TTL器件和CMOS器件的逻辑电平

TTL器件和CMOS器件的逻辑电平

：逻辑电平的一些概念

要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：

1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。

2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。

3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。

4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。

5：阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平

这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。

对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：

Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。

6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。

7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。

8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：

（1）：RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）

其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。：常用的逻辑电平

·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。

·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V 系列和1.8V系列。

·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。

·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。

·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。

·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。

TTL和CMOS的逻辑电平关系

图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图

上图为5V TTL逻辑电平、5V CMOS逻辑电平、LVTTL 逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。

5V TTL逻辑电平和5V CMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。

另外5V CMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih≥0.7Vcc；Vol≤0.1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。JEDEC组织在定义3.3V的逻辑电平标准时，定义了

LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。

LVTTL逻辑电平标准的输入输出电平与5V TTL逻辑电平标准的输入输出电平很接近，从而给它们之间的互连带来了方便。LVTTL逻辑电平定义的工作电压范围是3.0－3.6V。

LVCMOS逻辑电平标准是从5V CMOS逻辑电平关注移植过来的，所以它的Vih、Vil和Voh、Vol与工作电压有关，其值如上图所示。LVCMOS逻辑电平定义的工作电压范围是2.7－3.6V。

5V的CMOS逻辑器件工作于3.3V时，其输入输出逻辑电平即为LVCMOS逻辑电平，它的Vih大约为0.7×VCC＝2.31V左右，由于此电平与LVTTL的Voh （2.4V）之间的电压差太小，使逻辑器件工作不稳定性增加，所以一般不推荐使用5V CMOS器件工作于3.3V电压的工作方式。由于相同的原因，使用LVCMOS 输入电平参数的3.3V逻辑器件也很少。

JEDEC组织为了加强在3.3V上各种逻辑器件的互连和3.3V与5V逻辑器件的互连，在参考LVCMOS和LVTTL逻辑电平标准的基础上，又定义了一种标准，其名称即为3.3V逻辑电平标准，其参数如下：

图2－2：低电压逻辑电平标准

从上图可以看出，3.3V逻辑电平标准的参数其实和LVTTL逻辑电平标准的参数差别不大，只是它定义的Vol可以很低（0.2V），另外，它还定义了其Voh最高可以到VCC-0.2V，所以3.3V逻辑电平标准可以包容LVCMOS的输出电平。在实际使用当中，对LVTTL标准和 3.3V逻辑电平标准并不太区分，某些地方用LVTTL电平标准来替代3.3V逻辑电平标准，一般是可以的。

