《半导体物理与器件基础》复习大纲

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《半导体物理与器件基础》复习大纲




一、参考书目

《半导体物理》 编著：刘恩科 出版：国防工业出版社 1995 年

《晶体管原理与设计》 编著：陈星弼,张庆中 出版：电子工业出版社



二、复习大纲

1. 半导体中的能带结构、半导体中的杂质和缺陷能级
周期性势场中的电子状态；半导体中的电子的运动；有效质量；空穴额概念；半导体的能带结构，硅、锗中的杂质能级；缺陷和位错能级。

2.半导体中的载流子的统计分布
状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子的统计分布；简并半导体。

3. 半导体中的导电性
载流子的漂移运动；迁移率；电导率；迁移率与平均自由时间的关系；迁移率与电离杂质浓度、温度的关系；电导率的统计理论；迁移率的强场效应。

4. 非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移运动与爱因斯坦关系式。

5. p-n 结
p-n 结能带图与空间电荷区的电场及电位分布；p-n 结的交直流特性与开关特性；p-n 结的过渡区电容和扩散电容；p-n 结的击穿。

6. 金属和半导体的接触
金属和半导体的功函数；表面态对接触势垒的影响；金属和半导体接触的整流理论；肖特基二极管；少数载流子注入；欧姆接触。

7. 晶体管的直流特性
晶体管的基本结构与原理；晶体管直流特性的理论与分析；晶体管的电流增益；晶体管的反向电流、击穿电压、基极电阻；晶体管输入正向压降与饱和压降；晶体管的 E-M 方程。

8. 晶体管的频率特性
晶体管交流特性的理论与分析；晶体管的小信号参数与等效电路；晶体管的电流增益及其截止频率；晶体管的高频功率增益。

9. 金属氧化物半导体场效应晶体管
MOSFET 的结构、工作原理和类型； MOSFET 的阈电压； MOSFET 的直流特性； MOSFET 的小信号特性与瞬变特性； MOSFET 的短、窄沟道效应。

10. 半导体的光、声、电、磁、温度、压阻效应的基本原理