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高频电子线路(知识点整理)Word版

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高频电子线路重点

第二章 选频网络

一. 基本概念

所谓选频(滤波),就是选出需要的频率分量和滤除不需要的频率分量。 电抗(X)=容抗( )+感抗(wL) 阻抗=电阻(R)+j 电抗 阻抗的模把阻抗看成虚数求模 二.串联谐振电路 1.谐振时,(电抗) ,电容、电感消失了,相角等于0,谐振频率: ,此时|Z|最小

=R ,电流最大

2.当ww 0时,电压超前电流,相角大于0,X>0阻抗是感性;

3.回路的品质因素数 (除R ),增大回路电阻,品质因数下降,谐振时,电感和电容两端的电位

差大小等于外加电压的Q 倍,相位相反

4.回路电流与谐振时回路电流之比 (幅频),品质因数越高,谐振时的电流越大,比值越大,曲线越尖,选频作用越明显,选择性越好

5.失谐△w=w (再加电压的频率)-w 0(回路谐振频率),当w 和w 0很相近时, ,

ξ=X/R=Q ×2△w/w 0是广义失谐,回路电流与谐振时回路电流之比

6.当外加电压不变,w=w 1=w 2时,其值为1/√2,w 2-w 1为通频带,w 2,w 1为边界频率/半功率点,广义失谐为±1

7. ,品质因数越高,选择性越好,通频带越窄 8.通频带绝对值 通频带相对值 9.相位特性

Q 越大,相位曲线在w 0处越陡峭

10.能量关系

电抗元件电感和电容不消耗外加电动势的能量,消耗能量的只有损耗电阻。

回路总瞬时储能 回路一个周期的损耗

, 表示回路或线圈中的损耗。

就能量关系而言,所谓“谐振”,是指:回路中储存的能量是不变的,只是在电感与电容之间相互转换;外加电动势只提供回路电阻所消耗的能量,以维持回路的等幅振荡,而且谐振回路中电流最大。 11. 电源内阻与负载电阻的影响

Q L 三. 并联谐振回路 1.一般无特殊说明都考虑wL>>R ,Z )1(C

L ωω-

01

0=-=C L X ωωLC 10=ωCR R L Q 0

01

ωω=

=)

(j 0

0)()

(j 11ω

ψωω

ωωωe N Q =-+=Q

702ωω=??2

1)(2

=+=ξξN Q f f 0702=??Q

f f 1207.0=

?ξωωωωψ arctan arctan 00

-=???

?

??-

?-=Q ??? ?

?-+≈C L R C

L ωω1j ??? ??

-+=C CR ω1j C ω1-

+ –

C

V s

L

R

I s C L 2

222222

1cos 21sin 21sm sm sm V CQ t V CQ t V CQ w w w C L 22=+=+=ωω2

sm 02sm 21π2121π2CQV R V w R ?=??=ωQ

CQV V CQ w w w R C L ?=?=+π212

1π2212sm sm

每周期耗能回路储能π2 =Q 所以R

R R R Q L

S 0

=

反之w p=√[1/LC-(R/L)2]=1/√RC·√1-Q2

3.谐振时,回路谐振电阻R p= =Q p w p L=Q p/w p C

4.品质因数(乘R p)

5.当w0导纳是感性;当w>w p时,B<0导纳是容性(看电纳)

电感和电容支路的电流等于外加电流的Q倍,相位相反

并联电阻减小品质因数下降通频带加宽,选择性变坏

6.信号源内阻和负载电阻的影响

由此看出,考虑信号源内阻及负载电阻后,品质因数下降,并联谐振回路的选择性变坏,通频带加宽。

四. 串并联阻抗等效互换

1.并联→串联

Q=X s/R s

2.串联→并联

R p≈R s Q2X p=X s Q=R p/X s

3.抽头式并联电路

为了减小信号源或负载电阻对谐振回路的影响,信号源或负载电阻不是直接接入回路,而是经过一些简单的变换电路,将它们部分接入回路。

R L

(a) (b)

V

-

L

'

L

L

+

-

+

-

—L

'

L

V

L

-

+

-

考虑接入后等效回路两端电阻和输出电压的变化

第三章高频小信号放大器

一. 基本概念

1.高频放大器与低频放大器主要区别:

工作频率范围、频带宽度,负载不同;

低频:工作频率低,频带宽,采用无调谐负载;高频:工作频率高,频带窄,采用选频网络

2.谐振放大器又称(调谐)/高频放大器:靠近谐振,增益大,远离谐振,衰减

3.高频小信号放大器的主要质量指标

1)增益:(放大系数)

1

=

-

=

L

C

B

ω

ω

LC

1

p

=

ω

CR

R

L

Q

P

P

p

1

ω

ω

=

=C

R

L

R

p

p

p

ω

=

=

2

p

2

p

2

p

p

X

R

X

R

R

s+

=

2

p

2

p

p

2

p

s X

R

X

R

X

+

=

o

V

o

V

o

P

o

P

CR

L

()

L

s

p

p

L

1

G

G

G

L

Q

+

+

=

ω

??

