模拟电子技术学期授课进度计划

学期授课进度计划（2015 --- 2016学年度第二学期）

课程名称电子技术基础

授课班级

授课教师

审批签字

课时分配

模拟电子技术总结

模拟电子技术》院精品课程建设与实践 成果总结 模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性；是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课，而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及，它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。 我院模拟电子技术课程由原电子技术系首先开设，目前已建成由模拟电子技术、模拟电子技术基础实验、模拟电子技术课程设计三门课组成的系列课程。2002 年被列为学院精品课重点建设项目，2005 年获得学院教学成果一等奖。同年申报并获得四川省教学成果三等奖。 一、基本内容 1．确定课程在本科生基本素质培养中的地位和作用由于模拟电子技术课程的基础性和广泛性，使之在本科教育中起着重要的作用。通过学习，不但使学生掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能，而且由于本课程特别有利于学生系统集成的能力、综合应用能力、仿真能力的培养，可使学生建立以下几个观点，形成正确的认识论。 （1）系统的观念：一个电子系统从信号的获取和输入、中间的处理到最后的输出和对负载的驱动，各部分电路之间的功能作用、增益分配、参数设置、逻辑关系……都需相互协调、相互制约，只有不顾此失彼、通盘考虑、全面调试才能获得理想效果。 （2）工程的观念：数学、物理的严格论证及精确计算到工程实际之间往往有很大差距，电子技术中“忽略次要，抓住主要”的方法能引导学生的思维更切合工程实际。因而特别有利于学生工程观念的培养。 （3）科技进步的观念：电子技术的发展，电子器件的换代，比其它任何技术都快，学习电子技术可以让人深刻地体会到，在科学技术飞速发展的时代，只有不断更新知识，才能不断前进。学习时应着眼于基础，放眼于未来。 （4）创新意识：在阐述电子器件的产生背景、电路构思、应用场合等问题时特别具有启发性，电子电路可在咫尺之间产生千变万化，能够充分发挥学生的想象力和创造力，因而特别有利于创新意识和创新能力的培养。我们加强了场效应电路、集成电路和可编程模拟器件等新知识的介绍，拓宽了知识面，延续了所学知识的生命周期。 上述观念的培养，不仅为学生学习后续课铺平道路，而且培养了他们科学的思维方式和不断进取的精神，即使在工作后还会起作用，将受益一生。 2．创建先进科学的模拟电子技术课程教学结构电子技术学科是突飞猛进发展的学科，如何更好地解决基础与发展、基础知识与实际应用、理论与实践等矛盾，处理好知识的“博”新“”“深”的关系，建立先进和科学的教学结构，以适应不断更新的课程内容体系始终是我们改革的重点。 本课程建立起课堂教学、实验教学、网络教学和EDA 教学交叉融合的教学结构，如图所示。各教学环节各司其职，相辅相成，互相交融，实现“加强基础，注重实践，因材施教，促进创新”的同一个目标。

课程学期授课计划及教学进度表

许昌电气职业学院 课程学期授课计划及教学进度表 （20 —20 学年度第学期） 20 年月～月 课程名称： 课程类别： 系、年级：系级班级： 任课教师： 教研室：

