高频电子电路期末考试试题
电子信息科学与技术专业（本）2007级
《高频电子电路》试卷（A）
一、填空题（每空分，共30分）
1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。
2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。
3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H
μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω
k。
4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。
5.载波功率为100W，当m
a
=1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。
6.某调谐功率放大器，已知V
CC =24V，P0=5W，则当%
60
=
c
η，=
C
P ,I CO= ，若P0
保持不变，将
c
η提高到80%，P c减小。
7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙类。
8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。
二、选择题（每题2分，共20分）
1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（）
A.载波信号
B.本振信号
C.已调波信号
D.高频振荡信号
2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（）
D.不能确定
3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（）
A.晶体振荡器
B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器
4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（）
A.提高回路的Q值
B.提高谐振频率
C.加宽通频带
D.减小通频带
5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（）
A.单边带调幅波
B.抑制载波双边带调幅波
C.普通调幅波
D.残留边带调幅波
6.下列表述正确的是（）
A.高频功率放大器只能位于接收系统中
B.高频功率振荡器只能位于接收系统中
C.调制器只能位于发送系统中
D.解调器只能位于发送系统中
7.某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（）
A.过压
B.弱过压
C.临界
D.欠压
8.如右图所示电路，以下说法正确的是（）
A.该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
B.该电路由于没有选频网络，不能产生正弦波振荡
C.该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡
D.该电路满足相位平衡条件，可能产生正弦波振荡
9.关于间接调频方法的描述，正确的是（ ）
A.先对调制信号微分，再加到调相器对载波信号调相，从而完成调频
B.先对调制信号积分，再加到调相器对载波信号调相，从而完成调频
C.先对载波信号微分，再加到调相器对调制信号调相，从而完成调频
D.先对载波信号积分，再加到调相器对调制信号调相，从而完成调频
10.已调波t t A U t u c m )cos()(1ωω+=，则其)(t ω?表达式为（ ）
A.t A 1ω
B.21t A ω
C.t A 12ω
D.t A c ω
三、简答题（每题5分，共10分）
1.在接收设备中，变频器的作用是变频器是怎么组成的，绘出变频前后的波形。
2.简述构成LC 振荡器的三个条件及振荡器振荡过程中的起振条件、平衡振荡条件及平衡稳定振荡条件。
四、计算题（每题10分，共40分）
1.某波段内调谐回路由可变电容C 、微调电容C T 和电感L 并联组成，可变电容C 的变化范围为
12~260pF 。要求此回路的调节范围为535~1605kHz ，求回路电感L 和C T 的值。
2.载波振荡的频率为MHz f 250=，振幅为V V 40=；调制信号为单频余弦波，频率为Hz F 400=；最大频移为kHz f 10=?。试写出：
（1）调频波和调相波的数学表达式；
（2）若调制频率为2kHz ，所有其他参数不变，写出此时的调频波和调相波的数学表达式。
3.如图所示是载频为2000kHz 的调幅波频谱图。求：（1）写出该已调波信号的数学表达式；
（2）计算它在负载R =1Ω上消耗的边带功率和总功率以及频带宽度。
4.串联回路如图所示，信号源频率f 0=1MHz ，电压幅值V U S 1.0=，将1-2两端短接，电容调至100pF 时谐振。此时，电容两端的电压为10V 。试求线圈的电感量L ，回路品质因数Q 0值；
若1-2开路再接一个阻抗Z X （电阻和电容串联），则回路失谐，C 调到200pF 时重新谐振，电容
C 两端电压变成，求未知阻抗Z X 。
kHz
《高频电子电路》试卷（B ） 一、填空题（每空分，共30分）
1. 正弦波振荡器由 、 和 三部分组成。
2.小信号调谐放大器，一般工作在 类状态。
3.高频功率放大器原来工作于临界状态，当谐振阻抗增大时，工作于 状态，此时0c I ，1cm I 将 ，c i 波形出现 。
4.某电感线圈L 在f =10MHz 时测得L =3μH ，Q 0=80，则与L 串联的等效电阻r 为 ；若等
效为并联回路时，R p 为 。
5.调幅系数为1的调幅信号功率，其中载波占调幅波总功率的 。
6.已知调频信号)102cos 2105cos(5)(36t t t u ?+?=ππ，若调频灵敏度f K =104Hz/V ，则调制信号)(t u Ω= 。该调频波的最大频偏f ?= ，有效频带宽度B f = 。
7.振荡器的起振条件是 ，平衡条件是 ，平衡稳定条件是 ， 。
串联回路谐振时阻抗最 ，且为纯电阻，当0f f π，回路呈 性，当0f f φ，回路呈 性。
二、选择题（每题2分，共20分）
1.高频电子技术所研究的高频信号的工作频率范围是（ ）
~30 kHz ~30MHz ~300MHz ~3000MHz
2.如右图所示的电路是（ ）
A.普通调幅电路
B.双边带调幅电路
C.混频器
