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清华大学李福乐老师_集成电路设计_SAR ADC

集成电路设计方法三、电路设计-SAR ADC

李福乐

清华大学微电子所

提纲?引言

?DAC设计

–DAC类型

–CDAC分段结构

–CDAC电容失配与校准?比较器设计

–比较器类型

–比较器失调与噪声?SAR逻辑设计

–同步逻辑

–异步逻辑

?实验

SAR ADC Principle ?以D/A来实现A/D, 逐次逼近

?需要N次D/A和比较实现1次N位A/D

转换

?精度主要由DAC决定

?无运放，低电压、低功耗

?深亚微米CMOS工艺下很有发展潜

艺下很有发展潜

力的结构

?超低功耗，高速转换是研究热点

–异步时序控制

可实现性能

8~16 bit

Time‐interleaved

xk~ x00M S/s

9‐b, 50MS/s, 65fJ/conv.

9‐b, 40MS/s, 54fJ/conv.

10‐ 10MS/s, 11fJ/conv.

0b,0MS/s,fJ/conv.

No Time‐interleaved!

SAR的功耗优势

实际上在中低分辨

率上异步SAR结构

主要N i t 的速度已逼近Pipeline结构

Nyquist结构ADC的比较

Ref: Shuo‐Wei Michael Chen. JSSC 2006.12

提纲?引言

?DAC设计

–DAC类型

–CDAC分段结构

–CDAC电容失配与校准?比较器设计

–比较器类型

–比较器失调与噪声?SAR逻辑设计

–同步逻辑

–异步逻辑

?实验

DAC topologies

二进制电流型

电压型电压改

进型

电流型

R2R

阻容混合型

电荷型

匹配好；低功耗

单转差方案1单转差方案

?电荷型DAC

特点：

?集成T/H 电路

?与输入相连的开关较多?输入电容较大

?采用分段结构可减少电容数目

?电容大小是精度与面积功耗的权衡，可通过mento ‐carlo 仿真确定?对高精度转换，输入开关键点

底板采样

关Ron 线性须保证bootstrap ！

?高位电容可采用单元温度码控制，以减小输入端毛刺，避免电荷泄漏；以及确保单调性

?高位电容可采用DEM 技术进一步提高精度?版图关键点：

t t

?DAC output

整体电路

Ref: 叶亚飞实践课汇

报PPT

一个8bit SAR ADC

整体结构与信号关系

顶板采样

提纲?引言

?DAC设计

–DAC类型

–CDAC分段结构

–CDAC电容失配与校准?比较器设计

–比较器类型

–比较器失调与噪声?SAR逻辑设计

–同步逻辑

–异步逻辑

?实验

典型的两段分段电容结构

X dV u a C 2)

11u C kC 幅度VR的阶跃，其对DAC输出Vo的改变量分别为其中：Lt C X +保持正确权重，

确保ADC线性=L

L u k k C ??=2别为：

确保ADC线性，必须有：

(a C C k +L Lt k C 2

由以上公式可见，要令输入

结论：

1ADC的增益误差只取决于总采样电容与接到参考的总电容之比，MSB段接地的Cd1或寄生不会改变增益误差；

2MSB段增加Cd1=kCu Cd1

Cd1kC

段不参与输入采样，降低ADC输入电容，且不会导致增益误差

C 这里：

①和②点的权重误差：dV dV =(Lt C C +根据前面的线性化设计结果有：在实际设计中，通常有：Lt

C <<<<在实际设计中常有为电容上极板寄生电容值与电容本身值之比

寄生电容设计考虑

?LSB段的寄生Cp2带来权重误差，导致非线性S C2带来权重误差导致非线性

–权重误差比例固定为β，因此降低LSB端位数L，可降低

非线性

–LSB段所用电容、Ca，采用上极板共接

?的上下极板间寄生Cp3直接影响权重，导致非线Ca直接影响权重导致非线性

–版图布线要特别注意最小化Cp3

?MSB段的寄生Cp1不会带来非线性问题和ADC增益误差，但作为DAC时，会带来约Cp1/CMt的增益误差但作为时会带来约p/的增

–MSB段所有电容，采用上极板共接，此为底板采样需要

better?