许昌电气职业学院 课程学期授课计划及教学进度表 教研室主任（签名）：

许昌电气职业学院课程学期授课计划及教学进度表

教学形式：讲授、辅导、习题、实验、实操、社会实践、其它 许昌电气职业学院课程学期授课计划编写要求课程学期授课计划是课程教学具体实施过程的必备文件，是检查教学大纲的执行情况和督促教师完成学期教学任务的重要依据。为了保证授课计划的编制质量，特制定本要求。 一、“课程”包括以课堂教学为主的课程和各类实习、实训、毕业设计等实践性教学课程。包含课堂教学和课内实践环节(包含实验或课程设计)的课程合称为一门课程；根据应用能力培养需要单独开设的操作性课程也称为一门课程。其他各类按周安排的社会实践、实习、实训、毕业（设计）论文等实践教学环节均视为单独一门课程。前二类课程均需制订学期授课计划，含有实验的课程应另行编写实验指导书；后一类实践性教学环节应编写相应的实习大纲、实训大纲和毕业(设计)论文要求等规范性文件，其编写要求另文规定。 二、课程学期授课计划应根据课程教学大纲、校历、各系学期教学进程表、授课专业（班级）学生的情况进行编制，课程教学任务分几个学期完成时，应对大纲规定的教学任务进行周密的分解、协调、统筹安排到各个学期的授课计划中，避免安排有松有紧的现象。 三、课程学期授课计划的编制由各任课教师填写教务处编制的《许昌电气职

业学院学期授课计划及教学进程表》，由专业教研室主任签名确认，开学后两周内上报教务处备案。 四、同一课程由多位老师同时授课（如公共课）可根据任课教师共同研究该课程的教学内容和教学进度，统一编写。同一门课程由于授课对象不同，课时不同应分别填写不同的授课计划。 五、《许昌电气职业学院课程学期授课计划及教学进程表》的填写说明。 1.课程名称：课程名称应与专业教学计划中一致。 2.课程类别：指该课程在该专业课程体系中所占处的地位，如：专业课、专业基础课、公共基础课、专业选修课、公共选修课等。 3.计划学时：课程在专业教学计划中规定的学时，以一个班为准。 4..周次、时数：周次指第几教学周，时数指该周计划学时。 5..教学形式：在教学形式栏内填写相应项。 6.如果该表格的行数不够可自行添加，字体也可以自行调整。

模拟电子技术课题总结报告

《电子技术Ⅱ》课程设计 总结报告 姓名 学号 院系 班级 指导教师 2012年06月

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节。课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题、解决问题的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成3个项目的电路设计和仿真。完成该次课程设计后，应达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计 和仿真结果。 三、模拟电路的设计和仿真 1、单管放大电路的设计和仿真 1）原理图如图1-1 图1-1

2）理论计算 静态分析：在仿真电路中接入三个虚拟数字万用表，分别设置为直流电流表或直流电压表，如图1-2所示: 图1-2 测得A R U V I b BEQ cc BQ μ41.43=-= mA I I BQ CQ 925.3=≈ V R I V U C CQ CC CEQ 979.5=-=

图1-3 3）仿真分析 图1-4 静态工作点值

4）对比理论与仿真 图1-5 当i U =9.998mV 时，0U =783.331mV,A I i μ48.10=,则 3.78998.9331.7830 -=-==???i u U U A Ω=Ω=Ω==954954.0481 .10998.9k k I U R i i i 电路中负载电阻L R 开路，虚拟表测得V U 567.1'0 =，则 Ω=Ω?-=-=k k R U U R L 004.33)1783 .0567.1()1(0'00 观察单管共射放大电路仿真后，可从虚拟示波器观察到ui 和u0的波形图如上图所示，图中波动幅度较小的是ui 波形，波动幅度较大的是u0波形。由图可见，u0的波形没有明显的非线性失真，而且u0与ui 的波形相位相反。相比仿真的值要比理论的小，可能是电路的连接或仪器的不稳定造成的。 2功率放大电路的设计和仿真 1）原理图

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7.PN结 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 *PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术总结.