JEDEC组织还定义了2.5V逻辑电平标准，如上图所示。另外，还有一种2.5V CMOS逻辑电平标准，它与上图的2.5V逻辑电平标准差别不大，可兼容。

低电压的逻辑电平还有1.8V、1.5V、1.2V的逻辑电平。、TTL和CMOS逻辑器件

逻辑器件的分类方法有很多，下面以逻辑器件的功能、工艺特点和逻辑电平等方法来进行简单描述。

：TTL和CMOS器件的功能分类

按功能进行划分，逻辑器件可以大概分为以下几类：门电路和反相器、选择器、译码器、计数器、寄存器、触发器、锁存器、缓冲驱动器、收发器、总线开关、背板驱动器等。

1：门电路和反相器

逻辑门主要有与门74X08、与非门74X00、或门74X32、

或非门74X02、异或门74X86、反相器74X04等。2：选择器

选择器主要有2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。

3：编/译码器

编/译码器主要有2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。

4：计数器

计数器主要有同步计数器74X161和异步计数器74X393等。

5：寄存器

寄存器主要有串-并移位寄存器74X164和并-串寄存器74X165等。

6：触发器

触发器主要有J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。

7：锁存器

锁存器主要有D型锁存器74X373、寻址锁存器74X259等。

8：缓冲驱动器

缓冲驱动器主要有带反向的缓冲驱动器74X240和不带反向的缓冲驱动器74X244等。

9：收发器

收发器主要有寄存器收发器74X543、通用收发器74X245、总线收发器等。

10：总线开关

总线开关主要包括总线交换和通用总线器件等。11：背板驱动器

背板驱动器主要包括TTL或LVTTL电平与GTL/GTL+（GTLP）或BTL之间的电平转换器件。

CMOS逻辑电路

CMOS逻辑电路 CMOS是单词的首字母缩写，代表互补的金属氧化物半导 体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是 一种特殊类型的电子集成电路(IC)。集成电路是一块微小的硅 片，它包含有几百万个电子元件。术语IC隐含的含义是将多个 单独的集成电路集成到一个电路中，产生一个十分紧凑的器件。在通常的术语中，集成电路通常称为芯片，而为计算机应用设计的IC称为计算机芯片。 虽然制造集成电路的方法有多种，但对于数字逻辑电路而言CMOS是主要的方法。桌面个人计算机、工作站、视频游戏以及其它成千上万的其它产品都依赖于CMOS 集成电路来完成所需的功能。当我们注意到所有的个人计算机都使用专门的CMOS 芯片，如众所周知的微处理器，来获得计算性能时， CMOS IC的重要性就不言而喻了。CMOS之所以流行的一些原因为: ?逻辑函数很容易用CMOS电路来实现。 ?CMOS允许极高的逻辑集成密度。其含义就是逻辑电路可以做得非常小，可以制造在极小的面积上。 ?用于制造硅片CMOS芯片的工艺已经是众所周知，并且CMOS芯片的制造和销售价格十分合理。 这些特征及其它特征都为CMOS成为制造IC的主要工艺提供了基础。 CMOS可以作为学习在电子网络中如何实现逻辑功能的工具。CMOS它允许我们用简单的概念和模型来构造逻辑电路。而理解这些概念只需要基本的电子学概念。 CMOS逻辑门电路的系列及主要参数: 1．CMOS逻辑门电路的系列 CMOS集成电路诞生于20世纪60年代末，经过制造工艺的不断改进，在应用的广度上已与TTL平分秋色，它的技术参数从总体上说，已经达到或接近TTL的水平，其中功耗、噪声容限、扇出系数等参数优于TTL。CMOS集成电路主要有以下几个系列。 （1）基本的CMOS——4000系列。 这是早期的CMOS集成逻辑门产品，工作电源电压范围为3～18V，由于具有功耗低、噪声容限大、扇出系数大等优点，已得到普遍使用。缺点是工作速度较低，平均传输延迟时间为几十ns，最高工作频率小于5MHz。 （2）高速的CMOS——HC（HCT）系列。 该系列电路主要从制造工艺上作了改进，使其大大提高了工作速度，平均传输延迟时间小于10ns，最高工作频率可达50MHz。HC系列的电源电压范围为2～6V。HCT系列的主要特点是与TTL器件电压兼容，它的电源电压范围为4.5～5.5V。它的输入电压参数为VIH（min）=2.0V；VIL（max）=0.8V，与TTL完全相同。另外，

CMOS逻辑门电路

CMOS逻辑门电路 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件。CMOS电路的工作速度可与TTL 相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。 早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。 MOS管结构图 MOS管主要参数： 1.开启电压V T ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，V T约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V T值降到2～3V。 2. 直流输入电阻R GS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的R GS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BV DS ·在V GS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使I D开始剧增时的V DS称为漏源击穿电压BV DS ·I D剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V DS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的I D 4. 栅源击穿电压BV GS ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I G由零开始剧增时的V GS，称为栅源击穿电压BV GS。 5. 低频跨导g m ·在V DS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图 现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 1、MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示： 以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。 对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4 端与6端导通，栅极5要加低电平。 在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通（即“截止”或“关断”），所以称为“互补型CMOS管”。 2、CMOS逻辑电平 高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V；Vss接地，是0V。 高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD的65%～VDD（或者～VDD）

