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第二章 晶体结构缺陷-材料结构与性能-习题-2009

第二章 晶体结构缺陷-材料结构与性能-习题-2009
第二章 晶体结构缺陷-材料结构与性能-习题-2009

金属学及热处理习题参考答案(1-9章)

第一章金属及合金的晶体结构 一、名词解释: 1 ?晶体:原子(分子、离子或原子集团)在三维空间做有规则的周期性重复排列的物质。 2?非晶体:指原子呈不规则排列的固态物质。 3 ?晶格:一个能反映原子排列规律的空间格架。 4?晶胞:构成晶格的最基本单元。 5. 单晶体:只有一个晶粒组成的晶体。 6?多晶体:由许多取向不同,形状和大小甚至成分不同的单晶体(晶粒)通过晶界结合在一起的聚合体。 7?晶界:晶粒和晶粒之间的界面。 8. 合金:是以一种金属为基础,加入其他金属或非金属,经过熔合而获得的具有金属特性的材料。 9. 组元:组成合金最基本的、独立的物质称为组元。 10. 相:金属中具有同一化学成分、同一晶格形式并以界面分开的各个均匀组成部分称为相。 11. 组织:用肉眼观察到或借助于放大镜、显微镜观察到的相的形态及分布的图象统称为组织。 12. 固溶体:合金组元通过溶解形成成分和性能均匀的、结构上与组元之一相同的固相 、填空题: 1 .晶体与非晶体的根本区别在于原子(分子、离子或原子集团)是否在三维空间做有规则的周期性重复排列。 2?常见金属的晶体结构有体心立方晶格、面心立方晶格、密排六方晶格三种。 3?实际金属的晶体缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。 4?根据溶质原子在溶剂晶格中占据的位置不同,固溶体可分为置换固溶体和间隙固溶体两种。 5?置换固溶体按照溶解度不同,又分为无限固溶体和有限固溶体。 6 ?合金相的种类繁多,根据相的晶体结构特点可将其分为固溶体和金属化合物两种。 7. 同非金属相比,金属的主要特征是良好的导电性、导热性,良好的塑性,不透明,有光—泽,正的电阻温度系数。 8. 金属晶体中最主要的面缺陷是晶界和亚晶界。 9. 位错两种基本类型是刃型位错和螺型位错,多余半原子面是刃型位错所特有的 10. 在立方晶系中,{120}晶面族包括(120)、(120)、(102)、(102)、(210)、(210)> (201)、

固体物理题库 第一章 晶体的结构

第一章晶体的结构 一、填空体(每空1分) 1. 晶体具有的共同性质为长程有序、自限性、各向异性。 2. 对于简立方晶体,如果晶格常数为a,它的最近邻原子间距为 a ,次近邻原子间 ,原胞与晶胞的体积比1:1 ,配位数为 6 。 3. 对于体心立方晶体,如果晶格常数为a a2/,次近邻原子间距为 a ,原胞与晶胞的体积比1:2 ,配位数为8 。 4. 对于面心立方晶体,如果晶格常数为a 邻原子间距为 a ,原胞与晶胞的体积比1:4 ,配位数为12 。 5. 面指数(h1h2h3)所标志的晶面把原胞基矢a1,a2,a3分割,其中最靠近原点的平面在a1,a2,a3上的截距分别为__1/h1_,_1/h2__,__1/h3_。 6. 根据组成粒子在空间排列的有序度和对称性,固体可分为晶体、准晶体和非晶体。 7. 根据晶体内晶粒排列的特点,晶体可分为单晶和多晶。 8. 常见的晶体堆积结构有简立方(结构)、体心立方(结构)、面心立方(结构)和六角密排(结构)等,例如金属钠(Na)是体心立方(结构),铜(Cu)晶体属于面心立方结构,镁(Mg)晶体属于六角密排结构。 9. 对点阵而言,考虑其宏观对称性,他们可以分为7个晶系,如果还考虑其平移对称性,则共有14种布喇菲格子。 10.晶体结构的宏观对称只可能有下列10种元素:1 ,2 ,3 ,4 ,6 ,i ,m ,3,4,6,其中3和6不是独立对称素,由这10种对称素对应的对称操作只能组成32 个点群。 11. 晶体按照其基元中原子数的多少可分为复式晶格和简单晶格,其中简单晶格基元中有 1 个原子。 12. 晶体原胞中含有 1 个格点。 13. 魏格纳-塞茨原胞中含有 1 个格点。 二、基本概念 1. 原胞 原胞:晶格最小的周期性单元。 2. 晶胞 结晶学中把晶格中能反映晶体对称特征的周期性单元成为晶胞。 3. 散射因子 原子内所有电子在某一方向上引起的散射波的振幅的几何和,与某一电子在该方向上引起的散射波的振幅之比。 4. 几何结构因子 原胞内所有原子在某一方向上引起的散射波的总振幅与某一电子在该方向上所引起的散射

