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光电传感器特性测试实验(精)

光电传感器特性测试实验(精)
光电传感器特性测试实验(精)

光电传感器特性测试实验

实验目的:

掌握光电转速传感器测量转速的方法。

实验仪器:

THSCCG实训台、转动源、透射式光电传感

器、导线若干。

原理:

光电式转速传感器有反射型和透射型二种,本实训装置是透射型的,传感器端部有发光管和接收管,发光管发出的光源通过转盘上的孔透射到接收管上,并转换成电信号,由于转盘上有等间距的6个透射孔,转动时将获得与转速及透射孔数有关的脉冲,将电脉冲计数处理即可得到转速值。

实训台结构图

实验步骤:

1.光电传感器已安装在转动源上。2~24V电压输出接到三源板的“转动电源”输入,并将2~24V输出调节到最小,+5V电源接到三源板“光电”输出的电源端,光电输出接到频率/转速表的“fin”。

下图为本实验的仿真接线图

2.合上主实训台电源开关,从最小每间隔1V逐渐增大2~24V输出,使转动源转速加快,记录频率/转速表的显示数值,同时可用示波器观察光电传感器的输出波形。

下图为光电传感器输出波形

计算出输出脉冲信号的频率 ,根据 ,便可求出转速。 f 60f n z

DS18B20温度传感器实验

DS18B20温度传感器实验Proteus仿真原理图: DS18B20内部结构:

/************************* 源程序 ****************************/ #include #include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char #define delayNOP() {_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();} sbit DQ = P3^3; sbit LCD_RS = P2^0; sbit LCD_RW = P2^1; sbit LCD_EN = P2^2; uchar code Temp_Disp_Title[]={"Current Temp : "}; uchar Current_Temp_Display_Buffer[]={" TEMP: "}; uchar code Temperature_Char[8] = { 0x0c,0x12,0x12,0x0c,0x00,0x00,0x00,0x0 0 }; uchar code df_Table[]= { 0,1,1,2,3,3,4,4,5,6,6,7,8,8,9,9 }; uchar CurrentT = 0; uchar Temp_Value[]={0x00,0x00}; uchar Display_Digit[]={0,0,0,0}; bit DS18B20_IS_OK = 1; void DelayXus(uint x) { uchar i; while(x--) { for(i=0;i<200;i++); } } bit LCD_Busy_Check(){ bit result; LCD_RS = 0; LCD_RW = 1; LCD_EN = 1; delayNOP(); result = (bit)(P0&0x80); LCD_EN=0; return result; } void Write_LCD_Command(uchar cmd) { while(LCD_Busy_Check()); LCD_RS = 0; LCD_RW = 0; LCD_EN = 0; _nop_(); _nop_(); P0 = cmd; delayNOP(); LCD_EN = 1; delayNOP(); LCD_EN = 0; }

照度实验报告

照度实验报告 一、背景 作业场所的合理采光与照明,对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作 场所设计中的重要项目,无论是天然采光还是人工照明,其主要目的都是给人们的生活和生 产提供必需的视觉条件。 适当的照度设计应遵循工效学的原则,使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉,有利 于辨认物体的高低,深浅,前后远近及相对位置,有利于眼睛的辨色能力,有利于大视野, 降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉,从而提 高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时,会降低工作效率。此外,利用照明 设计对人的情绪的影响,根据场所功能的需求,可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在 绿色照明理念的指导下,人工照明应考虑节能和环保的要求。 二、实验目的 正确熟悉和使用照度计,采集光环境数据,并通过分析数据来判断光环境的照度是否合 理,假如不合理则提出合理的改善措施。 三、实验场所 上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室(室外) 四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性,并提出改善措施 五、分析 1、主观分析 (1)、主观评价调查数据 (2)、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中,s(n)为第n个项目的评分 p(m)为第m个状态的分值,其中,p(1)=0,p(2)=10,p(3)=50,p(4)=100, v (n,m)为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以: s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中,w(n)为第n个评价项目权值,设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量 等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论,本实验的光环境质量等级为3,含义是: 问题较大 2、客观分析(照度数据采集及分析)(1)、照度采集现场 在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间,光照十分充足, 因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。 图书馆二楼自习室现场