低电平视作逻辑“0”，要求不超过VDD的35%或0～。 +～+应看作不确定电平。在硬件设计中要避免出现不确定电平。 近年来，随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势。低电源电压有助于降低功耗。VDD为的CMOS器件已大量使用。在便携式应用中，VDD为，甚至的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降，降到，但低于VDD的35%的电平视为逻辑“0”，高于VDD的65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。 3、非门 非门（反向器）是最简单的门电路，由一对CMOS管组成。其工作原理如下：A端为高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端C的电平与Vss保持一致，输出低电平；A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与V一致，输出高电平。 4、与非门

CMOS 集成逻辑门电路特点及使用方法

CMOS 集成逻辑门电路特点及使用方法1．CMOS集成电路特点 CMOS集成电路的特点是功耗极低、输出幅度大噪声容限大、扇出能力强。MOS逻辑门电路主要分为NMOS、PMOS、CMOS三大类，PMOS是MOS逻辑门的早期产品，它不仅工作速度慢且使用负电源，不便与TTL电路连接，CMOS是在NMOS的基础上发展起来，它的各种性能较NMOS都好。 2．集成CMOS电路的特性参数 CMOS门电路主要参数的定义同TTL电路，下面主要说明CMOS电路主要参数的特点。 (1)输出高电平U OH 与输出低电平U OL CMOS门电路U OH的理论值为电源电压U DD，U OH(min)=0.9U DD；U OL的理论值为0V，U OL(max)=0.01U DD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大，接近电源电压U DD值。 (2)阈值电压U TH 从CMOS 非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压U TH 约为U DD/2。 (3)抗干扰容限 CMOS非门的关门电平U OFF为0.45U DD，开门电平U ON为0.55U DD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45U DD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3U DD，电源电压U DD 越大，其抗干扰能力越强。 (4)传输延迟与功耗 CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门，但传输延迟较大，一般为几十ns/门，且与电源电压有关，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。前面提到74HC 高速CMOS系列的工作速度已与TTL系列相当。 (5)扇出系数 因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定的扇出系数可达50。 但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。 以测试过的CD4001为例，其主要特性参数见表11-12。 表3 CD4001四2或非门主要特性参数

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图

MOS 管及简单CMOS 逻辑门电路原理图 现代单片机主要是采用CMO 工艺制成的。 1、MOS 管 MOS 管又分为两种类型：N 型和P 型。如下图所示: V DD 4 5 I c 6 =Vss P 型MOS 管 以N 型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为 “源极”；源极电压记作Vss , 1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD 要使1端与3端导通，栅极2 上要加高电平。 对P 型管，栅极、源极、漏极分别为 5端、4端、6端。要使4 端与6端 导通，栅极5要加低电平。 在CMO 工艺制成的逻辑器件或单片机中，N 型管与P 型管往往是 成对出 现的。同时出现的这两个 CMO 管，任何时候，只要一只导通，另一只则 不导通（即“截止”或“关断”），所以称为“互补型—CMO 管”。. 2、CMO 逻辑电平 高速CMO 电路的电源电压 VDD S 常为+5V; Vss 接地，是0V 。 高电平视为逻辑“ 1”，电平值的范围为：VDD 勺65%-VDD 或者VDD-1.5V ? VDD 低电平视作逻辑“ 0”，要求不超过 VDD 的35%或 0?1.5V 。 +1.5 V ?+3.5V 应看作不确定电平。在硬件设计中要避免出现不确定电平。 近年来，随着亚微米技术的发展，单片机的电源呈下降趋势。低电源电压有 助于降低功耗。VDD 为3.3V 的CMO 器件已大量使用。在便携式应用中， VDC 为 2.7V ，甚至1.8V 的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降，降到0.9V ， 但低于VDD 的 35%勺电平视为逻辑“ 0”，高于VDD 勺65%勺电平视为逻辑“ 1” 的规律仍然是适用的。 VDD Vss

(完整版)第四章 CMOS组合逻辑电路设计I

第四章CMOS组合逻辑电路设计I －静态CMOS逻辑门电路 第一节互补CMOS逻辑门的结构及性能 第二节互补CMOS逻辑门的设计 第三节类NMOS电路（有比电路） 第四节传输门逻辑电路 第五节差分CMOS逻辑电路（有比电路）

