反溅射再淀积现象研究

反溅射再淀积现象研究

陈华伦

【期刊名称】《微电子技术》

【年(卷),期】1996(024)001

【摘要】本文对经反溅射处理的Ａｌ片，进行ＳＥＭ７剖面观察，发现了反溅射的再淀积现象，对再淀积现象做了对比实验，分析了再淀积的影响因素及其对电路的失效影响。

【总页数】3页(46-48)

【关键词】反溅射;再淀积现象;集成电路;超大规模

【作者】陈华伦

【作者单位】华晶电子集团公司中央研究所

【正文语种】英文

【中图分类】TN470.592

【相关文献】

1.反溅射再淀积现象的探讨 [J], 杨文; 陈海峰

2.真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺 [J],

3.真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺 [J],

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