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第六章答案

第六章习题答案

1．(1)临界分切应力n及取向因子数据如附表2.3所示。

以上数据表明，实验结果符合临界分切应力定律τk＝σm。

(2)屈服应力σs与取向因子，m之间的关系如附图2.17所示。

6．单滑移是指只有一个滑移系进行滑移。滑移线呈一系列彼此平行的直线。这是因为单滑移仅有一组多滑移是指有两组或两组以上的不同滑移系同时或交替地进行滑移。它们的滑移线或者平行，或者相交成一定角度。这是因为一定的晶体结构中具有一定的滑移系，而这些滑移系的滑移面之间及滑移方向之间都交滑移是指两个或两个以上的滑移面沿共同的滑移方向同时或交替地滑移。它们的滑移线通常为折线或波纹状。只是螺位错在不同的滑移面上反复“扩展”的结果。

10．滑移带一般不穿越晶界。如果没有多滑移时，以平行直线和波纹线出现，如附图2.19(a)，它可以通过抛光而去除。

机械孪晶也在晶粒内，因为它在滑移难以进行时发生，而当孪生使晶体转动后，又可使晶体滑移。所以一般孪晶区域不大，如附图2．19(b)所示。孪晶与基体位向不同，不能通过抛光去除。

退火孪晶以大条块形态分布于晶内，孪晶界面平直，一般在金相磨面上分布比较均匀，如附图2。19(c)所示，且不能通过抛光去除。

11．低碳钢的屈服现象可用位错理论说明。由于低碳钢是以铁素体为基的合金，铁素体中的碳(氮)原子与位错交互作用，总是趋于聚集在位错线受拉应力的部位以降低体系的畸变能，形成柯氏气团对位错起“钉扎”作用，致使σs 升高。而位错一旦挣脱气团的钉扎，便可在较小的应力下继续运动，这时拉伸曲线上又会出现下屈服点。已经屈服的试样，卸载后立即重新加载拉伸时，由于位错已脱出气团的钉扎，故不出现屈服点。但若卸载后，放置较长时间或稍经加热后，再进行拉伸时，由于熔质原子已通过热扩散又重新聚集到位错线周围形成气团，故屈服现象又会重新出现。

吕德斯带会使低碳薄钢板在冲压成型时使工件表面粗糙不平。其解决办法，可根据应变时效原理，将钢板在冲压之前先进行一道微量冷轧(如1％～2％的压下量)工序，使屈服点消除，随后进行冲压成型，也可向钢中加入少量Ti，A1及C，N等形成化合物，以消除屈服点。

12．材料经冷加工后，除使紊乱取向的多晶材料变成有择优取向的材料外，还使材料中的不熔杂质、第二相和各种缺陷发生变形。由于晶粒、杂质、第二相、缺陷等都沿着金属的主变形方向被拉长成纤维状，故称为纤维组织。一般来说，纤维组织使金属纵向(纤维方向)强度高于横向强度。这是因为在横断面上杂质、第二相、缺陷等脆性、低强度“组元”的截面面积小，而在纵断面上截面面积大。当零件承受较大载荷或承受冲击和交变载荷时，这种各向异性就可能引起很大的危险。

金属在冷加工以后，各晶粒的位向就有一定的关系。如某些晶面或晶向彼此平行，且都平行于零件的某一外部参考方向，这样一种位向分布就称为择优取向或简称为织构。

形成织构的原因并不限于冷加工，而这里主要是指形变织构。无论从位向还是从性能看，有织构的多晶材料都介于单晶体和完全紊乱取向的多晶体之间。由于织构引起金属各向异性，在很多情况下给金属加工带来不便，如冷轧镁板会产生(0001)<1120>织构，若进一步加工很容易开裂；深冲金属杯的制耳，金属的热循环生长等。但有些情况下也有其有利的一面。

13．加工硬化是由于位错塞积、缠结及其相互作用，阻止了位错的进一步运动，流变应力ρασGb d =。

细晶强化是由于晶界上的原子排列不规则，且杂质和缺陷多，能量较高，阻碍位错的通过，210-+=Kd s σσ；且晶粒细小时，变形均匀，应力集中小，裂纹不易萌生和传播。

固熔强化是由于位错与熔质原子交互作用，即柯氏气团阻碍位错运动。弥散强化是由于位错绕过、切过第二相粒子，需要增加额外的能量(如表面能或错排能)；同时，粒子周围的弹性应力场与位错产生交互作用，阻碍位错运动。

14．气泡阻碍位错运动的机制是由于位错通过气泡时，切割气泡，增加了气泡—金属间界面的面积，因此需要增加外切应力做功，即提高了金属钨的强度。

设位错的柏氏矢量为b ，气泡半径为r ，则位错切割气泡后增加的气泡—金属间界面面积为A ＝2rb 。

设气泡—金属的比界面能为σ，则界面能增值为2rbσ。

若位错切割一个气泡的切应力增值为?τ’，，则应力所做功为?τ’b。

所以2rbσ=?τ’b，即：2rσ=?τ’

当气泡密度为n时，则切应力总增值：?τ=n?τ’=2nrσ

可见，切应力增值与气泡密度成正比。

15．作为一类材料，陶瓷是比较脆的。晶态陶瓷缺乏塑性是由于其离子键和共价键造成的。在共价键键合的陶瓷中，原子之间的键合是特定的并具有方向性，如附图2.20(a)所示。当位错以水平方向运动时，必须破坏这种特殊的原子键合，而共价键的结合力是很强的，位错运动有很高的点阵阻力(即派—纳力)。因此，以共价键键合的陶瓷，不论是单晶体还是多晶体，都是脆的。