光电计数器实验报告

光电计数器实验报告 学生姓名李志 学号081244115 专业名称光信息科学与技术 指导教师易煦农 时间日期2011-10-19 摘要 21世纪是信息时代,是获取信息,处理信息,运用信息的时代。传感与检测技术的重要性在于它是获得信息并对信息进行必要处理 的基础技术,是获取信 息和处理加工信息的手段,无法获取信息则无法运用信息。 光电式传感器是将光信号转化为电信号的一种传感器。它的理论基础是光电效应。这类效应大致可分为三类。第一类是外光电效应,即在光照射下,能使电子逸出物体表面。利用这种效应所做成的器件有真空光电管、光电倍增管等。第二类是内光电效应,即在光线照射下,能使物质的电阻率改变。这类器件包括各类半导体光敏电阻。第三类是光生伏特效应,即在光线作用下,物体内产生电动势的现象,此电动势称为光生电动势。这类器件包括光电池、光电晶体管等。光电效应都是利用光电元件受光照后,电特性发生变化。敏感的光波长是在可见光附近,包括红外波长和紫外波长。数字式电子计数器有直观和计数精确的优点,目前已在各种行业中普遍使用。数字式电子计

数器有多种计数触发方式,它是由实际使用条件和环境决定的。有采用机械方式的接触式触发的,有采用电子传感器的非接触式触发的,光电式传感器是其中之一,它是一种非接触式电子传感器。采用光电传感器制作的光电式电子计数器。这种计数器在工厂的生产流水线上作产品统计,有着其他计数器不可取代的优点。 【关键词】光电效应光电传感器光电计数器 ABSTRACT The 21st century is the age of information, it is the access to information, treatment information, use of the information age. Sensing and detection technology is important because it is the access to information and the information necessary to deal with the underlying technology, is access to information and means of processing information, unable to get information you won't be able to use information. Photoelectric sensor is a light signal into an electric signal of the sensor. It is the theoretical basis of the photoelectric effect. These effects can be broadly divided into three categories. The first type is outside of the photoelectric effect, namely, in daylight, can make the tungsten surface. Use this effect caused by device with vacuum photocell, photomultiplier tubes, etc. The second category is the photoelectric effect, i.e., in the light, can make the electrical resistivity of the material change. Such devices include various types of photosensitive semiconductor. The third category is photo voltaic effect, in the light, the objects within the EMF EMF, this is called light-induced electromotive force. This class of

北航_仪器光电综合实验报告_彩色线阵CCD传感器系列实验

2012/4/29

彩色线阵CCD传感器系列实验 实验时间:2012年4月27日星期五 (一)实验目的: 1.了解并学习CCD的使用、驱动原理和功能特性等。 (二)实验内容: 1.本实验共分为以下四个实验部分,主要内容为: 1)线阵原理及驱动 2)特性测量实验 3)输出信号二值化 4)线阵CCD的AD数据采集 (三)实验仪器: 1.双踪迹同步示波器(带宽50MHz以上)一台, 2.彩色线阵CCD多功能实验仪YHCCD-IV一台 3.实验用PC计算机及A/D数据采集基本软件 (四)实验结果及数据分析: 一、线阵原理及驱动 1)驱动频率与周期 表格 1 驱动频率与周期实验结果

由于对不同驱动频率示值,对应不同驱动频率,当显示数值为0时,f=1Mhz;为1时,f=500Khz;为2时,f=250Khz;为3时,f=125Khz; 对应F1,F2频率始终是驱动信号的8分之一,而RS则为F1,F2频率的2倍; 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 2)积分时间测量 表格 2 积分时间测量结果 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 二、特性测量实验 表格 3 输出信号幅度与积分时间的关系0档