Which is

?从噪声和匹配考虑，MSB段的电容不能太小从声和考虑

可取

–k>1

?从优化电容面积考虑，可采用多段结构–对于中低分辨率ADC，优化面积和输入电容

C优化面积和输入电容–对于失配，可采用校准技术

提纲?引言

?DAC设计

–DAC类型

–CDAC分段结构

–CDAC电容失配与校准?比较器设计

–比较器类型

–比较器失调与噪声?SAR逻辑设计

–同步逻辑

–异步逻辑

?实验

集成电路设计产业平台项目简介(完整版)

集成电路设计产业平台项目简介集成电路设计产业平台项目简介一、项目申报单位基本情况 **海恒投资控股集团公司作为国家级**经济技术开发区国有资产授权运营管理机构，截至目前总资产达130亿元。旗下拥有海恒股份、公用事业公司、丹霞地产、项目管理公司、明珠物业、香怡物业、索菲特明珠国际大酒店、迎宾馆、国际会展中心、康拜、西伟德、徽园、金源热电、金晶水务等近三十家全资、控股及参股公司，主要经营业务涉及房地产开发、基础设施建设、社区建设、酒店业、会展服务、物业管理、金融产业、旅游产业、环保产业、能源供应等多个领域。海恒集团立足开发区、服务开发区，发展开发区，现已成为开发区企业管理的平台、资本运作的平台、资金融通的平台和入区项目服务平台。二、项目建设必要性和意义在集成电路（IC）产业链中，集成电路制造是基础，而集成电路设计是龙头。IC设计是将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，也是一个把产品从抽象的过程一步步具体化、直至最终物理实现的过程。 **是电子信息产业大省，但设计研发力量薄弱。设计研发是集成电路整体产业链条中的关键环节，高风险、高投入、高技术、高产值。其平台建设耗资巨大，一般企业无法自己承担，又缺乏高水平的公共研发平台，很多企业只好跑到**、**等地具备条件的软件园去搞

研发，或是干脆将这一核心业务外包给别的企业。这使得我省集成电路产业大而不强，进一步发展受到局限。作为全国第三大家电制造基地，目前**市电冰箱、洗衣机占全国产量的20%以上，是全国家电产品种类、品牌集中度最高的地区之一。拥有自主知识产权的集成电路产品是提升整机企业核心竞争力的关键，随着系统级芯片的发展，IC设计研发生产将成为整机企业生存的一个最重要的支点。同时，**省汽车工业规模强劲增长，在全国汽车产业格局中占据着重要的位置。在产业集群化发展趋势的带动下，未来汽车电子产业基地即将形成，从而将有力带动对上游集成电路产品的需求增长。日益旺盛的市场需求将促使我省集成电路设计产业迅速发展。平台遵循“政府主导、高端引领、公共服务、开放共享”的原则，面向全省转方式调结构、推进集成电路产业发展以及高端设计团队的需求，着眼集成电路领域前沿技术，高起点、高标准规划建设。在软件方面，配备当今最先进EDA设计软件，可以完成数字电路、模拟电路、数模混合等多个设计流程，既满足千万门级的设计需求，同时也可以完成十万门级以下的设计。在硬件方面，配备也非常先进。同时，还将配备业界主流产品的大学计划软件，帮助IC设计人员和在校学生快速提高设计能力和技术水平。平台的建成，将有效降低IC设计企业的初创成本和经营风险，为集成电路创新团队提供公共设计平台、设计咨询、流程方法学、版图设计、MPW等专业化服务，同时在风险投资、市场开发、项目管理和人才培训等方面提供支持。今后，**IC平台将在技术支撑、人才培训、企业孵化、招商引资、产业聚集等方面开始发挥越来越重要的作用，

【合同协议范本】集成电路制作合同范本

集成电路制作合同立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_________ （ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。第二条功能规格确认一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。第三条样品试制进度