第一章、半导体 三极管的输入电阻Rbe 其中IE = (1+β)IB Rb’e = UT/IB (常温下UT=26mV ) 三极管的混合π模型 等效为 三极管工作状态

放大状态（发射结正偏，集电结反偏） 饱和状态（发射结正偏，集电结正偏） 截止状态（发射结反偏/0偏） 小结： BJT 由两个PN结组成，电流控制是它的主要特征。 BJT 具有放大作用的内部结构条件是： i.e区掺杂浓度要远大于b区掺杂浓度； ii.基区必须很薄。 外部条件是：e结正偏，c结反偏。 BJT 中三个电极电流关系 以i E为自变量时以i B为自变量时 三极管特征曲线表示其各级电流与各级间电压之间的定量关系 输入特征曲线玉二极管正向特征曲线相似。C结电压对输入特征曲线有一定影响，但C结为反向偏置时，这种影响很小，通常用一条曲线表示。 输出特征曲线可划分为三个区：饱和区；截至区；放大区。 放大电路中的三极管应工作在放大区。

三极管参数 β说明放大能力； I CBO、I CEO大小反映了其温度稳定性； f T、f B表示三极管的高频放大能力； I CM、BV CEO、P CM规定了管子工作时不允许超出的极限范围。

第二章、基本放大电路 放大器实质上是能量转换器，以较小的输入信号能量通过放大器件控制直流电源的能量，使之转换成较大的输出信号能量，为负载所获得。 1.对放大电路的要求 能放大：输出信号应大于输入信号(u,或i,或p) 不失真：输出应与输入呈线性关系，为使器件工作在线性放大区，必须加上合适的直流偏置。 2.放大电路中的至流量和交流量 3.两种器件对应两种放大电路 (BJT 和FET 放大电路) BJT 在放大电路中有共射、共集和共基三种组态 FET 在放大电路中有共源、共漏和共栅三种组态 4.放大电路的分析方法（图解法、微变等效电路法） 5.放大电路的性能指标 直流：静态工作点Q ； C CQ CC CEQ BQ CQ b BEQ BB BQ R I -V =U βI =I R U -V = I

模拟电子技术总结

《模拟电子技术》院精品课程建设与实践 成果总结 模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性；是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课，而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及，它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。 我院模拟电子技术课程由原电子技术系首先开设，目前已建成由模拟电子技术、模拟电子技术基础实验、模拟电子技术课程设计三门课组成的系列课程。2002年被列为学院精品课重点建设项目，2005年获得学院教学成果一等奖。同年申报并获得四川省教学成果三等奖。 一、基本内容 1．确定课程在本科生基本素质培养中的地位和作用 由于模拟电子技术课程的基础性和广泛性，使之在本科教育中起着重要的作用。通过学习，不但使学生掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能，而且由于本课程特别有利于学生系统集成的能力、综合应用能力、仿真能力的培养，可使学生建立以下几个观点，形成正确的认识论。 （1）系统的观念：一个电子系统从信号的获取和输入、中间的处理到最后的输出和对负载的驱动，各部分电路之间的功能作用、增益分配、参数设置、逻辑关系……都需相互协调、相互制约，只有不顾此失彼、通盘考虑、全面调试才能获得理想效果。 （2）工程的观念：数学、物理的严格论证及精确计算到工程实际之间往往有很大差距，电子技术中“忽略次要，抓住主要”的方法能引导学生的思维更切合工程实际。因而特别有利于学生工程观念的培养。 （3）科技进步的观念：电子技术的发展，电子器件的换代，比其它任何技术都快，学习电子技术可以让人深刻地体会到，在科学技术飞速发展的时代，只有不断更新知识，才能不断前进。学习时应着眼于基础，放眼于未来。 （4）创新意识：在阐述电子器件的产生背景、电路构思、应用场合等问题时特别具有启发性，电子电路可在咫尺之间产生千变万化，能够充分发挥学生的想象力和创造力，因而特别有利于创新意识和创新能力的培养。我们加强了场效应电路、集成电路和可编程模拟器件等新知识的介绍，拓宽了知识面，延续了所学知识的生命周期。 上述观念的培养，不仅为学生学习后续课铺平道路，而且培养了他们科学的思维方式和不断进取的精神，即使在工作后还会起作用，将受益一生。 2．创建先进科学的模拟电子技术课程教学结构 电子技术学科是突飞猛进发展的学科，如何更好地解决基础与发展、基础知识与实际应用、理论与实践等矛盾，处理好知识的“博”“新”“深”的关系，建立先进和科学的教学结构，以适应不断更新的课程内容体系始终是我们改革的重点。 本课程建立起课堂教学、实验教学、网络教学和EDA教学交叉融合的教学结构，如图所示。各教学环节各司其职，相辅相成，互相交融，实现“加强基础，注重实践，因材施教，促进创新”的同一个目标。 模拟电子技术的教学结构 （1）加强课堂教学的基础性，突出基本内容 基础性是指其具有广泛性和适应性，即本课程的基本概念、原理、法则及它们之间那

