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模拟电子技术基本概念复习题及答案

模电基本概念复习题

一、判断下列说法是否正确

1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。√×

2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P。×

3、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。×

4、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。×

5、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于

各输入电流之代数和。√

6、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。√

7、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。×

8、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。×

9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。√

10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。√

11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。×

12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。×

13、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫

无变化。×

14、共集电极电路没有电压和电流放大作用。√

15、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√

16、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。×

17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。×

18、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。×

19、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。×

20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。×

21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。×

22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。×

23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。√

24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。×

25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。

26、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若

V小于零，则i D＝0。×

27、若增强型N沟道MOS管的v GS大于开启电压V T，则输入电阻会明显变小。×

28、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零。√

29、耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。√

30、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏

相结合的偏置方式。√

31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。×

32、增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流i D必为零。√

33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电

路，其电压放大倍数为10000。×

34、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。√

35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。√

36、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。√

37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。√

38、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。×

39、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，

长尾电阻R e一概可视为短路。×

40、用电流源代替R e后电路的差模电压放大倍数增加。×

41、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端

输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。√

42、集成运放的输入失调电压V IO是两输入端电位之差。×

43、反馈量仅仅决定于输出量。√

44、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。√

45、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。×

46、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。×

47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。√

48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。×

49、共集放大电路A u<1，电路不可能有反馈。×

50、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。×

51、负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。×

52、负反馈可以抑制一切干扰。×

53、在深度负反馈条件下，A f＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。×

54、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。×

55、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。

√

56、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流

功率。√

57、输入信号越大，非线性失真也越大。交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为

严重。×

58、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。√

59、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作

用。×

60、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。×

61、复合管的类型取决于第一个管子的类型。√

62、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。√

63、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。×

64、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。×

65、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。×

66、在电压比较器中，其输出只有两种状态。√

67、在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。×

68、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是

工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。√

69、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。×

70、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。×

71、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。×

72、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。×

73、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。×

74、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。√

75、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。√

76、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。×

77、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。×

78、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。√

79、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。√

80、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。√

81、滤波是将交流变为直流。×

82、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的

一半。√

二、选择题

1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。

A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位

C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大

2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（A）。

A．反相输入端为虚地；B．输入电阻大；

C．电流并联负反馈；D．电压串联负反馈。

3、欲将方波转换为三角波，应选用（ D ）。

A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路

C．求和运算电路D．积分运算电路

4、当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A．增大B．不变C．减少

5、P型半导体主要靠（ B ）导电

A．正电荷B．空穴C．自由电子D．负电荷

6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。

A．温度B．掺杂工艺的类型

C．杂质浓度D．晶体中的缺陷

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。

A．变窄B．基本不变C．变宽D．不定

8、外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A ）。

A．增大B．减小C．不变

9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A）。

A．大B．小C．相等

10、对于稳压二极管，它正常工作时是处于（B ）状态。

A．正向导通B．反向击穿C．截止D．随外加电压变化而变化11、根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B＝－，V E＝－7V，V C＝－4V，可以判定此

晶体管是管，处于。（ D ）

A．NPN管，饱和区B．PNP管，放大区

C．PNP管，截止区D．NPN管，放大区

12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，

那么它的β约为（ C ）。

A．83 B．91 C．100

13、一个晶体管的极限参数为P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( A）

是正常工作状态。

A．U CE=3V，I C=10mA B．U CE=2V，I C=40mA

C．U CE=6V，I C=20mA D．U CE=16V，I C=30mA

14、测得放大电路中三极管的各极电位如图所示，则该三极管为( C ）。

A．NPN，硅管B．PNP，硅管

C．NPN，锗管D．PNP，锗管

15、在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是（B ）。

A．共射电路的R i最大B．共集电路的A V最小

C．共基电路的A V最小D．共射电路的R o最小

16、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为2KHz，20mV的正弦电

压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（ A ）。

A．饱和失真B．截止失真

C．频率失真D．交越失真

17、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电

压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是（ A ）。

A．饱和失真B．截止失真C．交越失真D．频率失真

18、图2所示共射放大电路，设静态时I CQ=2mA，晶体管饱和管压

降U CES=，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现

（）失真，其输出波形的( )将削去一部分。

A．饱和；底部B．饱和；顶部

3kΩ

(12V)

+CC

3kΩ

C ．截止；底部

D ．截止；顶部 19、在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时I CQ =2mA ，晶体管参数：β=100，

200bb r '=Ω，正弦交流输入电压i 0.022sin u t =ω，则交流输出u o 为（ A ）。

A ．o 22sin()u t ωπ=+

B ．o 22sin()u t ω=

C ．o 42sin()u t ωπ=+

D ．o 42sin()u t ω= 20、当一个NPN 三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式（ C ）。