基本上是离子键键合的陶瓷，它的变形就不一样。具有离子键的单晶体，如氧化铁和氯化钠，在室温受压应力作用时可以进行相当多的塑性变形，但是具有离子键的多晶陶瓷则是脆的，并在晶界形成裂纹。这是因为可以进行变形的离子晶体，如附图2.20(b)所示，当位错运动一个原子间距时，同号离子的巨大斥力，使位错难以运动；但位错如果沿45°方向而不是水平方向运动，则在滑移过程中相邻晶面始终由库仑力保持相吸，因而具有相当好的塑性。但是多晶陶瓷变形时，相邻晶粒必须协调地改变形状，由于滑移系统较少而难以实现，结果在晶界产生开裂，最终导致脆性断裂。

16．这是由于陶瓷粉末烧结时存在难以避免的显微空隙。在冷却或热循环时由热应力产生了显微裂纹，由于腐蚀所造成的表面裂纹，使得陶瓷晶体与金属不同，具有先天性微裂纹。在裂纹尖端，会产生严重的应力集中，按照弹性力学估算，裂纹尖端的最大应力已达到理论断裂强度或理论屈服强度(因为陶瓷晶体中可动位错很少，而位错运动又很困难，故一旦达到屈服强度就断裂了)。

反过来，也可以计算当裂纹尖端的最大应力等于理论屈服强度时，晶体断裂的名义应力，它和实际得出的抗拉强度极为接近。陶瓷的压缩强度一般为抗拉强度的15倍左右。这是因为在拉伸时当裂纹一达到临界尺寸就失稳扩展而断裂；而压缩时裂纹或者闭合或者呈稳态地缓慢扩展，并转向平行于压缩轴。

即在拉伸时，陶瓷的抗拉强度是由晶体中的最大裂纹尺寸决定的，而压缩强度是由裂纹的平均尺寸决定的。

18．玻璃态高聚物在T b～T g之间或部分结晶高聚物在T g～T m之间的典型拉伸应力—应变曲线表明，过了屈服点之后，材料开始在局部地区(如应力集中处)出现颈缩，再继续变形时，其变形不是集中在原颈缩处，使得该处愈拉愈细，而是颈缩区扩大，不断沿着试样长度方向延伸，直到整个试样的截面尺寸都均匀减小。在这一段变形过程中应力几乎不变，如附图2.21所示。

在开始出现颈缩后，继续变形时颈缩沿整个试样扩大，这说明原颈缩处出现了加工硬化。X射线证明，高聚物中的大分子无论是呈无定形态还是呈结晶态，随着变形程度的增加，都逐渐发生了沿外力方向的定向排列。由于键的方向性(主要是共价键)在产生定向排列之后，产生了应变硬化。

把已冷拉高聚物的试样加热到Tg以上，形变基本上全能回复。这说明非晶态高聚物冷拉中产生的形变属高弹性形变范畴。部分结晶高聚物冷拉后残留的形变中大部分必须升温至丁-附近时才能回复。这是因为部分结晶高聚物的冷拉中伴随着晶片的排列与取向，而取向的晶片在T m以下是热力学稳定的。

19．银纹不同于裂纹。裂纹的两个张开面之间完全是空的，而银纹面之间由高度取向的纤维束和空穴组成，仍具有一定的强度。银纹的形成是由于材料在张应力作用下局部屈服和冷拉造成。

高等代数第6章习题参考答案

第六章线性空间 1.设,N M ?证明：,M N M M N N ==I U 。证任取,M ∈α由,N M ?得,N ∈α所以,N M I ∈α即证M N M ∈I 。又因 ,M N M ?I 故M N M =I 。再证第二式，任取M ∈α或,N ∈α但,N M ?因此无论哪一种情形，都有,N ∈α此即。但,N M N Y ?所以M N N =U 。 2.证明)()()(L M N M L N M I Y I Y I =，)()()(L M N M L N M Y I Y I Y =。证 ),(L N M x Y I ∈?则.L N x M x Y ∈∈且在后一情形，于是.L M x N M x I I ∈∈或所以)()(L M N M x I Y I ∈，由此得)()()(L M N M L N M I Y I Y I =。反之，若 )()(L M N M x I Y I ∈，则.L M x N M x I I ∈∈或在前一情形，,,N x M x ∈∈因此 .L N x Y ∈故得),(L N M x Y I ∈在后一情形，因而,,L x M x ∈∈x N L ∈U ，得 ),(L N M x Y I ∈故),()()(L N M L M N M Y I I Y I ? 于是)()()(L M N M L N M I Y I Y I =。若x M N L M N L ∈∈∈U I I （），则x ，x 。在前一情形X x M N ∈U ， X M L ∈U 且，x M N ∈U 因而（）I U （M L ）。 ,,N L x M N X M L M N M M N M N ∈∈∈∈∈?U U U I U U I U U U U I U I U 在后一情形，x ,x 因而且，即X （M N ）（M L ）所以（）（M L ）（N L ）故（L ）=（）（M L ）即证。 3、检验以下集合对于所指的线性运算是否构成实数域上的线性空间： 1）次数等于n （n ≥1）的实系数多项式的全体，对于多项式的加法和数量乘法； 2）设A 是一个n ×n 实数矩阵，A 的实系数多项式f （A ）的全体，对于矩阵的加法和数量乘法； 3）全体实对称（反对称，上三角）矩阵，对于矩阵的加法和数量乘法； 4）平面上不平行于某一向量所成的集合，对于向量的加法和数量乘法； 5）全体实数的二元数列，对于下面定义的运算： 2121211211 12 b a b a a b b a a k k b a ⊕+=+++-1111（a ，）（（，）（）k 。（a ，）=（ka ，kb +