一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。第四条样品之确认一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向乙方提出异议。如甲方未于此肆拾伍日之期限内向乙方提出异议，则视为样品已为甲方所确认。三、乙方应于收到甲方所提之异议书拾伍个工作日内，将该异议交由第三公正单位评定。若甲方所提出之异议经评定，其系可归责予乙方时，乙方应要求代工厂重新制作样品。新样品之测试与确认，仍依本合约第二条第二、三及四款规定行之。除本项规定重新制作之外，甲方对乙方不得为任何其它赔偿之请求。

家芯片设计最有潜力的公司

中国最具潜力的２０家芯片设计企业专题特写：《国际电子商情》创刊二十周年系列报道春华秋实：中国IC设计业走向可持续发展之路 ? 《国际电子商情》伴随着中国电子产业飞速发展已经走过了整整二十个不平凡的春秋，我们热切的目光也一路见证了中国IC设计业从孕育到成长，从星星之火到阵容壮大。今天，我们聚集在创刊20周年庆的舞台上，与20家中国最具代表性的IC设计公司一道，细数回顾饱含酸甜苦辣的发展历程，展现他们创立以来的丰硕成果和未来发展规划，分享业界志士们对产业环境变化的衷心感言。诚然，中国IC产业在过去十几年取得了巨大的成就，IC设计企业已接近500家，2004年销售收入过亿元人民币的企业达到了16家之多。但是IC企业仍然有很长的路要走，一方面产品市场范围过窄，主要集中于电源管理、信号处理、视频编解码、玩具控制等几个方面，在相当一段时间里仍将提供替代性产品为主；另一方面，企业知识产权的建立与保护机制有待健全和加强。所幸的是，本土IC设计企业已然清醒认识到这些问题，正在向具有自主知识产权、自我良性循环成长的可持续发展之路迈进。安凯开曼公司这是一家创办于硅谷、根植于中国的芯片设计公司。成立4年多来，员工总数与设计人员大幅增长，推出多媒体应用处理器(AK3210M、AK3220M)、多媒体协处理器(A2、A6)两条产品主线，并提供多媒体手机、个人媒体播放器、无线监控、车载电话等完整解决方案。目前，安凯公司正与重庆重邮信科股份有限公司紧密合作，联合开发具有中国自主知识产权的TD-SCDMA基带处理器芯片。安凯认为，现在中国IC设计产业的竞争如火如荼，对于本土的IC设计公司而言，想要在这样的竞争中生存和壮大，必须要在国际强手留下的生存空间中拿出有知识产权的特色产品，即注重芯片差异化特征的修炼。安凯的目标是成为全球一流的移动手持设备多媒体应用处理器的主要提供商。

集成电路制作合同修订版

集成电路制作合同修订版 Effectively restrain the parties’ actions and ensure that the legitimate rights and interests of the state, collectives and individuals are not harmed ( 合同范本 ) 甲方：______________________ 乙方：______________________ 日期：_______年_____月_____日编号：MZ-HT-089793

集成电路制作合同修订版立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。第二条功能规格确认一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM 为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。

四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。第三条样品试制进度一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。第四条样品之确认一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（Layout）与TAPEOUTFORM不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及TAPEOUTFORM中指定不

半导体集成电路习题及答案

第1章集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下：答：解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =）第3章集成电路中的无源元件复习思考题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头第4章晶体管 (TTL)电路复习思考题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，

集成电路制作合同精装版

集成电路制作合同精装版 Clarify their rights and obligations, and ensure that the legitimate rights and interests of both parties are not harmed ( 合同范本 ) 甲方：______________________ 乙方：______________________ 日期：_______年_____月_____日编号：MZ-HT-004577

集成电路制作合同精装版立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。第二条功能规格确认一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验证。三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。