?

?

?

?

+

+

=

L

p

s

p

p

1

R

R

R

R

Q

=

L

R

p

p

ω

=

p

Q

L

P

1

ω

L

2

1

R

p

R

L

=

'

V

V

p L

=

(2—3dB ,0.5—(-3dB ) 2)通频带 增益下降到 时所对应的频率范围为 3)选择性

从各种不同频率信号的总和(有用的和有害的)中选出有用信号,抑制干扰信号的能力 a )矩形系数 或 (放大倍数下降到0.1或0.01) K →1,滤除干扰能力越强,选择性越好

b )抑制比 表示对某个干扰信号f n 的抑制能力

4) 工作稳定性 不稳定引起自激 5)噪声系数

二.晶体管高频小信号等效电路与参数 1.形式等效电路(网络参数等效电路) h 参数系

输出电压、输入电流为自变量,输入电压、输出电流为参变量 z 参数系

输入、输出电流为自变量,输入、输出电压为参变量 y 参数系(本章重点讨论)

输入、输出电压为自变量,输入、输出电流为参变量

输入导纳 (输出短路) 输出导纳 (输入短路) 正向传输导纳 (输出短路) 反向传输导纳 (输入短路) yfe 越大, 表示晶体管的放大能力越强;yre 越大, 表示晶体管的内部反馈越强。

缺点:虽分析方便,但没有考虑晶体管内部的物理过程,物理含义不明显,随频率变化 参考书本62页例题 2.混合π等效电路

优点: 各个元件在很宽的频率范围内都保持常数。 缺点: 分析电路不够方便。

3.混合π等效电路参数与形式等效电路y 参数的转换 y ie =g ie +j ωC ie y oe =g oe +j ωC oe y fe =|y fe |∠φfe y re =|y re |∠φre

4.晶体管的高频参数 1)截止频率f β

放大系数β下降到β0的 的频率

2)特征频率飞f T

当β下降至1时的频率 ,当β0>>1时, 3)最高振荡频率f max

晶体管的功率增益为1时的工作频率

注意:f ≥f max 后,G p <1,晶体管已经不能得到功率放大。

f

A v 0 f 0

A

A v n

f n

7.01.01022f f

K r ??=?7

.001.0r0.0122f f K ??=n

n v v A A d =011i 2==V V I

y

021

r 1==V V I y 01

2f 2

==V V I y 2o =V V I y L oe fe re ie

i Y y y y y Y +-=L oe fe 1

2

Y y y V V A +-==?

?

?

v s ie fe re oe o Y y y y y Y +-=2

1

。β0T f f β≈β

T max f f f >>:频率参数的关系

Q f f 0

7

02=??2

1抑制比

β

ββf f j +=

1.012

0βT -=βf f

三.单调谐回路谐振放大器

1.电压增益

谐振时 匹配时

2.功率增益

1)如果设LC 调谐回路自身元件无损耗,且输出回路传输匹配 那么最大功率增益为 2)如果LC 调谐回路存在自身损耗,且输出回路传输匹配 引入扎入损耗K 1=回路无损耗时的输出功率(P 1)/ 回路有损耗时的输出功率(P ’1)= (其中 )

那么最大功率增益为 此时的电压增益为

3.通频带与选择性

(通频带)

选择性无论Q 值为多大,其谐振曲线和理想的矩形相差甚远,选择性差( >>1) 4.级间耦合看书76页例题

四.多级单调谐回路谐振放大器

1.放大器的总增益

2.m 级放大器的通频带

五. 谐振放大器的稳定性

1.稳定系数 g 2=g 1g 2)如果S =1,放大器可能产生自激振荡;如果S >>1,放大器不会产生

自激。 S 越大,放大器离开自激状态就越远,工作就越稳定。一般要求S=5~10, 2.单向化

什么是单向化:讨论如何消除y re (反向传输导纳)的反馈,变“双向元件”为“单向元件”的过程。 为什么单向化:由于晶体管内存在y re 的反馈,所以它是一个“双向元件”。作为放大器工作时,y re 的反馈作用可能引起放大器工作的不稳定。 如何单向化: 1) 失配法