大学物理第六章课后习题答案(马文蔚第五版)

大学物理第六章课后习题答案(马文蔚第五版) -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

第六章静电场中的导体与电介质6 －1将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B 附近，则导体B 的电势将（）（A）升高（B）降低（C）不会发生变化（D）无法确定分析与解不带电的导体B 相对无穷远处为零电势。由于带正电的带电体A 移到不带电的导体B 附近时，在导体B 的近端感应负电荷；在远端感应正电荷，不带电导体的电势将高于无穷远处，因而正确答案为（A）。 6 －2将一带负电的物体M靠近一不带电的导体N，在N 的左端感应出正电荷，右端感应出负电荷。若将导体N 的左端接地（如图所示），则（）（A） N上的负电荷入地（B）N上的正电荷入地（C） N上的所有电荷入地（D）N上所有的感应电荷入地分析与解导体N 接地表明导体N 为零电势，即与无穷远处等电势，这与导体N在哪一端接地无关。因而正确答案为（A）。 6 －3如图所示将一个电量为q的点电荷放在一个半径为R的不带电的导体球附近，点电荷距导体球球心为d，参见附图。设无穷远处为零电势，则在导体球球心O点有（） 2

3 （A ）d εq V E 0π4,0== （B ）d εq V d εq E 02 0π4,π4== （C ）0,0==V E （D ）R εq V d εq E 020π4,π4== 分析与解达到静电平衡时导体内处处各点电场强度为零。点电荷q 在导体球表面感应等量异号的感应电荷±q′，导体球表面的感应电荷±q′在球心O 点激发的电势为零，O 点的电势等于点电荷q 在该处激发的电势。因而正确答案为（A ）。 6 －4 根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是( ) （A ）若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷（B ）若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零（C ）若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内一定有极化电荷

大学无机化学第六章试题及答案

第六章化学键理论本章总目标： 1：掌握离子键、共价键和金属键的基本特征以及它们的区别； 2：了解物质的性质与分子结构和键参数的关系； 3：重点掌握路易斯理论、价电子对互斥理论、杂化轨道理论以及分子轨道理论。 4：熟悉几种分子间作用力。各小节目标：第一节：离子键理论 1:掌握离子键的形成、性质和强度，学会从离子的电荷、电子构型和半径三个方面案例讨论离子的特征。 2:了解离子晶体的特征及几种简单离子晶体的晶体结构，初步学习从离子的电荷、电子构象和半径三个方面来分析离子晶体的空间构型。第二节：共价键理论 1;掌握路易斯理论。 2：理解共价键的形成和本质。掌握价键理论的三个基本要点和共价键的类型。3：理解并掌握价层电子对互斥理论要点并学会用此理论来判断共价分子的结构，并会用杂化轨道理论和分子轨道理论来解释分子的构型。第三节：金属键理论了解金属键的能带理论和三种常见的金属晶格。第四节：分子间作用力 1：了解分子极性的判断和分子间作用力（范德华力）以及氢键这种次级键的形成原因。 2;初步掌握离子极化作用及其强度影响因素以及此作用对化合物结构及性质的影响。习题一选择题

1.下列化合物含有极性共价键的是（）(《无机化学例题与习题》吉大版) 2 C. Na 2 O 2.下列分子或离子中键能最大的是（） A. O 2 C. O 2 2+ D. O 2 2- 3. 下列化合物共价性最强的是（）(《无机化学例题与习题》吉大版) C. BeI 2 4.极化能力最强的离子应具有的特性是（） A.离子电荷高，离子半径大 B.离子电荷高，离子半径小 C.离子电荷低，离子半径小 D.离子电荷低，离子半径大 5. 下列化合物中，键的极性最弱的是（）(《无机化学例题与习题》吉大版) 3 C. SiCl 4 6.对下列各组稳定性大小判断正确的是（） +＞O 22- B. O 2 -＞O 2 C. NO+＞NO D. OF-＞OF 7. 下列化合物中，含有非极性共价键的离子化合物是（）(《无机化学例题与习题》吉大版) 3 C. Na 2 O 2 8.下列各对物质中，是等电子体的为（）和O 3 B. C和B+ C. He和Li D. N 2 和CO 9. 中心原子采取sp2杂化的分子是（）(《无机化学例题与习题》吉大版) 3 C. PCl 3 10.下列分子中含有两个不同键长的是（）

