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silvaco教程

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§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD

本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。

4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真

4.1.1 概述

本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括:

a. 创建一个好的仿真网格

b. 演示淀积操作

c. 演示几何刻蚀操作

d. 氧化、扩散、退火以及离子注入

e. 结构操作

f. 保存和加载结构信息

4.1.2 创建一个初始结构

1定义初始直角网格

a. 输入UNIX命令:deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。如图 4.1所示,点击File目录下的Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口;

图4.1 清空文本窗口

b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ;

图4.2 以“go athena”开始

接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。

c. 为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4.3所示。下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。

图4.3 调用ATHENA网格定义菜单

2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格

a. 在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0.1;

b. 在Comment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示;

c. 点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中;

图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后

d. 继续插入X方向的网格线,将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6,间距均为0.01。这样在X方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格,用作为NMOS晶体管的有源区;

e. 接下来,我们继续在Y轴上建立网格。在Direction栏中选择Y;点击Location栏并输入值0。然后,点击Spacing栏并输入值0.008;

f. 在网格定义窗口中点击insert键,将第二、第三和第四条Y网格线设为0.2、0.5和

0.8,间距分别为0.01,0.05和0.15,如图4.6所示。

图4.6 Y方向上的网格定义

g. 为了预览所定义的网格,在网格定义菜单中选择View键,则会显示View Grid窗口。

h. 最后,点击菜单上的WRITE键从而在文本窗口中写入网格定义的信息。如图4.7。

图4.7 对产生非均匀网格的行说明

4.1.3定义初始衬底参数

由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结构建立了一个直角网格系的基础。接下来需要对衬底区进行初始化。对仿真结构进行初始化的步骤如下:

a.在ATHENA Commands菜单中选择Mesh Initialize…选项。A THENA网格初始化菜单将会弹出。在缺省状态下,<100>晶向的硅被选作材料;

b.点击Boron杂质板上的Boron键,这样硼就成为了背景杂质;

c.对于Concentration栏,通过滚动条或直接输入选择理想浓度值为1.0,而在Exp栏中选择指数的值为14。这就确定了背景浓度为1.0×1014原子数/cm3;(也可以通过以Ohm·cm 为单位的电阻系数来确定背景浓度。)

d.对于Dimensionality一栏,选择2D。即表示在二维情况下进行仿真;

e.对于Comment栏,输入“Initial Silicon Structure with <100> Orientation”,如图4.8;

f.点击WRITE键以写入网格初始化的有关信息。

图4.8 通过网格初始化菜单定义初始的衬底参数

4.1.4运行ATHENA并且绘图

现在,我们可以运行ATHENA以获得初始的结构。点击DECKBUILD控制栏里的run 键。输出将会出现在仿真器子窗口中。语句struct outfile=.history01.str是DECKBUILD通过历史记录功能自动产生的,便于调试新文件等。

使初始结构可视化的步骤如下:

a.选中文件“.history01.str”。点击Tools菜单项,并依次选择Plot和Plot Structure…,如图4.9所示;在一个短暂的延迟之后,将会出现TONYPLOT。它仅有尺寸和材料方面的信息。在TONYPLOT中,依次选择Plot和Display…;

b.出现Display(二维网格)菜单项,如图4.10所示。在缺省状态下,Edges和Regions 图象已选。把Mesh图象也选上,并点击Apply。将出现初始的三角型网格,如图4.11所示。

现在,之前的INIT语句创建了一个0.6μm×0.8μm大小的、杂质硼浓度为1.0×1014原子数/cm3、掺杂均匀的<100>晶向的硅片。这个仿真结构已经可以进行任何工艺处理步骤了(例

如离子注入,扩散,刻蚀等)。

图4.9 绘制历史文件结构

图4.10 Tonyplot:Display(二维网格)菜单

图4.11 初始三角网格

4.1.5栅极氧化

接下来,我们通过干氧氧化在硅表面生成栅极氧化层,条件是1个大气压,950°C,3%HCL,11分钟。为了完成这个任务,可以在ATHENA的Commands菜单中依次选择Process 和Diffuse…,ATHENA Diffuse菜单将会出现。

a.在Diffuse菜单中,将Time(minutes)从30改成11,Tempreture(C)从1000改

成950。Constant温度默认选中(见图4.12);

图4.12 由扩散菜单定义的栅极氧化参数

图4.13 栅极氧化结构

b.在Ambient栏中,选择Dry O2项;分别检查Gas pressure和HCL栏。将HCL改成3%;在Comment栏里输入“Gate Oxidation”并点击WRITE键;

c.有关栅极氧化的数据信息将会被写入DECKBUILD文本窗口,其中Diffuse语句被用来实现栅极氧化;

d.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键继续ATHENA仿真。一旦栅极氧化完成,另一个历史文件“.history02.str”将会生成;选中文件“.history02.str”,然后点击Tools菜单项,并依次选择Plot和Plot Structure…,将结构绘制出来;最终的栅极氧化结构将出现在TONYPLOT中,如图4.13所示。从图中可以看出,一个氧化层淀积在了硅表面上。

4.1.6提取栅极氧化层的厚度

下面过DECKBUILD中的Extract程序来确定在氧化处理过程中生成的氧化层的厚度。

a.在Commands菜单点击Extract…,出现A THENA Extract菜单;Extract栏默认为Material thickness;在Name一栏输入“Gateoxide”;对于Material一栏,点击Material…,并

选择SiO~2;在Extract location这一栏,点击X,并输入值0.3;

b.点击WRITE键,Extract语句将会出现在文本窗口中;

在这个Extract语句中,mat.occno=1为说明层数的参数。由于这里只有一个二氧化硅层,所以这个参数是可选的。然而当存在有多个二氧化硅层时,则必须指定出所定义的层;

c.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键,继续进行A THENA仿真仿真。Extract语句运行时的输出如图4.14所示;

