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三极管主要参数

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1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb 时的集电极反向电流,它只与温度

有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好

的三极管,Icbo 很小,小功率锗管的Icbo 约为1~10 微安,大功率锗管的Icbo 可达数毫安,而硅管的Icbo 则非常小,是毫微安级。(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce 时的集电极电流。Iceo 大约是Icbo 的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo 和Iceo 受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能

越稳定,小功率锗管的Iceo 比硅管大。(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际

上是发射结的反向饱和电流。(4)直流电流放大系数β1(或hEF)这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电

流的比值,即:β1=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数β(或hfe)这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic 与基极输入电流的变化量△Ib

之比,即:β=△Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200 之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定。(2)共

基极交流放大系数α(或hfb)这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic 与发射极电流的变化量△Ie 之比,即:α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1。

高频三极管的α>0.90 就可以使用α与β之间的关系:α=β/(1+β)β=α/(1- α)≈1/(1-α)(3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707 倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707 倍的频率,就是共基极的截

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