扩散

扩散—炉管方块电阻变化趋势分析

实验目的：A、了解扩散过程，对扩散12根炉管依次检测其片子的方块电

阻，通过方块电阻的检测来确定各炉管方块电阻的变化趋势，同时了解炉管对于方块电阻的波动范围，结合当前工艺，并决定对哪些炉管需要作出微调，或者通过所测方块电阻的模拟的数据直方图来了解炉管对于方块电阻的影响，为以后变动工艺做准备。

B、通过所测得的炉管各部位的方阻，来计算出炉口方阻极差、炉中方阻极差及炉尾方阻极差，炉管方阻极差的偏大（10-15），直接影响扩散整体方阻的均匀性，因此有必要对其进行测试及做出相应的调整。

从上面数据可以看出炉管方阻的变化趋势为：炉口方阻较小且极差较小

此时我们可以认为片子表面沉积的磷源充足，是炉口温度过大造成的。在确保设备没问题的前提下，1、可以适当降低炉口温度或者2、可以减小小氮流量，加大炉中、炉尾温度的方法，但方法2有可能会因磷源的不足而造成整个炉子的极

个人想法：本实验对于电池片性能的提高主要在于烧结这块可以更好的与

扩散结深相对应。

1、方块电阻对应电池片的结深，电池片结深的均匀性能够让烧结中银更好的渗

入到片子内，形成良好的银-硅二晶相，对收集电流起到很大作用，提高电池片

此图表示片子的横截面

2、假如烧结温度是840度、910度（第八温度区、第九温度区），那对于银浆的渗入是一定的，比如渗入值是300nm，但是片子方阻的偏差过大及极差过大会导致一部分片子的结有深浅，如有些结有深度加上膜厚度有350nm，此时银没完全深入到最优值，此时这部分电池片在收集电流过程中不能发挥出最优的状态。

试验步骤：对每一炉出来的片子取炉口的电池片取出两片，第二温度区取两

片，第三温度区取两片，第四温度区取两片，炉尾取两片，分别检测其方阻，记录数据，对每根炉管测试五次，最后每个炉管有100个数据，把这些数据导入manitab，画出数据直方图，根据炉管与工艺的不同情况，观察片子的方阻变化趋势，求出片子间的方差，来确定这些片子在哪个阶段的极差略微大小，来对工艺进行微调。

理论改进方案：

方阻极差偏大的本质是片子表面磷源沉积不够，（或者反应步的反应力度不够）针对此我们可以知道要想改变电池片方阻极差最直接的办法是：加大同源步的磷源。而方阻偏大最直接的办法是磷源浓度增加或者温度升高，反应步的时间增加。下面先对工艺的小氮，温度，时间，大氮四者关系进行阐述：

大氮和温度的增加，使得方块电阻减小。

大氮起到炉内气氛更均匀的作用，太大会是炉内极差变大，太小使得炉口极差变大。

小氮起着在片子上沉积一层膜及反应来使磷扩进硅片中。而氧气起着加速反应的作用，同时影响着杂质分布浓度梯度。增加氧气使得炉尾极差变小，减少使得炉口极差变小。

温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散的情况，温度选择要适当，既不能使温度过高，使扩散时间过短，以致难于控制工艺，又不宜温度过低，而使扩散时间延长到不适当的地步，但是扩散的温度较高，这对结深和硅片的少子寿命影响比较大，导致转换效率大幅度降低，所以在制备晶体硅太阳电池还是要避免太高的扩散温度。

1、炉口偏大，极差小。

改进方案：磷源充足，炉口温度升高或者增加小氮量，但炉中及炉尾温度下降。

2、炉口偏小，极差小。

改进方案：炉口降温，但不能降太多，怕气体对流会剧烈导致炉口极差增加，因此在适当降低温度的情况下，增加反应步小氮量。

3、炉口偏大，极差大，

改进方案：极差大想到磷源在片子表面沉积力度不够，需要加大炉口磷源，因此现实方案是：稍微加大大氮量，增加大氮量可以带动小氮到炉口，但大氮量不能太大，否则会造成炉内气流的不稳定，使炉尾极差变大。

另一种方法：增加通磷源和反应步的小氮流量，同时减少炉中，尾的温度。（如果两步骤所通的小氮量一样，则硅片表面沉积的磷源就会过多，“死层效应”增加，短路电流降低，因此需要通入一定的反应步的小氮量。）

4、炉口、炉尾极差大，且炉口偏大。

改进方案：通源步的磷源量加大点，反应步的磷源少加点，但两者不能相差太大，同时对炉口温度降少点，炉中、尾降多点。

5、炉中偏大或者偏小，或者炉尾偏大或者偏小

改进方案：变化炉中温度或者变化炉尾温度，但温度相差有点大时，特别是炉中偏大这种情况，炉中温度与炉尾温差同炉中温度与炉口温度差比较大时会造成气体对流的差异较大，此时要找到三者温度平衡点相当难，可以增加小氮量，降低两边温度来完成。