第六章作业及答案

第六章作业一、选择题 1.若不考虑结点的数据信息的组合情况，具有3个结点的树共有种（）形态，而二叉树共有( )种形态。 A.2 B.3 C.4 D.5 2.对任何一棵二叉树，若n0，n1，n2分别是度为0，1，2的结点的个数，则n0= ( ) A.n1+1 B.n1+n2 C.n2+1 D.2n1+1 3.已知某非空二叉树采用顺序存储结构，树中结点的数据信息依次存放在一个一维数组中，即 ABC□DFE□□G□□H□□，该二叉树的中序遍历序列为( ) A.G,D,B,A,F,H,C,E B.G,B,D,A,F,H,C,E C.B,D,G,A,F,H,C,E D.B,G,D,A,F,H,C,E 4、具有65个结点的完全二叉树的高度为（）。（根的层次号为1） A．8 B．7 C．6 D．5 5、在有N个叶子结点的哈夫曼树中，其结点总数为（）。 A 不确定 B 2N C 2N+1 D 2N-1 6、以二叉链表作为二叉树存储结构，在有N个结点的二叉链表中，值为非空的链域的个数为（）。 A N-1 B 2N-1 C N+1 D 2N+1 7、树的后根遍历序列等同于该树对应的二叉树的( ). A. 先序序列 B. 中序序列 C. 后序序列 8、已知一棵完全二叉树的第6层（设根为第1层）有8个叶结点，则完全二叉树的结点个数最多是（） A．39 B.52 C.111 D.119 9、在一棵度为4的树T中，若有20个度为4的结点，10个度为3的结点，1个度为2的结点，10个度为1的结点，则树T的叶节点个数是（） A．41 B.82 C.113 D.122 二、填空题。 1、对于一个具有N个结点的二叉树，当它为一颗_____ 二叉树时，具有最小高度。 2、对于一颗具有N个结点的二叉树，当进行链接存储时，其二叉链表中的指针域的总数为_____ 个，其中_____个用于链接孩子结点，_____ 个空闲着。 3、一颗深度为K的满二叉树的结点总数为_____ ，一颗深度为K的完全二叉树的结点总数的最小值为_____ ，最大值为_____ 。 4、已知一棵二叉树的前序序列为ABDFCE，中序序列为DFBACE，后序序列为三、应用题。 1、已知一棵树二叉如下，请分别写出按前序、中序、后序遍历时得到的结点序列，并将该二叉树还原成森林。 A B C D E F G H

编译原理龙书答案

4 95-2*和952*-的翻译成后缀形式的语义动作与注释分析树。 expr expr expr * print(‘(‘) print(‘)‘) expr expr - 5 9 digit 2 print(‘-’) ‘9’) print(‘5’) print(‘2’) print(‘*’) 95-2*的深度优先遍历语义动作 expr expr expr - print(‘(‘) print(‘)‘) expr expr digit 2 digit 5 digit 9 print(‘*’) ‘5’) print(‘2’) print(‘9’) print(‘-’) 952*-的深度优先遍历语义动作

expr.t=(9-5)*2 expr=(9-5) expr.t=2 * expr.t=9 expr.t=5 - digit.t=5 5 digit.t=9 9 digit.t=2 2 输入为95-2*的注释分析树 expr.t=(9-5*2) expr.t=5*2 expr.t=9 - expr.t=5 expr.t=2 * digit.t=2 2 digit.t=5 5 digit.t=9 9 输入为952*-的注释分析树

第六章习题及其答案

第六章习题一、选择题 1、以下说法中正确的是（）。 A）C语言程序总是从第一个定义的函数开始执行 B）在C语言程序中,要调用的函数必须在main()函数中定义 C）C语言程序总是从main()函数开始执行 D）C语言程序中的main()函数必须放在程序的开始部分 2、以下叙述中错误的是（）。 A）用户自定义的函数中可以没有return语句 B）用户自定义的函数中可以有多个return语句，以便可以调用一次返回多个函数值 C）用户自定义的函数中若没有return语句，则应当定义函数为void类型 D）函数的return语句中可以没有表达式 3、在C语言中，函数返回值的类型最终取决于（）。 A）函数定义时在函数首部所说明的函数类型 B）return语句中表达式值的类型 C）调用函数时主函数所传递的实参类型 D）函数定义时形参的类型 4、C语言程序由函数组成,它的（）。 A）主函数必须在其它函数之前,函数内可以嵌套定义函数 B）主函数可以在其它函数之后,函数内不可以嵌套定义函数 C）主函数必须在其它函数之前,函数内不可以嵌套定义函数 D）主函数必须在其它函数之后,函数内可以嵌套定义函数 5、以下不正确的说法（）。 A）在不同函数中可以使用相同名字的变量 B）形式参数是局部变量 C）在函数内定义的变量只在本函数范围内有效 D）在函数内的复合语句中定义的变量在本函数范围内有效 6、关于全局变量，下列说法正确的是（）。 A）全局变量必须定义于文件的首部，位于任何函数之前。 B）全局变量可以在函数中定义。 C）要访问定义于其他文件中的全局变量，必须进行extern说明。 D）要访问定义于其他文件中的全局变量，该变量定义中必须用static加以修饰。 7、以下叙述中错误的是（）。

第六章作业参考标准答案

第六章存货决策一、单项选择题 1．下列各项中，与经济订货量无关的是（D ）。 A．每日消耗量B．每日供应量 C．储存变动成本D．订货提前期 2．某公司使用材料A，一次订货成本为2000元，每单位采购成本为50元，经济订货批量为2000个，单位资本成本为单位采购成本的10%，全年用量为8000个。该材料单位储存成本中的付现成本是（B ）元。 A．8 B．3 C．4 D．2 3．某商品的再订购点为680件，安全存量为200件，采购间隔日数为12天，假设每年有300个工作日，则年度耗用量为（ C ）件。 A．11000 B．10000 C．12000 D．13000 4.（D ）不是存货的形式。 A．原材料B．在产品 C．产成品D．应收账款 5.在存货决策中，（ B ）可以不考虑。 A．订货成本 B．固定订货成本 C．变动订货成本 D．变动储存成本 6.下列各项中，不属于订货成本的是（ C ）。 A．采购部门的折旧费 B．检验费 C．按存货价值计算的保险费 D．差旅费 7.由于存货数量不能及时满足生产和销售的需要而给企业带来的损失称为（ B ）。 A．订货成本 B．缺货成本 C．采购成本 D．储存成本 8.在储存成本中，凡总额大小取决于存货数量的多少及储存时间长短的成本，称为（ C ）。