D.同步检波器
3.为了避免出现过调幅失真，应使（ ）
A. m a <0
B. m a =0
C. m a ≤1
D. m a >0
4.若载波t V t v 000cos )(ω=，调制信号t V t v Ω=ΩΩcos )(，则调频波的表达式为（ ）
A.)sin cos()(00t m t V t v f FM Ω+=ω
B.)cos cos()(00t m t V t v f FM Ω+=ω
C.t t m t V t v f FM 000cos )cos cos()(ωωΩ+=
D.)cos cos )(00t t V kV t v FM Ω=Ωω
5.关于调制，正确的描述是（ ）
A.用载波信号去控制调制信号的某一参数，使该参数按一定的规律发生变化
B.用调制信号去控制载波信号的某一参数，使该参数一定的规律发生变化
C.用调制信号去控制载波信号的某一参数，使该参数按调制信号的规律变化
D.用载波信号去控制调制信号的某一参数，使该参数按载波的规律发生变化
6.如下图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“VOLTS/DIV ”的指示值是2V ，则所测正弦波的峰值为（ ）
在丙类高频功率放大器中，集电极电流c i 为余弦脉冲电流，而1cm I 为（ ）
A.余弦脉冲电流
B.连续余弦波形电流
C.周期性矩形波电流
D.直流
8.强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（ ）
A.越大
B.越小
C.不出现
D.不变
9.振荡器与放大器的区别是（ ）
A.振荡器比放大器电源电压高
B.振荡器比放大器失真小
C.振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号
D.振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号
10.为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与辐射信号的（ ）
A.频率相比拟
B.振幅相比拟
C.相位相比拟
D.波长相比拟
三、简答题（每题5分，共10分）
1.某混频器使用的是非线性器件，可用幂级数表示为2210u a u a a i c ++=，设21u u u +=，t f u 112cos π=，t f u 222cos π=，若kHz f 6001=，kHz f 8002=，问电流中含有哪些频率分量
2.在谐振功率放大器中，若V BB 、bm V 、cm V 维持不变，当V CC 改变时1cm I 有明显变化，问放大器原来工作于何种状态为什么请结合图示加以说明。
四、计算题（每题10分，共40分）
1.调幅波表达式为)(104652cos )1042cos 35()(33V t t t v AM ????+=ππ
（1）求调幅波的带宽BW ；
（2）若负载电阻L R ＝100Ω，求调幅波的总功率。
2.某一晶体管谐振功率放大器，设已知V V CC 24=，mA I CO 250=，W P O 5=，电压利用系
数1=ξ，试求=P 、c η、P R 、1cm I 。
3.已知载波频率c f =100MHz ，载波电压振幅cm V =5V ，调制信号为单音频余弦信号，频率为400Hz ，振幅为，调制指数为60。当调制信号频率减为250Hz ，同时振幅上升为时，调制指数将变为多少试写出已调波的数学表达式。
4.如下图所示，已知L =μH ，Q 0=100，C 1=C 2=20pF ，i C =5 pF ，i R =10k Ω，C 0=20 pF ，R 0=5k Ω。
试计算回路谐振频率、谐振阻抗（不计R 0和i R 时）、有载Q L 值和通频带。
《高频电子电路》试卷（C ）
一、填空题（每空分，共30分）
1.在一个超外差式广播接收机中，中频频率i f =465kHz ，当接收频率s f =1100kHz 的电台播音时，相应镜频干扰频率1n f = kHz ，中频干扰频率2n f = kHz 。
2.当调谐功率放大器集电极偏压V CC 从0开始增大时，功放的工作状态将从 →临界→
变化。
并联谐振回路，当谐振时回路阻抗最 且呈 ，失谐时阻抗变 。
4.包络检波的组成是 和 。适用于解调 信号。
5.构成正弦波振荡器必须具备的三个条件是 、 和 。
6.电容三端振荡器的优点是输出波形好，改进的电容反馈式三端振荡电路有 、 。
7.为了获得有效的调幅，集电极调幅电路必须总是工作于 状态；为了获得有效的调幅，基极调幅电路必须总是工作于 状态。
8.有一载频均为10MHz 的AM 波、FM 波、PM 波，其调制电压均为)(104cos 3.0)(3V t t u ?=Ωπ，调角时，频偏Δf =5kHz ，则AM 波的带宽为 ，FM 波的带宽为 ，PM 波的带宽为 。
二、选择题（每题2分，共20分）
1.反馈式正弦波振荡器的平衡振荡条件为（ ）
A.1=AF ， π??n F A 2=+
B.1φAF ， π??n F A 2=+
C.1φAF ，π??n F A 2≠+
D.|AF| =1， π??n F A 2≠+
2.某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz ～8KHz ，则已调波的带宽为（ ）
C
3.电视、调频广播和移动通信均属于（ ）
A.超短波通信
B.短波通信
C.中波通信
D. 微波通信
4.同步检波器要求接收端载波与发端载波 （ ）
A.频率相同、幅度相同
B.相位相同、幅度相同
C.频率相同、相位相同
D.频率相同、相位相同、幅度相同
5.某调频波，其调制信号频率F ＝1kHz ，载波频率为，最大频偏m f ?＝10kHz ，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为（ ）
6.把谐振频率为0f 的LC 并联谐振回路串联在电路中，它（ ）的信号通过。
A.允许频率为0f
B.阻止频率为0f
C.使频率低于0f
D.使频率高于0f
7.下列表述正确的是（ ）
A.低频信号可以直接从天线上有效地辐射
B.低频信号必须装载到高频信号上才能有效地辐射
C.低频信号和高频信号都不能从天线上有效地辐射
D.低频信号和高频信号都能从天线上有效地辐射
8.属于频谱的非线性搬移过程的有（ ）
A.调幅波的解调
B.混频
C.频率调制
D.振幅调制
9.丙类高频功率放大器的通角（ ）
A.θπ 180°
B.C C οοππ18090θ
C. θ=90°
D. οπ90θ
10.单频调制时，调频波的最大频偏m f ?正比于（ ）