第二章 晶体结构与晶体缺陷

2-1 (a )MgO 具有NaCl 结构。根据O 2-半径为0.140nm 和Mg 2+半径为0.072nm ,计算球状离子所占有的空间分数(堆积系数)。 (b )计算MgO 的密度。 解:(a )MgO 具有NaCl 型结构,即属面心立方,每个晶胞中含有4个Mg 2+和4个O 2-,故Mg 所占有体积为: 2233MgO Mg O 334 4()34 4(0.0720.140) 3 0.0522nm V R R ππ+- ?+?+=== 因为Mg 2+和O 2-离子在面心立方的棱边上接触: 22Mg O 2()20.0720.1400.424nm a R R +-++==()=() 堆积系数=%=)(=5.68424.00522 .033 MgO a V (b ) 37233 )10424.0(1002.6) 0.163.24(4·0MgO -???+?= = a N M n D =3.51g/cm 3 2-2 Si 和Al 原子的相对质量非常接近(分别为28.09和26.98),但SiO 2和Al 2O 3的密度相差很大(分别为2.65g/cm 3和3.96g/cm 3)。试计算SiO 2和Al 2O 3的堆积密度,并用晶体结构及鲍林规则说明密度相差大的原因。 解: 首先计算SiO 2堆积系数。每cm 3中含SiO 2分子数为: 3223 22343223 2322223 2.65SiO /cm 2.6410/cm (28.0932.0)/(6.0310) Si /cm 2.6410/cm O /cm 2.64102 5.2810/cm +-?+?????= =个=个==个 每cm 3 中Si 4+ 和O 2- 所占体积为: 2-32273 Si432273 O 4 /cm 2.6410(0.02610)3 0.001954 /cm 5.2810(0.13810)3 0.5809V V ππ-+-????????==== Si 2O 3晶体中离子堆积系数=000195+0.5809=0.5829或58.29% Al 2O 3堆积系数计算如下:

第一章 晶体结构缺陷习题及解答

第一章 晶体结构缺陷习题与解答 1.1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的 间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。 1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX 晶体中,间隙原子的表示符号为M I 或X I ;空位缺陷的表示符号为:V M 或V X 。如果进入MX 晶体的杂质原子是A ,则其表示符号可写成:A M 或A X (取代式)以及A i (间隙式)。 当CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +而出现点缺陷,其缺陷反应式如下: CaCl 2?→?KCl ?K Ca +' k V +2Cl Cl CaCl 2中Ca 2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl 2?→?KCl ??i Ca +2'k V +2Cl Cl 1.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么? 解:位置平衡是指在化合物M a X b 中,M 格点数与X 格点数保持正确的比例 关系,即M :X=a :b 。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 1.4(a )在MgO 晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev ,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b )如果MgO 晶体中,含有百万分之一mol 的Al 2O 3杂质,则在1600℃时,MgO 晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。 解:(a )根据热缺陷浓度公式: =N n exp (- kT 2G ?) 由题意 △G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J K=1.38×10-23 J/K T 1=25+273=298K T 2=1600+273=1873K 298K : =N n exp ??? ? ??????---2981038.1210612.92319=1.92×10-51

