29解：其交流通路和小信号等效电路分别如图2.29（b ）和（c ）,则

()Ω=+==+=++≈

+++?≈?==

131//

.615.0013.02

//21//1//

1////β

βbe

E i S be L C S

E be E be

L C s i i o s o us r R R R r R R R r R r R r R R U U U U U U A 用辅助电源法可求得晶体管共基组态的输出电阻为 Ω==k R R C o 2 2.30

Ω==Ω==+=?='==

Ω=?+=+==+?-=+-==-=-==+?=+=

'K R R r R R r R U U A I r r V R R I U U mA

R U U I V U R R R U C be E i be L

i u CQ b b be E C CQ CC CEQ E BE B CQ CC B B B B 31651

838

.0//21//

5.89838

.03//3(5083865

.126

505026)2(75.3)32(65.112)(65.12

.04,415301215)1(00212βββ＝）解：

2.34

R v s

+ + v o

(b)

U s + (c)

图2.29

+ U o

解:（1）该电路的交流通路如图2.34(b)所示。

（2）[]

5.22)//()1(//'=?++=be E e b B i r R r R R βk Ω，

1251

5//5(500-?='-≈=

＝）be L

i u r R U U A β 5≈o R k Ω 2.36

解: (1)交流通路和直流通路分别如题图2.36(b)(c)所示

(2) V 1组成共基电路，V 2组成共射电路，信号与电路输入端、输出端与负载、级间均采用阻容耦合方式。

(3) R 1和R 2是晶体管V 1的基极偏置电路。R 1短路将使V 1截止。 (4) R E1开路，V 1无直流通路，则V 1截止。

第3章

3.1 解：FET 有JFET 和MOSFET ，JFET 有P 沟（GS U 只能为正）和N 沟（GS U 只能为负）之分。MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟（GS U 可为正、零或负），增强型P 沟（GS U 只能为负）和N 沟（GS U 只能为正）。

U o

(b)

3 E1

(c)

题图2.36

题图2.34

+ U o

(b)

图 (a)：N 沟耗尽型MOSFET ，DSS I =2mA,GS(off)3U =-V 。图 (b)：P 沟结型FET ，DSS I =-3mA , GS(off)3U =V 。

图 (c)：N 沟增强型MOSFET ，DSS I 无意义，51.U )th (GS =V 。

3.3解：图 (a)中，N 沟增强型MOSFET ，因为3=GS U V 2=>)th (GS U V ，

2=GD U V 2==)th (GS U V ，所以工作在恒流区与可变电阻区的交界处（预夹断状态）。

图 (b)中,N 沟耗尽型MOSFET ，5=GS U V 2)(-=>off GS U V ，

0=GD U V 2)(-=>off GS U V ，所以工作在可变电阻区。

图 (c)中，P 沟增强型MOSFET ，5-=GS U V 2-=<)th (GS U V ，

0=GD U V 2-=>)th (GS U V ，所以工作在恒流区。

图（d ）中，为N 沟JFET ，3-=GS U V 2)(-=

3.5解(1) ???????--=???

??-=R

I U U U U I I D SS GS off GS GS

DSS D 2

)(1 解得：V U ,V .U ,mA .I DSQ GSQ DQ 62182=-==

(2) ()?????-=-=D

GS )th (GS GS D I .U U U .I 684102

解得：167.6, 3.8, 5.97DQ GSQ DSQ I A U V U V μ=≈=

3.12 Ω

=≈Ω=+=+=-=?+?-=+'

-=K R R M R R R R R g R g A i m L m 10075.1300//1001000//33

.32

1110

11402135u 解：

第4章

4.1解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB ，即100倍，f H =106Hz, f L =10Hz （在f H 和f L 处，增益比中频增益下降30dB ），Hz BW 66101010≈-=。

(2)当()()()

()mV t sin mV t sin u i 4

61022010410?+?=ππ时，其中f =104Hz 的频率在中频

段，而Hz f 6102?=的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。

当()()()