第一节静态互补CMOS逻辑电路的结构及性能 一、静态CMOS逻辑电路的结构 二、静态CMOS逻辑电路的性能

A B C V DD Y F F F =(B A C ,,) PMOS NMOS 一、静态CMOS逻辑电路的结构 P U N P D N PUN：pull up net 上拉网络PMOS PDN：pull down net 下拉网络NMOS PUN、PDN为双重网络 设计时需保证，无论什么输入， 仅有一个网络在稳定状态下导通。

静态CMOS 逻辑门特点 1）带“非”的逻辑功能 input: x1,x2, (x) output: 2）逻辑函数F(x1,x2,……,xn)决定于管子的连接关系。 NMOS ：PMOS ：串与并或 串或并与 ) ,2,1(Xn X X F Y ???=3）每个输入信号同时接一个NMOS 管和一个PMOS 管的栅极, n 输入逻辑门有2n 个管子。 4）静态CMOS 逻辑门保持了CMOS 反相器无比电路的优点。高噪声容限，VOH 、VOL 分别为VDD 和GND

A B A + B A B A ? B NMOS 串与 并或 F1 F2 F1 F2 F =F1F2 +F =F1F2 A B C F =A B C A B C F =A B C ++

A B A ? B A B A B F 001 011 101 110 A B 例：CMOS与非门 A ? B = A + B [!(A ? B) = !A + !B or !(A & B) = !A | !B]

逻辑门电路使用中的几个实际问题(精)

逻辑门电路使用中的几个实际问题 以上讨论了几种逻辑门电路特别是重点地讨论了 TTL和CMOS两种电路。在具体的应用中可以根据要求来选用何种器件。器件的主要技术参数有传输延迟时间、功耗、噪声容限，带负载能力 等，据此可以正确地选用一种器件或两种器件混用。下面对几个实际问题，如不同门电路之间的接口技术，门电路与负载之间的匹配等进行讨论。 一、各种门电路之间的接口问题 在数字电路或系统的设计中，往往由于工作速度或者功耗指标的要求，需要采用多种逻辑器件混合使用，例如，TTL和CMOS两种器件都要使用。由前面几节的讨论已知，每种器件的电压和电流参数各不相同，因而需要采用接口电路，一般需要考虑下面三个条件： 1.驱动器件必须能对负载器件提供灌电流最大值。 2.驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流。 3.驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围 ，包括高。低电压值。 其中条件１和２，属于门电路的扇出数问题，已在第四节作过详细的分析。条件３属于电压兼容性的问题。其余如噪声容限、输入和输出电容以及开关速度等参数在某些设计中也必须予以考 虑。 下面分别就CMOS门驱动TTL 门或者相反的两种情况的接口问题进行分析。 1.CMOS门驱动TTL门 在这种情况下，只要两者的电压参数兼容，不需另加接口电路，仅按电流大小计算出扇出数即可。 下图表示CMOS门驱动TTL门的简单电路。当CMOS门的输出为高电平时，它为TTL负载提供拉电流，反之则提供灌电流。 例2.9.1——74HC00与非门电路用来驱动一个基本的TTL反相器和六个74LS门电路。试验算此时的CMOS门电路是否过载？ 解： （1）查相关手册得接口参数如下：一个基本的TTL门电路，IIL＝1.6mA，六个74LS门的输入电流IIL＝6×0.4mA＝2.4mA。总的输入电流IIL(total＝1.6mA＋2.4mA＝4mA。

基本逻辑门电路汇总

第一节基本逻辑门电路 1.1 门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑1表示高电平；用逻辑0表示低电平） 11.2 与门： 逻辑表达式F＝A B 即只有当输入端A和B均为1时,输出端Y才为1,不然Y为0.与门的常用芯片型号有:74LS08,74LS09等. 11.3 或门：逻辑表达式F＝A+ B 即当输入端A和B有一个为1时,输出端Y即为1,所以输入端A和B均为0时,Y才会为O.或门的常用芯片型号有:74LS32等. 11.4．非门逻辑表达式F=A