从运行输出可以看到,我们测量的栅极氧化厚度为131.347?。

图4.14 Extract语句运行时的输出

4.1.7栅氧厚度的最优化

下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100?,栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化,DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用:

a.依次点击Main control和Optimizer…选项;调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格。我们只改变最大误差参数以便能精确地调整栅极氧化厚度为100?;

b.将Maximum Error在criteria一栏中的值从5改为1;

c.接下来,我们通过Mode键将Setup模式改为Parameter模式,并定义需要优化参数(图4.16)。

图4.15 DECKBUILD最优化的Setup模式

图4.16 Parameter模式

需要优化的参数是栅极氧化过程中的温度和偏压。为了在最优化工具中对其进行最优化,如图4.17所示,在DECKBUILD窗口中选中栅极氧化这一步骤;

图4.17 选择栅极氧化步骤

d.然后,在Optimizer中,依次点击Edit和Add菜单项。一个名为Deckbuild:Parameter Define的窗口将会弹出,如图4.18所示,列出了所有可能作为参数的项;

图4.18 定义需要优化的参数

e.选中temp=和press=这两项。然后,点击Apply。添加的最优化参数将如图4.19所示一样列出;

图4.19 增加的最优化参数

f.接下来,通过Mode键将Parameter模式改为Targets模式,并定义优化目标;

g.Optimizer利用DECKBUILD中Extract语句的值来定义优化目标。因此,返回DECKBUILD的文本窗口并选中Extract栅极氧化厚度语句,如图4.20所示;

图4.20 选中优化目标

h.然后,在Optimizer中,依次点击Edit和Add项。这就将“栅极氧化”这个目标添加到了Optimizer的目标列表中去。在目标列表里定义目标值。在Target value中输入值100 ?(见图4.21);

通过在栅极氧化工艺过程中改变温度和偏压,Optimizer对栅极氧化厚度进行了优化。

i.为了观察优化过程,我们可以将Targets模式改为Graphics模式,如图4.22所示;

图4.21 在Target value中输入值100 ?

图4.22 Optimizer中的Graphics模式

j.最后,点击Optimize键以演示最优化过程。仿真将会重新运行,并且在一小段时间之后,重新开始栅极氧化这一步骤。优化后的结果为,温度925.727C,偏压0.982979,以及抽样氧化厚度100.209 ?,如图4.23所示;

为了完成最优化,温度和偏压的最优化值需要被复制回输入文档中。

k.为了复制这些值,需要返回Parameters模式并依次点击Edit和Copy to Deck菜单

项以更新输入文档中的最优化值,输入文档将会在正确的地方自动更新。如图4.24所示;

图4.23 最优化完成

图4.24 优化后的参数在正确的地方自动更新

4.1.8完成离子注入

离子注入是向半导体器件结构中掺杂的主要方法。在ATHENA中,离子注入是通过可在ATHENA Implant菜单中设定的Implant语句来完成的。这里要演示阈值电压校正注入,条件是杂质硼的浓度为9.5×1011cm-2,注入能量为10keV,tilt为7度,rotation为30度,步骤如下:

g.在Commands菜单中,依次选择Process和Implant…,出现ATHENA Implant菜单;

h.在Impurity一栏中选择Boron;通过滚动条或者直接输入的方法,分别在Dose和Exp:这两栏中输入值9.5和11;在Energy、Tilt以及Rotation这三栏中分别输入值10、7和30;默认为Dual Pearson模式;将Material Type选为Crystalline;在Comment栏中,输入Threshold Voltage Adjust implant;

i.点击WRITE键,注入语句将会出现在文本窗口中,如图4.25所示;

图4.25 阈值电压调整注入语句

参数CRYSTAL说明了对于任何解析模型来说,均使用一片硅单晶上的值域抽样统计值。

j.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键,ATHENA继续进行仿真,如图4.26所示;

图4.26 阈值电压调整注入步骤的仿真

4.1.9在TONYPLOT中分析硼掺杂特性

硼杂质的剖面形状可以通过2D Mesh菜单或TONYPLOT的Cutline工具进行成像。在2D Mesh菜单中,可以显现硼杂质的剖面轮廓线。另一方面,在二维结构中运行Cutline工具可以创建一维的硼杂质的横截面图。

首先,我们用图示的方法说明如何利用2D Mesh菜单去获得硼杂质剖面的轮廓线。

a.绘制历史文件“.history05.str”(阈值电压校正注入这一步骤后得到的历史文件),具体方法是,首先选中它,然后从DECKBUILD的Tools菜单依次选择Plot和Plot Structure;

b.在TONYPLOT中,依次选择Plot和Display…项,窗口Display(2D Mesh)将会弹出;

c.选择Contours图象画出结构的等浓度线;点击Define菜单并选择Contours…,如图4.27所示;

图4.27 调用TONYPLOT:Contour菜单

d.TONYPLOT:Contour弹出窗口将会出现。在缺省状态下,窗口中Quantity选项为Net doping,现在将Net doping改为Boron;点击Apply键,运行结束以后再点击Dismiss;

e.硼杂质的剖面浓度轮廓图如图4.28所示;

图4.28 离子注入后硼杂质的剖面轮廓图

接下来,我们要从硼杂质剖面二维的结构中得到一维的横截面图。具体步骤如下:

e.在TONYPLOT中,依次选择Tools和Cutline…项,弹出Cutline窗口;

f.在缺省状态下,Vertical图标已被选中,这将把图例限制在垂直方向;