对应曲线: 图表 1 输出信号幅度与积分时间的关系0档 表格 4 输出信号幅度与积分时间的关系 1档

图表 2 输出信号幅度与积分时间的关系1档 表格 5 输出信号幅度与积分时间的关系2档

光电传感器的设计

光电传感器的设计-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

光电传感器的设计 题目:光电传感器的设计 院(系):信息工程学院 专业:光电信息科学与工程 姓名:褚飞亚 学号: 20 指导教师:张洋洋 2016年6月27号

摘要 随着信息技术的迅猛发展,传感器的应用技术也在飞速发展,新的应用技术呈现出爆炸式的发展。传感器作为作为测控系统中对象信息的入口,作为捕获信息的主要工具,在现代化事业中的重要性已被人们所认识。光电传感器的应用技术为信息科学的一个分支,俗称“电眼”。它是将传统光学技术与现代微电子技术以及计算机技术机密结合的纽带,是获取光信息或借助光提取其他信息的重要手段。现如今汽车成为大多数人必不可少的东西。经常开车的朋友们,应该都有过这样的苦恼每次开车到了单位或者小区大门口都要等门卫来开门或者等其按动电动门的开关,既费时间又费人力,如果巧妙地利用光电传感器就可以实现光控大门。所以借此次课程设计来设计一个光控大门,即把光敏电阻装在大门上并且在汽车灯光能照到的地方,把带动大门的电动机接在干簧管的电路中,那么夜间汽车开到大门前,灯光照射到光敏电阻时,干簧继电器就可以自动接通电动机电路,电动机就能带动大门打开。这样就解决了上述的问题。

目录 1、设计要求...............................................错误!未定义书签。 功能与用途 ............................................................................................. 错误!未定义书签。 指标要求 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 2、光电传感器介绍及工作原理 ...............错误!未定义书签。 、光电传感器 ......................................................................................... 错误!未定义书签。 工作原理 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 3、方案设计...............................................错误!未定义书签。 4、元件选择和电路设计 ...........................错误!未定义书签。 元件选择 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 电路设计 ................................................................................................. 错误!未定义书签。 5、总结.......................................................错误!未定义书签。参考文献.....................................................错误!未定义书签。

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

温度传感器实验

DH-SJ5温度传感器设计性实验装置 使 用 说 明 书 杭州大华科教仪器研究所 杭州大华仪器制造有限公司

一、温度传感器概述 温度是表征物体冷热程度的物理量。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量。测温传感器就是将温度信息转换成易于传递和处理的电信号的传感器。 一、测温传感器的分类 1.1电阻式传感器 热电阻式传感器是利用导电物体的电阻率随温度而变化的效应制成的传感器。热电阻是中低温区最常用的一种温度检测器。它的主要特点是测量精度高,性能稳定。它分为金属热电阻和半导体热电阻两大类。金属热电阻的电阻值和温度一般可以用以下的近似关系式表示,即 R t =R t0[1+α (t-t 0)] 式中,R t 为温度t 时的阻值;R t0为温度t 0(通常t 0=0℃)时对应电阻值;α为温度系数。 半导体热敏电阻的阻值和温度关系为 t B t Ae R = 式中R t 为温度为t 时的阻值;A 、B 取决于半导体材料的结构的常数。 常用的热电阻有铂热电阻、热敏电阻和铜热电阻。其中铂电阻的测量精确度是最高的,它不仅广泛应用于工业测温,而且被制成标准的基准仪。 金属铂具有电阻温度系数大,感应灵敏;电阻率高,元件尺寸小;电阻值随温度变化而变化基本呈线性关系;在测温范围内,物理、化学性能稳定,长期复现性好,测量精度高,是目前公认制造热电阻的最好材料。但铂在高温下,易受还原性介质的污染,使铂丝变脆并改变电阻与温度之间的线性关系,因此使用时应装在保护套管中。用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器,利用铂的此种物理特性制成的传感器称为铂电阻温度传感器,通常使用的铂电阻温度传感器零度阻值为100Ω,电阻变化率为0.3851Ω/℃,TCR=(R 100-R 0)/(R 0×100) ,R 0为0℃的阻值,R 100为100℃的阻值,按IEC751国际标准,温度系数TCR=0.003851,Pt100(R 0=100Ω)、Pt1000(R 0=1000Ω)为统一设计型铂电阻。铂热电阻的特点是物理化学性能稳定。尤其是耐氧化能力强、测量精度高、应用温度范围广,有很好的重现性,是中低温区(-200℃~650℃)最常用的一种温度检测器。 热敏电阻(Thermally Sensitive Resistor,简称为Thermistor),是对温度敏感的电阻的总称,是一种电阻元件,即电阻值随温度变化的电阻。一般分为两种基本类型:负温度系数热敏电阻NTC (Negative Temperature Coefficient )和正温度系数热敏电阻PTC (Positive Temperature Coefficient )。NTC 热敏电阻表现为随温度的上升,其电阻值下降;而PTC 热敏电阻正好相反。 NTC 热敏热电阻大多数是由Mn(锰)、Ni(镍)、Co(钴)、Fe(铁)、Cu(铜)等金属的氧化物经过烧结而成的半导体材料制成。因此,不能在太高的温度场合下使用。不竟然,其使用范围有的也可以达到了-200℃~700℃,但一般的情况下,其通常的使用范围在-100℃~300℃。 NTC 热敏热电阻热响应时间一般跟封装形式、阻值、材料常数(热敏指数)、热时间常数有关。材料常数(热敏指数)B 值反映了两个温度之间的电阻变化,热敏电阻的特性就是由它的大小决定的,B 值(K )被定义为:2 12 1212111lg lg 3026.211ln ln T T R R T T R R B --?=--= ; R T1:温度 T 1(K )时的零功率电阻值;R T2 :温度 T 2(K )时的零功率电阻值;T 1,T 2 :