半导体集成电路设计_复习大纲

复习大纲 1-4章： 1、双极集成电路工艺的隔离方法； 2、隐埋层杂质的选择原则； 3、外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？ 4、双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？ 5、双极集成电路工艺中的双极晶体管的四层三结结构 6、集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？ 7、基区扩散电阻的修正方式； 8、扩散电阻最小条宽的确定原则；基区扩散电阻最小宽度受限的因素及其最小宽度？ 9、Al的方块电阻是0.05Ω/□，多晶硅的方块电阻是30Ω/□。线宽是8μm，长度是10μm，试计算上述两种材料构成的电阻阻值 10、SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？ 11、集成电阻器和电容器的优缺点； 12、集成NPN晶体管中的寄生电容 13、横向PNP管的特点； 14、横向PNP管的直流电流放大倍数小的原因；P31-34 15、减小NPN晶体管中的集电极串联电阻r CS的方法； 16、衬底PNP的特点； 17、集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？ 18、SCT的工作特点？ 19、MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法？P46 20、沟道长度调制效应 21、器件的亚阈值特性 22、四管单元→五管单元→六管单元是演变的？ 23、六管单元TTL与非门电路与五管单元相比，有哪些优点？若将它改造成STTL电路，哪些晶体管要加肖特基势垒二极管？ 7-10章、12、13、17章： 1.CMOS静态反相器的主要类型？ 2.CMOS反相器设计采用两种准则：对称波形设计准则；准对称波形准则。 3.自举反相器电路，自举反相器的工作原理 4.饱和E/E自举反相器的输出高电平比电源电压低一个开启电压；耗尽负载反相器，负载管为耗尽型MOSFET，其栅源短接。 5.有比反相器和无比反相器 6.在CMOS电路中，负载电容C L的充电和放电时间限制了门的开关速度。分析CMOS反相器中负载电容C L 7.什么是导电因子，其值是多少？ 8.CMOS反相器三个工作区之间的关系 9.CMOS反相器的上升和下降时间，如何使其基本相等？ 10.CMOS反相器功耗的组成？

集成电路设计与集成系统

集成电路卓越计划实验班本科培养计划Undergraduate Experimental Program in IC Design and Integrated System 一、培养目标 Ⅰ．Program Objectives 培养具备坚实的集成电路与集成系统专业理论基础、工程实践能力和相关创业能力，创新意识、创业素质和综合能力强，具备多学科视野和国际竞争力的光电领域研究型高端工程技术人才。毕业生能在集成电路产业部门、研究院所、高等院校及其相关领域创造性地从事集成电路工程相关的研究、开发和管理等工作。 Aiming at preparing all-rounded, high-quality talents with international competence, this program will enable students to be solidly grounded in basic theory, wide-ranged in specialized knowledge, capable of practical work and particularly specialized in Integrated Circuit theories, methods and EDA tools, Integrated System and Information Processing. Our graduates will be capable of research, design and management in IC-related industrial sectors, research centers and colleges etc. 二、基本规格要求 Ⅱ．Learning Outcomes 毕业生应获得以下几个方面的知识和能力: 1．扎实的数理基础； 2．熟练掌握微电子学与固体电子学、半导体集成电路及嵌入式系统的基本理论和方法； 3．分析解决本学科领域内工程技术问题的能力； 4．了解本学科重大工程技术的发展动态和前沿； 5．外语应用能力强； 6．出色的文献检索、资料综述和撰写科技论文的能力； 7．较好的创业素质，较强的项目协调、组织能力； ·122·

集成电路制作合同(正式版)

YOUR LOGO 如有logo可在此插入合同书—CONTRACT TEMPLATE— 精诚合作携手共赢 Sincere Cooperation And Win-Win Cooperation

集成电路制作合同(正式版) The Purpose Of This Document Is T o Clarify The Civil Relationship Between The Parties Or Both Parties. After Reaching An Agreement Through Mutual Consultation, This Document Is Hereby Prepared 注意事项：此合同书文件主要为明确当事人或当事双方之间的民事关系，同时保障各自的合法权益，经共同协商达成一致意见后特此编制，文件下载即可修改，可根据实际情况套用。立约人_________（以下简称甲方）与_________（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_________（ICNo._________），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。第二条功能规格确认一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（Layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。二、甲方的布图（Layout）资料，概以甲方填写之TAPEOUTFORM为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（Layout）作任何计算机软件辅助验

证。三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（WAT）值为准，甲方不得作特殊要求。四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。第三条样品试制进度一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。第四条样品之确认一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，