g.在结构图中,从氧化层开始按下鼠标左键并一直拖动到结构底部。这样,一个一维

的硼杂质剖面横截面图,如图4.29所示。

图4.29 演示结构的垂直方向截面图

扬州职业大学(上)重修重考教学内容

扬州职业大学2007年(上)重修重考 考试日程安排表 一、主考:许晓宁副主考:王修德 巡考:张泰 考务:吴红刘红张群仇华兴冯植松(延考) 王正军 二、参考学生在开考前10分钟凭证件(职业大学学生凭重修通知单、考试证或学生信息卡)参加考试。如同一时间内遇重复科目采用延考方式。 三、监考教师在考前15分钟到教务处考务科领取试卷。 四、实践性环节课程由课程所在系部组织考核,课程所在系部考核后在6月1日前将考核成绩报教务处考务科复核。 实践性环节课程:机械制图大作业和计算机绘图(10人)、机械设计综合实践(5人)、机械制造技术综合实践(2人)、汽车电器综合实践(1人)、机械类毕业设计(4人)、数控综合实验(1人)、工业建筑设计(6人)、混凝土课程设计(3人)、施工组织设计(1人)、预算编制(1人)、砌体课程设计(2人)、民用建筑设计(5人)、建筑类毕业设计(1人)、轻纺类毕业设计(1人)、产品织造学课程设计(2人)、成衣工艺(6人)、化工原理课程设计(2人)、轻纺类生产实习(1人)、形象设计(2人)、扎蜡染手绘(2人)、服装设计(1人)、物理化学实验(2人)、结构纸样实训(1人)、电子工艺(2人)、万用表课程设计(1人)、电子节能灯(2人)、数字钟课程设计(2人)、调频调幅收音机(1人)、单片机应用设计(2人)、文字处理及办公软件应用(1人)、https://www.wendangku.net/doc/7f14842981.html,程序设计(3人)、VC++程序设计(3人)、网页制作课程设计(1人)、VB课程设计(1人)、计算机类毕业设计(1人)、管理类毕业论文(1人)、进出口业务实习(15人)、书籍装帧(1人)、字体设计(1人)、立体构成(1人)、室内平面图(2人)、外出写生(8人)、日语听说(1人)、英语语言能力训练(1人) 五、体育补考安排在5月30日下午3:00—5:00进行,参考考生凭重修通知单、考试证或学生信息卡到基础部体育教研室报到参加考核。 六、请各系部通知有改卷任务的教师,在5月30日(星期三)下午到教务处考务科阅卷,以便及时公布考生考试成绩。 七、如遇特殊情况,速与教务处吴老师联系。 八、监考日程表

CE傻瓜教程全九课

CE傻瓜教程一:基本操作 先简单介绍下什么叫CE,CE的全称是Cheat Engine,最新的版本是(作者是 Dark Byte)CE是目前最优秀的游戏修改器,不是之一,这个工具绝对值得你去学习(只要花一点时间就够了)。 忘记金山游侠,GM8,FPE之类的修改工具的吧,CE会让你爱不释手。 一、先下载CE ,这个汉化版相当不错哦(不需要安装),推荐各位下载使用。 二、打开CE目录下的2个文件: 三、附加进程(图示): CE傻瓜教程二:精确数值扫描

接着第一关的操作 按下一步进入教程第二关,需要扫描的精确数值是100 现在开始搜索精确数值 100 数值中输入100点击首次扫描按钮 一般游戏就是4字节,这里不需要改动,默认就好。 这次扫描我们得到 59 个结果,里面肯定有我们要找的那个血值,不过好像太多了。

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图示操作: 把 95 改成 1000 点击确定按钮

此时教程的下一步按钮变成可用 闯关成功。 操作虽然简单,但是大家需要明白这其实是一个筛选的过程,这样操作就能把地址找出来。本关的小技巧: 1、双击下图对应位置可快速更改数值。 2、双击地址可快速将其加入到地址栏 CE傻瓜教程三:未知初始数值 第3关的密码是 419482

这一关很重要,因为某些游戏中血显示的不是数字而是血条,这样的话教程2中的方法就失效了。 本关就你要教会你如何修改这些讨厌的未知数 此时点击新扫描然后选择未知初始数值 点击首次扫描然后出现了肯定是N多的结果,因为太多了,CE没有显示出来。 老办法,回到 Tutorial ,点击打我 ,CE会告诉你血量减了多少,比如-1

西安工程大学校史馆解说词 (新稿)

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silvaco安装教程

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关于2006~2007学年教学奖励的决定

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3 纺化系应用化学高介平 4 机电系计算机辅助电路设计陆旭明 5 服装系服装工艺吴如山 二.优秀教研室 一等奖:纺织品设计教研室(教研室负责人:王建平) 二等奖:染整教研室(教研室负责人:夏冬) 商务英语教研室(教研室负责人:宋雪霜) 电气自动化教研室(教研室负责人:曹建军)三等奖:纺织品检测教研室(教研室负责人:李南) 公共英语教研室(教研室负责人:蒋爱萍) 三.优秀实验室 二等奖:服装技术中心(实训中心主任:王晓红) 三等奖:染整实训中心(实训中心主任:岳仕芳) 四.优秀毕业设计(论文)指导教师奖 1.2006年江苏省本专科优秀毕业设计(论文)三等奖 论文:《大豆蛋白纤维漂白工艺探讨》指导教师:岳仕芳2.2006年江苏省本专科优秀毕业设计(论文)优秀团队论文:《棉织物活性染料染深性及色光稳定性的研究》指导教师:蔡苏英,占莉 3.院级优秀毕业设计(论文)指导教师奖: 一等奖1名: 夏冬 二等奖7名: 杨蕴敏臧珂曾红徐勇飞汪晓斌陆旭明 敬丽华 2

三等奖19名: 田恬黄艳丽徐红庄立新何彦肖海慧 顾剑柳张文明张宏伟杨波丁学华张瑞荣 刘子明胡才权高介平熊秋元陈捷刘耀先 曹建军 五.青年教师授课奖 二等奖:尹帮娟、陈小龙 三等奖:严美娴、张丽萍、刘俊丽、张静 六.2007年江苏省高等学校评优精品教材 《组态软件控制技术》主编:张文明 《服装设计》主编:曾红 七.纺织服装高等教育“十五”部委级优秀教材 《纺织品检验》主编:田恬 《染整工艺学(第三册)》蔡苏英、田恬主编 《服装设计》主编:庄立新 八.2007年江苏省高等学校立项精品教材: 《计算机网络技术应用与实训教程》主编:潘荷新 《纺织服装贸易》主编:王建平 《新体验实用英语》主编:王云霞 九.2007年江苏省高等学校大学生实践创新训练计划立项项目 项目学生指导教师 天然彩棉新产品设计研发及吕玲,陆利朱红 3