(完整版)模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。 3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。 4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。 5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 6、硅管Uo n和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。 7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。 8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。 9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开 关时在截止、饱和状态。三个极：基极B、发射极E和集电极C。二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用. 10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。 11、失真有三种情况: ⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。 ⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。 ⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。 1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。 共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。 共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相，所以又称同相器。 2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等，相位相反的输入电压。（是待放大的信号） 共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等，相位相同的输入电压。（是干扰信号） 差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。 共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。 差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。 共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。（电路完全对称时A uc =0） 共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比，电路越对称K CRM越大，电路的抑制能力越强。 3、差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即差分电路的用途：用于直接耦合放大器中抑 制零点漂移。（即以达到U I =0，U0=0的目的） 4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ，R0 。 功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。 5、多级放大电路的耦合方式有： 直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号； 耦合过程无损耗。常用于集成电路。但各级工作点互相牵连，会产生零点漂移。 阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。

授课计划及课程表

2019-2020学年第一学期南京大学信息管理学院研究生情报学专业（2019级） 授课计划及课程表 注：本学期上课时间：2019年9月2日（新生9月16日）至2019年12月29日（共17周）复习考试时间：2019年12月30日至2020年1月12日（共2周）

2019-2020学年第一学期南京大学信息管理学院研究生图书馆学专业（2019级） 授课计划及课程表 注：本学期上课时间：2019年9月2日（新生9月16日）至2019年12月29日（共17周）复习考试时间：2019年12月30日至2020年1月12日（共2周）

2019-2020学年第一学期南京大学信息管理学院研究生档案学专业（2019级） 授课计划及课程表 注：本学期上课时间：2019年9月2日（新生9月16日）至2019年12月29日（共17周）复习考试时间：2019年12月30日至2020年1月12日（共2周）

2019-2020学年第一学期南京大学信息管理学院研究生出版学专业（2019级） 授课计划及课程表 注： 本学期上课时间：2019年9月2日（新生9月16日）至2019年12月29日（共17周） 复习考试时间：2019年12月30日至2020年1月12日（共2周）

2019-2020学年第一学期 研究生公共课 授课计划及课程表 注：硕士生英语-综合、硕士生英语-阅读、硕士生英语-听力以及硕士生英语-口语均为网上选课； 需要上硕士生英语的学生只需任选以上四门课程中的一门即可； 本学期上课时间：2019年9月2日（新生9月16日）至2019年12月29日（共17周） 复习考试时间：2019年12月30日至2020年1月12日（共2周）