A.ΩV
B. )(t v Ω
C.Ω
D.ΩΩV
三、简答题（每题5分，共10分）
1.简要回答如何根据m in ce v 的大小，判断高频功率放大器处于什么工作状态当V CC =12V ，
V CM =10V ，管子的饱和压降ces v =1V ，判断放大器处于什么状态。
2.设调制信号t V v Ω=ΩΩcos ，载波信号t V t v c C c ωcos )(=，试简要比较调频波)(t v FM ，调相波)(t v PM 的瞬时频率)(t ω，瞬时相位)(t θ，最大频移ω?，最大相移m ，数学表示式及带宽BW 的不同。
四、计算题（每题10分，共40分）
1.已知某信号电压)(2200cos 3.01800cos 3.02000cos 21V t t t u πππ++=,试求：（1）该信号是已调波吗写出它的标准数学表达式；（2）计算在单位电阻上消耗的边频功率和总功率以及已调波的频带宽度。
2.若非线性元件伏安特性为2kv i =，式中，k 为常数。所加电压为t V V v m 00cos ω+=，式中，
0V 为直流电压。应如何选取0V 和m V 才能使该非线性元件更能近似地当成线性元件来处理试从物理意义上加以说明。
3.已知调制信号)(102cos )(3V t V t u m ?=ΩΩπ，10==p f m m ，求FM 波和PM 波的带宽。（1）若m V Ω不变，F 增大一倍，两种调制信号的带宽如何
（2）若F 不变，m V Ω增大一倍，两种调制信号的带宽如何
（3）若m V Ω和F 都增大一倍，两种调制信号的带宽又如何
4.如图所示为改进型电容三端式振荡电路，已知元件参数：L =50μH，C 1=2500pF ， C 2=1600pF ，
C 3在12~350pF 范围可调，（1）求振荡频率；（2）求反馈系数；（3）若把C 2的数值增大一倍
而其余参数不变，再求此时的振荡频率和反馈系数；（4）为什么改进型电容三端式振荡电路的频率稳定度比一般电容三端式电路高
模拟电子技术基础期末试题 答案
课程模拟电子技术基础班级 学号姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数β会变。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r =，o r =。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大信号、抑制信号。 7.当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路（填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以通频带，非线性失真。 10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U =V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I =A 。
二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ,C I 从1mA 变为1.9mA ，那 么它的β约为。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中，电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。 四、（本题10分）下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，U BEQ =0.7V , r bb’=100Ω, 试计算T1管和T2管的发射极静态电流I EQ , 以及动态参数Aud , Ri 和Ro 。要求画出电路的交流等效电路。
模拟电子技术期中考试题及答案
2013－2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术 教师签字 一、选择及填空题:（共52分，每空2分） 1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。 由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A．发射极，B．基极，C．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A．PNP型，B．NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A．40 ， B．100，C．400）。 2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0 =），= 1 O U 1.3V ，= 2 O U 0v 。 3.已知下面图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。影响f L大小的因素是 C ，影响f H大小 的因素是 A 。（A．晶体管极间电容，B．晶体管的非线性特性，C．耦合电容） H L O C R b R c +V CC u i ( a )( b ) . A u 20lg u o 题号一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3 （16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名
R b +V CC C 2 R L C 1 u i u o 12 23 6u C E V 60μA 40μA 50μA 30μA 514 4 8 =10μA I B 20μA 2 6 10 VT R c Q i C mA 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9） 倍。当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 C （A. 45? B. -90? C. －135?）。 4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k 负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 。 5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 （1）．