集成电路外引线图

附录1 集成电路外引线图

3四2输入异或门74LS86Y=A ⊕B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND

Vcc 4A 4B 4Y 3A 3B 3Y

4

六反向器74LS04

Y=A

1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND

Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A

4Y

1四2输入与非门74LS00Y=A ?B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND

Vcc 4A 4B 4Y 3A 3B 3Y

2

四2输入或门74LS32Y=A ＋

B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND

Vcc 4A 4B 4Y 3A 3B

3Y

7双4输入与非门74LS20Y=A ?B ?C ?D

1A 1B NC 1C 1D 1Y GND

Vcc 2D 2C NC 2B 2A 2Y

8

2路3—3输入、2路2—2输入与或非门Y=(A ?B ?D)+(E ?F ?

G)1A 2A 2B 2C 2D 2Y GND

Vcc 1C 1B 1F 1E 1D

1Y

5四2输入与门74LS08Y=A ?B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND

Vcc 4A 4B 4Y 3A 3B 3Y

6

三3输入与非门74LS10Y=A ?B ?

C

1A 1B 2A 2B 2C 2Y GND

Vcc 1C 1Y 3C 3B 3A 3Y

Y=(A ?B)+(C ?D)74LS51

11

四2输入与非门CD4011Y=A ?B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y V SS

V DD 4A 4B 4Y 3A

3B 3Y 12

六反向器CD4069

Y=A

1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y V SS

V DD 6A 6Y 5A 5Y 4A

4Y

9

四2输入或非门74LS02Y=A ＋B

1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND

Vcc 4A 4B 4Y 3A

3B 3Y 10

8输入与非门74LS30Y=A ?B ?C ?D ?E ?F ?G ?

H A B C D E F GND

Vcc NC H G NC NC Y

15

16

13

14

1A 1B NC 1C 1D 1Y GND

V CC 2D 2C NC 2B 2A 2Y

双4输入与门

74LS211A 1B 2A 2B 2C 2Y GND

V CC 1C 1Y 3C 3B 3A 3Y

三3输入或非门74LS27Y=A+B+C Y=A ?B ?C ?D

1A 1B 2A 2B 2C 2Y GND

V CC 1C 1Y 3C 3B 3A 3Y

三3输入与门74LS11

Y=A ?B ?

C 双上升沿

D 型触发器1CLR 1D 1CLK 1PR

E 1Q 1Q V SS

V DD CD40132CLR 2D 2CLK 2PRE

2Q 2Q

27

B C LT BI LE D

V SS

V DD 28

254线—七段译码器/驱动器（BCD B C LT BI/RBO

RBI D A V CC Y f Y g Ya Y b Y d Ye

26

GND

V CC 31

29

30

4线—16线译码器 74LS15445678910A B C D G215

G1A GND

输入，有限流电阻 ) 74LS48Yc Y f Y g Ya Y b Y d Ye

Yc 4线—七段译码器/驱动器（BCD 输入，无限流电阻 ) CD4511

4线—七段译码器/驱动器（OC)B C LT BI/RBO

RBI D A V CC Y f Y g Ya Y b Y d Ye

GND

74LS247Yc GND

V CC 3线—8线译码器 74LS138

A B C OE2A OE2B OE1Y7Y0Y1Y2Y3Y4Y6

Y5123141312011

双上升沿D 型触发器74LS74

1CLR 1D 1CLK 1PRE 1Q 1Q GND

Vcc 双下降沿JK 型触发器74LS112

GND Vcc 2CLR 2D 2CLK 2PRE 2Q 2Q

1CLR 1K 1CLK 1PRE 1Q 1Q 1J 2CLR 2K 2CLK 2PRE 2Q

2Q 2J

34

3532

33

38

四位十进制同步计数器（异步清零）CLR CLK A B C D GND

Vcc

RCO Q A Q B Q C Q D ET 39

十进制同步加/减计数器（双时钟）B Q B Q A DOWN

UP Q C Q D Vcc A CLR BO CO LOAD C 36

4位二进制全加器

37

2B2A2A1

B1GND

V CC C0LOAD

74LS160

EP 74LS192 CD40192GND

D

GND

V CC 10线—4线优先编码器 74LS14745678C B NC D 321A

9四位二进制同步计数器74LS161CLR CLK A B C D GND

V CC RCO Q A Q B Q C Q D ET LOAD

EP 74LS1484567E1A2GND

V CC E0GS 3210A1A0

8线—3线优先编码器GND

V CC 4线—10线译码器 74LS42

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6A B C D Y9Y7

Y84位二进制同步加/减计数器（双时钟）B Q B Q A UP Q C Q D Vcc A CLR BO CO LOAD C 74LS193 CD40193GND