A．固定储存成本 B．无关成本 C．变动储存成本 D．资本成本二、多项选择题 1.当采购批量增加时，（ AD ）。 A．变动储存成本增加 B．变动储存成本减少 C．变动订货成本增加 D．变动订货成本减少 2.按存货经济订购批量模型，当订货批量为经济批量时，（ ABCD ）。 A．变动储存成本等于变动订货成本 B．变动储存成本等于最低相关总成本的一半 C．变动订货成本等于最低相关总成本的一半 D．存货相关总成本达到最低 3.计算经济订购批量时，不需用的项目是（ BD ）。 A．全年需要量 B．固定储存成本 C．每次订货成本 D．安全存量 4.在存货经济订购批量基本模型假设前提下确定经济订购批量，下列表述中正确的有（ ABCD ）。 A．随每次订购批量的变动，相关订货成本和相关储存成本两者的变动方向相反 B．相关储存成本的高低与每次订购批量成正比 C．相关订货成本的高低与每次订购批量成反比 D．年相关储存成本与年相关订货成本相等时的订购批量，即为经济订购批量 5.存货过多，会导致（ ABCD ）。 A．占用大量的流动资金 B．增加仓储设施 C．增加储存成本 D．自然损耗额增加 6.在有数量折扣、不允许缺货的情况下，属于订购批量决策相关成本的是（ ACD ）。 A．订货成本 B．缺货成本 C．采购成本 D．储存成本

第六章课后练习题答案

第四部分课后练习题一、单项选择题 1．某投资方案的年营业收入为100000元，年总营业成本为60000元，其中年折旧额10000元，所得税率为33％，该方案的每年营业现金流量为( B )。 A．26800元B．36800元C．16800元D．43200元2．当两个投资方案为独立选择时，应优先选择( D )。 A．净现值大的方案B．项目周期短的方案 C．投资额小的方案D．现值指数大的方案 3．计量投资方案的增量现金流量时，一般不需要考虑方案( D )。 A．可能的未来成本B．之间的差额成本 C．有关的重置成本D．动用现有资产的账面成本 4．在计算现金流量时，若某年取得的净残值收入大于预计的净残值时，正确的处理方法是( C )。 A．只将两者差额作为现金流量B．仍按预计的净残值作为现金流量C．按实际净残值减去两者差额部分所补交的所得税的差额作为现金流量D．按实际净残值加上两者差额部分所补交的所得税的差额作为现金流量5．已知某设备原值160000元，累计折IH 127000，如现在变现，则变现价值为30000元，该公司适用的所得税率为40％，那么，继续使用该设备引起的现金流出量为( B)元。 A．30000 B．31200 C．28800 D．33000 6．某企业生产某种产品，需用A种零件。如果自制，该企业有厂房设备；但若外购，厂房设备可出租，并每年可获租金收入8000元。企业在自制与外购之间选择时，应( C)。 A．以8000元作为外购的年机会成本予以考虑 B．以8000元作为外购的年未来成本予以考虑 C．以8000元作为自制的年机会成本予以考虑 D．以8000元作为自制的年沉没成本不予以考虑 7．如果考虑货币的时间价值，固定资产平均年成本是未来使用年限内现金流出总现值与( C )的乘积。 A．年金终值系数B．年金现值系数 C．投资回收系数D．偿债基金系数 8．已知某设备原值60000元，税法规定残值率为10％，最终报废残值5000元，该公司所得税率为40％，则该设备最终报废由于残值带来的现金流入量为( A )元。 A．5400 B．6000 C．5000 D．4600 9．某公司于1999年拟投资一项目，经专家论证总投资需500万元，并已支付专家咨询费50000元，后因经费紧张此项目停了下来，2001年拟重新上马。则已发生的咨询费从性质上来讲属于( C )。 A．相关成本B．重置成本C．沉入成本D．特定成本10．某公司拟新建一车间用以生产受市场欢迎的甲产品，据预测甲产品投产后每年可创造100万元的收入；但公司原生产的A产品会因此受到影响，使其年收入由原来的200万元降低到180万元。则与新建车间相关的现金流量为( B )。 A．100 B．80 C．20 D．120

高等数学课后习题答案第六章

习题6-2 1. 求图6-21 中各画斜线部分的面积: (1) 解画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0, 1]. 所求的面积为 6 1]2132[)(1022310 =-=-=?x x dx x x A . (2) 解法一画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0, 1]. 所求的面积为 1|)()(101 0=-=-=?x x e ex dx e e A , 解法二画斜线部分在y 轴上的投影区间为[1, e ]. 所求的面积为 1)1(|ln ln 1 11=--=-==??e e dy y y ydy A e e e . (3) 解画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-3, 1]. 所求的面积为