()mV t sin mV t sin u i 4

102205210?+?=ππ时，f =5Hz 的频率在低频段，f =104Hz 的

频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。 4.3

(b) 题图4.3

()()的定义直接读出。

根据。也可直接从其波特图，故因为式为

故相应的频率特性表达它是一个单极点系统，＝，＝的渐进波特图可知：解：由T T T s /Mrad j

j s /Mrad ωωωβωω

ωω

βωβωβωβββ

β40010411001410006

0=≈?+=

其相频特性的近似波特图如图4.3(b)所示。

4.4解：（1）输入信号为单一频率正弦波，所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅度较大（为0.1V ）,经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100＝20V ，已大大超过输出不失真动态范围（U OPP =10V ）,故输出信号将产生严重的非线性失真（波形出现限幅状态）。

（2）输入信号为单一频率正弦波，虽然处于高频区，但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小，为10m V ,经放大后峰峰值为100×2×10＝2V ，故也不出现非线性失真。

(3) 输入信号两个频率分量分别为10Hz 及1MHz ，均处于放大器的中频区，不会产生频率失真，又因为信号幅度较小（10m V ）,故也不会出现非线性失真。

（4）输入信号两个频率分量分别为10Hz 及50KHz ，一个处于低频区，而另一个处于

中频区，故经放大后会出现低频频率失真，又因为信号幅度小，叠加后放大器也未超过线性动态范围，所以不会有非线性失真。

（5）输入信号两个频率分量分别为1KHz 和10MHz ，一个处于中频区，而另一个处于高频区，故信号经放大后会出现高频频率失真。同样，由于输入幅度小。不会出现非线性频率失真。 4.6

解：(1)高频等效电路如题图4.6(b)所示：

mS r g k r r e

m e e b 1001

,1'==

Ω==β

(1) 利用密勒近似，将C b’c 折算到输入端，即

()()()MHz ...C R f k .r R R r R pF

C C C pF C R R g C i '

S H 'bb S B e 'b 'S e 'b M i e 'b L C m M 7901040310502861

2150403303112

3≈????==

=+==+==+=-π

4.7

解：（1）高频等效电路如图4.7(b)所示。

+ U s

+ U s (a)

(b)

R D + U o

U o + R 0.9k +

(b)

U s

(1) 在图4.7(b)中，考虑C gd 在输入回路的米勒等效电容，而忽略C gd 在输出回路的米勒等效

电容及电容C ds ，则上限频率ωH 为 S

gd D m gs H R C R g C ])1([1

++=ω

第5章

5.2 解：图5.2是具有基极补偿的多电流源电路。先求参考电流R I ，

()815

0266..I R =+?---=

（mA ）

则 8.15==R I I （mA ） 9.01053==R I I （mA ） 5.42

4==R I I （mA ）

5.4 解:(1)因为电路对称，所以

mA ...R R .U I I I B E EE EE Q C Q C 52050

21527

062270221=+?-=+?-==

V ...U U Q C Q C 35315520611=?-==

Ω=?=?

=k ..I U r Q C T e 'b 5252

026

501β (2)差模电压增益

差模输入电阻：

差模输出电阻：Ω=Ω?==k k R R C od 2.101.522

(3)单端输出差模电压增益： single '()//11 5.1//5.15014.2222 2.5

C L ud B b e R R A R r β=-=-??≈-++ 共模电压增益：

. 2 2 ) 1 . 5 2 1

//( 1 . 5 50 2 1 // ' - ≈ + ? ? - = + - = e

b b

L C ud r R R R A β Ω = Ω + = + = k k r R R e

b id

9 ) 5 . 2 2 ( 2 ) ( 2 ' B

()single ()' 5.15.1

0.24122 2.5512 5.1

C L

uc B b e E

R R A R r R β

β=-=-=-+++++??