第一章晶体结构和倒格子

第一章 晶体结构和倒格子 1. 画出下列晶体的惯用元胞和布拉菲格子,写出它们的初基元胞基矢表达式,指明各晶体的结构及两种元胞中的原子个数和配位数。 (1) 氯化钾 (2)氯化钛 (3)硅 (4)砷化镓 (5)碳化硅 (6)钽酸锂 (7)铍 (8)钼 (9)铂 2. 对于六角密积结构,初基元胞基矢为 → 1a =→→+j i a 3(2 →→→+-=j i a a 3(22 求其倒格子基矢,并判断倒格子也是六角的。 3.用倒格矢的性质证明,立方晶格的[hkl]晶向与晶面(hkl )垂直。 4. 若轴矢→→→c b a 、、构成简单正交系,证明。晶面族(h 、k 、l )的面间距为 2222) ()()(1c l b k a h hkl d ++= 5.用X 光衍射对Al 作结构分析时,测得从(111)面反射的波长为1.54?反射角为θ=19.20 求面间距d 111。 6.试说明:1〕劳厄方程与布拉格公式是一致的; 2〕劳厄方程亦是布里渊区界面方程; 7.在图1-49(b )中,写出反射球面P 、Q 两点的倒格矢表达式以及所对应的晶面指数和衍射面指数。 8.求金刚石的几何结构因子,并讨论衍射面指数与衍射强度的关系。 9.说明几何结构因子S h 和坐标原点选取有关,但衍射谱线强度和坐标选择无关。 10. 能量为150eV 的电子束射到镍粉末上,镍是面心立方晶格,晶格常数为3.25×10-10m,求最小的布拉格衍射角。 附:1eV=1.602×10-19J, h=6.262×10-34J ·s, c=2.9979×108m/s 第二章 晶体结合 1.已知某晶体两相邻原子间的互作用能可表示成 n m r b r a r U +-=)( (1) 求出晶体平衡时两原子间的距离; (2) 平衡时的二原子间的互作用能; (3) 若取m=2,n=10,两原子间的平衡距离为3?,仅考虑二原子间互作用则离解能为4ev ,计算a 及b 的值; (4) 若把互作用势中排斥项b/r n 改用玻恩-梅叶表达式λexp(-r/p),并认为在平衡时对互作 用势能具有相同的贡献,求n 和p 间的关系。 2. N 对离子组成的Nacl 晶体相互作用势能为 ??????-=R e R B N R U n 024)(πεα

第二章 晶体结构缺陷习题答案电子教案

第二章晶体结构缺陷 1.(错)位错属于线缺陷,因为它的晶格畸变区是一条几何线。 2.(错)螺型位错的柏氏失量与其位错线垂直,刃型位错的柏氏失量与其位错线是平行。 3. (错)肖特基缺陷是由于外来原子进入晶体而产生的缺陷。 4.(错)弗伦克尔缺陷是由于外来原子进入晶体而产生的缺陷。 二选择题 1.非化学剂量化合物Zn1+x O中存在 A 。 A. 填隙阳离子 B. 阳离子空位 C. 填隙阴离子 D. 阴离子空位 2. 非化学计量化合物UO2+x中存在 C 。 A. 填隙阳离子 B. 阳离子空位 C. 填隙阴离子 D. 阴离子空位 3.非化学剂量化合物TiO2-x中存在 D 。 A. 填隙阳离子 B. 阳离子空位 C. 填隙阴离子 D. 阴离子空位 4.螺型位错的位错线是 A 。 A. 曲线 B. 直线 C. 折线 D. 环形线 5.非化学剂量化合物ZnO1-x中存在 D 。 A. 填隙阳离子 B. 阳离子空位 C. 填隙阴离子 D. 阴离子空位 6. 非化学计量化合物UO2+x中存在 C 。 A. 填隙阳离子 B. 阳离子空位 C. 填隙阴离子 D. 阴离子空位 三、名词解释 1. 弗仑克尔缺陷 原子离开其平衡位置二进入附近的间隙位置,在原来位置上留下空位所形成的缺陷,特点是填隙原子与空位总是成对出现。 2.固溶体: 物种数:凡在固体条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。