传感器测速实验报告(第一组)

传感器测速实验报告 院系: 班级: 、 小组: 组员: 日期:2013年4月20日

实验二十霍尔转速传感器测速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 利用霍尔效应表达式:U H=K H IB,当被测圆盘上装有N只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。 本实验采用3144E开关型霍尔传感器,当转盘上的磁钢转到传感器正下方时,传感器输出低电平,反之输出高电平 三、需用器件与单元 霍尔转速传感器、直流电源+5V,转动源2~24V、转动源电源、转速测量部分。 四、实验步骤 1、根据下图所示,将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上,调节探头对准转盘内的磁钢。 图9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端,红(+)、黑( ),不能接错。 3、将霍尔传感器的输出端插入数显单元F,用来测它的转速。 4、将转速调解中的转速电源引到转动源的电源插孔。 5、将数显表上的转速/频率表波段开关拨到转速档,此时数显表指示电机的转速。 6、调节电压使转速变化,观察数显表转速显示的变化,并记录此刻的转速值。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计输出频率数值如下表所示: 电压(V) 4 5 8 10 15 20 转速(转/分)0 544 930 1245 1810 2264 由以上数据可得:电压的值越大,电机的转速就越快。 六、思考题 1、利用霍尔元件测转速,在测量上是否有所限制? 答:有,测量速度不能过慢,因为磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了十二只磁钢,能否只用一只磁钢? 答:如果霍尔是单极的,可以只用一只磁钢,但可靠性和精度会差一些;如果霍尔 是双极的,那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它,那么至少要两只磁钢。

光电传感器介绍

光电式传感器 1.概述 光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,它是把光信号(红外、可见及紫外光辐射)转变成为电信号的器件。 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量,如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度,以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来,新的光电器件不断涌现,特别是CCD图像传感器的诞生,为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。 2.物理特性 2.1外光电效应 2.1.1光子假设 1887年,赫兹发现光电效应,爱因斯坦第一个成功解释光电效应。爱因斯坦根据普朗克量子假说而进一步提出的光量子,即光子概念,对光电效应研究做出了决定性的贡献。爱因斯坦光子假说的核心思想是:表面上看起来连续的光波是量子化的。单色光由大量不连续的光子组成。若单色光频率为n,那么每个 光子的能量为E=hv, 动量为。 由爱因斯坦光子假说发展成现代光子论(photon theory)的两个基本点是:

(1) 光是由一颗一颗的光子组成的光子流。每个光子的能量为E = hv,动量 为。由N个光子组成的光子流,能量为N hv。 (2) 光与物质相互作用,即是每个光子与物质中的微观粒子相互作用。 根据能量守恒定律,约束得最不紧的电子在离开金属面时具有最大的初动 能,所以对于电子应有: 2.2 内光电效应 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量,并能将光能转化成电信号的器件。其工作原理是基于一些物质的光电效应。 光电效应:当具有一定能量E的光子投射到某些物质的表面时,具有辐射能量的微粒将透过受光的表面层,赋予这些物质的电子以附加能量,或者改变物质的电阻大小,或者使其产生电动势,导致与其相连接的闭合回路中电流的变化,从而实现了光—电转换过程。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应。属于内光电效应的光电转换元件有光敏电阻以及由光敏电阻制成的光导管等。 2.2.1光电导效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应(又称为光电效应、光敏效应),即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量,使非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。

DS18B20温度传感器实验

DS18B20温度传感器实验 TEMP1 EQU 5AH ;符号位和百位公用的存放单元TEMP2 EQU 5BH ;十位存放单元 TEMP3 EQU 5CH ;个位存放单元 TEMP4 EQU 5DH ; TEMP5 EQU 5EH TEMP6 EQU 5FH ;数据临时存放单元 TEMP7 EQU 60H TEMP8 EQU 61H ORG 0000H AJMP MAIN

ORG 0020H

MAIN: MOV SP,#70H LCALL INT ;调用DS18B20初始化函数 MAIN1: LCALL GET_TEMP ;调用温度转换函数 LCALL CHULI ;调用温度计算函数 LCALL DISP ;调用温度显示函数 AJMP MAIN1 ;循环 INT: L0: SETB P3.7 ;先释放DQ总线 MOV R2,#250 ;给R2赋延时初值,同时可让DQ保持高电平2us L1: CLR P3.7 ;给DQ一个复位低电平 DJNZ R2,L1 ;保持低电平的时间至少为480us SETB P3.7 ;再次拉高DQ释放总线 MOV R2,#25 L2: DJNZ R2,L2 ;保持15us-60us CLR C ORL C,P3.7 ;判断是否收到低脉冲 JC L0

MOV R6,#100 L3: ORL C,P3.7 DJNZ R6,L3 ;存在低脉冲保持保持60us-240us ; JC L0 ;否则继续从头开始,继续判断 SETB P3.7 RET ;调用温度转换函数 GET_TEMP: CLR PSW.4 SETB PSW.3 ;设置工作寄存器当前所在的区域 CLR EA ;使用DS18B20前一定要禁止任何中断LCALL INT ;初始化DS18B20 MOV A,#0CCH ;送入跳过ROM命令 LCALL WRITE MOV A,#44H ;送入温度转换命令 LCALL WRITE LCALL INT ;温度转换完成,再次初始化18b20 MOV A,#0CCH ;送入跳过ROM命令 LCALL WRITE MOV A,#0BEH ;送入读温度暂存器命令 LCALL WRITE