6、炉尾极差大

改进方案：适当减少通源步的大氮量，使反应气流更加稳定些，小氮沉积的更多些，但大氮量不能太少，少了，不能把小氮带到炉口导致炉口极差增大。

方法二：炉尾反应力度不够，增加通磷源及反应步的氧量，使得炉尾反应加剧。适当降低温度。

方法三：直接加大通源步的小氮流量，相应反应步小氮量也稍微增加，使炉尾沉积的源更多一些。但同时降低炉口，中，尾的温度。

7、炉子整体偏大或偏小且极差小

改进方案：单晶，温度升高或降低3-4℃，方块电阻减小或增加1Ω，小氮增加或减少xmL，方块电阻减小或增加1Ω，调温或者调整小氮量，此时同源步和反应步的量一致。

8、炉子整体极差大

改进方案：增加同源步小氮，相应增加反应步小氮，然后适当降低温度。

天喻数据防扩散系统—InteKEY

天喻数据防扩散系统—InteKEY 详细介绍 天喻数据防扩散系统InteKEY旨在对企业中重要的产品设计及文档数据提供有效的保护，在技术上采用先进的加密算法对指定的文件数据进行加密，密钥及核心算法存放于硬件智能卡内，不可跟踪及复制。加密后的文件在企业内部可以正常使用，在企业外部则由于不能获得文件的密钥，无法解析文件的加密数据，从而达到对重要数据进行保护的目的。 ?数据自动保护 整个系统在后台运作，非管理员感觉不到系统的存在。我们承诺：我们的系统安装后不改变设计人员任何操作习惯，不会改变任何操作界面及操作方式。且文件始终以密文形式存储在物理介质上，从而能够有效的防止企业内部信息的流失。 ?软硬件相结合的高度安全加密机制 本系统采用国际上先进的加密算法，结合目前流行的硬件智能卡技术：将核心算法和密钥存放在用于银行系统的智能卡中，智能卡就象一个黑盒子，您只能执行它的程序，但不能跟踪里面的代码，并且物理上不可复制，确保安全。在安全性方面采用三层加密体系：首先是外部存储层，基于智能卡的密钥存储机制，难以获取；然后是传输层，基于3DES的加密传输机制，难以破解；最后是数据加密层，支持高级加密标准算法AES算法，具有较高的加密强度，使任何暴力攻击措施都是徒劳的。 ?用户组织角色管理及多级权限控制 以用户为单位，以部门角色为组织核心进行企业环境架设：可按照部门组织结构进行分级管理，支持批量用户导入。灵活的角色权限分配，完善的特定权限架构，合理的涵盖用户组织角色定制，审批流程设置，加解密，计算机管理，日志管理等各项管理操作权限。 ?支持与域用户集成 支持导入活动目录用户和组织结构，并同步活动目录用户组织信息。用户使用管理、解密和流程应用工具登录时支持与活动目录登录验证绑定。 ?强大的计算机管理功能 在控制台上可对每台客户机的加密功能进行订制，以客户机的硬件号为唯一标识，可以支持动态分配的IP。可以对客户机进行加密软件种类、安全项、联网离线策略分配等应用功能的配置，支持批量和按部门下发，并可完成计算机加密更新，连接，卸载等操作。

13.应用用户定义的扩散分布

引言（BPM） 本课介绍如何定义用户定义的扩散分布。 在某些情况下，在OptiBPM中可用的预定义扩散配置文件可能不能满足您的要求。例如，您可能要引入额外的参数代入方程的折射率，或引入额外的依赖到现有的参数。本课程详细介绍了如何创建一个用户定义的扩散波导使用的表达式中扩散所描述的非凡的折射率分布在铌酸锂，公式1公式7，在技术背景。此外，扩散长度参数将被制成依赖于z轴的位置。 该程序是： ?定义材料 ?创建参考配置 ?定义布局设置 ?定义变量 ?定义功能 ?定义用户定义的配置文件 ?检查对参考配置文件的用户定义的配置文件

在您开始这一课 ?熟悉在第1课的程序：入门。 ?熟悉在第4课的过程：创建MMI星形耦合器。?熟悉在第7课的程序：应用预定义的扩散过程 步行动 1 从文件菜单中选择新建。 ?他的初始属性对话框出现。 2 单击配置文件和材料。?他个人设计师打开。 3 在OptiBPM中设计师1，在材料文件夹，右键单击该介质文件夹并选择新建。?他Dielectric1对话框出现。 4 创建下面的电介质材料：产品名称：空气 折光率（回复:)：1 5 点击S 撕毁。 介电材料的空气被保存在材料文件夹中。 6 在OptiBPM中设计师1，在材料的文件夹，右键单击扩散文件夹并选择新建。?他Diffused1对话框出现。 7 创建下面的电介质材料：

产品名称：锂niobate_1 8 点击S 撕毁。 扩散材料锂niobate_1保存在资料夹中。 建立参考配置 而在配置文件设计，创建一个新的Ti：LiNb03（默认）配置。这 个新的预定义配置文件将作为参考，并且将用于与我们将要设计用 户定义的配置文件进行比较。 步行动 1 在OptiBPM中设计师1，右键单击扩散钛：LiNb03文件夹，然后选择新建。 2 键入下面的配置文件名称：钛：LiNb03简介 3 使用以下（默认）值：横向扩散长度： 4.0扩散长度的深度： 3.5 4 点击S 撕毁。 5 关闭配置文件设计。

化学反应与扩散过程

化学反应与扩散过程 姓名：史振鹏 学号;200902050201 班级：09物理 摘要：本文主要讲述了在化学反应与扩散过程中分子数密度的变化率、熵流密 度与局域熵出生率以及化学亲和势与反应速率的关系。文章先从分子数密度变化率讲述再推导出熵流密度与局域熵产生率，在这个过程中同时讲述化学亲和势与反应速率的关系。 Abstract: this paper focuses on the number of molecules in a chemical reaction and diffusion processes of density change local entropy , entropy flux density and birth rates and reaction rate of chemical affinity and relationship. Article from the molecular number density rate of change about then derive entropy flux density and local entropy production rate, during this process and about the relationship of chemical affinity and the reaction rate. 关键词：化学反应 分子数密度 局域熵 化学亲和势 引言:在一个系统中同时存在n 个化学反应，假设温度和压强恒定，在该系统中 由于存在化学反应和扩散过程，那么该系统中各组分的分子数密度和局域熵产生率将怎样变化？其化学反应与化学亲和势有什么关系?本文将详细讲述。 Introduction: in a system n of simultaneous chemical reaction, assuming constant temperature and pressure, due to chemical reaction and diffusion processes in the system, the molecular number density of the components in the system and the field entropy production rate will change how? what's the relationship between chemical reaction and chemical affinity? this will be covered in detail. 主要内容： 本节将在局域平衡假设下导出同时存在化学反应和扩散过程时的熵流密度和熵产生率。系统中某体积元内存在化学反应： 数可以是时间和坐标的函在非平衡系统中为比例系数。一般来说 成正比，即和的分子数密度和应物，因而与其反发生碰撞的频率成正比与分子显然与体积元内分子 反应速率i i A i i A i i i A i i k i n n k n n k n n X A X A B Y X A i ωωω,,:i =+?→?+()的变化率为的分子数密度体积元内两个反应同时发生时，为比例系数可表为的反应速率应同理，体积元内化学反i i i A k i n X k n n k C B Z X A 222222 2=++?→? +ωω

扩散工艺知识..