信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配;晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管的输出阻抗匹配。

2

ie 22oe121p fe

21fe 210g p g p G y p p G y p p A P ++-='-=v 2

1max 2)(i o fe vo g g y A -

=等效变换

i o Po P P A =ie12ie 2)(g g A vo

=?????==ie2

2

21oe 21p 0

g p g p G ()1oe ie12fe

max P04g g y A =

?????=≠ie22

21

oe 21p 0

g p g p G 2

L )1(1

Q Q -

()()max 20L 20L oe1ie12

fe max )1()1(A Q Q y A -=-='2

1max 2||)(i o fe vo g g y A =)1(0Q Q L -L

07

.02Q f f =?10r ?K ()

n

A A A A A 1

n 21v v v v v =???=L

m Q

f f 017.0122-=?()单级7.01

212f m ?-=re

0fe 2

2S C y g ω=re

0fe

02A C S y ω=

v

注意:失配法以牺牲增益为代价换取稳定性的提高。

2) 中和法(不做讨论) 六.放大器中的噪声 1.内部噪声的来源于特点

由元器件内部带电粒子的无规则运动产生,大多为白噪声(在整个频域内,功率谱密度均匀分布的噪声;亦即:所有不同频率点上能量相等的随机噪声) 2.电阻热噪声

功率谱密度

噪声电压的均方值 噪声电流的均方值 {其中 波尔兹曼常数 T 为绝对温度(=摄氏温度+273),单位为K R(或G)为

n

f ?内的电阻(或电导)值,单位为Ω}

3.晶体管噪声

1)热噪声:主要存在于 (基区体电阻)内

2)散粒噪声(主要来源) 3)分配噪声

4)闪烁噪声(1/f 噪声)

4.场效应管的噪声(比晶体管低得多)

1)热噪声:由漏、源之间的等效电阻产生;由沟道内电子不规则运动产生。 2)散粒噪声:由栅、源之间PN结的泄漏电流引起。 3)闪烁噪声

七.噪声系数的表示和计算 1.信噪比

有用信号功率P s 与噪声功率P n 的比值→ 2.噪声系数:F n 反映了信号经过放大后,信噪比变坏的程度

输入信噪比与输出信噪比的比值 分贝 3.噪声温度T i =(F n -1)T

4.灵敏度

当系统的输出信噪比给定时,有效输入信号功率P ’si 称为系统灵敏度,与之相对应得输入电压称为最小可检测信号 P ’si =F n (kT △f n )(P ’so /P ’no )===lg P ’si =lgF n +lg(kT △f n )+lg (P ’so /P ’no ) 书上116页例题 5.等效噪声宽度

6.减小噪声系数的措施

选用低噪声元、器件;正确选择晶体管放大级的直流工作点;选择合适的信号源内阻R s ;选择合适的工作宽度;选用合适的放大电路;降低主要器件的工作温度

第五章 高频功率放大器

一.基本概念

1. 谐振(高频)功放与非谐振(低频)功放的比较 相同: 要求输出功率大,效率高 不同1:工作频率与相对频宽不同 不同2:负载不同

低频功放,采用无调谐负载;

()4S f kTR =24n n v kTR f =??2

4n n

i kTG f =??231.3810/,k J K -=?白噪声

/S N P P =S/N=SNR=信号功率/噪声功率//si ni

n so no

P P F P P =

()

10()10lg 10 n F dB n F d F B F ==P A +=?+n0n0P P 1II

n F =+

n0P P

高频功放,一般采用选频网络作为负载;新型宽带功放采用传输线作为负载。 不同3:工作状态不同

低频功放,工作于甲类(360度)、甲乙类或乙类(180度)(限于推挽电路)状态; 高频功放,一般工作于丙类(<180度)(某些特殊情况下可工作于乙类)。 二.工作原理

三.晶体管谐振功率放大器的折线近似分析法

1.为了对高频功率放大器进行定量分析与计算,关键在于求出电流的直流分量I c0与基频分量I cm1

2.动态特性——一直线

3.负载特性

结论:

欠压:恒流,V cm 变化,P o 较小,ηc 低,P c 较大

C

o o

=

P P P +=

=

P P C o

=率直流电源提供的直流功输出功率

η)()

()(C

o 集电极耗散功耗交流输出信号功率率直流电源供给的直流功P P P =C

o =P P P +=)(c 0max C 0C θαi I =)(c n max C cmn θαi I =0

c cm1c

1

)(I I g =θ)

()(c 0c

1θαθα=cm cm1p V I R =

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