D

DOWN

74LS28313B3A3A4B4C4

4

42

456D 触发器（有清除端）

CLR 1Q 1D 2D 2Q 3D GND

V CC 6Q 6D 5D 5Q 4D 4Q 40

43

46

44

47

74LS174

3Q CLK

14位同步二进制计数/

分配，振荡器Q12Q13Q14Q6Q5Q7V SS

V DD Q10Q8Q9CLR CKI CKO CD4060

Q4CKO

4上升沿D

型触发器

CLR 1Q 1Q 1D 2D 2Q GND

V CC 74LS1752Q CLK

4Q 4Q 4D 3D 3Q 3Q 十进制计数/分频器

CD4017

Y5Y1Y0Y2Y6Y7V SS

V DD CLR CLK CLKEN CO Y9Y4Y3Y8

41

4

位双向通用移位寄存器SR SER

A CLR

B

C

D GND

V CC QA QB QC QD CLK S1SL SER S0

74LS194R9(1)NC R9(2)Q C Q B NC V CC GND

R0(2)CKB CKA Q D Q A 十进制计数器74LS290

R0(1)8

位移位寄存器Q A A CLR B Q C Q D GND

V CC Q H Q G Q F Q E CLK

Q B 74LS164四位二进制同步加/

减计数器B Q B Q A CTEN D/U Q C Q D Vcc A CLK RCO CO/BO LOAD C 74LS191GND

D

50

48

8段LED 数码显示器（共阴）

a b

c

d

e g 51

f

G N D

G N D

8段LED 数码显示器（共阳）

a b

c

d

e g

f V C C

V C C

555时基电路

GND TI OUT Vcc D TH VC

RD

49

E6E5E4E3E2E1GND

V CC E8E9E10E11E12E13D W E7G E0E14E15A B C

16选1数据选择器74LS1505253

4

双向模拟开关1IN/OUT V SS

V DD 1V C CD4066

8选1

数据选择器（原，反码输出）D3D2D1D0Y W GND

V CC D4D5D6D7A B 74LS151

G C

1IN/OUT 2IN/OUT 2IN/OUT

2V C 3V C 4V C

4IN/OUT 4IN/OUT 3IN/OUT 3IN/OUT

附录2 TTL集成电路分类、推荐工作条件

1．TTL集成电路分类

54系列：军用产品

74系列：民用产品

2．推荐工作条件

集成电路封装中的引线键合技术研究

集成电路封装中的引线键合技术研究 发表时间：2019-08-30T17:12:20.510Z 来源：《基层建设》2019年第16期作者：吴栋华 [导读] 摘要：本文以集成电路封装系统为研究对象，对其中的引线键合技术的工艺内容进行研究分析。 晟碟信息科技（上海）有限公司上海 200241 摘要：本文以集成电路封装系统为研究对象，对其中的引线键合技术的工艺内容进行研究分析。在简要介绍引线键合技术基础的前提下，分析多种类型的键合技术，并重点在键合技术基础条件上，就温度、时间、键合工具、引线材料、键合机理这四方面内容进行细化说明。 关键词：集成电路；封装处理；引线缝合 引言 集成电路封装技术，受到电气设备高速发展的影响，在行业领域与科技条件的带动下，呈现出了高速率的发展条件。为了适应整体行业的发展状态，需要对其中的技术条件进行升级，尤其在键合技术内容中，需在简要介绍基本概念内容的基础上，引出整体技术应用要点，为相关研究提供参阅材料。 一、引线键合技术概述 引线键合技术，将技术细线作为材料与技术基础，通过对热、压力、超声波等能量条件的利用，实现金属引线与基板焊盘之间的紧密焊合状态。此项技术，是芯片技术领域中极为常见的技术手段，是维护电力互联状态、执行信息通信功能的基础性技术条件。在理性的控制状态下，引线与极板之间，会出现电子共享或原子扩散，并在联众金属间，出现原子量级的键合状态。功能属性上，引线键合技术，将核心元件作为工作对象，对其行使导出与引入功能，以此展示自身技术条件在集成电路封装中的技术应用价值。 二、多类型键合技术分析 集成电路的设置，可以分为多道操作工艺，并在磨片、划片、装片、烘箱、键合、塑封等多项技术工序中，完成整体的技术管理。在IC封装技术条件下，芯片与引线之间的连接状态，是电源与信息号连接的基础，在连接方式上，呈现出倒装焊、载带自动焊、引线键合三种技术类型。在应用条件上，引线键合表现出明显的技术优势。而在传统封装条件下，引线键合技术也表现出一定的特异化内容，通常会使用球形焊接的流程工艺形式。 球形焊接技术，首先要设置第一点焊接，并将其位置固定在芯片表面。然后通过线弧的成型处理，引导出第二点焊接，并将其设置在引线框架或者基板的表面。技术原理上，通过离子化的空气间隙，引导出“电子火焰熄灭”现象，并在形成金属球的过程中，产生所谓的自由空气球，表现出技术条件下独有的特征属性。而在键合处理的过程中，这一技术条件，表现出了明显的精度优势，可以分别在不同的方向上作出补偿控制点，以此保证整体焊接处理的合理状态[1]。 整体角度出发，键合技术需遵照基本的工艺条件设置需求，在基础设备、键合时间、键合温度等多方面内容的控制条件下，保证整体键合操作工艺的合理化状态。尤其在键合机台压与功率的控制上，应尊重超声功率的基本应用条件，将焊线与接触面保持在相对较为松软的条件下，在输入能量的同时，保证物质分子态结构之间的嵌合，完成新形状的塑造。 三、键合技术的基础条件说明 （一）温度条件 温度是控制键合操作的重要指标，对整体技术的应用合理性状态，有着直接且绝对的影响。适当的温度条件，是执行引线键合的基础。在键合处理中，温度所产生的能量条件，会消除在键合接触面中产生的氧化物质，可以有效地提高键合处理的技术效果。针对这一问题，技术领域进行了大量的研究实践分析，并确定了统一的键合操作最优温度状态。通常情况下，将200℃-240℃，作为最优化的键合消耗条件，如果键合处理中的环境温度低于这一温度条件，就无法发挥消除氧化层的技术处理效果。反之，如果高于这一温度区间，对键合技术的应用条件，也会造成危害，并在接触面上，增加出现氧化物的概率。因此，需要对键合的温度进行系统化的控制，使其在相应的温度区间中，维护键合技术处理的有效性，提高整体集成封装技术的适应性条件。 （二）时间条件 键合操作，是一个流程化的技术过程中，虽然所用的时间相对较为短暂，但在整体的键合处理中，也会随着键合点位置的变化，表现出明显的差异性条件。通常情况下，键合处理所消耗的实践越长，键合球吸收的能量也就相对越多，这一条件，直接增加了键合接触界面的直径参数。此时，会对键合界面的强度起到明显的强化效果，但是这种条件也会相应的缩减键合的强度。同时，如果键合的时间过长，会大大的增加键合点的范围，增加键合空洞的形成概率。因此，键合处理的技术过程中，需要对实际技术条件进行分析，在确定具体应用环境的同时，合理控制键合时间，以此保证整体键合处理的有效性，为整体集成电路封装处理的优化奠定基础。 （三）键合工具 引线键合处理中，需要使用特定的提供具设备，在执行能量传递工作的过程中，保证操作界面的良性键合效果。通常情况下，键合设备工具，需要针对键合技术的应用形式，分别对超声波、热量、压力等不同类型的能量形态进行传递了，同时还需要将键合所用的引线材料固定的工具上，以此保证技术操作处理的有效性。而不同的键合处理方法与流程，所选用的键合工具也有所差异[2]。例如，在楔形键合技术中，主要通过楔形劈刀设备，完成键合操作，而其材质，主要由碳钛合金或者钨碳材料组成。又如，在球形键合技术中，会将毛细管劈刀设备作为操作工具，而其材质大多为陶瓷材料，明显的区别于楔形键合设备。另外，无论是哪一种键合工具，其应用中的大小型号，都会对整体键合处理的精度与稳定性状态产生影响，需要得到相关技术人员的重视，并在应用作出必要的调整。 （四）引线材料 引线材料是键合技术处理中的基础，常见的引线多为铜、铝、金等技术材料。铜线的应用最为普遍，在经过键合处理之后，通常无需进行二次封装处理。同时，在使用铜线进行键合处理的过程中，可以有效地降低杂物的出现概率，避免劈刀出现堵塞问题，保证良好的运行状态。在键合处理的过程中，需要重点关注铜丝结构的强度属性与延展性状态，并在优化铜丝纯度的同时，使其应用价值得到保证。另外，在实践过程中发现，在铜丝的引线材料中，适当的加入其它元素的金属物质，会使铜丝在键合处理中发生明显的质量变化，并展现出差异化特征。 以金线为材料基础的键合技术，在实际应用中，也有明显的技术优势，并在封装实务操作中，具有一定代表性。技术操作中，用于金