集成电路设计产业技术合作合同协议书范本模板

集成电路设计产业技术合作协议甲方：_____________________________ 乙方：_____________________________ 签订日期：_____ 年______ 月______ 日乙方：_________________ _________________ 以建设公共技术服务平台为核心，构造EDA设计、验证、MPW服务体系，提供设计咨询、设计服务、IP服务等技术支撑半

台，建设多元化的专业辫化器和人才培训基地，引进风险投资，解小扶强、多出产品、多出人才，以提高集成电路设计行业在高新技术产业发展中的技术支撑水平，实现对国民经济增长的实际贡献。经双方友好协商，达成共识，特签订本服务协议。第一条甲方为乙方免费提供 _______________________ o 第二条甲方可以将乙方纳入行业统计的范围。第三条乙方有义务遵守中心的管理规定。第四条乙方可以优惠价格享受甲方提供的各种_________ 设施（包括EDA平台、验证平台、公共实验室等），以及各项技术服务（MPW投片服务、IP 服务、设计服务等）。第五条乙方可以优惠价格参加甲方举办的技术培训、技术交流和技术展览等活动。第八条本协议未经甲方和乙方的书面同意不得修改。第七条本协议的解释和履行接受中国法律管辖。双方应协商解决分歧，并且努力达成友好解决方案。任何因本协议引起或与本协议有关的未解决争议、权利请求、违约、协议终止和有效性等，如无法通过友好协商解决，可提交 ________ 仲裁委员会仲裁。第八条本协议自双方盖章并授权代表签署之日起生效，有效期为 ________ 年。第九条本协议一式两份，具有同等效力，协议双方各持一份。甲方（盖章）： _______ 代表（签字）： _______ ________ 年—月—口

半导体集成电路项目规划设计方案

半导体集成电路项目规划设计方案规划设计/投资分析/实施方案

摘要该半导体集成电路项目计划总投资21252.85万元，其中：固定资产投资16297.49万元，占项目总投资的76.68%；流动资金4955.36万元，占项目总投资的23.32%。达产年营业收入42842.00万元，总成本费用34173.50万元，税金及附加364.82万元，利润总额8668.50万元，利税总额10228.98万元，税后净利润6501.38万元，达产年纳税总额3727.61万元；达产年投资利润率40.79%，投资利税率48.13%，投资回报率30.59%，全部投资回收期 4.77年，提供就业职位978个。报告根据项目实际情况，提出项目组织、建设管理、竣工验收、经营管理等初步方案；结合项目特点提出合理的总体及分年度实施进度计划。在国家政策大力支持下，我国集成电路市场保持高速增长，根据中国半导体行业协会统计，自2009年至2018年，我国集成电路销售规模从 1,109亿元增长至6,532亿元，期间的年均复合增长率达到21.78%。2018年，受第四季度全球半导体市场下滑影响，中国集成电路产业2018年全年增速有所放缓，同比增长20.7%，其中，设计业同比增长21.5%；制造业同比增长25.6%；封装测试业同比增长16.1%。报告主要内容：概况、建设背景及必要性、市场调研预测、投资建设方案、项目选址、建设方案设计、工艺分析、项目环境保护和绿色生产分

析、安全生产经营、风险应对评估、节能评价、项目进度说明、投资可行性分析、经济效益分析、项目综合评估等。

半导体集成电路项目规划设计方案目录第一章概况第二章建设背景及必要性第三章投资建设方案第四章项目选址第五章建设方案设计第六章工艺分析第七章项目环境保护和绿色生产分析第八章安全生产经营第九章风险应对评估第十章节能评价第十一章项目进度说明第十二章投资可行性分析第十三章经济效益分析第十四章项目招投标方案第十五章项目综合评估