自动化传感器实验报告十三 光电转速传感器测速实验

广东技术师范学院实验报告 学院:自动化专业:自动化班级: 08自动化 成绩: 姓名:学号: 组 别: 组员: 实验地点:实验日期:指导教师签名: 实验十二项目名称:光电转速传感器测速实验 一、实验目的 了解光电转速传感器测量转速的原理及方法。 二、基本原理 光电式转速转速传感器有反射型和透射型两种,本实验装置是透射型的,传感器端部有发光管和光电管,发光管发出的光源通过转盘上开的孔透射后由光电二极管接受转换成电 信号,由于转盘上有相间的6个孔,转动时将获得与转速及孔数有关的脉冲,将电脉冲计数 处理即可得到转速值。 三、需用器件与单元 光电转速传感器、直流电源5V、转动源及2~24V直流电源、智能转速表。 四、实验步骤 1.光电转速传感器已经安装在传感器实验箱(二)上。 2.将+5V直流源加于光电转速传感器的电源端。 3.将光电转速传感器的输出接到面板上的智能转速表。 4.将面板上的0~30V稳压电源调节到5 V,接入传感器实验箱(二)上的转动电源处。 5.调节转动源的输入电压,使转盘的速度发生变化,观察转速表上转速的变化。 电压(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 频率 (HZ) 45 60 78 95 113 130 150 169 6.调节转动源的输入电压,使转盘的转速发生变化,把界面切换到示波器状态,观察传感器输出波形的变化。 电压越大,波形越窄。 五、注意事项 1.转动源的正负输入端不能接反,否则可能击穿电机里面的晶体管。 2.转动源的输入电压不可超过24V,否则容易烧毁电机。 3.转动源的输入电压不可低于2V,否则由于电机转矩不够大,不能带动转盘,长时间

光电传感器实验报告

实验报告2 ――光电传感器测距功能测试 1.实验目的: 了解光电传感器测距的特性曲线; 掌握LEGO基本模型的搭建; 熟练掌握ROBOLAB软件; 2.实验要求: 能够用LEGO积木搭建小车模式,并在车头安置光电传感器。能在光电传感器紧贴红板,以垂直红板的方向作匀速直线倒车运动过程中进行光强值采集,绘制出时间-光强曲线,然后推导出位移-光强曲线及方程。 3.程序设计: 编写程序流程图并写出程序,如下所示:

ROBOLAB程序设计: 4.实验步骤: 1)搭建小车模型,参考附录步骤或自行设计(创新可加分)。 2)用ROBOLAB编写上述程序。 3)将小车与电脑用USB数据线连接,并打开NXT的电源。点击ROBOLAB 的RUN按钮,传送程序。 4)取一红颜色的纸板(或其他红板)竖直摆放,并在桌面平面与纸板垂直 方向放置直尺,用于记录小车行走的位移。 5)将小车的光电传感器紧贴红板放置,用电脑或NXT的红色按钮启动小 车,进行光强信号的采样。从直尺上读取小车的位移。 6)待小车发出音乐后,点击ROBOLAB的数据采集按钮,进行数据采集, 将数据放入红色容器。共进行四次数据采集。 7)点击ROBOLAB的计算按钮,分别对四次采集的数据进行同时显示、平 均线及拟和线处理。 8)利用数据处理结果及图表,得出时间同光强的对应关系。再利用小车位 移同时间的关系(近似为匀速直线运动),推导出小车位移同光强的关 系表达式。 5.调试与分析 a)采样次数设为24,采样间隔为0.05s,共运行1.2s。采得数据如下所示。

b)在ROBOLAB的数据计算工具中得到平均后的光电传感器特性曲线,如图所示: c)对上述平均值曲线进行线性拟合,得到的光强与时间的线性拟合函数:

实验三 热电阻、热点偶测温特性实验

实验三热电阻、热电偶测温特性实验 一、实验目的:了解热电阻的特性与应用,了解热电偶测量温度的性能与应用范围。。 二、基本原理: 1、热电阻: 利用导体电阻随温度变化的特性,热电阻用于测量时,要求其材料电阻温度系数大,稳定性好,电阻率高,电阻与温度之间最好有线性关系。常用铂电阻和铜电阻在0-630.74℃以内,电阻Rt与温度t的关系为: R t=R0(1+A t+B t2) R0系温度为0℃时的电阻。本实验R0=100℃,A t=3.9684×10-2/℃,B t=-5.847×10-7/℃2,铂电阻现是三线连接,其中一端接二根引线主要为消除引线电阻对测量的影响。 2、热电偶 当两种不同的金属组成回路,如二个接点有温度差,就会产生热电势,这就是热电效应。温度高的接点称工作端,将其置于被测温度场,以相应电路就可间接测得被测温度值,温度低的接点就称冷端(也称自由端),冷端可以是室温值或经补偿后的0℃、25℃。 三、需用器件与单元:加热源、K型热电偶(红+,黑-)、P t100热电阻、温度控制单元、温度传感器实验模板、数显单元、万用表,热电偶K型、E 型、加热源。 四、实验步骤: (一)热电阻: 1、注意:首先根据实验台型号,仔细阅读“温控仪表操作说”,学会基 本参数设定。 2、将热电偶插入台面三源板加热源的一个传感器安置孔中。将K型热电偶自由端引线插入主控面板上的热电偶EK插孔中,红线为正极,黑色为负极,注意热电偶护套中已安置了二支热电偶,K型和E型,它们热电势值不同,从热电偶分度表中可以判别K型和E型(E型热电势大)热电偶。E型(蓝+,绿-);k型(红+,黑-) 3、将加热器的220V电源插头插入主控箱面板上的220V控制电源插座上。