《模拟电子技术基础》学习心得

《模拟电子技术基础》学习心得 自动化一班刘文杰20151506087 时间过得真快，为期一学期的《模拟电子技术基础》的学习就快结束了。还清晰记得开学初刚拿到这本书的时候，面对如此厚的一本书，彷佛感受到了今后学习的艰辛。刚开始接触时，感觉这门课真的很难，虽然时间花得比较多，但还是收效甚微。在后来的几个星期，我下定决心坚持预习，在自己的努力下，终于跟上了老师的思路和进度，收效与时间成正比。总的来说，感觉对这门课程的吸收还是比较理想的。 很高兴自己能够遇上如此负责的老师。每次上课听着老师亲切的声音和不间断的讲解，我都彷佛能够看到老师辛苦备课的情形。听了老师的课后，我对书中内容的了解更加清晰和深刻了，课后不用花很多时间来巩固，有种事半功倍的成就感。老师对作业的要求也使我获利不少，因为老师每次交作业后都会仔细讲解一番。我觉得这样自己能够更加积极主动地去对待作业，可以更加自由地支配作业、预习、巩固的时间，使时间的利用率最高。另一方面，我觉得老师不仅是传授我们知识，更是教我们如何做人，尤其是在守时和尊重人方面。要想获得他人的尊重，首先要学会尊重他人。 上完了这学期的《模拟电子技术基础》课，收获了很多，既扩充了自己的知识和思维，又懂得如何更加完善地做人。第一，掌握一些思考的方法，对待问题比较严谨。解决一个问题，应该选用正确的方法，否则将会很难甚至无法解决一

个问题。例如，在求不同组态负反馈的电压放大倍数时，不同组态有不同的方法，方法上必须要对应。对于同一问题的不同解法，尤其要注意方法的适用范围，在合适的范围内使用方法。例如，在用微变等效电路求解有关基本放大电路时，只有输入信号是低频小信号时才成立，否则会造成很大的误差甚至是错误。在分析一些比较复杂的问题时，要学会站在更高的层次看待问题，要学会模块化地分析问题而不局限于其中的每个元件。例如，在运算放大电路分析中，在掌握基本模块如反相比例运放、同相比例运放等的前提下，对一些较为复杂的电路，可利用叠加原理看成是这些基本模块的叠加，从而简化问题的分析。第二，对一些工程思想有了初步的认识。俗话说：人无完人。当然作为每个具体的电路，在具有优点的同时肯定具有缺点的。我们分析问题的时候，不能一味地钻牛角尖，幻想找到一个能够十全十美解决问题的方法。很多时候，我们可以根据实际的要求，作一些合理的近似。先主要考虑最主要因素的影响，而忽略一些次要因素的影响，然后再在主要因素主导的方向下，结合实际的要求考虑其他次要因素。这样做往往能很大程度上简化问题，但又不会产生很大的误差。最后，自己更加深刻体会到了守时的重要性。虽然我们不能驾驭时间，但时间观淡薄的人将不会有很大的成就。守时不是一种形式，而是一种态度！ 黑夜中的船因有灯塔而不会迷失方向，而我坚信：《模拟电子技术基础》课上的收获，将使我终生受用。

教学进度表(模板)

课程教学进度表（20 至20 学年第学期）课程名称 任课教师 授课班级 学院专业（□本科、□专科） 年月日

注意事项和要求 教学进度表是教师在备课基础上形成的教学进度计划，是由任课教师个人或课程组有关人员集体研讨，通过对所任课程本学期总的教学任务和要求、教学指导思想、教学改革措施以及学生基本情况的简要分析，确定课序、章节、教学周次、教学时数、课内外实践性教学环节的安排等。填写教学进度表的基本要求如下： 1．教学进度表内容必须按教学执行计划规定的学时数,课程教学基本要求及教学大纲的要求,结合授课班级学习情况、课表等编写。 2．教学进度表要求以授课一次的学时为单位填写教学内容，教学内容要具体到节。 3．实验课要写明实验名称，实验学时数；独立开设的实验课教学进度表中还必须写明实验内容。 4．习题课、课堂讨论等其他环节内容要在学时分配的“其他”栏中注明学时数，并在“教学内容摘要”中详细说明讲解内容。 5．多名教师上同一门课程的教学进度应在每学期开学初，根据教学大纲要求由教研室统一开会确定讲授内容范围，并各自写好教学进度表交教研室主任审核把关。 6．在国庆节等法定节假日中不应安排教学内容。 7．主讲教材写教材名称和作者。 8．教学进度表一式两份，一份于每学期开学第一周内交任课教师所在二级学院（部）存档备查，另一份任课教师本人留底。 9．教学进度表一经制定，不应出现大的变动，但允许主讲教师在完成课程教学大纲规定的教学要求前提下，进行必要的调整，以适应不断出现的新情况。如有变动，须经授课教师所属二级学院（部）负责人批准，并报教务处备案。各二级学院（部）在收取教学进度表时要严格把关，确保教学进度表的规范填写。