共模抑制比： d(single)CMR(single)c(single)

14.2

590.24

u u A K A =

= 共模输入电阻：()ic(single)'12524.7B b e E R R r R k β=+++=Ω 共模输出电阻：oc(single)C k 5.1R R ==Ω

(4)设晶体管的U CB =0为进入饱和区，并略去R B 上的压降。

为保证V 1和V 2工作在放大区，正向最大共模输入电压U ic 应满足下式：

U U R R U U U U U ic

on BE ic CC

ic 23 . 2 1 . 5 1

. 5 2 6

7 . 0 6 2 ) ( (max) < ? ? + - - = ? - - -

为保证V 1和V 2工作在放大区，负向最大共模输入电压U ic 应满足下式： ()60.7 5.3()ic EE BE on U U U V >+=-+=- 否则晶体管截止。

由上可得最大共模输入范围为 5.3 2.23ic V U V -<<

5.6

()()()

2212233331220121015

152010

50.7

22.1

21222626

(1)20051 1.51

506200

1.5

20010sin 2sin EE R R BE C E EQ C be bb CQ o C ud i i be ud i i R U U V

R R U U I I mA R I I mA r r K I U R A U U r u A u u t t V ββωω'-?===++--≈====

=?==++=+?=Ω

=-=-=--=-=-?-=解：（）

(2) ()()()V t sin mV t sin u u A u i i ud 12510200210+-=-?-=-=ωω 其波形如图所示。

(),

)()(4910961151020

1015

20)3(21211321ic 12113↑↓→↓→↓→↑→<<=?-=-=-=+?-=+=

be be Q E Q E C E R ic C CQ CC C EE B r r I I I I U R V

U V U V

R I U U V

R R U R U ）（应满足：－故共模输入电压

使得A ud 减小，而R id 增大。

5.8

解：略去V 3基极电流的影响，

()V

..U U U V R I U on BE C E C E

C 31470151551202

2023

2=-=-==?-=-=

即输出电压的静态电压为14.3。

略去V 3的输入电阻对V 2的负载影响，由图5.8(a)可看出，不失真的输出电压峰值为

V R I R I C E C C 5522

22=??==

。如根据线性放大计算， ()V t sin .u U I R u I U R u r R u i T

C C i Q

C T C i e 'b C o ωβββ421421212122====

很明显，输出电压失真，被双向限幅，如图5.8(b)所示。

5.9

-20V

(b)

(a) 1 -1

3 u o

(a) (b)

解：（1）由于U id =1.2V>>0.1V ,电路呈现限幅特性，其u 0波形如题图(b)所示。（2）当R C 变为 k 10时，u 0幅度增大，其值接近±15V ，此时，一管饱和，另一管截止。

第6章

6.1 试判断题图6.1所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。

（a ）级间交、直流串联电压负反馈

(b)级间交、直流串联电压负反馈

U i

R U CC

(c)级间交、直流串联电压负反馈

(d)级间交、直流串联电压负反馈

6.2试判别6.2所示各电路的反馈类型和反馈极性。

(a)级间交、直流电压并联负反馈

+ U s

U CC

U i

U o

R 3

(b)级间交、直流电压并联正反馈 6.3 近似计算：

f f 11

20% 1.8%111000.1

u u u u u u A A A A B A ??==?=++? 精确计算：f f f A A A -A A A 21

212111u u u u u u u u u

A B B ?==

-++

A A A A A A A 2121

(1)(1)(1)u u u u u u u u u u B B B ??=

=+++

f f A A A 121

1u u u u u u A A B ??=

+120 1.54%11200.1100=?=+? 6.7

I H

H MHz

2π2π

(1)1000(60)