传感器设计实验―光电测转速

光电式传感器测转速实验报告 ——传感器与检测技术 班级:1321202 专业:测控技术与仪器学号:201320120209 姓名:林建宇

1.实验目的: 1)掌握利用光电传感器进行非接触式转速测量的方法; 2)掌握测量和显示电路的设计方法; 3)了解光电式传感器以及示波器的使用方法。 2.实验基本原理: 光电式转速传感器有反射型和透射型二种,本实验装置是透射型的(光电断续器也称光耦),传感器端部二内侧分别装有发光管和光电管,发光管发出的光源透过转盘上通孔后由光电管接收转换成电信号,由于转盘上有均匀间隔的6个孔,转动时将获得与转速有关的脉冲数,脉冲经处理由频率表显示f,即可得到转速n=10f。实验原理框图如下图所示。 光耦测转速实验原理框图 3.需用器件与单元: 主机箱中的直流稳压电源、示波器、电压表、频率\转速表;转动源、光电转速传感器—光电断续器(已装在转动源上)。 4.实验步骤: (1)、按图1所示接线,并且接上示波器,将直流稳压电源调到10V档。

图1、光电传感器测速实验接线示意图 (2)、检查接线无误后,合上主机箱电源开关,调节电机控制旋钮,F/V表以及示波器就会显示相应的频率f,计算转速为n=10f。实验完毕,关闭主、副电源。 5、实验结论与总结 组数 1 2 3 4 5 6 仪器频率108 133 166 186 232 373 示波器频率106.083 134.913 167.949 188.170 232.125 373.892 转速1080 1330 1660 1860 2320 3730 (注:转速单位为转/分钟) 平均误差?△=∑△i/6 (i=6) ?△≈0.855 σ≈1.070 总结:通过计算可知标准差较小,仪器准确率较高。由仪器和示波器所测的两种频率,其中示波器所显示的为标准值。根据上面实验观察到的波形,由于孔所占比例小,所以方波的高电平比低电平要宽。光电式传感器测转速方法简单,易于实现。

光电传感器实验心得

竭诚为您提供优质文档/双击可除 光电传感器实验心得 篇一:光电传感器实验 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置 (实验指导书) 实 验 讲 义 请勿带走 杭州大华科教仪器研究所 杭州大华仪器制造有限公司 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接引起光强度变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光

敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应。大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光电效应类传感器。当然近年来新的光敏器件不断涌现,如:具有高速响应和放大功能的ApD雪崩式光电二极管,半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、ccD图像传感器等,为光电传感器的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。 一、实验目的 1、了解光敏电阻的基本特性,测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。 2、了解光敏二极管的基本特性,测出它的伏安特性和光照特性曲线。 3、了解硅光电池的基本特性,测出它的伏安特性曲线