(完整版)cadence PCB 画图(傻瓜教程快速入门)

cadence 画 PCB 板傻瓜教程(转帖) 复制于某网站,谢谢。拿出来分享吧,希望对初学者能有帮助,可以很快了解 Cadence 的使用,谢谢共享者。 一.原理图 1.建立工程 与其他绘图软件一样,OrCAD 以Project 来管理各种设计文件。点击开始菜单,然后依次是所有程序—打开 cadence 软件—》一般选用 Design Entry CIS,点 击Ok 进入Capture CIS。接下来是 File--New--Project,在弹出的对话框中填入工程名、路径等等,点击 Ok 进入设计界面。 2.绘制原理图 新建工程后打开的是默认的原理图文件 SCHEMATIC1 PAGE1,右侧有工具栏,用 于放置元件、画线和添加网络等等,用法和 Protel 类似。点击上侧工具栏的Project manager(文件夹树图标)或者是在操作界面的右边都能看到进入工程管 理界面,在这里可以修改原理图文件名、设置原理图纸张大小和添加原理图库 等等。 1)修改原理图纸张大小: 双击 SCHEMATIC1 文件夹,右键点击 PAGE1,选择 Schematic1 Page Properties,在 Page Size 中可以选择单位、大小等; 2) 添加原理图库: File--New--Library,可以看到在 Library 文件夹中多了一个 library1.olb 的原理图库文件,右键单击该文件,选择 Save,改名存盘;(注意:在自己话原 理图库或者封装库的时候,在添加引脚的时候,最好是画之前设定好栅格等参数,要不然很可能出现你画的封装,很可能在原理图里面布线的时候通不过, 没法对齐,连不上线!) 3)添加新元件: 常用的元件用自带的(比如说电阻、电容的),很多时候都要自己做元件,或 者用别人做好的元件。右键单击刚才新建的 olb 库文件,选 New Part,或是New Part From Spreadsheet,后者以表格的方式建立新元件,对于画管脚特多的芯片元件非常合适,可以直接从芯片 Datasheet 中的引脚描述表格中直接拷贝、粘贴即可(pdf 格式的 Datasheet 按住Alt 键可以按列选择),可以批量添加管脚,方便快捷。 4)生成网络表(Net List): 在画板 PCB 的时候需要导入网络表,在这之前原理图应该差不多完工了,剩下 的工作就是查缺补漏。可以为元件自动编号,在工程管理界面下选中.dsn 文件,然后选 To ol s--A n n o t a te,在弹出的对话框中选定一些编号规则,根据需求进行修改 或用默认设置即可。进行 DRC 检测也是在生成网络表之前的一项重

silvaco在windows下安装教程

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染整工艺学实验教程

目录 实验一棉织物的退浆 (1) 实验二棉织物的煮练 (2) 实验三棉织物的漂白 (5) 实验四直接染料染色 (7) 实验五酸性染料染色 (9)

实验一 棉织物的退浆 一、实验目的 掌握棉织物碱退浆的工艺;掌握退浆率的测定方法。 二、实验原理 退浆主要是为了去除坯布在织造过程中经纱所上的浆料,同时也能部分去除原棉上的天然杂质。目前棉织物所用浆料主要是淀粉浆或淀粉和PV A 的混合浆,上浆率一般为5%~10%。染整加工中一般要求退浆率达到80%以上。退浆可以采用酶退浆、碱退浆、酸退浆和氧化剂退浆。 碱退浆是棉织物退浆的一种常用方法。碱可使淀粉浆、化学浆料(PV A 等)发生一定程度的溶胀,使其由凝胶状态转化为溶胶状态,对纤维附着力降低,在经过充分水洗作用后,浆料脱离纤维,从而达到退浆的目的。该方法适用于大部分浆料的退浆。 退浆率是评价退浆效果的有效方法。淀粉浆退浆率的测定有重量法、水解法和高氯酸法。 二、实验内容 (一)碱退浆法 1.主要化学品 氢氧化钠、润湿剂 2.实验处方 氢氧化钠 10g/L 润湿剂 1~2g/L 温度 100℃ 浴比 1:50 时间 30min 3.实验步骤 将纯棉坯布放入碱液中,加热至沸腾,处理时间为30min 。然后取出,用热水洗(60℃),在充分用冷水洗,最后挤干水,烘干,留作测定退浆率。 (二)退浆率的测定(重量法) 1.主要仪器 电子天平,烘箱,干燥器 2.实验步骤 将欲退浆的棉坯布置于105~110℃烘箱中,烘至恒重,迅速取出织物,放入干燥器中(预先将硅胶烘干并冷却至室温),冷却至室温,准确称取重量W 0。 在坯布经过退浆后,挤干水,放入烘箱,在105~110℃下烘至恒重,迅速取出织物,放入干燥器中,冷却至室温,准确称取重量W 1。 按下式计算试样的退浆率(%): 10 1 W -W = 100%W 退浆率

傻瓜式开展培训规划工作完整版

傻瓜式开展培训规划工 作 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

傻瓜式开展年度培训规划工作 又到了一年一度的开展年度培训规划工作的时刻了。人力资源部作为公司的培训管理组织者,又需要耗费脑汁去琢磨怎么做好这项工作。这里面,有培训体系完善的企业,也有没有任何培训体系根基的企业;有十分专业的HR,也有菜鸟级的新手;有富的流油的预算支持的培训费用,也有捉襟见肘无米下锅的培训费用…… 不同条件可以采用不同的培训规划方案,但是笔者根据多年的培训规划经验简单的分享一种傻瓜式的开展年度培训规划工作的方法步骤,有兴趣的朋友可以借鉴来做。 首先弄清楚几个基本的定义与要求: 1、年度培训规划必须依据公司拨付给你的年度培训预算来进行组织开展,在预 算范围内合理开展各项培训;同时也可以在年度培训规划中简单分析明年培 训费用使用的情况、结构比例,比如:新员工培训费用占了多少、营销人员 的培训费用占了多少,管理者的培训费用占了多少等; 2、年度培训规划的开展必须有两个必不可少的步骤:首先开展年度培训需求分 析,形成年度培训需求分析报告;然后据此制定年度培训计划; 3、年度培训计划最后必须形成表格,表格栏目的要素必须包括:部门名称、课 程名称、课程主要内容、对应的课程课时、对应课程讲师姓名、对应课程费 用、培训课程开展拟安排的时间、参训人数; 4、年度培训计划的课程时间原则上不建议确定具体的日期,因为在今年年底确 定明年课程的具体时间毫无意义,中间不可控因素太多,但必须确定到每月 的上中下旬,同时注意错开节假日、公司固定的会议和活动时间; 5、年度培训计划必须填写每门课程的参训人数,这个数据是预测、分析公司、 各部门的人均课时数的关键,一个学习型组织,它一年的人均课时不能低于 40小时,低于40个小时说明培训力度太小,大家没有机会学习,高于300 个小时说面培训力度太大,会影响工作。