即输出端总是与输入端相反.非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等. 11.5．与非门 逻辑表达式 F=AB 即只有当所有输入端A 和B 均为1时,输出端Y 才为0,不然Y 为1.与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等. 11.6．或非门： 逻辑表达式 F=A+B 即只要输入端A 和B 中有一个为1时,输出端Y 即为0.所以输入端A 和B 均为0时,Y 才会为 1.或非门常见的芯片型号有:74LS02等. 11.7．同或门: 逻辑表达式F=A B+A B 11.8.异或门：逻辑表达式F=A B+A B

11.9.与或非门：逻辑表逻辑表达式F=AB+CD A 11.10.RS 触发器： 电路结构 把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接，即可构成基本RS 触发器，其逻辑电路如图 7.2.1.(a)所示。它有两个输入端R 、S 和两个输出端Q 、Q 。 工作原理 : 基本RS 触发器的逻辑方程为： 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系: 1.当R=1、S=0时，则Q=0,Q=1,触发器置1。 2.当R=0、S=1时，则Q=1,Q=0,触发器置0。

第四章逻辑门电路作业题(参考答案)

第四章逻辑门电路 （Logic Gates Circuits） 1．知识要点 CMOS逻辑电平和噪声容限；CMOS逻辑反相器、与非门、或非门、非反相门、与或非门电路的结构； CMOS逻辑电路的稳态电气特性：带电阻性负载的电路特性、非理想输入时的电路特性、负载效应、不用的输入端及等效的输入/输出电路模型； 动态电气特性：转换时间、传输延迟、电流尖峰、扇出特性； 特殊的输入/输出电路结构：CMOS传输门、三态输出结构、施密特触发器输入结构、漏极开路输出结构。 重点： 1．CMOS逻辑门电路的结构特点及与逻辑表达式的对应关系； 2．CMOS逻辑电平的定义和噪声容限的计算； 3．逻辑门电路扇出的定义及计算； 4．逻辑门电路转换时间、传输延迟的定义。 难点： 1．CMOS互补网络结构的分析和设计； 2．逻辑门电路对负载的驱动能力的计算。 （1）PMOS和NMOS场效应管的开关特性 MOSFET管实际上由4部分组成：Gate，Source，Drain和Backgate，Source和Drain之间由Backgate连接，当Gate对Backgate的电压超过某个值时，Source和Drain之间的电介质就会形成一个通道，使得两者之间产生电流，从而导通管子，这个电压值称为阈值电压。对PMOS管而言，阈值电压是负值，而对NMOS管而言，阈值电压是正值。也就是说，在逻辑电路中，NMOS管和PMOS管均可看做受控开关，对于高电平1，NMOS导通，PMOS截断；对于低电平0，NMOS截断，PMOS导通。 （2）CMOS门电路的构成规律 每个CMOS门电路都由NMOS电路和PMOS电路两部分组成，并且每个输入都同时加到一个NMOS管和一个PMOS管的栅极（Gate）上。 对正逻辑约定而言，NMOS管的串联（Series Connection）可实现与操作（Implement AND Operation），并联（Parallel Connection）可实现或操作（Implement OR Operation）。 PMOS电路与NMOS电路呈对偶关系，即当NMOS管串联时，其相应的PMOS管一定是并联的；而当NMOS 管并联时，其相应的PMOS管一定需要串联。 基本逻辑关系体现在NMOS管的网络上，由于NMOS网络接地，输出需要反相（取非）。 （3）CMOS逻辑电路的稳态电气特性 一般来说，器件参数表中用以下参数来说明器件的逻辑电平定义： V OHmin输出为高电平时的最小输出电压 V IHmin能保证被识别为高电平时的最小输入电压 V OLmax能保证被识别为低电平时的最大输入电压 V ILmax输出为低电平时的最大输出电压 不同逻辑种类对应的参数值不同。输入电压主要由晶体管的开关门限电压决定，而输出电压主要由晶体管的“导通”电阻决定。 噪声容限是指芯片在最坏输出电压情况下，多大的噪声电平会使得输出电压被破坏成不可识别的输入值。对于输出是高电平的情况，其最坏的输出电压是V OHmin，如果要使该电压能在输入端被正确识别为高电平，即被