实验十一 LM35温度传感器特性实验

实验十一 LM35温度传感器特性实验 【实验目的】 1、了解LM35温度传感器的基本原理和温度特性的测量方法; 2、测量LM35温度传感器输出电压与温度的特性曲线; 【实验仪器】 电磁学综合实验平台、LM35温度传感器、加热井、温度传感器特性实验模板 【实验原理】 1.电压型集成温度传感器(LM35) LM35温度传感器,标准T0-92工业封装,其准确度一般为±0.5℃。(有几种级别)由于其输出为电压,且线性极好,故只要配上电压源,数字式电压表就可以构成一个精密数字测温系统。内部的激光校准保证了极高的准确度及一致性,且无须校准。输出电压的温度系数K V=10.0mV/℃,利用下式可计算出被测温度t(℃): U O=K V*t=(10mV/℃)*t 即: t(℃)= U O/10mV (11-1)LM35温度传感器的电路符号见图11-1,V o为输出端实验测量时只要直接测量其输出端电压U o,即可知待测量的温度。 图11-1

图11-2LM35传感器特性实验连接图 【实验步骤】 1、按图11-2,将实验平台加热输出与加热井(加热接口)连接,实验台风扇接口与加热井(风扇接口)连接。 2、调节PID控温表,设置SV:在表面板上按一下(SET)按键,SV表头的温度显示个位将会闪烁;按面板上的“▲”或“▼”键调整设置个位的温度;在按面板上按一下(SET)按键即可,SV表头的温度显示个位将会闪烁,再按“<”键使表头的温度显示十位闪烁,按面板上的“▲”或“▼”键调整设置十位的温度;用同样方法还可设置百位的温度。调好SV所需设定的温度后,再按一下(SET)按键即可完成设置。将加热开关选择(快)档加热,待30秒后,仪器开始加热,控温表即可自动控制温度。调节不同温度,设定参照步骤2进行调节。 3、根据不同的实验连接不同的连接线,可参照上图。 【实验数据】 1、LM35传感器(工作电压5V)(直流电压表2V档测量) 表11-1 t(℃) 30 40 50 60 70 80 90 100 U 2、描绘.LM35传感器曲线,求出.LM35随温度变化的灵敏度S(mV/℃), 【注意事项】 1、加热器温度不能加热到120℃以上,否则将可能损坏加热器。

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

北航_仪器光电综合实验报告_彩色线阵CCD传感器系列实验

2012/4/29 彩色线阵ccD专感器系列实验 实验时间:2012年4月27日星期五 (一)实验目的: 1.了解并学习CCD勺使用、驱动原理和功能特性等。 (二)实验内容: 1. 本实验共分为以下四个实验部分,主要内容为: 1)线阵原理及驱动 2)特性测量实验 3)输出信号二值化 4)线阵CCD勺AD数据采集 (三)实验仪器: 1.双踪迹同步示波器(带宽50MH以上)一台, 2.彩色线阵CC多功能实验仪YHCC B IV—台 3.实验用PC十算机及A/D数据采集基本软件

(四)实验结果及数据分析:一、线阵原理及驱动 1)驱动频率与周期

由于对不同驱动频率示值,对应不同驱动频率,当显示数值为0时,f=1Mhz ;为1时, f=500Khz ;为2时,f=250Khz ;为3时,f=125Khz ; 对应F1, F2频率始终是驱动信号的8分之一,而RS则为F1, F2频率的2倍; 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 2)积分时间测量 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 二、特性测量实验

积分时间(档)FC时间 ms 幅度(H)幅度(L)Vh-VI 0 11.78 7.2 -1.2 8.4 2 13.82 10.8 -0.8 11.6 4 15.88 17.2 -0.8 18 6 17.92 21.2 -0.8 22 8 19.98 25.6 -0.8 26.4 10 22.02 30.8 -1.6 32.4 对应曲线: 表格 驱动频率1档输出信号U 幅度积分时间(档)FC时间 ms 幅度(H)幅度(L)Vh-VI 0 23.56 36.4 -2 38.4 2 27.64 44.8 -0.8 45.6 4 31.76 48.8 -0.8 49.6 6 35.84 48.8 -0.8 49.6 8 39.94 48.8 -0.8 49.6 图表1 输出信号幅度与积分时间的关系0档 U14 祝号1丁視,mi 13 3QJ 14 ■ Q _ tf 曲 ?

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