A ． U

B >U E ；U B >U

C B ． U B

C ． U C >U B >U E

D ． V C

21、测得某三极管各极电流为Ｉ1＝ mA ，Ｉ2＝，Ｉ3＝－3 mA （电流方向流入为正）。则

各电极分别是（ C ）。

A ．①－e ，②－b ，③－c

B ．①－b ，②－c ，③－e

C ．①－c ，②－b ，③－e

D ．其它情况

22、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件

下对同一个电路测了四组数据。其中错误的一组是（ D ）。

A ．I C =，U i =10mV ，U o =

B ．I

C =, U i =10mV ，U o =

C ．I C =, U i =10mV ，U o =

D ．I C =2mA, U i =10mV ，U o =

23、某一工作在放大状态的电路，当输入电压为10mV 时，输出电压为7V ，输入电压为

15mV 时,输出电压为（以上均为直流电压）。它们的电压放大倍数为( C ）。

A ．700

B ． 100

C ．－100

D ． 433

24、如图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压u 0 波形不失真，则应

（ B ）。

A ．R C 增大

B ．R B 增大

C ．R B 减小

D ．β增大

25、

共射电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生（ C ）。 A ．交越失真 B ．饱和失真 C ．截止失真 D ．不能确定的失真

26、带射极电阻R e的共射放大电路，在R e上并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将

（B）。

A．减小；B．增大；C．不变；D．变为零。

27、放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k? 的负载电阻后输出电压降为3V，

这说明放大电路的输出电阻为（ C ）。

A．10k? B．2 k? C．1 k? D．k?

28、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入

（ C ）。

A．共射电路B．共基电路C．共集电路D．共集-共基串联电路

29、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内

阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）。

A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小

30、对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是( A ）。

A．输出电压与输入电压相位相同B．输入电阻，输出电阻适中

C．电压放大倍数大于1 D．电流放大倍数大于1

31、设图所示的的放大电路处于正常放大状态，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为

（D）。

A．Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)]B．Ri=Re||rbe

C．Ri=Re||{[rbe+(Rb1+ Rb2)] /(1+β)}D．Ri=Re||[rbe/(1+β)]