3 32 ]2)3[(1 32=--=?-dx x x A . (4) 解画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-1, 3]. 所求的面积为 3 32 |)313()32(3132312=-+=-+=--?x x x dx x x A . 2. 求由下列各曲线所围成的图形的面积: (1) 22 1 x y =与x 2+y 2=8(两部分都要计算); 解: 3 8 8282)218(220220*********--=--=--=????dx x dx x dx x dx x x A 34238cos 16402+=-=?ππ tdt . 3 4 6)22(122-=-=ππS A . (2)x y 1 =与直线y =x 及x =2;

解: 所求的面积为 ?-=-= 2 12ln 2 3)1(dx x x A . (3) y =e x , y =e -x 与直线x =1; 解: 所求的面积为 ?-+=-=-1021 )(e e dx e e A x x . (4)y =ln x , y 轴与直线y =ln a , y =ln b (b >a >0). 解所求的面积为 a b e dy e A b a y b a y -===?ln ln ln ln 3. 求抛物线y =-x 2+4x -3及其在点(0, -3)和(3, 0)处的切线所围成的图形的面积. 解:

教材第六章习题解答

第六章化学动力学习题解答 1．回答问题：（1）什么是基元反应(简单反应)和非基元反应（复杂反应）？基元反应和平时我们书写的化学方程式（计量方程式）有何关系？（2）从活化分子和活化能角度分析浓度、温度和催化剂对化学反应速率有何影响。【解答】（1）化学反应进行时，反应物分子（或离子、原子、自由基）在碰撞过程中，只经过一步直接转化为生成物分子的反应，称为基元反应。由一种基元反应组成的总反应，称为简单反应。由两种或两种以上基元反应所组成的总反应，是非基元反应，称为复合反应。基元反应是反应机理最简单的反应，化学方程式是一个宏观的总反应。（2）一定温度下，气体分子具有一定的平均能量，具体到每个分子，则有的能量高些有的低些。只有极少数的分子具有比平均值高得多的能量，它们碰撞时能导致原有化学键破裂而发生反应，这些分子称为活化分子。活化分子所具有的最低能量与分子的平均能量之差称为简单碰撞的活化能，简称活化能。对一定温度下的某一特定反应，反应物分子所占的分数是一定的。因此单位体积内的活化分子的数目与单位体积内反应分子的总数成正比，当反应物浓度增大时，单位体积内分子总数增多，活化分子的数目也相应增多。于是单位时间内有效碰撞次数增多，反应速度加快。温度升高不仅使分子间碰撞频率增加，更主要的是使较多的分子获得能量而成为活化分子。结果导致单位时间内有效碰撞次数显著增加，从而大大加快了反应速率。升高温度可使活化分子的分数增加。催化剂能加快化学反应速率的实质，主要是因为它改变了反应的途径，降低了反应的活化能，相应地增加了活化分子的分数，反应速率也就加快。 2．设反应A+3B →3C 在某瞬间时3()3-=?c C mol dm ，经过二秒时3()6-=?c C mol dm ，问在二秒内，分别以A 、B 和C 表示的反应速率A B C υυυ、、各为多少？

第六章作业参考答案

第六章作业参考答案 1．在DSS数字签名标准中，取p=83=2×41+1，q＝41，h＝2，于是g≡22≡4 mod 83，若取x ＝57，则y≡g x≡457＝77 mod 83。在对消息M=56签名时选择k＝23,计算签名并进行验证。解：这里忽略对消息M求杂凑值的处理计算r＝(g k mod p) mod q＝(423 mod 83) mod 41=51 mod 41=10 k-1mod q=23-1 mod 41=25 s=k-1(M+xr) mod q=25(56+57*10) mod 41=29 所以签名为(r,s)=(10,29) 接收者对签名(r',s')=(10,29)做如下验证：计算w＝(s')-1 mod q=29-1 mod 41=17 u1＝[M'w] mod q=56*17 mod 41=9 u2＝r'w mod q＝10×17 mod 41＝6 v＝(g u1y u2 mod p) mod q=(49×776 mod 83) mod 41＝10 所以有v＝r'，即验证通过。 2．在DSA签字算法中，参数k泄漏会产生什么后果？解：如果攻击者获得了一个有效的签名(r,s)，并且知道了签名中采用的参数k，那么由于在签名方程s=k-1(M+xr) mod q中只有一个未知数，即签名者的秘密钥x，因而攻击者可以求得秘密钥x＝r-1(sk－M) mod q，即参数k的泄漏导致签名秘密钥的泄漏。 4.2. 试述DSA数字签名算法，包括密钥产生、签名算法和验证算法，并给出验证过程正确性证明参考ppt 4.4. 已知schnorr签名的密钥产生和签名算法，试给出验证方程，并证明其正确性。参考ppt 5.1.试证DSA签名中两次使用相同的会话密钥k，是不安全的分别给出对m1和对m2的签名表达式,然后将两个关于s的方程联立,这时如果会话密钥k 相同则可直接解出k和秘密钥x，证明过程可根据此思路进行