第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章，我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触，如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度，扩散的另一个也是更主要的一个作用，是在硅平面工艺中用来改变导电类型，制造PN 结。 第一节 扩散原理 扩散是一种普通的自然现象，有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 一．扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中，改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术，称为扩散工艺。 二．扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： 1．替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。其中总有一些原子振动得较厉害，有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方，而在原处留下一个“空位”。这时如有杂质原子进来，就会沿着这些空位进行扩散，这叫替位式扩散。硼（B ）、磷（P ）、砷（As ）等属此种扩散。 2．间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙，有些杂质原子进入晶体后，就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙，逐次跳跃前进。这种扩散称间隙式扩散。金、铜、银等属此种扩散。 三． 扩散方程 扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。其运动规律可用扩散方程表示，具体数学表达式为： N D t N 2?=?? （3-1） 在一维情况下，即为： 22x N D t N ??=?? （3-2） 式中：D 为扩散系数，是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量； N 为杂质浓度； t 为扩散时间； x 为扩散到硅中的距离。 四．扩散系数 杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关。为了定量描述杂质扩散速度，引入扩散系数D 这个物理量，D 越大扩散越快。其表达式为： KT E e D D ?-=0 （3-3）

带反应扩散项的神经网络模型动力学研究.

带反应扩散项的神经网络模型动力学研究 由于神经网络在诸多实际应用领域有着巨大潜力,很多学者都致力于神经网络的理论研究,并取得了许多很好的成果.本文主要涉及三类带反应扩散项的神经网络模型的动力学研究.其中包括:一类具有反应扩散项的时滞脉冲Cohen-Grossberg神经网络的指数稳定性;一类具有反应扩散项和离散时滞的非自治Cohen-Grossberg神经网络解的有界性和正不变集,及其全局指数稳定性;一类具有反应扩散项的脉冲模糊细胞神经网络的指数稳定性及其正不变集和吸引集.本文的主要内容可以概述如下:1.首先在第一节第一部分介绍了神经网络的产生,发展和意义.随后的第二部分介绍了各种类型的神经网络模型及其部分研究成果,主要是Cohen-Grossberg神经网络以及模糊细胞神经网络.第三部分介绍了带反应扩散项的神经网络模型的部分研究成果.最后给出了本文的组织结构.2.在第二节中,我们讨论了一类具有反应扩散项和无穷分布时滞的脉冲Cohen-Grossberg神经网络,在系统存在平衡点的假设下,利用不等式技巧和构 造Lyapunov泛函方法,证明了其平衡点的唯一性,并给出了平衡点全局指数稳定的充分性条件.最后给出一个例子来显示所得结论的有效性.本节中,我们所研究模型的脉冲为一般形式,而不是线性形式脉冲.3.在第三节中,主要讨论一类具有反应扩散项的非自治Cohen-Grossberg神经网络.在这一部分中,我们首先利用 M-矩阵和常数变易法讨论了系统解的有界性和正不变集,然后通过构造Lyapunov泛函,证明了系统的全局指数稳定性.最后给出两个例子来验证结果.4.在第四节中,主要针对一类具有反应扩散项的脉冲模糊细胞神经网络的动力学性质进行了分析讨论.在存在唯一平衡点的假设下,利用推广了的Halanay不等式,得到了平衡点全局指数稳定的充分性条件,以及该神经网络的全局吸引集和正不变集.最后给出一个例子来说明结果的有效性. 【关键词相关文档搜索】：运筹学与控制论; 神经网络; 反应扩散; 时滞; 脉冲; 全局指数稳定性 【作者相关信息搜索】：新疆大学;运筹学与控制论;蒋海军;李晓波;

扩散系数计算

它表达某个组分在介质中扩 0.0101T 1.75 (7—19) 722扩散系数 费克定律中的扩散系数D 代表单位浓度梯度下的扩散通量， 散的快慢，是物质的一种传递性质。 一、气体中的扩散系数 气体中的扩散系数与系统、温度和压力有关，其量级为 10 m 2/s 。通常对于二元气体 A 、 B 的相互扩散，A 在 B 中的扩散系数和 B 在A 中的扩散系数相等，因此可略去下标而 用同一符号D 表示，即 D AB = D BA =D 。 表7 — 1给出了某些二元气体在常压下( 1.013 105Pa )的扩散系数。 对于二元气体扩散系数的估算，通常用较简单的由富勒( Fuller )等提出的公式: p[c V A )1/3 e V B )1/3]2 2 式中，D —A 、B 二元气体的扩散系数， m /s ； P —气体的总压，Pa ; T —气体的温度，K ； M A 、M B —组分 A 、 B 的摩尔质量，kg/kmol ； 7 V A 7 V B 3 、 —组分A 、B 分子扩散体积，cm 3 /mol 。 一般有机化合物可按分子式由表7-2查相应的原子扩散体积加和得到， 某些简单物质 则在表7-2种直接列出。 表7-1某些二元气体在常压下(5 )的扩散系数 系统 温度/K 扩散系数/(10-5m 2 /s) 系统 温度/K - 5 2 扩散系数/(10 m/s) H 2—空气 273 6.11 甲醇一空气 273 1.32 He —空气 317 7.56 乙醇一空气 273 1.02 02—空气 273 1.78 正丁醇-空气 273 0.703 Cl 2 —空气 273 1.24 苯-空气 298 0.962 H 2O —空气 273 2.20 甲醇一空气 298 0.844 298 2.56 H 2— CO 273 6.51 332 3.05 H 2— CO 2 273 5.50 NH 3 —空气 273 1.98 H 2— N 2 273 6.89 CO 2 —空气 273 1.38 294 7.63 298 1.64 H 2— NH 3 298 7.83 SO 2 —空气 293 1.22 He — Ar 298 7.29 7-2 原子扩散体积 3 v/(cm /mol) 分子扩散体积 3 工 V /( cm /mol) 原子扩散体积 3 v/(cm /mol) 分子扩散体积 3 工 V /( cm /mol) C 15.9 He 2.67 S 22.9 CO 18.0

