SS8050三极管规格书：三极管SS8050参数与封装尺寸

2SC4617贴片三极管 SOT-523三极管封装2SC4617参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4617 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Cob:Cob=2.0pF(Typ) z Complement to 2SA1774 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp M ax U nit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =50uA, I E = 0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =50uA, I C =0 7 V Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =7V, I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =6V, I C = 1mA 120 560 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B = 5mA 0.4 V Transition frequency f T V CE =12V, I C =2mA, f=100MHz 180 MHz Collector output capacitance C ob V CB =12V, I E =0, f=1MHz 3.5 pF CLASSIFICATION OF h FE Rank Q R S Range 120-270 180-390 270-560 Marking BQ BR BS A,May,2011

三极管的封装及引脚识别

三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装 （1）S－1型、S－2型、S－4型：用于封装小功率三极管，其中以S－1型应用最为普遍。S－1、S－2、S－3型管的封装外形如图2（g）、（h）、（i）所示。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。 （2）S－5型：主要用于大功率三极管。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。S－5型的封装外形如图2（j）所示。 （3）S－6lA、S－6B、S－7、S－8型：主要用于大功率三极管，其中以S－7型最为常用。S－6A 引脚排列：切角面面对自己，引脚朝下，从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12（k）、（l）、（m）、（n）所示。 （4）常见进口管的外形封装结构：TO－92与部标S－1相似，TO－92L与部标S－4相似，TO126与S－5相似，TO-202与部标S－7相似。