1015.92A dB f ω==== ()I If I Hf I H MHz

61000

(2)90.9

110.011000

11115.9210175.12A A FA f FA f ===++?=+=??=

6.9(1) (a)第一级是电流负反馈， R o 高，第二级是并联负反馈，要求信号源内阻高，所以，电路连接合理。第一级是串联负反馈，要求 R S 越小越好。

(b)第一级是电压负反馈， R o 低，第二级是串联负反馈，要求信号源内阻低，所以，电路连接合理。第一级是并联负反馈，要求 R S 越大越好。

(2) (a)电路的输入电阻高，故当信号源内阻变化时，(a)电路的输出电压稳定性好，源电压增益的稳定性能力强。

U i

(3) (a)电路的输出电阻低，故当负载变化时，(a)电路的输出电压稳定性好，源电压增益稳定性能力强。

6.11级间交、直流电压串联负反馈;

为得到低输入电阻和低输出电阻，应引入级间交流电压并联负反馈；

将V 3的基极改接到V 2的集电极；将输出端的90kΩ电阻，由接在V 2的基极改接到V 1的基极。

6.13

运放A 1引入了交、直流电压串联负反馈；运放A 2引入了交、直流电压并联负反馈。

f1o123

R u u R R =

+ i f 1u u = o 12

33i 2211u u R R R A u R R +===+ o o f2550u u i R R -=

=- o 1o 1i2440u u i R R -== i 2f 2i i = o 5o14

2u u R

A u R ==- 35

12(1)u u u R R A A A R R ==-+

R 5

R 3

u f2

南邮模拟电子第7章集成运算放大器的应用习题答案

习题 1. 试求图题7.1各电路的输出电压与输入电压的关系式。 R 2 U i U U i2U i3U i4 （a ）（b ）图题7.1 解：(a)根据虚断特性 i 434U R R R u += +，o 2 11 U R R R u +=- 根据虚短特性-+=u u ，所以i 4 34 12o )1(U R R R R R U ++ = (b)当0i4i3==U U 时，电路转换为反相输入求和电路，输出 )( i22 3i113o12U R R U R R U +-= 当0i2i1==U U 时，电路转换为同相输入求和电路，输出 )////////)(//1(i46 456 4i365465213o34U R R R R R U R R R R R R R R U ++++ = 根据线性叠加原理，总输出为 o34o12o U U U += 2. 图题7.2为可调基准电压跟随器，求o U 的变化范围。 _ W 6V E =±15V 图题7.2 解：当可变电位器的滑动触头位于最下端时，+u 达最小，

V 69.063 .023.03 .0(min)=?++= +u ，当可变电位器的滑动触头位于最上端时，+u 达最大， V 31.563 .023.03 .02(max)=?+++= +u ，故o U 的变化范围为 5.31V ~V 69.0。 3. 试求图题7.3各电路的输出电压的表达式。 U o Ω U o R （a ）（b ）图题7.3 解：（a ）-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成，当i U 单独作用时，产生的分量为 i i 5.01 .0//9.9100010001 .0//9.91000U U ≈+++，当o U 单独作用时，产生的分量为 o o 005.02000 1000 1.0//20009.91.0//2000U U ≈?+，所以i o 5.0005.0U U u +=-，根据虚短、虚断特性，0==+-u u ，故i o 100U U -=。（b ）本题同时引入了正反馈和负反馈，该图中一定保证负反馈比正反馈强，故仍可用虚短和虚断特性。-u 由i U 、o U 两部分通过线性叠加而成，当i U 单独作用时，产生的分量为 i 212U R R R +，当o U 单独作用时，产生的分量为o 211 U R R R +，所以 o 211i 212U R R R U R R R u +++= -，根据虚短、虚断特性，o 434 U R R R u u +==+-，故 )/(2 11 434i 212o R R R R R R U R R R U +-++= 。 4. 电路如图题7.4所示。已知123410mV U U U U ====，试求o ?U =

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五２、在P 型半导体中,自由电子浓度Ｃ空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于３、本征半导体温度升高以后，Ｃ。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将Ａ。Ａ. 变窄Ｂ．基本不变 C. 变宽 D ．无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在Ｃ。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏Ｂ. 前者正偏、后者反偏Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者正偏８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ．增大 B ．不变 C. 减小 D. 都有可能９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０１0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为Ｄ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是Ｄ器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路１4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是Ｂ。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