引线框架铜合金

引线框架铜合金材料 1）介绍引线框架： 作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。 2）优势所在： 科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求，引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路，因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作，据不完全统计，引线框架合金约77种，最为显著的是C194铜合金材料：抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥×10-2S/m。 3）C194热轧工艺： 本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯，用水冷铁模浇铸合金扁锭，铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。 1、开轧温度，是轧机开始对金属轧制的温度。开轧温度在金属的塑性变化温度以上，这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状，每种金属均有自己的开轧温度。生产现场总是希望开轧温度高一点，以便提高轧件的塑性，降低变形抗力，节省动力，易于轧制变形。 2、终轧温度，是金属产生塑性变形结束时的温度。这个温度有两个要求：（1）要满足金属仍在塑性变化的温度区域，以便顺利完成轧制；（2）要满足某种金相组织。这是因为，不同的温度，金属有不同的金相组织。如果超过终轧温度，就会出现其他组织的金相组织，这就影响了轧制质量。终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件,需考虑到晶粒大小、第二相的析出。 保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较小,实验中控制在2 h。重点研究开轧温度和终轧温度的确定及其对组织性能的影响。 ）开轧温度

我国引线框架产业现状及前景分析

我国引线框架产业现状及前景分析 引线框架、金丝均属于半导体/微电子封装专用材料，在半导体封装过程起着重要的作用。微电子或半导体封装，直观上就是将生产出来的芯片封装起来，为芯片的正常工作提供能量、控制信号，并提供散热及保护功能。 引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体，并借助于键合丝使芯片内部电路引出端（键合点）通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。 （1）我国引线框架功能与分类 引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。 内容选自产业信息网发布的《2015-2020年中国引线框架行业市场发展动态及投资策略建议报告》 引线框架在半导体封装中的应用及位置 资料来源：中国产业信息网数据中心整理