TCAD范例速成指南

字体大小:大中小正文 TCAD 速成手册(2009-08-07 14:20:54) 标签:教程指导分类:TCAD 第1章: 简介 该指南手册针对首次应用SILVACO TCAD软件的新用户。它旨在帮助新用户在几分钟时间内快速并成功安装和运行该软件。 该指南也演示如何快速有效查看手册,查找仿真器中使用的所有参数的解释和定义。它也参照相应章节,来理解等式以及其使用的根本规则。 关于进一步的阅读和参考,用户可参照SILVACO网站的技术支持部分,那里有丰富的技术材料和发表文献。 第2章: 快速入门 2.1: DeckBuild运行时间环境窗口 "DeckBuild"是富含多样特征的运行时间环境,它是快速熟悉SILVACO的TCAD软件的关键。Deckbuild 主要特征包括:自动创建输入文件、编辑现有输入文件,创建DOE,强大的参数提取程序和使得输入文件中的参数变量化。 更重要的是,DeckBuild包含好几百个范例,涵盖多种电学、光学、磁力工艺类型,便于首次使用该工具的用户。 使用入门 用户可打开一个控制窗口,创建一个目录,用于保存该指南范例将创建的临时文件。例如,要创建或重新部署一个名为"tutorial," 的目录,在控制窗口键入: mkdir tutorial cd tutorial 然后键入下列命令开启deckbuild运行环境: deckbuild

屏幕上将出现类似于图2.1的DeckBuild运行时间环境。 GUI界面包括两部分:上部窗口显示当前输入文件,而下部显示运行输入文件时创建的输出。 图2.1 DeckBuild 运行时间界面GUI

2.2: 载入和运行范例 输入文件可以由用户创建或者从范例库中加载。为了熟悉软件语法,最好载入第一个实例中范例。要从deckbuild运行时间环境的GUI载入范例,可点击: Main Control... Examples(范例)... 屏幕将弹出一个窗口显示一列47个类别的范例。图2.2显示首15个类型范例。要查看剩余的类别,则使用窗口右侧的滑动条滚动选择。 图2.2 首15个类别的DeckBuild 范例

傻瓜式爆吧教程~新人必看!!!

不废话直接进入正题首先下载群共享里的 下载完解压这儿没啥说的。 、 打开WinterLove 嗯。。这就是软件的界面新淫看着一定很蛋疼吧。。不急不急哥一步一步教你 首先。、设置主题。如上图%c5是乱码发帖时会生成5个中文乱码标题重复的话是无法继续发帖的~ 内容同上 贴吧名:《你要爆的贴吧名字例如: sj》挖主题挖精品挖投票挖坟号这些我不建议使用用起来很蛋疼。。。

Id注册登陆。不建议使用安狗的注册功能群共享里有注册软件 更容易使用。。一个IP可注册10个马甲然后断开宽带连接重连就可以继续注册了 这里只说如何登陆。点 然后把ID列表复制粘贴到里面去。。如下图 注:格式一定要账号:密码 一个IP只可登陆38个ID。 然后点批量登陆

下一步 点上图的清空线程 取消自动追加干扰码 然后点发帖开始。就出来验证码了 在这里面输入《验证码识别区》里面的验证码即23mp

输入完就显示发帖成功了 如果被封了、、一定要发帖终止 切记切记!一定要终止否则安狗会自动关闭重连IP: 断开 然后连接。然后开始发帖就可以继续了。

顺便发下常见的错误: case 12: message = "您的帐号由于违规操作而被封,目前无权限进行该操作。"; break; case 13: message = "您的网络地址由于非法操作被封"; break; case 14: message = "您发布的贴子已经存在"; break; case 15: message = "请不要发表含有不适当内容的留言
请不要发表广告贴"; break; case 38: message = "验证码超时,请重新输入"; case 40: message = "验证码输入错误,请您返回后重新输入"; 还有有什么不懂的群里问~ 军团刚建发展需要大家的努力~ 希望大家在幽灵军团玩的开心~ 某灭参上~~~

棉织物前处理工艺实验及效果测试

实验一棉织物前处理工艺实验及效果测试 一实验内容: (一)纯棉织物轧蒸法碱退浆 (二)纯绵织物常温煮练工艺实验 (三)纯绵织物漂白丝光及煮练效果测试------毛效法 (四)纯棉织物的丝光及效果测试 二实验目的: 1 学习纯绵织物轧蒸法碱退浆浸渍法碱煮法的工艺方法 2 学习煮练效果测试方法 三实验原理: 《染整工艺学》P279 纯绵机织物含有大量的杂质(浆料油脂蜡质果胶色素棉子壳等)杂质的存在将影响印染加工的效果及织物成品质量。因此在印染加工中通常要进行被称做前处理的烧毛----退浆---煮练----漂白----丝光的加工过程,以提高织物的表面质量,润滑性,收复性典型的前处理过程 烧毛----退浆---煮练----漂白----丝光----半成品 为增加纱线的触耐磨性可织性机织物的经讲在织是前,要经过浆丝处理,但在整加工前,首先要除去浆料.纯绵织物一般使用淀粉浆料,淀粉浆在稀的NaOH 溶液变温作用下膨化,转化为凝胶态时,纤维的附着力下降,再经水的冲击等作用脱落. 棉纤维伴生物的存在,影响工作时纤维的处理,不利于染整加工, 煮练的目的是去除绝大部分纤维伴生物. 伴生物: 油脂:高级脂肪酸,在热稀碱作用下发生皂化而溶解,水洗可去除。 蜡质:高级一元醇,皂化物,精练助前对其进乳化 棉籽壳:为木质素,亚硫酸钠使其转化为木质素磺酸盐。氢氧化钠热溶液使之溶解,在机械力作用下去除。 含氮物质:为蛋白质,亚硝酸钠,硝酸钠等物质,在碱的作用下使其 水解或形成 钠盐。 果胶质:主要成分是以果胶酸的钙,镁盐和甲制的形式存在,也可以与纤维分子之间形成酯键。精炼时在高温和烧碱作用下,酯键 水解成羟基,并转变成钠盐。同时也可能发生分子键的断裂,