集成电路设计基础

集成电路设计基础复习提纲一EDA常用命令 ls 显示当前目录下的文件和路径。Pwd显示当前文件的绝对路径.。Cd进入指定目录。More显示文件内容。Cp拷贝。Mkdir创建目录。tar 打包。zip压缩。unzip解压。ftp传送文件。二基本概念 1版图设计 CIW命令解释窗口, Library 库，Reference Library相关库, Library Path库路径，Cell单元，View视图，Techfiler.tf工艺文件, cds.lib库管理文件, techfile.cds ASCII 文件，LSW图层选择窗口，display.drf图层显示文件。LayerPurpose Pair层次用途配对，Cellview Attributes and Properties单元视图属性，Instance单元，Snap Mode 光标按钮画线条或图形的模型。Stream。数据流（一个标准数据格式用在cad系统间传递物理设计数据） parameterized cells，参数化单元。Flatten，打平设计方法 1 CIC设计流程 ①设计规划。②建库。③原理图输入。④电路仿真。⑤单元模块版图。⑥TOP 版图。⑦验证。⑧输出GDSII。⑨制掩膜。⑩流片封装测试。 2CIC建库的步骤，工艺文件和显示文件的使用。建库进入设计项目所在的文件夹，打开名利窗口输入icfb，在ciw菜单栏中选择file-creat-creat new library，选择要连接的Techfiler.tf或者选择相应库作为链接库，后根据指示完成余下的操作工艺文件p1-40说明图层连接，等效连接，不可被重叠，自动布线，设计规则等情况 ciw-technology-file-dump ,design,layout definations,ascll 命名.Tf，ok;/techpurposes /techlayers;/techdisplays;/techlayerpurposepriorities(图层目的优先)；：q！（保存退出）：wq！（写后保存退出）；/ptap File-load 显示文件的使用：在显示资源编辑窗口里编辑并保存（display。drf）长期有效添加新包，先编辑显示文件再在显示资源编辑窗口里编辑其填充等；file—save；tools-display resources-mergefile;分配图层目的配对。 3单元版图绘图方法及编辑基本方法，新建，根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘制和按参数编辑、连接，测试4绘图及编辑常用命令的使用： Create— Rectangle 。create-rectangle left点拉升点 Instance、create-instance(名字不可改)填写库cell view 坐标等 Path、create-path 1点2点+回车/双击 Pcell、edit-hierarchy（分层）-make cell 填写，画长方形区域，ok Polygon、create- Polygon（F3），选择图层，点，点等，回车 Conics create-arc，点，点，点回车

集成电路制作合同(标准版)

Both parties jointly acknowledge and abide by their responsibilities and obligations and reach an agreed result. 甲方：___________________ 乙方：___________________ 时间：___________________ 集成电路制作合同

编号：FS-DY-20621 集成电路制作合同立约人_____（以下简称甲方）与_____（以下简称乙方）。甲乙双方为集成电路试制事宜，特立本合约，并同意条件如下：第一条标的物：委托芯片名称_____（icno._____），甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。第二条功能规格确认一、甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图（layout）交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。二、甲方的布图（layout）资料，概以甲方填写之tapeoutform为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图（layout）作任何计算机软件辅助验证。三、标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试（wat）值为准，甲方不得作特殊要求。

四、如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。第三条样品试制进度一、甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。二、原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。第四条样品之确认一、样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（layout）与tapeoutform不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。二、甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及tapeoutform中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向

半导体集成电路

1、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。 2、MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。 3、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。 4、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？ 5、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？ 6、简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

7、什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 8、什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 9、什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？ 10、消除“latch-up”效应的方法？版图设计时：为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；工艺设计时：降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。为减小寄生PNP管的寄生电阻胁，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数。 11、如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 12、如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 13、双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 14、集成电路中常用的电容有哪些。 15、为什么基区薄层电阻需要修正。

集成电路设计公司管理系统

在集成电路设计行业，常用的管理系统是ERP系统，它主要是MRP（物料需求计划）延伸出来的新一代集成化管理信息系统，主要扩展了MRP的功能，它的核心思想就是供应链管理。随着现代越来越商务智能化办公形式的发展，ERP系统已经脱离了传统企业的舒适圈，从供应链角度优化企业资源，同时优化了现代企业的运行模式，反映了市场对企业合理调配资源的要求。它对于改善企业业务流程、提高企业核心竞争力具有显着作用，同样也体现在SAP Business One软件中，它可以提供包括SAP Crystal解决方案在内的一体化业务智能功能，为满足中小企业的业务智能要求提供了选择与灵活性。在执行预定义报表或者生成专为业务量身定制的报表时，会派生相关信息。这些信息有助于用户管理业务关键信息并及时采取更正措施。 SAP Business One提供了一系列用于支持分析和决策制定的报