引线框架根据应用于不同的半导体，可以分为应用于集成电路的引线框架和应用于分立器件的引线框架两大类。这两大类半导体所采用的后继封装方式各不相同，种类繁多。不同的封装方式就需要不同的引线框架，因此，通常以半导体的封装方式来对引线框架进行命名。集成电路运用广泛且发展迅速，目前有DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等多种封装方式；分立器件主要是各种晶体管，封装上大都采用TO、SOT 这两种封装方式。 引线框架分类列表 资料来源：中国产业信息网数据中心整理 （2）我国引线框架行业相关政策 2012 年2 月，国家工业和信息化部颁布的《集成电路产业“十二五”发展规划》中提出，要加强12 英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化，支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。 引线框架行业相关标准

集成电路用引线框架材料研究

集成电路用引线框架材料研究 【摘要】随着电子技术飞跃发展，集成电路成为了电路中尤为重要的部件。因此，对集成电路的研究上升到了一定的高度。引线框架作为集成电路是重要组成部分，运到了新机遇及新挑战，研究引线框架材料成为相关专家与学者研究的重要课题。本文阐述了当今引线框架的研究进展，介绍了引线框架的基本特征及研发动态，就集成电路用引线框架材料发展前景做了展望。 【关键词】引线框架材料;集成电路;研究 0.前言 在集成电路中，就是依靠进线框架连接外部元件与芯片，其作用至关重要。主要起到支撑及固定芯片，保护内部元件，把IC组装成为一个整体；同时将芯片和外部电路连接起来传递信号，有效进行导电导热。因此，集成电路与各个组装程序必然依据框架才能成为一种整体。鉴于引线框架材料在集成电路中的重要，许多相关人士将研究集成电路用引线框架材料成为了热点话题。在这种形势下，本文对集成电路用引线框架材料研究具有实际价值。 1.集成电路用引线框架概述 随着电力技术快速发展，信息产品正朝着轻量化、高速化、薄型化、小型化以及智能化等方向发展，而作为封装材料也得到长足发展，尤其是半导体的集成电路封装更是突飞猛进。 如今，引线框架的封装密度及引线密度是越来越高，同时封装引线的脚数也快速增多，让引线的节距逐年降低，如今已近达到了0.1mm，同时超薄型成为了热门，从过去的0.25mm降至到0.05-0.08mm,而引线的框架也朝着轻、短、薄、多引线、高精细度以及小节距方向发展。 集成电路用引线框架的性能: ①具备较高强度与硬度；因为引线框架逐步小型，但是其内部容纳的电路依然是那么多，而且容纳的东西应该是越来越多，这就为其材料提出了较高强度及硬度要求。 ②良好的导热性；随着集成电路逐渐变小，功能足部增大，随着工作效率提高必然产生热量越多，必然要具备加好导热性。 ③较好的导电性；要消除电感及电容造成的影响，材料就必然要求较好导电性，才能降低框架上的阻抗，也有效散热。 除了具备如上一些功能特性之外，引线框架还要具备良好的冷热加工性能，较好的微细加工和刻蚀性能及较好的钎焊性能等。一般而言，较为理想引线框架材料的强度不能够低于600MPa，其硬度HV不能小于130，而其电导率不能小于80%。 2.研究引线框架材料进展 随着集成电路朝着小型化及高集成化以及安装方式变化等等方向上发展，为引线框架材料特性及质量要求是逐渐增强，必然要投入更多人力物力来开发与研究新材料。自从上世纪60年代集成电路研发成功以来，相关人士就在不断的开发优质集成材料，电子封装材料及各类引线框架也不断产生，针对引线框架材料较多的是高铜合金及铁镍合金开发比较成功，本文就是以这两种材料作为例子进行阐述。 2.1铁镍合金

最新引线框架

引线框架

引线框架背景材料 引线框架是半导体集成电路用的主要原材料。按知识产权分类，有open 和close 两种。Open即公开的，无知识产权保护，各半导体厂家都可以使用。close 是有知识产权的引线框架，不允许他人使用。 一市场需求 引线框架生产以冲压为主，蚀刻工艺很少。冲压的生产效率要高于蚀刻，在产量大的情况下，冲压生产成本低，主要是模具费用。机械冲制只需电费，冲下的废料足够支付电费。 蚀刻工艺主要用于： 1新产品研发，因为量比较少。 2用量少且又不想让他人使用的产品，例如汽车、电机所使用的专用集成电路。 3需要半蚀刻区的引线框架。 4引脚数多的产品。这类产品，模具费用高，用量少。通常认为 100脚以上的引线 框架，用蚀刻工艺较多。 二原材料 大部分材料为铜，中高端材料需进口。个别也有使用 inwa 材料的，例如led 用的引线框架。材料宽度一般为15cm。

三工艺流程 打定位孔→清洗→贴感光膜→曝光→显影-腐蚀-剥膜→电镀→打凹→贴带→检验 韩国AQT公司前段采用连续卷式生产，后段电镀工艺为片式。苏州住友公司采用分段式卷式工艺，包括电镀。 四上马该项目所面临的问题。 1只能走高端路线。 因为模具技术在不断提高，制作模具的成本也在不断降低，蚀刻引线框架恐怕只能走高端路线。例如，汽车、电机以及单反相机用的专用集成电路，一个品种全球也就需要不到几百万片，分散到某个公司，一年也就几十万片，所以，采用蚀刻工艺生产是可行的。 但这类产品要求高，认证时间长。