silvaco教程

§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。 4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真 4.1.1 概述 本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括: a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操作 c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息 4.1.2 创建一个初始结构 1定义初始直角网格 a. 输入UNIX命令:deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。如图 4.1所示,点击File目录下的Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口; 图4.1 清空文本窗口 b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ; 图4.2 以“go athena”开始

接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。 c. 为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4.3所示。下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。 图4.3 调用ATHENA网格定义菜单 2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 a. 在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0.1; b. 在Comment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示; c. 点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中; 图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后 d. 继续插入X方向的网格线,将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6,间距均为0.01。这样在X方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格,用作为NMOS晶体管的有源区; e. 接下来,我们继续在Y轴上建立网格。在Direction栏中选择Y;点击Location栏并输入值0。然后,点击Spacing栏并输入值0.008; f. 在网格定义窗口中点击insert键,将第二、第三和第四条Y网格线设为0.2、0.5和 0.8,间距分别为0.01,0.05和0.15,如图4.6所示。

染整工艺学

染整工艺学 一、教材 《染整工艺学教程》第一分册(普通高等教育“十五”国家级规划教材、阎克路主编)、《染整工艺学教程》第二分册(纺织高等教育“十五”部委级规划教材、赵涛主编)、纤维化学与物理(纺织高等教育教材、蔡再生主编) 二、重点 1.高分子化学和高分子物理基础知识。 2.天然纤维(棉、蚕丝和羊毛)和合成纤维(聚酯、聚酰胺和聚丙烯腈)的结构和主要性能。 3.棉和蚕丝织物的前处理原理和主要工艺。 4.棉及棉型织物一般整理原理和主要工艺。 5.纤维素纤维的树脂防皱整理原理、主要工艺及整理品质量。 6.染色热力学、动力学的基本概念与应用。 7.直接、酸性、活性、分散、阳离子染料的染色原理与染色工艺。 8.印花原糊的性质与印制效果的关系。 9.直接印花和拔染印花的基本原理与工艺。 三、具体内容 (一)纤维部分 1.高分子化学基础的基本概念。 2.高分子物理基础的基本概念(力学性质)。 3.纤维素纤维(棉)和蛋白质纤维(蚕丝、羊毛)的形态结构、分子结构 及主要性能。 4.聚酯、聚酰胺和聚丙烯腈纤维的形态结构、分子结构及主要性能。 (二)前处理部分 1.表面活性剂的基本概念和作用。 2.棉的精练原理(棉煮练时共生物的变化)。 3.蚕丝的精练原理(蚕丝精练时pH值与练减率的关系,包括有关曲线)。 (三)整理部分 1.棉及棉型织物的一般整理(机械整理、手感整理和增白)的基本概念、原理和特点。 2.合成纤维的热定形机理。 3.纤维素纤维的树脂防皱原理、整理工艺和整理品质量(主要物理机械性能)。 (四)染色部分 1.直接染料对纤维素纤维的染色原理;直接染料染色的温度效应、盐效应以及与结构的关系。 2.酸性染料对蛋白质纤维的染色原理和对羊毛、蚕丝和锦纶的染色工艺。 3.活性染料种类(按活性基团分类)及其染色对象;对纤维素纤维、蛋白质纤维的染色原理;粘胶织物浸染工艺。 4.分散染料对涤纶织物的染色方法、染色原理及染色工艺;分散染料的染液稳定性、分散染料的稳定性及其影响因素。 5.阳离子染料对腈纶织物的染色原理、染色工艺及影响匀染性的因素。 (五)印花部分

HyperMesh傻瓜教程电子版本

H y p e r M e s h傻瓜教程

强度分析 以A380铝支架分析为例: 1.Start license services 双击,进入界面,再点击Start Server,取得软件应用许可,进入Hyper mesh工作界面; 2.选择模块Nastran

双击,弹出对话框,选择Nastran点击OK。点击斜向下的绿色箭 头,进入界面,将已建好的模型导入HyperMesh; 3.选择模型,去实体 选择要分析的模型,点击图标变灰色,隐藏其它模型。点击F2,框选模型(如未选中,模型为壳层),将实体(solid)去掉,只留下壳层(1111)。 ; 4.数模几何清理(auto cleanup 和F11) ,避免两条轮廓线过于接近或夹角太小(小于30度),再进行人工修清理模型曲线,点击F11,进入界面,一般使用下图1、2、5创建点和点之间的线、点垂直于线的线、删除特征线(鼠标左键去掉曲线,右键添加) 去倒角,geom,defeature,surf fillets,find,选中要去掉的倒角面,remove。 5.切法兰面 为了确定零件上与加载点相关联的节点位置,我们在约束(螺栓位置)和加载处切法兰面。 (5.1)找到圆心Geom—circle—find center;常按鼠标左键,在白线上选择三点,点击“find”,出现圆心 (5.2)画圆center&radius 点找到的圆心,输入radius尺寸,点N1,在面上点三个点,点“create" 按住左键选中曲线找到节点, M6的螺栓,法兰半径6.5;M8/8.5,M10/10.5,M12/12.5;