模拟电子技术课程总结

13级微电子模电课程小结 Chapter1 Diode 1.I-V Characteristics of Junction Diodes 2.Analysis of Diode Circuits (ideal or constant voltage drop) 3.Understanding basic rectifier circuits and related input/output waveforms 4.Zener diode circuit Chapter 2 Semiconductor physics 1.Understanding intrinsic semiconductor, extrinsic semiconductor, n-type, p-type, majority/minority carriers, donor, acceptor 2.Understanding basic theory of pn junction Chapter 3, 4, 5, 6 BJT 1.Current relationship 2.Three basic configurations (CE, CB and CC) and their basic characteristics 3.Transistor operation regions （Active/Cutoff/Saturation） 4.DC analysis of BJT Circuits 5.AC analysis of BJT circuits with r e model 6.Understanding the concept of lower and upper cutoff frequencies 7.Bode plot of 1st-order passive low/high-pass filter Chapter 7 1.Feedback concepts and types of negative feedback 2.Effects of negative feedback (gain/Rin/Rout/bandwidth) 3.Find out feedback and determine the type of feedback for practical feedback circuits Chapter 8-9 Operational Amplifiers 1.Understanding the concept of differential mode, common mode, and CMRR 2.Operation circuits 3.Basic active filters and their characteristics, understanding the cutoff frequency and can draw the bode plot for basic 1st-order active low/high/band-pass filters 4.Analysis of comparator circuit 5.Understanding the basic operation of Schmitt Trigger and why hysteresis is used Chapter 10 Power amplifiers 1.Understanding the definition and maximum power efficiency of class A, B, C and AB amplifiers 2.Calculation of power efficiency and power consideration of class A and class B power amplifiers Chapter 11-12 FETs

学科教学计划表格.模板

白土中学2015 -- 2016 学年度上学期 学科教学计划 科目：数学班级：八年级授课教师：初二数学组时间：9月8日

八年级是初中学习过程中的关键时期，学生基础的好坏，直接 影响到 将来是否能升学。有少数同学基础特差，问题较严重。在学 习态度上，绝大部分学生上课能全神贯注，积极的投入到学习中去, 少数几个学生对数学处于一种放弃的 心态，课堂作业，大部分学生 能认真完成，少数学生需要教师督促，这一少数学生也成为老师的 重点牵挂对象，课堂家庭作业，学生完成的质量要打折扣；学生的 学习习惯养成还不理想，预习的习惯，进行总结的习惯，自习课专 心致至学习的习 惯，主动纠正（考试、作业后）错误的习惯，比较多 的学生不具有，需要教师的督促才能做，行知说：教育就是培养习 惯，这是本期教学中重点予以关注的。 （一） 、学生通过探究实际问题，认识三角形、全等三角形、轴 对称、分式、整式乘除和因式分解，掌握有关规律、概念、性质和 定理，并能进行简单的应用。进一步提高必要的运算技能和作图技 能，提高应用数学语言的应用能力，通过对整式乘除和因式分解的 探究，培养学生发现规律和总结规律的能力，建立数学类比思想。 （二） 、掌握提取实际问题中的数学信息的能力， 并用有关的代 数和几何 知识表达数量之间的相互关系；通过探究全等三角形的判 定、轴对称性质进一步培 养学生的识图能力；通过探究多边形角和 定理的探索，培养学生的数学转化思想； 通过对整式乘除和因式分 解的探究，培养学生发现规律和总结规律的能力，建立数学类比思 想。 （三） 、通过对数学知识的探究，进一步认识数学与生活的密切 联系，明 确学习数学的意义，并用数学知识去解决实际问题，获得 成功的体验，树立学好数学的信心。体会到数学是解决实际问题的 重要工具，了解数学对促进社会进步和发展的重要作用。认识数学 学习是一个充满观察、实践、探究、归纳、类比、推理和创造性的 过程。养成独立思考和合作交流相结合的良好思维品质。 学 情 分 教 学 目