第12讲扩散机制以及影响扩散因素、扩散驱动力

第十二讲扩散机制以及影响扩散因素、扩散驱动力 1.空位扩散与间隙扩散 考点再现：10年以填空的形式考察了间隙扩散和空位扩散两种金属晶体的扩散机制，对于自扩散的定义在08年以前的考试中出现过。 考试要求：对定义的记忆，这一部分今年是可能出填空或者名词解释题的。 知识点 金属晶体的扩散机制由（间隙扩散）和（空位扩散）。★★★ 间隙扩散：指小尺寸的原子在金属晶体内的扩散，间隙原子从一个八面体间隙运动到临近八面体间隙的过程。★★ 空位扩散：晶格结点某处原子空缺时，相邻原子可能跃迁到此空穴位置，月前后又留下新的空穴，原子的这种扩散运动方式叫做空位扩散。★★ 自扩散：当晶体内完全是同类原子时，原子在纯材料中的扩散称为自扩散。★★★★ 扩散系数表达式★★★ 2.柯肯达尔效应 考点再现：唯一的考点，柯肯达尔效应，09年出现过，10年没有考，11考考的可能性极大，大家要充分重视。 考试要求：在理解的基础上记忆，不知道在这个方面会不会增加难度，如果增加难度，比如说给大家一个实际的问题或者现象，让大家解释原因或者原理，大家不要忘记柯肯达尔效应，对于扩散方面能够解决很多的问题。 知识点 柯肯达尔效应的理解，举例说明柯肯达尔效应。★★★★★ 黄铜内流出的Zn原子多，铜盒中Cu原子流入黄铜内较少，Zn和Cu原子两者的扩散速度不一样，使Mo丝的间距发生变化。由于界面两侧的两种原子，在互相扩散到对方的基体中，当其扩散速率不相等时，会发生原始界面的移动，界面移向原始扩散速度较大的一边，这种效应称为柯肯达尔效应。 以上的部分是对于柯肯达尔效应的题目的标准的答法，是命题教师知道我们做出的，所以大家要在理解的基础上对其进行记忆，而且尽量按照上面的内容来答。

Matlab在求解扩散系统之浓度分布中的应用

读书报告 Matlab在求解扩散系统之浓度分布 中的应用 池雨

一、问题的提出 管中储放静止液体 B ，高度为L=10 ㎝，放置于充满A 气体的环境中。假设与B 液体接触面之浓度为C A0=0.01mol/m 3，且此浓度不随时间改变而改变，即在操作时间内(h=10天)维持定值。气体A 在液体B 中之扩散系数为D AB =2×10?9m 2/s 。试决定A 与B 不发生反应；情况下，气体A 溶于液体B 中之流通量(flux)。 参考如图所示的装置。 二、知识背景 Fick 第一定律：实验表明，在稳态扩散的条件下，单位时间内通过垂直于扩散方向的单位截面面积的扩散物质的通量与浓度梯度成 正比。数学表达式为： Fick 第二定律：根据质量平衡关系即在微小体积中积存的物质 （留入的物质量）J 1—（留出的物质量）J 2得出 因此Fick 第二定律的数学表达为： 三、问题求解 根据题意不同时间t 和距界面厚度不同处x 的浓度C=f(z,t); 因气体A 与液体 B 不发生反应，故其扩散现象的质量平衡方程根据Fick dx dc D J -=dx J J dt dc 2 1-=2 2 x c D t c ??=??

第二定律。 依题意，其初始及边界条件为： I.C. C A0(Z,0)=0, Z>0 B.C. C A (0,t)=C A0, t ≥0 ; 在获得浓度分布后即可应用Fick 第一定律求得流通量即 四、matlab 程序设计 偏微分方程（Partial Differential Equation ，简称PDE ）就是涉及到两个自变量以上的微分方程。在化学工程领域，为了更好的进行过程设计、优化和控制，经常需要了解化工设备（如反应器）中的温度、浓度和速度在不同空间上的分布以及随时间的动态变化规律，因此涉及到许多偏微分方程的问题。 Matlab 函数pdepe （）可用于求解偏微分方程，模型为： 用以解含上述初始值及边界值条件的偏微分方程MATLAB 命令 pdepe 的用法如下： 若要获得特定位置及时间下的解，可配合以 pdeval 命令。使用格式如下： ,0≥=??=t t C L Z A 0 )(z =??-=z A AB t AZ C D N