常用三极管的标志对应的型号

型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装2PA1576Q FtQ SC-70BC808W 5Ht SOT323BC847BW 1Ft SOT323BC857B 3Fp SOT23 2PA1576R FtR SC-70BC808-16 5Ep SOT23BC847C 1Gp SOT23BC857BS 3Ft SC-88 2PA1576S FtS SC-70BC808-16W 5Et SOT323BC847CT 1G SC-75BC857BT 3F SC-75 2PA1774Q YQ SC-75BC808-25 5Fp SOT23BC847CW 1Gt SOT323BC857BW 3Ft SOT323 2PA1774R YR SC-75BC808-25W 5Ft SOT323BC847W 1Ht SOT323BC857C 3Gp SOT23 2PA1774S YS SC-75BC808-40 5Gp SOT23BC848 1Mp SOT23BC857CT 3G SC-75 2PB1219AQ DtQ SC-70BC808-40W 5Gt SOT323BC848A 1Jp SOT23BC857CW 3Gt SOT323 2PB1219AR DtR SC-70BC817 6Dp SOT23BC848AT 1J SC-75BC857W 3Ht SOT323 2PB1219AS DtS SC-70BC817W 6Dt SOT323BC848AW 1Jt SOT323BC858 3Mp SOT23 2PB709AQ BQ SC-59BC817-16 6Ap SOT23BC848B 1Kp SOT23BC858A 3Jp SOT23 2PB709AR BR SC-59BC817-16W 6At SOT323BC848BT 1K SC-75BC858AT 3J SC-75 2PB709AS BS SC-59BC817-25 6Bp SOT23BC848BW 1Kt SOT323BC858AW 3Jt SOT323 2PB710AQ DQ SC-59BC817-25W 6Bt SOT323BC848C 1Lp SOT23BC858B 3Kp SOT23 2PB710AR DR SC-59BC817-40 6Cp SOT23BC848CT 1L SC-75BC858BT 3K SC-75 2PB710AS DS SC-59BC817-40W 6Ct SOT323BC848CW 1Lt SOT323BC858BW 3Kt SOT323 2PC4081Q ZtQ SC-70BC818 6Hp SOT23BC848W 1Mt SOT323BC858C 3Lp SOT23 2PC4081R ZtR SC-70BC818W 6Ht SOT323BC849 2Dp SOT23BC858CT 3L SC-75 2PC4081S ZtS SC-70BC818-16 6Ep SOT23BC849B 2Bp SOT23BC858CW 3Lt SOT323 2PC4617Q ZQ SC-75BC818-16W 6Et SOT323BC849BW 2Bt SOT323BC858W 3Mt SOT323 2PC4617R ZR SC-75BC818-25 6Fp SOT23BC849C 2Cp SOT23BC859 4Dp SOT23 2PC4617S ZS SC-75BC818-25W 6Ft SOT323BC849CW 2Ct SOT323BC859A 4Ap SOT23 2PD1820AQ AtQ SC-70BC818-40 6Gp SOT23BC849W 2Dt SOT323BC859AW 4At SOT323 2PD1820AR AtR SC-70BC818-40W 6Gt SOT323BC850 2Hp SOT23BC859B 4Bp SOT23 2PD1820AS AtS SC-70BC846 1Dp SOT23BC850B 2Fp SOT23BC859BW 4Bt SOT323 2PD601AQ ZQ SC-59BC846A 1Ap SOT23BC850BW 2Ft SOT323BC859C 4Cp SOT23 2PD601AR ZR SC-59BC846AT 1A SC-75BC850C 2Gp SOT23BC859CW 4Ct SOT323 2PD601AS ZS SC-59BC846AW 1At SOT323BC850CW 2Gt SOT323BC859W 4Dt SOT323 2PD602AQ XQ SC-59BC846B 1Bp SOT23BC850W 2Ht SOT323BC860 4Hp SOT23 2PD602AR XR SC-59BC846BT 1B SC-75BC856 3Dp SOT23BC860A 4Ep SOT23 2PD602AS XS SC-59BC846BW 1Bt SOT323BC856A 3Ap SOT23BC860AW 4Et SOT323 BC807 5Dp SOT23BC846W 1Dt SOT323BC856AT 3A SC-75BC860B 4Fp SOT23 BC807W 5Dt SOT323BC847 1Hp SOT23BC856AW 3At SOT323BC860BW 4Ft SOT323 BC807-16 5Ap SOT23BC847A 1Ep SOT23BC856B 3Bp SOT23BC860C 4Gp SOT23 BC807-16W 5At SOT323BC847AT 1E SC-75BC856BT 3B SC-75BC860CW 4Gt SOT323 BC807-25 5Bp SOT23BC847AW 1Et SOT323BC856BW 3Bt SOT323BC860W 4Ht SOT323 BC807-25W 5Bt SOT323BC847B 1Fp SOT23BC856W 3Dt SOT323BC868 CAC SOT89 BC807-40 5Cp SOT23BC847BPN 13t SC-88BC857 3Hp SOT23BC868-10 CBC SOT89 BC807-40W 5Ct SOT323BC847BS 1Ft SC-88BC857A 3Ep SOT23BC868-16 CCC SOT89 BC808 5Hp SOT23BC847BT 1F SC-75BC857AT 3E SC-75BC868-25 CDC SOT89 BC857AW 3Et SOT323BC869 CEC SOT89 BC869-16 CGC SOT89BCV49 EG SOT89BCX51-10 AC SOT89BF820W 1Vt SOT323 BC869-25 CHC SOT89BCV61 1Mp SOT143B BCX51-16 AD SOT89BF821 1Wp SOT23 BCF29 C7p SOT23BCV61A 1Jp SOT143B BCX52 AE SOT89BF822 1Xp SOT23 BCF30 C8p SOT23BCV61B 1Kp SOT143B BCX52-10 AG SOT89BF822W 1Wt SOT323

2SA935三极管封装TO-92L

A,Dec,2010 2. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA935 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Switching Application MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -50μA,I E = 0 -80 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-2mA,I B = 0 -80 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-50μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V,I E = 0 -0.5 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-4V,I C = 0 -0.5 μA DC current gain h FE V CE =-3V, I C =-100mA 82 390 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA,I B =-50mA -0.4 V Collector output capacitance C ob V CB =-10V,I E =0, f=1MHz 20 pF Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-50mA 100 MHz CLASSIFICATION OF h FE RANK P Q R RANGE 82-180 120-270 180-390 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -80 V V CEO Collector-Emitter Voltage -80 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -0.7 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.wendangku.net/doc/7b16671676.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