数字电子技术基础课后答案全解

第3章逻辑代数及逻辑门【3-1】填空 1、与模拟信号相比，数字信号的特点是它的离散性。一个数字信号只有两种取值分别表示为0 和1 。 2、布尔代数中有三种最基本运算：与、或和非，在此基础上又派生出五种基本运算，分别为与非、或非、异或、同或和与或非。 3、与运算的法则可概述为：有“0”出 0 ，全“1”出 1；类似地或运算的法则为有”1”出”1”，全”0”出”0” 。 4、摩根定理表示为：A B ?=A B + ；A B +=A B ?。 5、函数表达式Y=AB C D ++，则其对偶式为Y '=()A B C D +?。 6、根据反演规则，若Y=AB C D C +++，则Y =()AB C D C ++? 。 7、指出下列各式中哪些是四变量A B C D 的最小项和最大项。在最小项后的（）里填入m i ，在最大项后的（）里填入M i ，其它填×（i 为最小项或最大项的序号）。 (1) A +B +D (× ); (2) ABCD (m 7 ); (3) ABC ( × ) (4)AB (C +D ) (×); (5) A B C D +++ (M 9 ) ; (6) A+B+CD (× ); 8、函数式F=AB+BC+CD 写成最小项之和的形式结果应为m ∑(3,6,7,11,12,13,14,15), 写成最大项之积的形式结果应为 M (∏ 0,1,2,4,5,8,9,10 ) 9、对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后（）内打对号，反之打×。（1）若X +Y =X +Z ，则Y=Z ；( × ) （2）若XY=XZ ，则Y=Z ；( × ) （3）若X ⊕Y=X ⊕Z ，则Y=Z ；(√ ) 【3-2】用代数法化简下列各式 (1) F 1 =1ABC AB += (2) F 2 =ABCD ABD ACD AD ++= (3)3F AC ABC ACD CD A CD =+++=+ (4) 4()()F A B C A B C A B C A BC =++?++?++=+ 【3-3】用卡诺图化简下列各式 (1) 1F BC AB ABC AB C =++=+ (2) 2F AB BC BC A B =++=+ (3) 3F AC AC BC BC AB AC BC =+++=++ (4) 4F ABC ABD ACD CD ABC ACD A D =+++++=+

数学实验答案-1

1.（1） [1 2 3 4;0 2 -1 1;1 -1 2 5;]+(1/2).*([2 1 4 10;0 -1 2 0;0 2 3 -2]) 2. A=[3 0 1;-1 2 1;3 4 2],B=[1 0 2;-1 1 1;2 1 1] X=(B+2*A)/2 3. A=[-4 -2 0 2 4;-3 -1 1 3 5] abs(A)>3 % 4. A=[-2 3 2 4;1 -2 3 2;3 2 3 4;0 4 -2 5] det(A),eig(A),rank(A),inv(A) 求计算机高手用matlab解决。 >> A=[-2,3,2,4;1,-2,3,2;3,2,3,4;0,4,-2,5] 求|A| >> abs(A) ans = （ 2 3 2 4 1 2 3 2 3 2 3 4 0 4 2 5 求r（A） >> rank(A) ans =

4 求A-1 《 >> A-1 ans = -3 2 1 3 0 -3 2 1 2 1 2 3 -1 3 -3 4 求特征值、特征向量 >> [V,D]=eig(A) %返回矩阵A的特征值矩阵D 与特征向量矩阵V , V = - + + - - + - + - + - + D = { + 0 0 0 0 - 0 0 0 0 + 0 0 0 0 - 将A的第2行与第3列联成一行赋给b >> b=[A(2,:),A(:,3)'] b = 《 1 - 2 3 2 2 3 3 -2

1． a=round(unifrnd(1,100)) i=7; while i>=0 i=i-1; b=input('请输入一个介于0到100的数字：'); if b==a ￥ disp('You won!'); break; else if b>a disp('High'); else if b