IR 25V DirectFET MOSFET

IR 25V DirectFET MOSFET

佚名

【期刊名称】《电子产品世界》

【年(卷),期】2006(000)09X

【摘要】国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低（Qg=12nC），有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但传导损耗低，导通电阻RDS（on）也很低，分别只有1．9mOhms和1．6mOhms。IRF6622采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积；而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。

【总页数】2页(P.32-33)

【关键词】IRF6622;MOSFET;栅极电荷;转换器;导通电阻

【作者】佚名

【作者单位】无

【正文语种】英文

【中图分类】TN791

【相关文献】

1.IR推出超低导通电阻的AC—DC同步整流MOSFET [J], 无

2.ST超结MOSFET帮助电桥和ZVS相移转换器实现更高效能 [J],