生理心理学名词解释

《生理心理学》名词解释 1、内环境：人体的绝大多数细胞并不直接与外界环境接触，他们直接接触的是细胞外液。因此细胞外液成为体内细胞直接接触的环境。 2、稳态：内环境各项物理和化学因素是保持相对稳定的，如一定的体温，酸碱度、血糖水平，称为内环境的稳态。 3、体液调节：机体的一些细胞能生成并分泌某些特殊的化学物质，后者经各种提液途径到达全身组织细胞或某种图书的组织细胞，改变细胞的活动，从而实现其调节功能。 4、自身调节：许多组织、细胞自身也能对周围的环境变化发生相应的反应，使其功能得到相应的调解。由于这种反应是组织、细胞本身的生理特性决定的，并不依赖于外来的神经活体也因素的作用。 5、实验性切除：通过对动物的脑部分的损毁，观察动物随后的行为。 6、脑电图：一般是在大脑皮层没有接受明显的刺激输入条件下记录到的脑电活动，故又成为自发脑电图。 7、计算机轴断层技术：将X光照相和计算机处理方法结合起来观察脑的组织病变技术。 8、诱发电位：当某种特定的刺激作用在人体感觉系统的某一部位时，会在脑区引起电位变化，这是记录的脑电变化被称为诱发电位。 9、联合区：除了视区、听区、语言区介绍的大脑皮层上的特定功能分区外，其他部分的皮层被称为联合区。 10、胼胝体：是神经系统中最大的连合纤维，它将半球内相应的新皮层区连接起来，负责两个半球之间的信息传递。 11、边缘系统：边缘叶与附近的一些皮层及皮层下的结构之间有着密切的神经系统，从而构成一个统一的机能系统。12、外周神经：与脑和脊髓相连的神经，分布于全身，将脑和脊髓与全身器官联系起来。 13、脑神经：与脑部相连的12对神经，主要分布于头面部。 14、脊神经：与脊髓相连的31对神经，包括感觉纤维和运动纤维。 15、神经核：脊髓灰质内有各种不同大小，形态和功能的神经细胞，其中大多数神经细胞的包体常聚集成群和成层。 16、神经元：人类中枢神经系统内约含有1011个神经细胞，神经细胞又称神经元，是神经系统的结构与功能单位 17、静息膜电位：由于细胞内外离子浓度的不同，就存在着电位差，这种电位差称之为静息膜电位 18、动作电位：细胞受到刺激而兴奋时，在膜两侧所产生的快速，可逆可扩散性的电位变化。 19、突触：神经元与神经元之间，或神经元与非神经细胞之间的一种特化的细胞联接，通过它的传递作用实现细胞间的通讯。20、神经传递：在突触前神经元内合成并于轴突终扣处释放，经突触间隙特异性的作用于突触后神经元，使信息得以传递。 21、反射：机体对某一刺激的无意识的应答22、反射弧：由感受器、感觉神经元，中间神经元，运动神经元，效应器五个组成部分。它是神经系统的基本功能单位。23树突：胞体伸出许多纤维，它较短，负责接受刺激，并把刺激传入胞体。 24轴突：由胞体发生的单根突起，呈细索状，末端常有分支，称轴突末梢，轴突将冲动从胞体传向轴突末梢。 25化学性突出：是以化学物质作为通信的媒介而传递信息。 26单线式联系：一个突触前神经元仅与一个突触后神经元发生突触联系

胶体分子扩散性研究

常规应用血浆膨胀剂和代用品时的体外胶体渗透压：胶体分子扩散性研究 摘要：在血容量过低时胶体替代品的合理选择部分依赖于胶体渗透压（COP）。我们测量了108个血浆代用品样本的COP通过选择性渗透膜其可以保留分子量大于1万道尔顿(COP10)和5万道尔顿(COP50)，COP50/COP10比率提供了小分子穿越毛细血管壁其扩散性的一个势能指数。6％的Hespan 液在COP50 /COP10比率是0.58时显示特别有利，标志其势能对循环有很好的保持力；同时，3.5％的Haemaccel在COP50/COP10比率是0.18时，标志其势能显著有利于毛细血管交换播散，特别是在毛细血管渗漏的情况下更为突出。患者具有正常毛细血管渗透性时，Gelofusine和Dextran 110在COP50 /COP10比率分别是0.37和0.39时，二者差不多都表现为对循环有足够保持力。相比于4.5％人体白蛋白（0.36）的保持力，除了Haemaccel外所有的血浆代用品检验，其穿越两个膜的COP都比4.5％的人血白蛋白液的高。体内这些血浆代用品的比较必须要确认微分子胶体在毛细血管漏出状态时的优势。 关键词：胶体渗透压，血浆代用品，扩散 在血容量过低时需要恢复循环容量已经得到公认，但液体的选择仍不清晰。争论的焦点在于在容量下降时是选择胶体液还是晶体液。晶体液很少在血管内存留，其大约需要补充的容量为损失量的四倍来重建血容量。假设大量持续的容量丢失将会快速导致水肿并降低血管内胶体渗透压。胶体液已经使用了很长时间，可以成功的改变这种程度以避免这种困难。用胶体液避免水肿形成依赖于他们血管内的保持能力，而不是组织COP的作用。 应用血液制品治疗血液疾病和病毒传播所带来的内在危险和免疫性疾病降低了血浆容量代偿的作用和效力。白蛋白是血浆的一部分，其提供循环COP的主要部分并在血液疾病治疗中作用有限。因此作为血浆代用品应用且当其分馏后加热到摄氏60度大约10小时即可实质上解除疾病传播。其应用主要局限在高生产费用和有限供给上。 人工胶体从第一次世界大战时就开始应用包括人工多肽、塑料、凝胶和多糖。因为不符合需要的止血作用和过敏反应，早期的大部分液体如今已经放弃使用。 理想的血浆代用品可以描述为便宜、安全的液体对血浆有亲和力，且COP足够保持血浆容量。从血容量过低恢复后，血浆代用品可以从体内排泄。我们还准备加上一条是对组织COP作用有限。 引用厂家文件一般认为分子量小于5万道尔顿可以经由肾脏快速排泄。这些分子经常快速扩散到组织。在体外分子量定位于5万道尔顿(COP50)其穿越选择性渗透膜所产生的COP和常用1万道尔顿(COP10)穿越膜所产生的COP的比率提供了一个胶体液中小分子的扩散性的参数。这个比率高，体内占少量的胶体分子就可以更容易的穿过毛细血管壁扩散。 我们对人工血浆代用品在体内的COP只能找一种系统研究。为临床各种特殊状况合理选择血浆代用品，依赖于其是否接近上述理想状态。本研究我们介绍常用血浆代用品的COP数值和讨论每一种‘理想血浆代用品’的内部结构。特别是为了模拟体内穿过多孔毛细血管壁扩散的势能，我们还研究了多分散胶体液中小分子扩散的影响。 方法 从St. George’医院加强治疗病房在输注中的液体或捐献瓶装的液体中取得血浆代用品的样本置于消毒容器中。每一样本取自不同的瓶子且所取样本可能来自胶体液的不同批次。 在圣乔治医院检验科用一对胶渗压计进行测量每个样本的COP。简要地说，电子压力传感器(Statham P23Db)和参比室充满0.9％的生理盐水通过选择性渗透膜分隔于样本室，通过膜参比液和小胶体分子可以自由通过。一个渗压计测量COP是用Amicon Pm10膜其正常分子量定位于1万道尔顿，另一个的膜是Amicon Xm50其正常分子量定位于5万道尔顿。传感器输出是极性颠倒的，在Statham