2环保问题。 电镀工艺是否可以和兄弟公司的电镀有机结合？如果单独设置电镀，恐不易操作。 2011-06-06

混合集成电路的外引线键合技术

混合集成电路的外引线键合技术 混合集成电路的外引线键合技术 1.引言混合集成电路多采用引线键合的方式实现基板与管壳引线柱之间的互连，即混合电路的外引线键合。实现外引线键合的方式通常有以下几种；SiAl丝超声焊、Au丝热压焊、Au丝球焊、Au丝点焊、粗Al丝超声焊、Cu丝超声焊和Cu丝点焊等。与混合集成电路内引线键合不同，外引线键合时，键合丝的1端在厚膜或薄膜的金属化层上，另一端不在IC芯片上，而在管壳的引线柱上。有关内引线键合研究的文献报道很多 [1][2][3]。大家从键合的机理、键合工艺、键合机器、键合丝材料以及IC的金属化层、薄膜金属化层、厚膜金属化层等各个不同的角度对内引线键合的质量进行研究。对引线键合可靠性的研究基本上都集中在金属间化合物的形成、生长，金属焊区的清洗等方面。有关外引线键合的研究，大多都集中在金属管壳的镀层结构、材料和镀层厚度对键合质量的影响[4]。本文针对混合集成电路的外引线键合，对不同的键合工艺及其对应的金属学系统进行研究，并对Au丝球焊、Au丝点焊和SiAl丝超声焊的结果进行了对比，认为采用Au丝点焊工艺键合混合电路外引线的效果最佳。2.实验方法选取某电路所用的基片和配套的TP13管壳13套，管壳的引脚采用可伐镀金工艺。采用正常的组装工艺进行操作。制作实验用的电路样品，每只样品有10个外引线镀金引脚。在每1只实验样品中，分别采用 40μm的SiAl丝超声焊、40μm的Au丝球焊和40μm的Au丝点焊3种键合方式进行键合。其中每个实验样品中，SiAl丝超声焊和Au丝点焊各3个外引线引脚，Au丝球焊4个外引线引脚。键合完成后，抽取1只样品在室温下做破坏性键合强度实验，剩余的12只样品分为3组，每组4只样品，分别做300℃、1h，300℃、2h和300℃、3h的高温存贮实验。然后再做破坏性键合强度实验，对比3种键合方式的键合强度的实验结果。3.实验结果采用上述3种键合方式键合的样品，经过常温和300℃不同时间存贮后的键合强度值如表1所示。表1中，失效模式正常是指从键合点的颈部或键合丝的中部断裂。镀金层脱焊是指从外引线柱顶端的镀金层处脱落。表1 3种键合方式的键合强度的比较样品金丝焊球金丝热压焊硅铝丝超声焊常温 1 ＃ 14.712.813.715.5 13.613.215.0 11.813.614.3 300℃1h 2 ＃ 13.715.114.411.5 12.912.011.5 1.00.42.2 3 ＃ 14.615.213.514.4 12.514.514.5 0.40.60.1 4 ＃ 15.317.915.516.2 13.516.115.1 0.30.30.5 5 ＃ 13.916.115.217.0 10.111.618.0 0.80.50.9 300℃2h 6 ＃ 14.013.515.112.9 15.014.614.3 1.10.91.3 7 ＃ 16.316.414.114.3 18.318.218.7 2.41.41.6 8 ＃ 12.212.816.716.2 17.313.415.0 0.80.52.2 9 ＃ 15.315.615.715.8 21.017.116.4 3.41.61.7 300℃2h 10 ＃ 16.313.711.913.8 14.413.914.3 1.70.30.3 11 ＃ 13.915.64.815.2 18.313.010.4 0.50.21.5 12 ＃ 15.213.811.312.7 14.110.215.0 0.30.90.8 13 ＃ 13.111.14.813.4 22.622.614.5 1.80.20.0 失效模式正常正常镀金层脱 焊常温时，Au丝球焊，Au丝点焊和SiAl丝超声焊3种键合方式的键合强度平均值几乎没有差别，分别为14.18gf，13.93gf和13.20gf。经过300℃、1h的高温存贮后，

集成电路引线框架项目立项报告

集成电路引线框架项目立项报告 一、项目提出的理由 于全局而言，稳中求进要既敢于出招又善于应招，做到蹄疾而步稳；于经济工作而言，稳中求进就是要保持经济运行在合理区间，防止经济增长出现失速下滑。稳中求进工作总基调不仅是方法论，更是治国理政的重要原则；不仅需要在经济运行平稳时坚持，更需要在经济运行存在突出矛盾和问题时坚持。 二、项目选址 项目选址位于xxx科技谷。地区生产总值3709.54亿元，比上年增长6.09%。其中，第一产业增加值296.76亿元，增长6.57%；第二产业增加值2299.91亿元，增长7.33%第三产业增加值1112.86亿元，增长9.44%。 一般公共预算收入276.86亿元，同比增长9.68%，一般公共预算支出478.17亿元，同比增长6.22%。国税收入349.99亿元，同比增长9.79%；地税收入亿元77.03，同比增长10.51%。