2019年硕士研究生招生入学考试复试科目所用教材或主要参考书

2019 年硕士研究生招生入学考试复试科目所用教材或主要参考书说明:复试科目名称一列中未加括号注明“全日制和非全日制均考”,均为招收全日制硕士研究生复试科目。 招生专业代码及名称复试科目名称教材(主要参考书)、编著者或出版社001 理学院 040200 心理学综合能力考试 综合能力考试(全日制和非全 日制均考) 045400 应用心理(专业学位)①《实验心理学》,朱滢主编,北京大学出版社,2016 年版; ②《现代心理与教育统计学》,张厚粲,徐建平著,北京师范大学出版社,2009 年版; ③《心理学研究方法》,(美)肖内西,泽克迈斯特等著,张明等译,人民邮电出版社,2010 年版 ①《实验心理学》,朱滢主编,北京大学出版社,2016 年版; ②《现代心理与教育统计学》,张厚粲,徐建平著,北京师范大学出版社,2009 年版; ③《心理学研究方法》,(美)肖内西,泽克迈斯特等著,张明等译,人民邮电出版社,2010 年版 复变函数《复变函数》,余家荣编,高等教育出版社,第3 版; 070100 数学常微分方程《常微分方程》,王高雄等编,高等教育出版社,第3 版; 实变函数《实变函数与泛函分析概要》,郑维行,王声望编,高等教育出版社,第3 版;近世代数《近世代数基础》,张禾瑞,高等教育出版社,修订本 070300 化学无机化学《无机化学》,天津大学编,高教出版社,第四版 085216 化学工程(专业学位)无机化学《无机化学》,天津大学编,高教出版社,第四版 070200 物理学电磁学《电磁学》,梁灿彬,第三版,高等教育出版社,2012 年,ISBN:9787040363777 0805Z2 纳米材料与器件材料科学基础《材料科学基础》陶杰化学工业出版社,2006 年,ISBN:7502583106 002 生命科学学院 071000 生物学专业英语无 003材料与纺织学院、丝绸学院 080500 材料科学与工程高分子物理《高分子物理》(第三版),何曼君编,复旦大学出版社 1

傻瓜级菜鸟淘宝标题优化的最简单方案

傻瓜级菜鸟淘宝标题优化的最简单方案 这篇专门写给不会优化标题的人,傻瓜级指导,你看完就能懂!首先请自备淘宝服务“生e经”,没有的也不用专门去订啦,反正找词的方法也很多,这里给大家开个篇,用什么工具找词优化基本也都通用。 ---------------------------------------------------- 首先呐。还是商品本身,商品是什么,大词就是什么,所谓优化啦,长尾啦什么的,都是围绕商品本身来的,也就是说,比如你卖的是手机,那么什么词都是围绕手机来的,智能手机丶安卓手机丶老人手机等的。比如是连衣裙,那么就是围绕连衣裙来,春款连衣裙丶复古连衣裙丶蕾丝连衣裙等等... 我从来不看什么数据,我找词一般都是找跟商品最搭的词。现在我们来开始讲优化。 ---------------------------------------------------- 首先我们要做的,就是检查现在标题里,所能够包含的所有组合关键词,也就是所谓的,标题里包含的所有热搜词。那么这个检查人工或者用软件都可以,我一般就用生意经,大家有其他好工具可以自己去看下。举个例子。生意经里宝贝分析里就有分析你标题里包含的词的功能。 你一眼就能看到。目前能给你带来流量的词千万千万不要动!动了后悔死你。那么大家看如上图,包含26个词和包含260个词完全是两个概念的!所以如果你看过以后,你标题包含的热搜词如果在100个以下,那么先别想别的了,赶紧开始优化吧。 怎么去优化,我该怎么选词?我相信很多同学卡在这里,感觉怎么找都找不对。你试过淘宝下拉框,试过数据魔方,但是你还是不知道该怎么做。那么有个最简单的方法。 生e经里面这个功能不知道大家留意过没有。这里你只要输入和你这个宝贝主词相关的一个大词,后续会出现很多热搜词。现在我们就开始整理。比如你卖手机,你在这里输入手机,巴拉巴拉后面出现一堆XX手机,XXX智能手机,那么我们怎么去筛选。 和商品最接近,最匹配的词,就是我们要的词!

Photoshop菜鸟入门教程(一)

Photoshop新手入门教程 Author: Mr.Chicken 一、最重要的一些概念 1.像素 很多同学在初次接触Photoshop这样的图像处理软件的时候常常对像素、分辨率这种东西感到困惑。我们来看看以下两幅图。 如果单纯问你哪一幅图像素更高时,你会说“左边那幅”,这说明你的头脑中,你对像素早已有了初步的概念。 我们可以这么认为,像素就是点。在计算机上,所有东西都是数字化的,所以我们看到的图像自然是由一个个点所构成的。 对于我们平常接触最多的位图(可以先不管位图是什么)来说,一幅图被制作出来之后,它的像素是固定的,比如400x400,它构造了一个长四百点,宽四百点的图形。 我们最熟悉不过的便是1024x768了,这在生活中经常见到,假设我们电脑的分辨率便是

1024x768,它表明我们的电脑屏幕长有1024个点,宽有768个点,至于点与点之间的距离是多少,我们就不管了,反正它足够小,根据电脑宽度为768个点,我们便能目测上述左边图形的宽所占点数为768/2,长所占点数也能估计出来。到这里,有的同学会说,那两幅图像素点数不管是长还是宽应该是一样啊。其实这么说是对的,对于左边的图来说,它原本就那么大,我没有对它进行其它操作,而右边的图则不同,它最原始的图像如下所示。 如图所示,这张图原本的宽所占的点估计只有768/4,根据你的电脑是768目测便可知道,但我却人为给它拉伸到了768/2,这样多余的点怎么补充呢?计算机会傻瓜式地进行填充,造成图像失真、模糊。 我们还有另外一种很简单的理解方法,上面的小图,原本像素点就少,携带的信息量本来就小,人为增大它所含像素点数,是没法增加它的信息量的,它的信息量只能减小不能增加,所以现在你就了解了为什么我们把一张图放大会模糊,但是缩小却时常还是显得很清晰。一张位图,信息量固定,所以你放大,按理说信息量要相应增大你才不会觉得别扭,然而它的信息量没变(电脑所自动增加的信息量几乎毫无用处,所以看作信息量没变),所以你看到的就模糊。相反,一张原图放在那里,你将它缩小,信息量应该相应减小,所以电脑按N个点逐次扔掉点不显示就行了,这样你看到的图仍清晰,但也不绝对就这样,但它总会比放大的效果好得多。 所以现在你知道了,对最上面两幅图来说,既可以说它们像素一样多,也可以说不一样,重点在于你是否把计算机自动增加的信息看作信息。 2.矢量图与位图