电压放大倍数u A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 （2）．电压放大倍数u A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 （3）．电压放大倍数u A ≈1，输入电阻i R >100k Ω的电路是 B 。 C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( a )C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( b )C 2 C 1 R b1 R b2 L R e R c ( c ) +12V +12V +12V C 3 u i u i u i u o u o u o 6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q 点也标在图上（设U BEQ ＝0.7V ）。 （1）电源电压V CC= 12 V ，c R = 2 Ωk ，b R = 377 Ωk ；最大不失真输出电压幅值=om U 4.5 V ；； 为获得更大的不失真输出电压，b R 应 减小（增大、减小） （2）若Ω=K R 6L ，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路
《模拟电子技术》试题(1)
《模拟电子技术与应用》试题(1) 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为f L和f H时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ =____、静态时的电源功耗P DC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若u I = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,R i为其输入电阻，R S为常数，为使下限频率f L降低，应( )。 A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为 ( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、r be1，V2的 b2、r be2，电容C1、C2、C E在交流通路中可视为短路。 1．分别指出V1、V2的电路组态； 2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路； 3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
模拟电路考试试题10套和答案
坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。
模拟电子技术期末试题
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
模拟电子技术基础期末考试试题集及答案(18套)
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导 电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的 放大倍数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补 功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号 是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电 极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时，半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大，u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小，I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时，由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。 (12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 （图2） _ _ －2V －8V －2.2V ① ② ③ 图1
模拟电子技术模拟试题
一、选择题（从下面各题四个备选答案中选出所有正确答案，并将其代号写在题干后的括号内，答案选错或未选全者，该题不得分。每小题2分，共20分） 1. 半导体中PN结的形成是由于产生的。( ) A. N区自由电子向P区的扩散运动 B. N区自由电子向P区的漂移运动 C. P区空穴向N区的扩散运动 D. P区空穴向N区的漂移运动 2. 双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。( ) A. 正偏正偏 B. 正偏反偏 C. 反偏正偏 D. 反偏反偏 3. 常见的整流方式有：。( ) A. 全波整流 B. 谐波整流 C. 桥式整流 D. 半波整流 4. 稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。( ) A. 死区 B. 正向导通区 C. 反向区 D. 反向击穿区 5. 本征半导体温度升高后。( ) A. 自由电子数量增多 B. 自由电子与空穴同时增多，且数量相同 C. 空穴数量增多 D. 自由电子与空穴数量不变 6.理想的功率放大电路应工作于状态。( ) A. 甲类互补 B. 乙类互补 C. 甲乙类互补 D. 乙甲类互补进 7. NPN共射电路的Q点设置在接近于处将产生顶部失真。( ) A. 截止区 B. 饱和区 C. 击穿区 D. 放大区 8. 共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位。( ) A. 相同 B. 相反 C. 相差90 D. 不确定，需要通过实际计算才得到 9. 与双极晶体管放大电路相比较，场效应管放大电路共漏极接法所对应的是接法。 A. 共基极 B. 共射极 C. 共集电极 D. 共栅极 10. 若开环放大倍数A增加一倍，则闭环放大倍将。( ) A. 增加一倍 B. 减少一半 C. 基本不变 D. 不确定 二、填空题（每空1分，共20分） 1. 