居民消费价格上涨1.13%。其中，食品烟酒上涨0.97%，衣着上涨0.98%，居住上涨0.95%，生活用品及服务上涨1.18%，教育文化和娱乐上涨1.18%，医疗保健上涨1.17%，其他用品和服务上涨1.19%，交通和通信上涨0.77%。 全部工业完成增加值1901.32亿元。规模以上工业企业实现增加值1231.72亿元，比上年增长6.65%。 项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。 三、建设背景及必要性 1、本期工程项目建设有利于促进项目建设地先进制造业的发展，有利于形成市场规模和良好经济社会效益的产业集群，推动产业结构转型升级；坚持自主创新与技术引进、利用全球创新资源有机结合；推进产学研联合攻关，构建“政府—企业—高校—科研院所—金融机构”相结合的产业技术研发模式，推动一批关键共性技术开发，大力推进科技成果产业化；同时，积极引进境外先进技术，加快引进、消化、吸收和再创新。 2、麦肯锡、波士顿咨询集团等专业机构以及各路经济学家和媒体，更多是从“*”(包括人力、土地、能源、制度性交易成本等综合成本)的角度分析全球制造业转移，进而研判未来制造业是否会流向印度、越南等低成本国家，或是由中国回流欧美。创新因素在全球制造业迁移过程中的重要

我国引线框架的生产情况

我国引线框架的生产情况 我国内引线框架生产企业主要集中在长三角、珠三角，随着国外大封装测试厂家在中国境内投资办厂，国内引线框架的需求也将有迅速增长。国内引线框架主要企业介绍如下：（1）先进半导体物料科技有限公司（ASM Assembly Materials Limited） ASM 于 1968 年成立，公司总部位于荷兰的比尔托芬，是一家跨国公司，拥有雄厚的技术基础，ASM 公司主要生产半导体用设备和材料，是全球 15 家顶级半导体设备制造商之一。在美国、日本、香港、中国、新加坡、马来西亚都设有分公司。在深圳设有分公司，生产引线框架。 （2）深圳赛格高技术投资股份有限公司（SHIC） 公司与德国、荷兰柏狮（POSSEHL）电子集团合资兴办深圳赛格柏狮电子有限公司（PSE），注册资本 1104.36 万美元，主营半导体集成电路引线框架、半导体精密模具制造等业务,产品畅销海内外。 （3）铜陵丰山三佳微电子有限公司 公司是由韩国丰山微电子株式会社与三佳电子集团有限责任公司共同投资2000 万美元建立的一家高科技企业，韩国丰山公司以技术、设备和资金入股，占51%的股份，三佳集团以厂房、设备和资金入股，占 49%的股份。公司引进国际先进的技术和生产装备，生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具，已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 （4）三井高科技（上海）有限公司三井高科技（上海）有限公司、三井高科技（天津）有限公司、三井高科技电子（东莞）有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架，高精度金属模的企业，也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家，包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。三井高科技（上海）有限公司成立于 1996 年 3 月，1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元，注册资本 1500 万美元，占地面积 33000 平方米。主要品种：SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。 （5）中山复盛机电有限公司 公司成立于 1995 年，是台湾复盛股份有限公司（台湾上市公司）下属独资企业。公司包含两大事业部：机械事业部（空气压缩机类产品）；电子事业部（精密模具、引线框架、电子连接器类产品）。目前，客户广泛分布于美国、日本、台湾、香港以及中国大陆等国家与地区。 （6）宁波康强电子股份有限公司 宁波康强电子股份有限公司是由宁波普利赛思电子有限公司、宁波电子信息集团有限公司、宁波经济技术开发区康盛贸易有限公司、江阴市新潮科技有限公司以及外商英属维尔京群岛杰强投资国际有限公司、台商刘俊良先生合资创办的高新技术企业。公司成立于 1992 年6 月，经过十年的发展，目前已成为国内最大的塑封引线框架生产基地，年产量达 120 亿只，产品包括 TO-92、TO-126、TO-220、 TO-3P 系列和大中小功率三极管引线框架、SOT 系列的表面贴装引线框架及 IC 系列的集成电路引线框架 100 余种规格。上述产品均以世界一流的技术研究开发并组织生产，产品质量受到 ISO9001 国际标准质量保证体系的控制。 （7）厦门永红电子有限公司 厦门永红电子有限公司是电子部重点扶持的最早从事高精度半导体和集成电路塑封引线框架开发、生产及精密模具制造的专业厂家。公司于 1983 年由天水永红器材厂与厦门华夏集团联营创建，2001 年 7 月引入社会资金后再经股权优化而成。主营产品或服务：分立器件系列、DIP 系列、SOP 系列、SSOP 系列、QFP 系列、SOT 系列等总计 150 个品种。 （8）无锡华晶利达电子有限公司