四、解答题 1.完成下列缺陷方程式,并且写出相应的化学式 (1)NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体; (2)CaCl 2溶人NaC1中形成空位型固溶体; 解:(1)NaCl Na Ca ’+ Cl Cl + V Cl · Ca 1-x Na x Cl 2-x (2)CaCl 2 Ca Na · + 2Cl Cl + V Na ’ Na 1-2x Ca X Cl 2完成下列缺陷方程式,并且写出相应的化学式(6分) (1)M gCl 2固溶在LiCl 晶体中形成填隙型 Li 1-x Mg x Cl 1+x (2) SrO 固溶在Li 2O 晶体中形成空位型 Li 2-2x Sr x O 3.写出下列缺陷反应式 ①.NaCl 形成肖脱基缺陷。 ②.AgI 形成弗伦克尔缺陷(Ag +进入间隙)。 ③KCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体。 解:1、O→VNa ′+VCl˙ 2、Ag Ag+Vi →A g i ˙+V Ag′ ③ KCl K Ca ’+ Cl Cl + V Cl · Ca 1-x K x Cl 2-x 4 对于MgO 、Al 2O 3和Cr 2O 3,其正、负离子半径比分别为0.47,0.36和0.40。Al 2O 3和Cr 2O 3形成连续固溶体。(4分) (a )这个结果可能吗?为什么? (b )试预计,在MgO -Cr 2O 3系统中的固溶度是有限还是很大的?为什么? 答(a )可能,Al 2O 3和Cr 2O 3的正离子半径之比小于15%。晶体结构又相同。 所以可能 O Li Li O Li O V Sr S SrO +'+??→??. 2)(Cl i Li LiCl Cl Cl Mg S MgCl ++?? →??')(.2

第一章-晶体结构

第一章 P4 问题 对14种布拉菲点阵中的体心立方,说明其中每一个阵点周围环境完全相同 答:①单看一个结晶学单胞可知,各个顶点上的阵点等价,周围环境相同。 ②将单个结晶学单胞做周期性平移后可知,该结晶学单胞中的体心阵点亦可作为其他结晶学原胞的顶点阵点,即体心阵点与顶点阵点也等价,周围环境也相同。 综上所述,体心立方中每一个阵点周围环境完全相同。 问题 在二维布拉菲点阵中,具体说明正方点阵的对称性高于长方点阵。 答:对称轴作为一种对称要素,是评判对称性高低的一种依据。正方点阵有4条对称轴而长方点阵只有两条对称轴,故正方点阵的对称性高于长方点阵。 P9 问题 晶向族与晶面族概念中,都有一个“族”字。请举一个与族有关的其他例子,看看其与晶向族、晶面族有无相似性? 答:“上班族”、“追星族”… 它们与晶向族、晶面族的相似性在于同一族的事物都有某一相同的性质。 问题 几年前一个同学问了这样的问题:() 2πe 晶面该怎么画?你如何看待他的问题?应该指出,这位同学一定是动了脑筋的!结论是注重概念 答:晶面无意义、不存在。晶向是晶面的法向量,相同指数的晶面与晶向是一一对应的。在晶体中原子排布规则中,各阵点是以点阵常数为单位长度构成的离散空间,阵点坐标值均为整数,晶向指数也应为整数,因此晶面指数应为整数时晶面才有意义。(晶体学的面与数学意义下的面有区别,只有指数为整数的低指数面才有意义。) 问题 说明面心立方中(111)面间距最大,而体心立方中(110)面间距最大。隐含了方法 答:①面心立方中有晶面族{100}、{110}、{111},它们的面间距分别为 因此面心立方中{111}面间距最大。 ②体心立方中有晶面族{100}、{110}、{111},其面间距分别为 因此体心立方中{110}面间距最大。 (密排面的晶面间距最大)

第二章晶体结构与晶体中的缺陷

第二章晶体结构与晶体中的缺陷 内容提要:通过讨论有代表性的氧化物、化合物和硅酸盐晶体结构, 用以掌握与本专业有关的各种晶体结构类型。介绍了实际晶体中点缺陷分 类;缺陷符号和反应平衡。固熔体分类和各类固熔体、非化学计量化学化 合物的形成条件。简述了刃位错和螺位错。 硅酸盐晶体结构是按晶体中硅氧四面体在空间的排列方式为孤岛状、组群状、链状、层装和架状五类。这五类的[SiO4]四面体中,桥氧的数目也依次由0增加到4, 非桥氧数由4减至0。硅离子是高点价低配位的阳离子。因此在硅酸盐晶体中,[SiO4] 只能以共顶方式相连,而不能以共棱或共面方式相连。表2-1列出硅酸盐晶体结构类型及实例。 表2-1 Array硅酸 盐晶 体的 结构 类型