Monkeys Audio傻瓜教程

Monkeys Audio傻瓜教程 很多朋友不知道“APE”为何物,另外一些朋友下载到了APE文件之后不知道如何播放,所以写这样一篇傻瓜教程给广大菜鸟音乐爱好者还是很有必要的。 首先要弄清楚APE的本质,其实它是一种无损压缩音频格式。庞大的WAV音频文件可以通过Monkey's Audio这个软件进行“瘦身”压缩为APE。很多时候它被用做网络音频文件传输,因为被压缩后的APE文件容量要比WAV源文件小一半多,可以节约传输所用的时间。更重要的是,通过Monkey's Audio解压缩还原以后得到的WAV文件可以做到与压缩前的源文件完全一致。所以APE被誉为“无损音频压缩格式”,Monkey's Audio被誉为“无损音频压缩软件”。与采用WinZip 或者WinRAR这类专业数据压缩软件来压缩音频文件不同,压缩之后的APE音频文件是可以直接被播放的。Monkey's Audio会向Winamp中安装一个 “in_APE.dll”插件,从而使Winamp也具备播放APE文件的能力。 点击菜单栏下面第一个图标旁边向下的箭头,会出现一行单选项,第一项是“Compress”,第二项“Decompress”, 制作或是解压APE文件就靠这两个选项控制。Compress表示压缩,也就是 WAV=>APE;而Decompress表示解压缩,也就是APE=>WAV。如我们现在要将一个WAV压缩为APE,则选择“Compress”。下一步,我们则要选择,压缩的等级,按动第二个按钮边向下的箭头会出现“Fast”、“Normal”、“High”以及“Extra High”四个选项,分别代表不同的压缩等级,“Fast”级压缩速度最快,文件容量最大,以此类推,“Extra High”级压缩速度最慢,但压缩率最高,文件最小,大家可以按照自己的喜好选择最合适的压缩等级。随后便可以通过第三个或者第四个图标来加入单个WAV或者加入整个文件夹中的WAV文档。被选择的文件会出现在下面的信息栏当中。此时再按动第一个“Compress”按钮,软件就开始按照您指定的压缩等级开始工作了,进度栏在软件的右下方。 将APE还原为WAV也很方便,首先先要把软件设置在“Decompress”状态,按动第一个图标按钮选择相应的项目就行了,然后再按一下按钮,软件就自动开始解压缩工作了。 使用 Exact Audio Copy 软件,可以一次性整盘抓轨,制作成整轨CDImage.ape 文件,同时具备了CDImage.cue文件。 制作方法如下: 选择压缩选项,出现选项对话框。 在“外部压缩程序”项内,去掉“使用外部压缩程序”的选择。 在“波形”选项内,波形格式自动为“猴子3.97”,采样格式选择为如图所示的选项,含义为正常压缩。 点操作??抓取镜像并创建CUE目录文件??已压缩,开始压缩。 压缩时首先检测音轨,开始整轨抓光盘;自动进行APE压缩,保存成CDImage.ape,并产生CDImage.cue文件。

Silvaco傻瓜教程—张林—长安大学—2018.06

长安大学 半导体工艺与器件仿真实验指导 书 ——Silvoca“傻瓜教程” 指导老师:张林副教授 电子科学与技术系 2018.06

前言 1. 仿真软件只是一种辅助计算工具,它只是根据你设定的输入和内部设定的运算方法客观的给出输出;仿真结果没有对与不对之分。作为一个专业人员,需要理解软件的仿真过程,了解你的输入到底如何被代入软件运行过程中,从而影响输出结果。 2. 仿真只是一种手段,只是专业理论知识的延续。仿真的内容和仿真的结果,如果缺乏专业知识的支撑,就只是一些代码和数据。软件是个黑匣子,越是复杂的界面和功能,越是会影响你理解仿真的内部过程。不要被软件代替你思考! 3. 仿真有什么用?第一,仿真是对理论的一种重现,各种模型之间相互验证;第二,在准确的仿真基础和工艺逻辑上,可以准确预测不同的结构和工艺,设计和优化器件; 4. 如何开展仿真?第一,仿真前先了解器件的原理,预测仿真的结果;第二,根据相关的理论,定义器件和仿真内容;第三,根据预设的目的,分析仿真结果。运行完成并不是结束,而是开始。如何利用仿真结果指导工作才是专业人员的工作中心。 3. 专业软件一般都没有“中文版傻瓜教材”,学会充分利用软件自带的例库和用户手册才是王道。需要仿真什么,先在软件中找类似的例子,直接修改。遇到不会用的操作或者语句,在用户手册中查找语法。不要痛恨英文说明手册,谁叫软件都是老外编的呢! 4. 在安装文件夹中检索名为athena_users和atlas_users的pdf文件。

目录 Chap 1. 器件仿真领域的“Hello World”! (1) Chap 2. 一个最简单的PN结仿真 (5) Chap 3. 一个简单的MOSFET仿真 (10) Chap 4. 一个也许是最简单的工艺仿真 (14) Chap 5. 一个也许是最简单的MOSFET工艺仿真 (17) Chap 6. 一个完整的MOSFET工艺仿真流程详解 (19) Chap 7. 也许是最简单的BJT仿真 (28) Chap 8. 采用电流扫描的PN结击穿仿真 (32) Chap 9. PIN功率二极管反向恢复特性仿真 (34) 作者的编后语 (38)

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