半导体引线框架

产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等 半导体引线框架：产能不足高端需进口 2006-07-06 15:54:45 来源: 中国电子报网友评论 0 条进入论坛 作者：傅祥胜 随着我国集成电路产业的迅猛发展，IC新型封装技术的升级发展，对封装材料的要求也愈来愈苛刻，带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇，同时也面临着严峻的挑战。 产量仅能满足50%左右国内需求 目前，在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家： 新光电气工业(无锡)有限公司、no 日立电线(苏州)精工有限公司、11 三井高科技(上海、天津、东莞)电子有限公司、 济南晶恒山田电子精密科技有限公司、 no 东莞长安品质电子制造厂、11 先进半导体物料科技有限公司、1 柏狮电子(香港)有限公司、零件 顺德工业有限公司、 中山复盛机电有限公司、机械 铜陵丰山三佳微电子有限公司11、 广州丰江微电子有限公司、 宁波康强电子股份有限公司1、 厦门永红电子有限公司、1 无锡华晶利达电子有限公司1、 宁波华龙电子股份有限公司、1 宁波东盛集成电路元件有限公司、1 浙江华科电子有限公司 其中，独资企业7家，合资企业4家，内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售，实属国内领先。 从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出，我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大，其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家，总投资2500万美元，注册资本1500万美元，其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元，注册资本1600万美元，系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业，总投资2800万美元，注册资金2100万美元，其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20多年引线框架的技术优势，在从业短短4年内一举打入市场，并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。 引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带，在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光，珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表，与我国封装企业区域分布彼此呼应。 高端产品仍需进口 国内引线框架生产企业起步较早，多年来为国内IC和分立器件生产配套，具有产品研制、开发和大生产能力，一直担当引线框架生产的主力军，但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求，大部分高端产品还需要进口，且大多数是引线少，节距大的一般产品，满足不了国内市场的需求。2001年12月，铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司，生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”，目前可生产208脚以下冲压品引线框架，计划2004年—2007年分两期共投资7500万美元，将成为中国引线框架和引线框架模具重要的生产基地。 技术向细间距产品发展

3.1 元器件引线的成型

为了便于安装和焊接，提高装配质量和效率，加强电子设备的防震性，在 安装前，根据安装位置的特点及技术方面的要求，要预先把原件引线弯成一定 的形状。 在没有专用工具或加工少量元器件引线时，可使用鸭嘴钳或镊子等工具进 行成型加工；在进行大批量生产时，可采用成型的专用设备（如：手动、电动 和气动线线成型机），以提高加工效率和一致性。 元器件引线成型的常见形式 元器件引线成型的常见形式有以下几种： （1）电阻引线的成型。要求弯曲点到原件端面的最小距离不小 于2mm，弯曲半径应大于或等于2倍的引线直径，以减小机械应力，防止引线折断或拔出。立式安装时高度大于等于2mm，卧式安装时高度等于0mm到2mm。（2）晶极管和圆形外壳集成电路引线的成型。 （3）扁平封装（贴片SMT）集成芯片引线成型。 （4）元器件安装孔距不合适或用于插装发热元件情况下的引线 成型要求半径大于等于2倍引线直径，元件与印制板有2mm到5mm的距离，多 用于双面印制板或发热器件。 引线成型技术要求 （1）引线成型后，元件本体不就产生破裂，表面封装不应损坏， 引线弯曲部分不允许出现模印、压痕和裂纹。 （2）引线成型后，其直径的减少或变形不应超过10%，其表面镀 层剥落长度不应大于引线直径的1/10. （3）若引线上有熔接点和元件本体之间不允许有弯曲点，熔接 点到弯曲点之间应保持2mm的间距。 （4）引线成型尺寸应符合安装的要求。无论是水平安装还是垂 直安装，无论是三极管还是集成电路，通常引线成型尺寸都有具体要求。 图1-1是印制板上装配元器件的部分实例，其中大部分需在装插前弯曲成型。弯曲成型的要求取决于元器件本身的封装外形和印制板上的安装位置，有时也因整个印制板安装空间限定元件安装位置。

半导体引线框架

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。那么，用半导体材料制成的引线框架是怎么样的呢？下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！ 引线框架作为集成电路的芯片载体，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。 产品介绍 有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、

PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：（强度、导电性能以及导热性能）来选择。 广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币，拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质，厂房面积2000平方米，6条不锈钢生产线，公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架；接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板；精密线材布线钢板;编码器光栅；手机按键、RDIF天线、基板及金属配件；(VFD)栅网、陈列、支架；电极针（放电针）；各类金属过滤网片/喇叭网片；眼镜框架；精密元器件掩模板；LCD背光模仁、钢版；显像管荫罩；电脑硬盘骨架；金属蚀刻发热片工艺等。 广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂，ISO9001认证工厂，具有独立法人和环评资质，持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线，免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。

半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范(标准状态：现行)

I C S31.200 L56 中华人民共和国国家标准 G B/T15877 2013 代替G B/T15877 1995 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范 S e m i c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t s S p e c i f i c a t i o no fD I P l e a d f r a m e s p r o d u c e db y e t c h i n g 2013-12-31发布2014-08-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布