哪些因素影响气体泄漏扩散

编号：SY-AQ-06386 ( 安全管理) 单位：_____________________ 审批：_____________________ 日期：_____________________ WORD文档/ A4打印/ 可编辑 哪些因素影响气体泄漏扩散 What factors affect gas leakage and diffusion

哪些因素影响气体泄漏扩散 导语：进行安全管理的目的是预防、消灭事故，防止或消除事故伤害，保护劳动者的安全与健康。在安全管 理的四项主要内容中，虽然都是为了达到安全管理的目的，但是对生产因素状态的控制，与安全管理目的关 系更直接，显得更为突出。 从以往的经验我们可以看到，气体泄漏事故一旦发生，如果不能尽快采取相应的应急措施，一定会造成严重的后果。但如果能够了解各种因素对气体扩散的影响，就有利于建立气体泄漏扩散模型，并进一步预测泄漏气体扩散的危险区范围，尽快制定出相应的应急措施，就可以把损失降到最小。下面我们就介绍一下影响气体泄漏扩散的几个主要因素。 风向决定泄漏气体扩散的主要方向。风速影响泄漏气体的扩散速度和被空气稀释的速度，风速越大，大气湍流越强，空气的稀释作用就越强，风的输送作用也越强。一般情况下当风速为每秒1米～5米时，有利于泄漏气体的扩散，危险区域较大；若风速再大，则泄漏气体在地面的浓度降低。 大气稳定度是评价空气层垂直对流程度的指标。大气越稳定，泄漏气体越不易向高空消散，而贴近地表扩散；大气越不稳定，空

气垂直对流运动越强，泄漏气云消散得越快。 气温或太阳辐射强弱主要是通过影响大气垂直对流运动而对泄漏气体的扩散发生影响。大气湿度大不利于泄漏气云的扩散。 地面的地形、地物会改变泄漏气体扩散速度，又会改变扩散方向。地面低洼处泄漏气体团易于滞留。建筑物、树木等会加强地表大气的湍流程度，从而增加空气的稀释作用，而开阔平坦的地形、湖泊等则正相反。在低矮的建筑物群、居民密集处或绿化地带泄漏气云不易扩散；高层建筑物则有阻挡作用，气云会从风速较大的两侧迅速通过。 当泄漏源位置较高时，泄漏气体扩散至地面的垂直距离较大，在相同的泄漏源强度和气象条件下，扩散至地面同等距离处的气体浓度会降低。若气体向上喷射泄漏，泄漏气体具有向上的初始动量，其效果如同增高泄漏源的位置。 泄漏气体密度相对于空气密度的大或小，分别表现出在扩散中以重力作用或以浮力作用为主。重力作用导致其下降，地面浓度增加，下降趋势会因空气的不断稀释作用而减弱。浮力作用在泄漏气

重要文档防扩散系统方案介绍

重要文档防扩散系统方案介绍 前言 随着Internet的高速发展和信息化建设的不断推进，越来越多的文件以电子文档的形式进行传输和保存。因此，在网络中承载了越来越多的以电子文档形式存在的关键数据，这些电子文档则组成了企事业单位的核心数据资产。例如： 制造业关心的设计图纸、价格体系、商业计划、客户资料、财务预算、市场宣传计划、采购成本、合同定单、物流信息、管理制度等。 政府和军队所关心的公文，统计数据，机要文件，会议机要，军事情报、军事地图、作战方案等。 金融机构所关心的交易数据、账目信息、融资投资信息、董事会决议、大客户信息、上市公司中报 / 年报等。 知识型企业所关心的调查报告、咨询报告、招投标文件、专利、客户资料、价格等。 设计类机构所关心的设计图、设计方案、策划文案、客户信息、软件程序等。 专业事务所所关心的涉及众多客户的机密信等。 娱乐行业以及图像声音处理行业的重要的语音、图像等防止泄密的声音和影像文件。 …… 上述文档一旦发生遗失，会给客户带来巨大的灾难： 市场竞争力的下降 利润的损失 企业的关闭 国家在国际上影响力的下降 …… 一泄密原因分析 纵观国内外不同行业用户的泄密事件，经过统计分析，我们认为造成信息泄密的主要原因主要来自如下三个层面的四个方面。 被动泄密：

包括信息盗窃和信息丢失 1．信息盗窃——指通过非法手段获取信息并进行恶意利用的犯罪行为。 信息盗窃动机主要来自： A．获取机密或敏感数据的访问权； B．利益驱动，如为了钱财或地位等。 主要表现形式： 系统入侵、未授权访问、信息窃取、木马后门、网络嗅探、商业间谍等。 2．信息丢失——由于设备、存储介质丢失而引起信息丢失，造成信息泄漏。 主动泄密： 主动泄密是指工作人员故意泄漏数据信息资料。相比被动泄密而言，主动泄密防不胜防，因为工作人员能够接触到重要信息，并具有一定的访问、使用权限。 造成主动泄密的主要原因来自： A．内部员工离职或与公司发生劳动纠纷而将重要文件带走； B．利益驱使内部员工将公司重要的商业机密提供给竞争对手； C．企业信息管理不善，导致内部员工能够接触到企业敏感的业务数据或敏感信息，没有做分级分权细化处理； D．相关信息保密制度和惩罚措施滞后、责任不到位、法制观念淡薄、员工考核机制落后、缺乏流程化管理是造成员工会主动泄密的客观因素。 交叉感染： 信息交叉感染也容易带来信息泄漏，它属于无意识的信息泄密。我们知道，信息在流转过程中，需要经过很多环节，如新建、操作、发布、传输、存储、销毁等，当一个信息被发布出来后，往往会通过网络或是存储设备将信息传递到其他地方，如果操作人员没有做好保护工作，就会很容易被别人获取，无意间造成信息泄漏。 主要表现在： A．一机多用户引发信息交叉感染，电子文档都存储在共享的硬盘上，加上操作没有采取强制访问控制措施，其他用户能够接触到保密文档，因此无法保障各用户电子文档的安全，给别有用心的用户可乘之机； B．移动存储设备引发数据交叉感染，当电子文档拷贝到移动存储设备上，如笔记本电脑、USB、移动硬盘等，这些设备在借用、维修、外出办公过程中，极易被他人偷走； C．剩磁效应引发数据交叉感染，采用特殊的文件恢复工具将删除的文件恢复过来，从