模拟电子技术课程设计心得体会

模拟电子技术课程设计心得体会 此次设计也让我明白了思路即出路，有什么不懂不明白的地方要及时请教，做课程设计要有严谨的思路和熟练的动手能力，我感觉自己做了这次设计后，明白了总的设计方法及思路，通过这次尝试让我有了更加光火的思路，对今后的学习也有莫大的好处。 一、设计目的 1、学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤， 培养综合设计与调试能力。 2、学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3、培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 1．电路图设计方法 （1）确定目标：设计整个系统是由那些模块组成，各个模块之间的信号传输，并画出直流稳压电源方框图。（2）系统分析：根据系统功能，选择各模块所用电路形式。 （3）参数选择：根据系统指标的要求，确定各模块电路中元件的参数。 （4）总电路图：连接各模块电路。 （5）将各模块电路连起来，整机调试，并测量该系统的各项指标。 （6）采用三端集成稳压器电路，用输出电压可调且内部有过载保护的三端集成稳压器，输出电压调整范围较宽，设计一电压补偿电路可实现输出电压从0 V 起连续可调，因要求电路具有很强的带负载能力，需设计一软启动电路以适应所带负载的启动性能。该电路所用器件较少，成本低且组装方便、可靠性高。 二、总体设计思路

1、直流稳压电源 直流稳压电源是一种将220V工频交流电转换成稳压输出的直流电压的装置，它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节才能完成。 直流稳压电源方框图 图2直流稳压电源的方框图 2、整流电路 （1）直流电路常采用二极管单相全波整流电路，电路如图3所示。° I i~2$-' ! 「一 图3单相桥式整流电路 3、滤波电路一一电容滤波电路 采用滤波电路可滤除整流电路输出电压中的交流成分，使电压波形变得平滑。常见的滤 波电路有电容滤波、电感滤波和复式滤波等。 在整流电路的输出端，即负载电阻RL两端并联一个电容量较大的电解电容C,则构成了电容滤波电路，如图5所示电路，由于滤波电容与负载并联，也称为并联滤波电路。 f\ (\ -------