二极管最显著的特点是具有导电性。 2. 双极型晶体管有、和三种工作状态。 3. 场效应管与双极型晶体管本质上的区别在于：前者为型控制器件，而后者为型控制器件。 4. 为了提高电压放大倍数，希望放大电路的输入电阻一些，为了提高电路的大负载能力，输出电阻应一些。 5. 射极输出器的输入信号从晶体管的两极间输入，输出信号从两极间取出。由于其电压放大倍数近似等于1，且与输入电压同相，所以又称。 6. 正弦波振荡电路产生振荡的条件是，其中幅值条件，相位条件为。 7. 通常根据输出端获取反馈信号的方式以及反馈电路与放大电路输入端的连接方式可分为：、、和四种。 8. 电流并联负反馈可使稳定，并使输入阻抗。 三、判断题（在下列命题中，在你认为正确命题后的括号内打“√”、错误命题后的括号内打“×”并改正，每小题2分，共10分） 1. 电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。( ) 2. 既然是放大电路，因此电压放大倍数与电流放大倍数都应大于1。( )
电路与模拟电子技术期末考试试卷
皖西学院07–08学年度第2学期期末考试试卷（A 卷） 计算机系计算机科学技术专业本06级电路与模拟电子技术课程 参考答案 一．填空题：本大题共12小题，每小题2分，共24分。 1、换路定律主要针对储能元件而言，电场储能不能突变，对电感而言，是指电感两端的 电流 不能突变，用数学表达式表示为 i(0+)=i(0-) 。 2、在对称三相交流电路中，各相之间的相位差为 120度或2/3π ，线电压与相电压的关系为 U L =1.73U P 。 3、稳压二极管配以合适的电阻在电路中起稳压作用，稳压二极管正向接入电路时，其元件上的压降为 0.5——0. 7V 。 4、微分电路中，对电容的取值有要求，设输入交流信号的周期T ，负载等效电阻为R L ，则R L ·C 与T 之间的关系应满足 R L C <<0.2MIN{t p ,T-t p } 。 5 、正弦交流量的三要素是指 振幅 、 周期 、 相位（初相） 。 6、光电二极管的电路符号为 。 7、NPN 型三极管的电路符号为 。 8、晶体三极管是 电流 型控制元件，场效应管是 电压 型控制元件。 9、运算放大器为了减小零点漂移，输入级采用 差动 放大电路。 10、运算放大器的电压放大倍数主要在 中间 级（输入、中间、输出）， 为 直接耦合放大 。 11、有一8位T 形电阻网络D/A 转换器，已知U R =+8V,R F =3R 当D 7~D 0为10000000，时的输出电压U 0= -4V 。 二． 绘图题：本大题共3小题， 共10分。 1、 1、图形正确3分，计算出3.7得1分 2、本电路是正反馈电路（3分）。 3、本电路是负反馈电路（3分）。 三．应用题：本大题共8小题，共66分。 1、解：各点的电位 d 点为参考点，Ud ＝0V Ub ＝Ubd ＝I 3R 3＝2A ×5Ω＝10V Ua ＝Uad ＝E 1＝40V Uc ＝Ucd ＝E 2＝5V 电压 Uab = Ua － Ub = 40V －10V = 30V Ubc = Ub － Uc = 10V －5V = 5V 2、解： 电路等效如图所示： Ω 6 ab R ＝Ω=+++??++?46106 36 36 )10636 3(
模拟电子技术基础期末试题(西安交大)
模电试题 三、计算题(每题1０分，共60分) １.某放大电路输入电阻Ri＝１0kΩ，如果用１μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为1０ｍＡ，开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ａp。 2．二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AＯ。设二极管是理想的。
３.电路如图题所示，设BJT的β=8０，V BE＝０.6 V,I CＥO、V CES可忽略不计,试分析当开关Ｓ分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。 4.电路参数如图所示,FET工作点上的互导g m＝１ｍｓ,设r d>>R d。(1)画出电路的小信号模型;(2)求电压增益Av；(3)求放大器的输入电阻Ri。
5．电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Ｖｏ的值。
6.由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示,设BJT的V ＝0．7 V。(1）求出ＢJT的c、ｂ、ｅ各极的电位值；(2)若电压表ＢE 读数为2０0mV,试求BJＴ的β值。 一、选择题(每题2分,共２0分) （1）PＮ结加正向电压时,PＮ结将。 Ａ. 变窄B．基本不变C．变宽
（2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通B.反向截止C.反向击穿 (３）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 (４)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。 A.五价Ｂ. 四价C．三价 （5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。 A.增大B．不变Ｃ. 减小 (６）工作在放大区的某三极管,如果当I B从１2μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为。 A. 83 B. 91 C. 10０ （７）已知变压器副边电压有效值U２为１0V,采用桥式整流R L C≥3(T/2)（T为电网电压的周期)。测得输出电压平均值U O可能的数值为A.１4V B. 12V C.9V D．4．5V （８）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。 A.交流功率Ｂ.直流功率C.交直流功率 (9)功率放大电路的转换效率是指。 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
《模拟电子技术》模拟试题与答案解析
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
模拟电路期末试卷及答案
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）