一类反应扩散方程解的长时间行为

I 一类反应扩散方程解的长时间行为 摘 要 本文主要在一个有界光滑区域中讨论了一类带有齐次Dirichlet 边值条件的反应扩散方程解的长时间行为，其方程的形式如下： 其中 偏微分算子是一致抛物的， ，满足一定条件。 对于以上方程，我们首先定义了该方程的弱解，之后我们在有限维空间中构造了一系列该方程的近似解，并证明了在维数趋于无穷时，存在子列收敛于该方程的弱解。最后，我们利用先验估计得到了该方程弱解的存在唯一性。 在获得方程弱解的存在唯一性后，我们便能定义伴随方程的解半群，并由此研究伴随方程解半群的全局吸引子。 为了证明解半群在 中存在全局吸引子，我们证明 了伴随方程的解半群在 与中有界吸收集的存在性，并利用Sobolev 紧嵌入定理得到了全局吸引子的存在性。 关 键 词：反应扩散方程；Galerkin 方法；全局吸引子；弱解

II ABSTRACT In this thesis, we mainly consider the long-time behavior of solutions for the following reaction-diffusion equation with homogeneous Dirichlet boundary condition in a bounded smooth domain : where The partial differential operator is uniformly parabolic, and satisfies some additional assumptions. First of all, we give the definition of weak solutions, and then, we construct a sequence of approximate solution in a n dimension subspace and show that there exists a subsequence will convergent to a weak solution of this problem when n goes to infinite. Finally, we establish the existence and uniqueness of weak solution by some aprior estimates. With the help of the existence and the uniqueness of weak solutions, we define the solution semigroup associate with the problem and investigate the existence of a global attractor for the semigroup. To prove the existence of a global attractor, we show that there exist bounded absorbing sets in and and obtain existence of a global attractor in by using the Sobolev compactness embedding theorem. KEY WORDS: Reaction-diffusion equation; Galerkin’s method ; Global attractor; Weak solution

扩散参数。

扩散过程；高方阻工艺；电池性能参数。祝飞 属于恒定表面浓度的扩散，浓度沿纵深的浓度分布为余误差型。磷源在扩散温度下分解并沉积在硅面上向内部扩散。此时表面浓度为P在Si中的固溶度，结深随时间逐渐推进，扩散层方阻随通源时间变小。 ?停源再分布过程，理论上是恒定杂质总量的扩散，但实际上还需考虑到此时：硅面上还有已沉积但未扩散的 磷；炉内仍有残留磷源；表面高磷浓度薄层被氧化为PSG。这个过程中表面浓度可能会降低，结深继续向纵深推进，不排除方阻有逐渐变大的可能。 这有效降低了表面杂质复合中心，提高了表面少子寿命，增加了短波响应，从而有效的提高I SC和V OC，从而提高N cell。 ?高方阻的问题：高方阻还意味着表面薄层电阻的明显增加，这将增大R S，降低FF。所以高方阻工艺的关键 是使得I SC和V OC的提高大于FF的损失。 ?高方阻扩散要求：（1）保证方阻均匀性是一切的前提，其影响因素为：设备因素包括温度、尾气负压、排风； 工艺因素包括预沉积氧化层的厚度、磷源浓度等。要求极差值小于8，通过实验确定各参数。（2）高方阻的扩散方案：原则是降低掺杂量，如降温、减小源的浓度等，但需配合diffusion time和drive in time的调整。 通过DOE（Desire of experiments）确定具体参数。（3）在原有制程工艺上进行试生产，若看到I SC和V OC的提升，尤其是V OC的提高，则证明高方阻扩散成功。 ?高方阻镀膜要求：（1）若表面钝化效果糟糕，则高方阻造成的I SC提升会因此而再次损失。（2）为了配合高 方阻对短波响应的提升，PECVD镀膜时要考虑对n和d做出调整，从而减少短波反射。（3）用椭圆偏振光法（即椭偏仪）可以测量膜厚和折射率，本质是通过检测、分析入射光和反射光的偏振状态，是间接获得结果的一种非接触测量方法。需DOE实验确定具体参数。 ?高方阻印刷要求：按原有的印刷工艺，对N cell进行确认，若有提高，则只需调节烧结工艺；若没有提高或 者提高很少，则需变更正电极网版的设计，原则一是“细线密栅”，二是不增加遮光面积。同样需要DOE。 ?高方阻烧结要求：烧结温度的调节简单说就是升降每个温区的温度。一般要求“高温快烧”。 太阳电池的电性能 ?理想电池的伏安特性【I-V Curve】 太阳电池本质上是一个大面积的二极管，二极管伏安特性为：I=I0exp[(qV/nkT)-1]，I0为暗电流，表征二极管中性区少子复合的强弱，正向偏压下的多子扩散电流由少子复合决定。光照下太阳电池可以等效为二极管并联电流源，电流源方向与外加电压方向相反，其伏安特性为I=I0exp[(qV/nkT)-1]-I L，考虑到太阳电池本身是一个电源，无需外接电压，因此太阳电池的伏安特性表示为：I=I L-I0exp[(qV/nkT)-1]。 ?短路电流【Short-Circuit Current】 短路电流由光生载流子的产生和收集情况决定，理想电池的I SC=I L（不考虑寄生电阻），其大小受以下因素影响：电池面积，其与短路电流密度J SC共同影响I SC；光强度，即光子数目，同样的光强，紫光的光子数要比红光光子数少；电池的光学性能，能否减少光损失；电池收集性能，取决于表面钝化和少子寿命。?开路电压【Open-Circuit Voltage】 太阳电池静电流为0时的电压值。V OC =(nkT/q)ln[(I L/I0)+1]，开路电压随暗饱和电流增大而减小。暗饱和电流与中性区少子复合相关。因此少子复合越弱，则开路电压越高。 ?寄生电阻【Parasitic Resistance】 寄生电阻用来表征太阳电池内部的能量浪费，根据浪费形式不同，分为串联电阻（Series Resistance）和并联电阻（Shunt Resistance）两部分。寄生电阻对电性能的影响主要体现在Fill Factor上。 R S的来源一是电流在电池发射极和基区的损失；二是MS接触电阻；三是电池正栅和背接触电阻。R S 会减小FF；严重时会减小I SC；不会影响V OC；其大小用V OC处的斜率来表征。 R Sh的来源主要是制造过程中引入的缺陷，与电池设计无关。低并阻为光生电流提供了另一条通路，消 ?