G B/T15877 2013 前言 本标准按照G B/T1.1 2009给出的规则起草三 本标准代替G B/T15877 1995‘蚀刻型双列封装引线框架规范“三与G B/T15877 1995相比主要技术变化如下: 关于第2章规范性引用文件:抽样标准由G B/T2828.1 2012代替S J/Z9007 1987, G B/T14112 1993改为G B/T14112 2015;增加引用文件G B/T2423.60 2008二S J20129; 第3章增加了标称长度二侧蚀二表面腐蚀二芯片粘接区下陷的术语和定义; 4.1引线框架尺寸中,删除了引线键合区的最小面积二金属间的间隔的有关内容; 4.2引线框架形状和位置公差中,删除了精压区共面性二精压区深度的有关内容,增加了绝缘 间隙二芯片粘接区下陷二引线框架内部位置公差的有关要求; 修改了 侧弯 的要求:原标准根据标称长度进行规定,本标准规定侧弯不超过0.051mm; 修改了 卷曲 的要求:原标准中仅规定了卷曲变形小于标称条长的0.3%,本标准根据材料的厚度进行规定; 修改了 横弯 的要求:原标准根据引线数及条宽数进行规定,本标准根据标称长度进行规定; 修改了 条带扭曲 的要求:原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定; 修改了 引线扭曲 的要求:原标准中仅规定了引线扭曲不大于0.01mm,本标准规定引线扭曲 不超过3?30'; 修改了 芯片粘接区斜度 的要求:原标准中分别规定了受压和不受压情况下的斜度,本标准统 一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm; 修改了 芯片粘接区平整度 的要求:本标准将芯片粘接区平面度修改为芯片粘接区平整度,原 标准根据引线数来规定,本标准统一规定为离每边0.127mm处,平整度不大于0.005mm; 对4.3引线框架外观中相应条款进行了调整,增加了毛刺二凹坑二压痕二划痕二侧蚀和表面腐蚀的有关要求; 修改了 局部镀金 的要求:原标准中规定镀金层厚度不小于1.0μm,本标准修改为不小于 0.7μm; 修改了 局部镀银 的要求:原标准中规定镀银层厚度不小于3.8μm,本标准修改为不小于3μm; 修改了 镀层外观 的要求:在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关要求; 增加了 铜剥离试验 的有关要求; 增加了 银剥离试验 的有关要求; 增加了 鉴定批准程序 的有关要求; 修改了 检验要求 的要求:原标准采用一次性检验方法,本标准修改质量一致性检验为由A组二B组二C组检验项目组成;修改了 检验要求 中的抽样方案; 修改了 贮存 的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为六个月三 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出三 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(S A C/T C78)归口三 Ⅰ

引线框架-------成分一览

附件C：引线框架原材料的种类 base Metal Feature Name Chemical Composition T.S E.C H.C Remarks Ni系 High Alloy 42Fe58/Ni426830.11 Strength Kovar Fe46/Ni29/Co17763 C155CuAg99.8/P0.06/Ag0.07/Mg0.114586 3.5 C151Cu99.9/Zr0.14890 3.7Olin C1020Cu99.96/O210PPM38101 3.9 High KFC Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Kobe Electrical EFTEC-3S Cu99.84/Sn0.15/P0.014290 3.5Furukawa Conductivity CCZ Cu99.2/Cr0.55/Zn0.255085 3.2 PMC90Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Poongsan Tamac-2Cu99.84/Sn0.15/P0.0064585Mitsubishi Tamac-4Cu99.85/Fe0.07/Zn0.05/P0.034985Mitsubishi SLF-3Cu99.08/Cr0.8/Sn0.125080 3.1Sumitomo C19700Cu99.15/Fe0.6/P0.3/Mg0.055180 3.1Olin C194Cu97.5/Fe2.35/P0.03/Zn0.124665 2.6Olin C195Cu97/Fe1.5/P0.1/Co0.8/Sn0.663502Olin Medium C505Cu98.7/Sn1.34640 2.1 Strength KLF-1Cu96.3/Ni3.0/Si0.76255 2.2Kobe Cu系 Medium KLF-5Cu97.87/Sn2.0/Fe0.1/P0.036035 1.3Kobe Electrical MF202Cu97.8/Sn2.0/Ni0.25530 1.5Mitsubishi Conductivity Tamac-5Cu97.97/Sn1.25/Fe0.75/P0.035240 1.4Mitsubishi EFTEC-5Cu98/Fe1.0/Sn0.5/Zn0.5Furukawa EFTEC-4S Cu97.1/Fe2.4/Zn0.54865 2.6Furukawa C19750Cu98.92/Fe0.6/Sn0.23/P0.2/Mg0.055865 2.6 K-75Cu99.53/Cr0.3/Ti0.15/Si0.025878 3.2Wieland KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Si0.35/Zn0.3/Sn1.256870 1.5Kobe PMC102Cu98.77/Ni1.0/Si0.2/P0.035369 2.6Poongsan C510Cu94.9/Sn5.0/P0.156150.71 C654Cu95.38/Si3.05/Sn1.5/Cr0.076070.38 High AI-35Cu98.95/Al0.35/Al2030.76085 3.4 Strength C7025Cu94.77/Fe0.2/Zn1.0/Ni3.2/Si0.73/Mn0.18840Olin EFTEC-64T Cu99.65/Zn0.10/Sn0.257875Furukawa PMC26Cu99.4/Ni2.0/Si0.3/Sn0.36045Poongsan C725Cu89/Ni9/Sn265110.54 KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Sn1.25/Si0.35/Zn0.38530Kobe Fe系 Low Cost SPCC FE-C(low)455-Nissin