三极管的封装形式

三极管的封装形式 是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装

9013,9014,8050三极管引脚图与管脚功能

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚功能 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于 R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个

常用二极管三极管参数

9月28日 常用二极管参数 整流二极管主要参数 50V 100V 200V 300V 400V 500V 600V 800V 1000V 1A 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1.5A 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 2A PS200 PS201 PS202 PS204 PS206 PS208 PS209 3A 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 1N5409 稳压二极管主要参数 型号最大功耗(mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号 国产稳压管日立稳压管 最小值最大值新型号旧型号 HZ4B2 500 3.8 4 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3

常见贴片二、三极管的封装

www.mccsemi .com PACKAGE OUTLINES Note: Drawings Are Not To Scale C DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .166 ----- 4.20 B ----- .079 ----- 2.00 ? C ----- .020 ----- 0.52 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-35 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .028 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-41 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .021 .025 .53 .64 ? D 1.000 --- 25.40 --- A-405 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .230 .300 5.80 7.60 B .104 .140 2.60 3.60 ? C .026 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-15 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .300 ----- 7.62 B ----- .107 ----- 2.72 ? C .018 .022 0.46 0.56 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-7 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .370 ----- 9.50 B ----- .250 ----- 6.40 ? C .048 .052 1.20 1.30 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-201AD

8050-8550三极管引脚图与管脚识别

9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550 三极管引脚图与管脚识别(含贴片) s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图 e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册https://www.wendangku.net/doc/7b16671676.html,首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100 或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接

MMBT2907AT贴片三极管 SOT-523三极管封装MMBT2907AT参数

A,Jan,2013 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907AT TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complementary to NPN Type (MMBT2222AT) z Small Package MARKING:2F MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E =0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-10mA, I B =0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V, I E =0 -10 nA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V, I C =0 -10 nA h FE(1) V CE =-10V, I C =-0.1mA 75 h FE(2) V CE =-10V, I C =-1mA 100 h FE(3) V CE =-10V, I C =-10mA 100 h FE(4) V CE =-10V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE(5) V CE =-10V, I C =-500mA 50 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.6 V I C =-150mA, I B =-15mA -1.3 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -2.6 V Transition frequency f T V CE =-20V,I C =-50mA, f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8 pF Emitter input capacitance C ib V EB =-2V, I C =0, f=1MHz 30 pF Delay time t d 10 ns Rise time t r V CC =-30V, I C =-150mA, I B1=-15mA 40 ns Storage time t s 225 ns Fall time t f V CC =-6V, I C =-150mA, I B1=I B2=-15mA 30 ns Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -60 V V CEO Collector-Emitter Voltage -60 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 833 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ 3. COLLECTOR

三极管S8050&S8550的使用

8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。在有些电路里对S8050 的放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。 8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管 S8050 S8550 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.6V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 引脚排列为EBC或ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 8050S 8550S 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.5V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 引脚排列为ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350 关于C8050 C8550 参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档 放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 关于8050SS 8550SS 参数： 耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A

MMST4403贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST4403规格参数

A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST4403 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary To MMST4401 ● Small Surface Mount Package MARKING:K3T MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 200 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V, I E =0 -100 nA Collector cut-off current I CEO V CE =-35V, I B =0 -500 nA V CE =-1V, I C =-100μA 30 V CE =-1V, I C =-1mA 60 V CE =-1V, I C =-10mA 100 V CE =-2V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE V CE =-2V, I C =-500mA 20 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -0.75 V I C =-150mA, I B =-15mA -0.75 -0.95 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.3 V Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA , f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8.5 pF https://www.wendangku.net/doc/7b16671676.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

三极管8050和8550对管的参数

三极管8050和8550对管的参数 图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档 放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 8050SS 8550SS 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种 SS8050 SS8550 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBC UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB 这种管子很少见 参数： 耗散功率1W 集电极电流0.7A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压20V 特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出 放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档 C：120-200 D：160-300 E：280-400

通用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为0.1Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高

在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管