热学第六章课后习题答案

第六章热学答案 1．解：由致冷系数2122T T T A Q -== ε ()J T T AT Q 421221025.121 102731000?=-?=-= 2．解：锅炉温度K T 4832732101=+=，暖气系统温度K T 333273602=+=，蓄水池温度 K T 288273153=+=。kg 0.1燃料燃烧放出的热量为1Q 热机的工作效率1212111T T Q Q Q A -=-== η，向制冷机做功)1(1 21T T Q A -=，热机向暖气系统放热分别为11212Q T T A Q Q = -=；设制冷机的制冷系数3 2343T T T A A Q A Q -=-==ε， A T T T T T T T T T A Q ?-?-=-+ =3 22 1213234)1( 暖气系统得到热量为： 112322112421Q T T T T T Q T T Q Q Q ??? ? ??--+= +=1123231Q T T T T T ?-T -= cal 41049.115000483 333 288333288483?=???--= 3．解：（1）两个循环都工作与相同绝热线，且低温T 不变，故放热相同且都为2Q ，在第一个循环过程中22 1212111Q A Q Q Q T T +- =-=- =η，2 122T T AT Q -=；在第二个循环过程中高温热源温度提高到3T 的循环过程中2223232111Q A Q Q Q T T +-=-=- =η，2 32 22T T T A Q -=；因此2 32 22122T T T A T T AT Q -=-= 解得()()K T T A A T T 473173373800 106.12733 211223=-?+=-+= （2）效率增大为：3.42473 273 1132=-=- =T T η ％ 4．解：热机效率 1211T T Q A -≤，当取等号时1Q 最小，此时1 211T T Q A -=，

编译原理龙书课后部分答案(英文版)

1) What is the difference between a compiler and an interpreter? A compiler is a program that can read a program in one language - the source language - and translate it into an equivalent program in another language – the target language and report any errors in the source program that it detects during the translation process. Interpreter directly executes the operations specified in the source program on inputs supplied by the user. 2) What are the advantages of: (a) a compiler over an interpreter a. The machine-language target program produced by a compiler is usually much faster than an interpreter at mapping inputs to outputs. (b) an interpreter over a compiler? b. An interpreter can usually give better error diagnostics than a compiler, because it executes the source program statement by statement. 3) What advantages are there to a language-processing system in which the compiler produces assembly language rather than machine language? The compiler may produce an assembly-language program as its output, because assembly language is easier to produce as output and is easier to debug. 4.2.3 Design grammars for the following languages: a) The set of all strings of 0s and 1s such that every 0 is immediately followed by at least 1. S -> SS | 1 | 01 | 4.3.1 The following is a grammar for the regular expressions over symbols a and b only, using + in place of | for unions, to avoid conflict with the use of vertical bar as meta-symbol in grammars: rexpr -> rexpr + rterm | rterm rterm -> rterm rfactor | rfactor rfactor -> rfactor * | rprimary rprimary -> a | b a) Left factor this grammar. rexpr -> rexpr + rterm | rterm rterm -> rterm rfactor | rfactor rfactor -> rfactor * | rprimary rprimary -> a | b

第六章习题解答

第六章二极管与晶体管 6.1半导体导电和导体导电的主要差别有哪几点？答：半导体导电和导体导电的主要差别有三点，一是参与导电的载流子不同，半导体中有电子和空穴参与导电，而导体只有电子参与导电；二是导电能力不同，在相同温度下，导体的导电能力比半导体的导电能力强得多；三是导电能力随温度的变化不同，半导体的导电能力随温度升高而增强，而导体的导电能力随温度升高而降低，且在常温下变化很小。 6.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？答：杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。 6.3 什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？答：当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。 6.4 为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关，而当环境温度升高时又显著增大？答：二极管的反向饱和电流是由半导体材料中少数载流子的浓度决定的，当反向电压超过零点几伏后，少数载流子全部参与了导电，此时增大反向电压，二极管电流基本不变；而当温度升高时，本征激发产生的少数载流子浓度会显著增大，二极管的反向饱和电流随之增大。 6.5 怎样用万用表判断二极管的阳极和阴极以及管子的好坏。答：万用表在二极管档时，红表笔接内部电池的正极，黑表笔接电池负极（模拟万用表相反），测量时，若万用表有读数，而当表笔反接时万用表无读数，则说明二极管是好

统计学第六章课后题及答案解析

第六章一、单项选择题 1．下面的函数关系是( ) A现代化水平与劳动生产率 B圆周的长度决定于它的半径 C家庭的收入和消费的关系 D亩产量与施肥量 2．相关系数r的取值范围( ) A -∞< r <+∞ B -1≤r≤+1 C -1< r < +1 D 0≤r≤+1 3．年劳动生产率x(干元)和工人工资y=10+70x，这意味着年劳动生产率每提高1千元时，工人工资平均( ) A增加70元 B减少70元 C增加80元 D减少80元 4．若要证明两变量之间线性相关程度高，则计算出的相关系数应接近于( ) A +1 B -1 C 0.5 D 1 5．回归系数和相关系数的符号是一致的，其符号均可用来判断现象( ) A线性相关还是非线性相关 B正相关还是负相关 C完全相关还是不完全相关 D单相关还是复相关 6．某校经济管理类的学生学习统计学的时间(x)与考试成绩(y)之间建立线性回归方程?=a+bx。经计算，方程为?=200—0.8x，该方程参数的计算( ) A a值是明显不对的 B b值是明显不对的 C a值和b值都是不对的 D a值和b值都是正确的 7．在线性相关的条件下，自变量的均方差为2，因变量均方差为5，而相关系数为0.8时，则其回归系数为：( ) A 8 B 0.32 C 2 D 12．5 8．进行相关分析，要求相关的两个变量( ) A都是随机的 B都不是随机的 C一个是随机的，一个不是随机的 D随机或不随机都可以 9．下列关系中，属于正相关关系的有( ) A合理限度内，施肥量和平均单产量之间的关系 B产品产量与单位产品成本之间的关系 C商品的流通费用与销售利润之间的关系