表。其中包括会计核算报表、企业报表、库存报表、财务报表以及交互式仪表盘。用户可以单击鼠标将任何报报表导出为Microsoft Excel格式的文件。借助于操作简单的数据导航技术，用户可以轻松检索到所需信息，既节省了宝贵的时间，又增强了决策制定流程。拖放 SAP Business One是唯一一套使用拖放相关功能的解决方案，可为用户提供对整个运营的所有级别的端到端可视性，同时协助用户即时理解业务中的主要关系与交易。查询生成器该工具配有对准即拍查询生成功能，可用于创建数据库查询和定义报表。任何字段中的数据都可用于创建明细报表或汇总报表。当查询定义完毕，则可保存在查询库中，以备日后使用。报表编辑器可用于细化和更改现有查询。查询向导此工具与查询生成器功能相近，只不过它允许用户使用向导逐步完成查询生成流程。这项工具可以帮助那些希望创建查询但不熟悉SQL语法的用户。预定义报表 SAP Business One针对各种功能应用领域，提供了一批预定义的内置报表。每张报表均着眼于特定的业务领域，用户能够自定义报表输出内容。报表一旦生成，用户即可交付打印版或通过电子邮件进

集成电路制作合同

集成电路制作合同要点甲方（委托方）委托乙方（受托方）制作集成电路并提供调试服务，甲方提供设计方案并支付报酬。本文本约定了样品的试制、确认，费用及付款方式，专利权、所有权的归属等条款。集成电路制作合同甲方（委托方）：法定代表人：地址：联系方式：乙方（受托方）：法定代表人：地址：联系方式：上述各方经平等自愿协商，签订本合同以共同遵守。一、标的物委托芯片名称：，甲方同意由乙方代寻适合之代工厂，就标的物进行集成电路试制。二、功能规格确认 1?甲方完成本设计案之各项设计及验证后，应将本产品之布图交由乙方进行集成电路制作之委托事宜。 2?甲方的布图资料，概以甲方填写为依据，进行光罩制作。乙方不对甲方之布局图作任何计算机软件辅助验证。 3?标的物之样品验证系以乙方委托之晶圆代工厂标准的晶圆特性测试值为准，甲方不得作特殊要求。 4?如甲方能证明该样品系因乙方委托之代工厂制程上之误失，致不符合参数规格范围，虽通过代工厂标准的晶圆特性测试，仍视为不良品。三、样品试制进度 1?甲方须于委托制作申请单中注明申请梯次，若有一方要求变更制作梯次，需经双方事前书面同意后始可变更。 2?原案若有因不可归责乙方之事由或不可抗力之情事，致无法如期交货，乙方应于事由发生时，尽速通知甲方，由双方另行议定交货期限。

四、样品之确认 1?样品之确认以第二条之第二及三款之规定为依据，甲方不得对电气特性提出额外的样品确认标准，若因甲方之布局图（layout ）与tapeoutform 不符，而致试制样品与甲方规格不符，因此所生损失概由甲方负责。 2?甲方应于收到标的物试制样品后肆拾伍日之内完成样品之测试。若该样品与甲方于委托制作申请单及tapeoutform 中指定不符，且甲方能证明失败之样品是缘由制程之缺失所造成，甲方应于肆拾伍日之测试期限内以书面向乙方提出异议。如甲方未于此肆拾伍日之期限内向乙方提出异议，则视为样品已为甲方所确认。 3?乙方应于收到甲方所提之异议书个工作日内，将该异议交由第三公正单位评定。若甲方所提出之异议经评定，其系可归责予乙方时，乙方应要求代工厂重新制作样品。新样品之测试与确认，仍依本合约第二条第二、三及四款规定行之。除本项规定重新制作之外，甲方对乙方不得为任何其它赔偿之请求。 4?如新样品仍与甲方指定之规格不符，则甲方得要求终止合约。惟甲方不得向乙方索回已付予乙方之费用，且不得就本合约对乙方为任何损害赔偿请求，乙方亦不得向甲方请求任何除已付费用外之补偿。五、费用试制费用试制费用依乙方订定之计费标准为准。六、付款方式 1?甲方填送委托制作申请单、委托制作集成电路合约书及tapeoutform 电子文件，连同拟下线的布局档案资料传送至乙方，并由乙方寄送芯片制作缴款通知函予甲方。 2?甲方收到芯片制作缴款通知函一个月内应以即期支票支付费用予乙方，乙方于收到费用后始制寄发票寄予甲方。甲方需于付款后始能领取该标的物。七、专利权专利权或著作权甲方保证所委托之设计案布图（layout ）资料绝无任何违反专利权或著作权法之相关规定，或侵害他人智能财产权之情事，若有涉及侵害他人权利之情形，概由甲方负责，如造成乙方损害，并应赔偿之。八、所有权所有权与使用权与本设计案有关之光罩及制程资料之所有权与使用权均归属乙方。甲方为制作光罩需要、同意乙方将布局图资料交由乙方委托之代工厂，但乙方应责成代工厂严守保密责任。九、保密保密甲方所提供本设计案之布局图（layout）及光罩均为甲方机密资料，非经甲方书面同意，乙方及其所委托之代工厂不得将该资料泄漏予任何第三者，亦不得将相关之资料、文件，挪作与履行本合约义务无关之其它用途，或提供给任何第三者使用。