光扩散剂的基本参数与性能关系

光扩散剂的基本参数与性能关系 1）光扩散剂的折射率须大于基体树脂材料吗？ 目前在网上搜索一下，发现了相互矛盾的不同讲法及观点。有些人认为“要满足透光不透明即透光又匀光的效果，光扩散剂的光折射率要比树脂的折射率高。我们常用的不饱和树脂的光线折射率为1.544，亚克力树脂的光线折射率为1.4910。过分的高于或者低于树脂的光线折射率会造成大量的反射，影响了透光率，接近树脂折射率，会减少光散射的路径，透明度下降少，无法有效的遮蔽光源。”但日本信越有机硅的对外公开正式产品宣传中，强调“（因为）有机硅树脂球形微粉的光折射率比较低，所以光扩散效率高”。 孰对孰错，我们先从一些基本概念和原理开始分析： i）折射率的基本定义：光在真空中的相速度与光在介质中的相速度之比值。材料的折射率越高，使入射光发生折射的能力越强。常见几种透明树脂的折射率如下： 树脂及材料种类光折射率 KMP-590(有机硅） 1.43 PMMA 1.49 PP 1.49 ~ 1.50 LDPE 1.51 MDPE 1.52 ~ 1.53 PA（尼龙） 1.53 PET 1.58 PC(聚碳酸酯） 1.59 PS 1.59 折射率决定着材料看上去的光亮程度，较大的折射率表明在材料与空气的交界面上有更多的光线被反射。一般来说，折射率愈高，透光率愈低。 ii）光散射的基本概念： 物质中存在的不均匀团块使进入物质的光偏离入射方向而向四面八方散开，这种现象称为光的散射，向四面八方散开的光，就是散射光。与光的吸收一样，光的散射也会使通过物质的光的强度减弱。

当光在物质中传播时，物质中存在的不均匀性（如悬浮微粒、密度起伏）也能导致光的散射（简单地说，即光向四面八方散开）。蓝天、白云、晓霞、彩虹、雾中光，曙光的传播等等常见的自然现象中都包含着光的散射现象。 其实，添加光扩散剂制得的光扩散材料及制件，正是基于上述光的散射原理。透光与散射必须基于实际需要达到一个平衡，因此光的散射必须控制在一个合理范围内，因此对于连续介质中的不均匀成分即球形微粉的折射率(差)、球度、颗粒表面规整度、粒径大小、浓度等参数有着一定的要求与限制。因此作为光扩散剂，折射率不但要小，而且与连续相介质（即基体透明树脂）不能相差太大。因为折射率差愈大，散射作用愈强。连续相基材与非均相颗粒折射率差异过大将导致全反射发生，將光线反射回內部而无法有效导出。 2) "光扩散剂"与“消光剂”各自强调的性能有显著区别 两者的共同点是都产生光的扩散。但消光剂在产生光扩散的同時也造成了程度很高的光衰。消光剂所造成的光扩散結果是牺牲了絕大多数的光透过率，造成严重光衰。而光扩散剂所需兼具的要点在於保证一定的透光率，並非只是柔光或光衰严重的消光。 目前LED普遍使用的光扩散剂是传统的消光粉，具有相當高的光衰。 由于消光粉目前绝大多数为基于无机材质的，且微观颗粒形态结构属于多角不規則狀，造成光线无法大量穿透消光粉，或消光粉將光线不断地反向反射而严重衰減，造成产品应用受限。 消光剂可能造成光线反射而造成光扩散的現象，但同時也造成光线大量被不规则折射而產生光线被吸收的現象。在形成光扩散結果的同時，也付出了更大的光衰作为代价。 消光剂的重点是"消光", 但光扩散剂的重点是"散光", 同时不能“消光”，理论上最理想的情况是"散而不消”、"扩而不衰" 。当然就目前的技术水平来讲，即使像日本信越这些有机硅光扩散剂的领先企业也很难做到，只能是尽可能去控制、最小化光衰的程度，从而达到既透光又雾白柔和的效果。而这，恰恰是目前更高效光扩散剂研制开发中的难点和热点之一！ 3）所谓的“纳米光扩散剂" 光的散射与连续相介质中不均匀相(颗粒）的尺度有着密切关系。就目前照明用可见光如LED光源（波长范围约400~ 800nm）来讲，我个人不认为光扩散剂的粒径有做到真正纳米尺度的必要。而且，纳米尺度的颗粒能否实现对可见光高效的光扩散效果之同时保证足够高的透光率及透光质量，我个人也表示怀疑。更不用提及纳米技术目前在分散及微观形态精确控制方面的局限性。 事实上，目前国际上几家大的有机光扩散剂厂家均未见有"纳米级"的介绍及宣传。一般较主流的颗粒尺度在“1.0um - 4um", 即小微米及亚微米的尺度范围，与目前的LED（照明）光源波长还是较合适的。 4）颗粒微粉的微观形态控制特别是球度很重要，这是不言而喻的。这将显著影响光的折射、