编译原理第4章作业答案

第四章习题4.2.1：考虑上下文无关文法： S->S S +|S S *|a 以及串aa + a* (1)给出这个串的一个最左推导 S -> S S * -> S S + S * -> a S + S * -> a a + S * -> aa + a* (3)给出这个串的一棵语法分析树习题4.3.1：下面是一个只包含符号a和b的正则表达式的文法。它使用+替代表示并运算的符号|，以避免和文法中作为元符号使用的竖线相混淆： rexpr→ rexpr + rterm | rterm rterm→rterm rfactor | rfactor rfactor→ rfactor * | rprimary rprimary→a | b 1)对这个文法提取公因子 2)提取公因子的变换使这个文法适用于自顶向下的语法分析技术吗？ 3)提取公因子之后，原文法中消除左递归 4)得到的文法适用于自顶向下的语法分析吗？解 1)提取左公因子之后的文法变为 rexpr→ rexpr + rterm | rterm rterm→rterm rfactor | rfactor rfactor→ rfactor * | rprimary rprimary→a | b 2)不可以，文法中存在左递归，而自顶向下技术不适合左递归文法 3)消除左递归后的文法

rexpr -> rterm rexpr’ rexpr’-> + rterm rexpr’|ε rterm-> rfactor rterm’ rterm’-> rfactor rterm’|ε rfactor-> rprimay rfactor’ rfactor’-> *rfactor’|ε rprimary-> a | b 4)该文法无左递归，适合于自顶向下的语法分析习题4.4.1：为下面的每一个文法设计一个预测分析器，并给出预测分析表。可能要先对文法进行提取左公因子或消除左递归 (3)S->S(S)S|ε (5)S->(L)|a L->L,S|S 解 (3) ①消除该文法的左递归后得到文法 S->S’ S’->(S)SS’|ε ②计算FIRST和FOLLOW集合 FIRST(S)={(,ε} FOLLOW(S)={),$} FIRST(S’)={(,ε} FOLLOW(S’)={),$} ③ (5) ①消除该文法的左递归得到文法 S->(L)|a

第六章试题答案

1. 物流管理信息系统分析阶段产生的系统分析说明书，既是后续各阶段开发工作的依据，也是衡量一个物流信息系统优劣的依据。P98 2. 物流信息系统的开发就是要实现目标系统的物理模型，即建立一个物理系统。物理模型是由系统的逻辑模型经过实例化得来的。物理模型用来描述系统“怎么做”的问题，逻辑模型则用来描述系统“做什么”的问题。P99 3. 物流管理信息系统详细调查的对象是现行系统(包括手工系统和已采用计算机的管理信息系统)，目的在于完整掌握现行系统的现状，发现问题和薄弱环节，收集资料，为下一步的系统化分析和提出新系统的逻辑设计做好准备。P101 4.在进行物流管理信息系统详细调查时，经常需要收集各业务部门业务中所使用的计划、原始凭证、单据和报表的格式。P102 5. 物流管理信息系统详细调查方法之一，访问访问是指系统分析人员通过提问的方式与用户交谈，是系统详细调查的主要方式。访问时可以在以下几个方面提出问题。(1)输出方面； (2)处理方面；(3)输入方面；(4)数据存储方面。P103 6. 物流管理信息系统详细调查经常需要召开调查会，它常由开发人员主持，请各业务部门介绍各部门主要的工作阶段、工作流程、管理模式等，开发人员也可以介绍计算机在辅助管理方面所能发挥的优点，通过讨论，使信息系统分析员的理解和用户的需求达成一致。P103 7. 物流管理信息系统详细调查采用的调查表设计有两种自由式问卷和选择式问卷。P103 8. 物流管理信息系统详细调查结果的表示工具有以下几种：(1)组织结构图；(2)业务流程图；(3)数据流程图；(4) U ／C 矩阵；(5)数据字典。P103 9.企业组织结构中不同部门及其权责的划分，反映了组织机构之间的分工协作关系，称为部门结构。P104 10. 企业组织结构中不同层次及其责权的划分，反映了组织机构之间的上下级或领导隶属关系，称为层次结构。P104 11. 物流企业内部的组织结构，从横向看可划分为若干不同部门，从担负商品流通职能的共性出发，物流企业内部的组织结构基本分为业务经营部门、职能管理部门和行政事务部门。P104 12. 对业务流程进行描述可以使用业务流程图(Transaction Flow Diagram ，TFD)这个图形工具，它用一些规定的符号和连线来表达某个具体业务处理过程。业务流程图是在业务功能的基础上将其细化，利用系统调查的资料，用完整的图形将业务处理过程中的所有处理步骤串联起来。P108 13. 使用5种基本符号，系统分析员按照业务的实际处理步骤和过程完成业务流程图的绘制， 200 年月江苏省高等教育自学考试 27324 物流信息系统第6章物流管理信息系统分析一、填空题（每1分，共20分）

第6章课后答案汇总

6.1解： 1.计算截面特征值工字形截面A=20?500?2+12?450=25400mm2 I x=500?4903/12-488?4503/12=11.9629?108mm4； I y=2?5003?20/12=4.1667?108mm4 mm4； i x=217mm；i y=128mm； 2.刚度验算 λx=6000//217=27.65；λy=46.88 λx、λy<[λ] 刚度满足要求 3.强度验算因无截面稍弱无需验算截面强度 4.整体稳定验算：焊接工字形截面翼缘焰切边x、y轴都属于b类截面 ?min=?y=0.8704 σ=N/?A=4500?103/(0.8704?25400) =203.54N/mm2