半导体集成电路制造PIE常识讲解

Question Answer & PIE

PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞

集成电路技术及其发展趋势

集成电路技术及其发展趋势摘要目前，以集成电路为核心的电子产业已超过以汽车、石油、钢铁为代表的传统工业成为第一大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。作为当今世界竞争的焦点，拥有自主知识产权的集成电路已日益成为经济发展的命脉、社会进步的基础、国际竞争的筹码和国家安全的保障。关键词集成电路系统集成晶体管数字技术

第一章绪论 1947年12月16日，基于John Bardeen提出的表面态理论、Willianm Shockley给出的放大器基本设想以及Walter Brattain设计的实验，美国贝尔实验室第一次观测到具有放大作用的晶体管。1958年12月12日，美国德州仪器公司的Jack 发明了全世界第一片集成电路。这两项发明为微电子技术奠定了重要的里程碑，使人类社会进入到一个以微电子技术为基础、以集成电路为根本的信息时代。50多年来，集成电路已经广泛地应用于军事、民用各行各业、各个领域的各种电子设备中，如计算机、手机、DVD、电视、汽车、医疗设备、办公电器、太空飞船、武器装备等。集成电路的发展水平已经成为衡量一个国家现代化水平和综合实力的重要标志[1]。现代社会是高度电子化的社会。在日常生活中，小到电视机、计算机、手机等电子产品，大到航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输等行业的大型设备，几乎都离不开电路系统的应用。构成电路系统的基本元素为电阻、电容、晶体管等元器件。早期的电路系统是将分立的元器件按照电路要求，在印刷电路板上通过导线连接实现的。由于分立元件的尺寸限制，在一块印刷电路板上可容纳的元器件数量有限。因此，由分立元器件在印刷电路板上构成的电路系统的规模受到限制。同时，这种电路还存在体积大、可靠性低及功耗高等问题。半导体集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路规则，互连“集成”在一块半导体单晶片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。与印刷电路板上电路系统的集成不同，在半导体集成电路中，构成电路系统的所有元器件及其连线是制作在同一块半导体材料上的，材料、工艺、器件、电路、系统、算法等知识的有机“集成”，使得电路系统在规模、速度、可靠性和功耗等性能上具有不可比拟的优点，已经广泛的应用于日常生活中。半导体集成电路技术推动了电子产品的小型化、信息化和智能化进程。它彻底改变了人类的生活方式，成为支撑现代化发展的基石[2]。 1959年，英特尔(Intel)的始创人，Jean Hoerni 和Robert Noyce，在Fairchild Semiconductor开发出一种崭新的平面科技，令人们能在硅威化表面铺上不同的物料来制作晶体管，以及在连接处铺上一层氧化物作保护。这项技术上的突破取代了以往的人手焊接。而以硅取代锗使集成电路的成本大为下降，令