教学计划及进度表培训讲学

陶厂关镇小学三（2）班语文教学计划 （2016～2017学年度第一学期）授课教师：张敏 一、学情分析 本学期我班共有学生人，其中男生人，女生人。大部分学生对语文的学习积极性较高，基础知识较 为扎实，对语言方面的知识较为敏感。部分学生可能较为内向或学习方法不当，对学习的信心有些缺乏。整个班 集体发展比较平衡。从总体上看，他们需要的是在老师的引导下较快的适应由低年级到中高年级的转变，树立正确的学习态度，把握准确的心里定位，找到更好的学习方法，养成健康的学习习惯，形成浓郁的学习气氛和积淀 丰富的知识经验；从个别上说，他们必须找到自我，就是在发展的过程中掌握适合自己的规律，改进和创新自己 的学习认识和方法，不断的和同学进行交流，在原有的基础上取得方方面面的进步。 二、教材分析 本册教材主要由“培养良好的学习习惯”，“课文”，“习作”和“练习”组成。 全册安排了8个单元，每个单元安排课文3~4篇，习作1篇，练习1个。全册安排课文24篇，所选的课文内容丰富，体裁多样，为学生学习语文知识，练好语文基本功，接受思想教育，提供了很好的材料。不仅能让学 生了解多方面的知识，接受多方面的教育，而且还能激发学生的阅读兴趣，扩大他们的阅读视野。 本册课本仍然采用“分流识字”的方法安排生字，共有生字372个，其中要求会写的226个，其他的只要求认识，不作考核要求。 本册课文篇幅短小，语言规范，便于学生进行朗读、背诵、复述、说话等训练。插图有助于学生理解课文内 容，培养其形象思维能力。 每篇课文后面的作业题一般安排了如下内容：一是朗读、背诵、默读、复述等常规训练，意在让学生认认真 真地读书，培养良好的预习习惯，继续培养语感，并增加其规范化语言的积累。二是要求学生用钢笔书写，让学 生扎扎实实地练习写字的基本功，三是读抄常用词语，复习巩固所学生字新词，也为今后的正确运用打好基础。 四是联系语境理解词语、句子，学习课文中常见的构段方式等。五是根据课文特点相机安排的“小练笔”。 三、教学目标 1. 学习习惯。 （1）继续掌握正确的读写姿势，并养成习惯；养成爱惜学习用品的习惯。 （2）继续培养积极发言、专心倾听的习惯。培养认真写钢笔字、毛笔字的习惯。 （3）继续培养勤于朗读背诵，乐于课外阅读的习惯。 （4）继续培养勤查字典，主动识字的习惯。 （5）培养认真写钢笔字、毛笔字的习惯。 2. 汉语拼音。 （1）继续巩固汉语拼音，利用汉语拼音帮助识字、学习普通话。 （2）能熟记《汉语拼音字母表》，认识隔音符号。 3. 识字写字。 （1）能正确认读377个生字。 （2）能按笔顺正确书写、默写生字231个。能按字的结构把字写端正、写匀称。 （3）练习用钢笔、毛笔写字，写得正确、端正、整洁。 4. 口语交际。 （1）能认真听别人讲话，听懂别人说的一段话和一件简单的事，能转述基本内容，能讲述课文所写的故事。 （2）能在看图或观察事物后，用普通话说几句意思完整，连贯的话。 （3）能就所听所读的内容，用普通话回答问题，做到语句完整，意思连贯。 （4）愿意与别人进行口语交际，态度大方，口齿清楚，有礼貌。 5. 阅读。 （1）继续练习正确、流利、有感情地朗读课文。能背诵指定的课文；能复述课文；会分角色朗读课文。 （2）继续学习默读课文，能不出声，不指读，初步能对课文中不理解的地方提出疑问。 （3）能联系语言环境和生活实际，理解常用词语的意思。

模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1．本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前 者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。 ·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下， 本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激 发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 +载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q +电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。 格中的空位，使局部显示q ·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失 的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平 衡状态。 2．杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半 导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。 ·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质 正离子对（空穴和杂质负离子对）。 ·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体 中的多子是空穴，少子是自由电子。 ·在常温下，多子>>少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两

少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si 的少子浓度远小于Ge 的少子浓度。 3．半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4．PN 结 ·在具有完整晶格的P 型和N 型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图1-8）。 ·PN 结是非中性区（称空间电荷区），存在由N 区指向P 区的内建电场和内建电压；PN 结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN 结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。 ·正偏PN 结（P 区外接高于N 区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN 结（P 区外接低于N 区的电压），在使PN 结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流S I 。即PN 结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。 ·PN 结的伏安方程为：/(1)T v V S i I e =-，其中，在T=300K 时，热电压26T V ;mV 。 ·非对称PN 结有P N +结（P 区高掺杂）和PN + 结（N 区高掺杂），PN 结主要向低掺 杂区域延伸（图1-9）。 二、二极管知识 ·普通二极管内芯片就是一个PN 结，P 区引出正电极，N 区引出负电极（图1-13）。 ·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si 管和Ge 管导通电压典型值分别是和；反偏时截止，但Ge 管的反向饱和电流比Si 管大得多（图1-15）。 ·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。