32、由两只β值相同且远大于1的NPN管组成的复合管，其复合管的β值约为（C ）。

A．β B．2β C．β2D．1+β

33、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时，图所示的abcd接法中，

___b____是正确的。

34、对于单管共射放大电路，当f＝f L时，v o滞后v i（ C ）。

A．90°B．45°C．135°D．180°

35、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。

A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体极间电容和分布电容的存在

C．半导体的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适

36、下列对场效应管的描述中，不正确的是（C ）。

A．场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；

B．场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；

C．场效应管工作时多子、少子均参与导电；

D．场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。

37、V GS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为（ C ）。

A．结型管B．增强型MOSFET C．耗尽型MOSEFT管D．BJT

38、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区

39、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（C ）决定。

A．管子类型B．g m C．偏置电路D．U GS

40、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频

响应（ B ）。

A．差B．好C．差不多

41、集成放大电路采用直接耦合的原因是( C )。

A ．便于设计B．放大交流信号

C．不易制作大容量电容 D ．克服零点漂移

42、图电路中，I＝1mA，则I C3＝（A ）。

A．1mA；B．；C．

K越大，表明电路（ C ）。

43、共模抑制比CMR

A．放大倍数越稳定；B．交流放大倍数越大；

C．抑制温漂能力越强；D．输入信号中的差模成分越大。

44、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。

A．环境温度变化引起参数变化B．增益太大

C．采取了直接耦合方式D．外界干扰

45、集成运放的互补输出级采用（），输入级采用（ B ）。

A．共基接法B．共集接法C．共射接法D．差分接法

46、集成运放中间级的作用是（ C ）。

A．提高共模抑制比B．提高输入电阻

C．提高放大倍数D．提供过载保护

47、差动放大电路的主要特点是( A ) 。

A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；

B 既放大差模信号，又放大共模信号

C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；

48、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ D ）。

A．增加一倍B．为双端输入时的一半C．不变D．不确定

49、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是( A ) ，而提高共模抑制比。

A．抑制共模信号B．抑制差模信号

C．放大共模信号D．既抑制共模信号又抑制差模信号

50、双端输入，双端输出，差分式放大电路如图。已知：静态时,V C1＝V C2＝10V，v O＝v C1

－v C2＝0，求：

（1）设|Ａvd|=100,ＡVC=0，Ｖi1＝10mV，Ｖi2＝5mV. 则|V o|为（ D ）。

A．125mV B．200mV C．250mV D．500mV

（2）设Ａvd＝－10，Ｖi1＝，Ｖi2＝－，则V C1为（A）,V C2为（C ）

A．9V B．10V C．11V D．12V

（3）为提高电路的ＫCMR，Ｒe可用（B）代替。

A．大电容B．电流源C．电压源D．断开

51、某差动放大电路如图，选择正确答案

（1）静态时，要使V o= 0，应调整元件是（A ）

A．R w B．R c C．R e D．R b

（2）差模放大时，开关S从1转至2，V o值变化是（ C ）

A．增大B．减小C．基本不变

（3）共模放大时，开关S从2转至1，实测共模放大倍数|Ａvc|值的变化是（B ）A．增大B．减小C．基本不变

52、为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用( A ) 。

A．共射放大电路；B．共集放大电路；C．共基放大电路53、欲将正弦电压移相+90°，应选用（ C ）。

A．反相比例运算电路 B ．同相比例运算电路

C ．积分电路D．求和电路

54、多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（B ）。

A．各级电路的参数很分散B．回路增益AF大

C．闭环增益大D．放大器的级数少

55、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（D ）。

A．电压放大倍数高B．输出电流小

C．输出电阻增大D．带负载能力强

56、在串联负反馈电路中，信号源的内阻（ B ），负反馈的效果越好。

A．越大，B．越小，C．越恒定，D．越适当

57、某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（ A ）。

A．电流串联负反馈B．电压并联负反馈

C．电流并联负反馈D．电压串联负反馈

58、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D ），则说明引入的是负反馈。

A电路稳定性变差B输出量增大

C 净输入量增大

D 净输入量减小

59、负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B ）。

A．输入信号所包含的干扰和噪声； B. 反馈环内的干扰和噪声；

《数字电路》期末模拟试题及答案

. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时，输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ．触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重新 B 2 B V CC Y 1

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分）第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的约为（）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案

74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数减法计数命题人：审题人：命题时间：系名专业年级、班学号姓名数字电子技术课程试题（卷）题号一二三四五六七八九十总分得分（请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分）一．选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ．半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（） 7．判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（） 8．施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（）三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。密线封 A B

数字电子技术模拟试题4

泰山学院课程考试专用《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟）一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有种取值，分别表示为和。 4、一个三态门如图1.4，当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为位。 6、若要构成七进制计数器，最少用个触发器，它有个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 8、A/D 转换的一般步骤包括、、和。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。

3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算：、和。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为。 A. cc V 3 1 https://www.wendangku.net/doc/7a12044106.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：和。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起失真，其输出电压的波形半周被部分削平。 6、直流稳压电源由、、及组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入才能正常进行工作。二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出（） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③

数字电子技术模拟试题及答案

《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：

4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是；在P 型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

数字电子技术模拟试题及答案

数字电子技术模拟试题及答案 Prepared on 24 November 2020

《数字电子技术》模拟试题一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为（1）。 2、“至少有一个输入为0时，输出为（2） ”描述的是与运算的规则。 3、（3）变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4）、（5）和（6）运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（7）加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入（8）电平。 7、RAM 的三组信号线包括：（9）线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（10）位。二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中（11）是异或门。图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是（12）。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器

5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分）表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一、填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、漂移电流是（ 3、所谓理想二极管，等效成断开； 1 分共 40 分）），反偏时（）电流，它由（就是当其正偏时，），所以 PN 结具有（）载流子形成，其大小与（结电阻为），等效成一条直线；）导电性。）有关，而与外加电压（当其反偏时，结电阻为（）。）， 4、三极管是（） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用反馈。控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（）、控制元件。），集电结（），发射结压降（）、（））。）。放大电路。）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数）BW 其中 BW=（）,（ AF= （）称为反馈深度。）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（极性相反的两个信号，称为（）信号。）信号，而加上大小相等、 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（）电源互补功率放大电路；、共集电极放大电路具有电压放大倍数（用在输入级，输出级或缓冲级。差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（称为（）失真，而采用 OTL 电路是（），输入电阻（），）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分共 30 分））类互补功率放大器。电源互补功率放大电路。输出电阻（）等特点，所以常）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。），未被调制的高频信号是运载信息的工具，），电路符号是（）。、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是该管是（）型。稳压时工作在）状态。）状态，但其两端电压必须（）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、）。 E 、波形不失真），此时应该（ E 、（PNP ））偏置电阻。 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

数字电路模拟题

题型分布：填空题2*9=18、选择题3*4=12、逻辑函数化简6+7+7=20、画波形10、分析与设计15+25=40 一、填空题 1、与非门的逻辑功能为。 2、数字信号的特点是在上和上都是断续变化的，其高电平和低电平常用和来表示。 3、三态门的“三态”指，和。 4、逻辑代数的三个重要规则是、、。 5、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器受到外触发时进入态 6、计数器按增减趋势分有、和计数器。 7、一个触发器可以存放位二进制数。 8、优先编码器的编码输出为码，如编码输出A 2A 1 A =011，可知对输入的进行编码。 9、逻辑函数的四种表示方法是、、、。 10、移位寄存器的移位方式有，和。 11、同步RS触发器中，R，S为电平有效，基本RS触发器中R，S为电平有效。 12、常见的脉冲产生电路有 13、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 14、常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路有、。 15、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：、。 16、寄存器按照功能不同可分为两类：寄存器和寄存器。 17、逻辑函数F== 18、触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态为，0状态为，可见触发器的状态指的是端的状态。 19、一个触发器可以记忆位二进制代码，四个触发器可以记忆位二进制代码。 20、主从JK触发器的特性方程。 21、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时序电路和时序电路。 22、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器受到外触发时进入态。 23、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 24、逻辑函数的化简有，两种方法。 25、组合逻辑电路没有功能。 26、主从JK触发器的特性方程，D触发器的特性方