真实晶体在高于0K的任何温度下,都或多或少地存在着对理想晶体结构的偏离,即存在着结构缺陷。晶体中的结构缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和复合缺陷之分,在无机材料中最基本和最重要的是点缺陷。 点缺陷根据产生缺陷的原因分类,可分为下列三类: (1)热缺陷(又称本征缺陷) 热缺陷有弗仑克儿缺陷和肖特基缺陷两种基本形式。 弗仑克儿缺陷是指当晶格热震动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗仑克儿缺陷。 肖特基缺陷是指如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,而在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。 (2)杂质缺陷(非本征缺陷) (3)非化学计量化学化合物 为了便于讨论缺陷反应,目前广泛采用克罗格-明克(Kroger-Vink)的点缺陷符号(见表2-2)。 表2-2 Kroger-Vink缺陷符号(以M2+X2-为例)

金属的晶体结构习题答案

第一章 金属的晶体结构 (一)填空题 3.金属晶体中常见的点缺陷是 空位、间隙原子和置换原子 ,最主要的面缺陷是 。 4.位错密度是指 单位体积中所包含的位错线的总长度 ,其数学表达式为V L =ρ。 5.表示晶体中原子排列形式的空间格子叫做 晶格 ,而晶胞是指 从晶格中选取一个能够完全反应晶格特征的最小几何单元 。 6.在常见金属晶格中,原子排列最密的晶向,体心立方晶格是 [111] ,而面心立方晶格是 [110] 。 7 晶体在不同晶向上的性能是 不同的 ,这就是单晶体的 各向异性现象。一般结构用金属为 多 晶体,在各个方向上性能 相同 ,这就是实际金属的 伪等向性 现象。 8 实际金属存在有 点缺陷 、 线缺陷 和 面缺陷 三种缺陷。位错是 线 缺陷。 9.常温下使用的金属材料以 细 晶粒为好。而高温下使用的金属材料在一定范围内以粗 晶粒为好。 10.金属常见的晶格类型是 面心立方、 体心立方 、 密排六方 。 11.在立方晶格中,各点坐标为:A (1,0,1),B (0,1,1),C (1,1,1/2),D(1/2,1,1/2),那么AB 晶向指数为10]1[- ,OC 晶向指数为[221] ,OD 晶向指数为 [121] 。 12.铜是 面心 结构的金属,它的最密排面是 {111} ,若铜的晶格常数a=,那么 最密排面上原子间距为 。 13 α-Fe 、γ-Fe 、Al 、Cu 、Ni 、Cr 、V 、Mg 、Zn 中属于体心立方晶格的有 α-Fe 、Cr 、V , 属于面心立方晶格的有 γ-Fe 、Al 、Cu 、Ni 、 ,属于密排六方晶格的有 Mg 、 Zn 。 14.已知Cu 的原子直径为0.256nm ,那么铜的晶格常数为 。1mm 3Cu 中的原子数 为 。 15.晶面通过(0,0,0)、(1/2、1/4、0)和(1/2,0,1/2)三点,这个晶面的晶面指数为 . 16.在立方晶系中,某晶面在x 轴上的截距为2,在y 轴上的截距为1/2;与z 轴平行,则 该晶面指数为 (140) . 17.金属具有良好的导电性、导热性、塑性和金属光泽主要是因为金属原子具有 金属键 的 结合方式。 18.同素异构转变是指 当外部条件(如温度和压强)改变时,金属内部由一种金属内部由 一种晶体结构向另一种晶体结构的转变 。纯铁在 温度发生 和 多晶型转变。 19.在常温下铁的原子直径为0.256nm ,那么铁的晶格常数为 。 20.金属原子结构的特点是 。 21.物质的原子间结合键主要包括 离子键 、 共价键 和 金属键 三种。 (二)判断题 1.因为单晶体具有各向异性的特征,所以实际应用的金属晶体在各个方向上的性能也是不相同的。 (N) 2.金属多晶体是由许多结晶位向相同的单晶体所构成。 ( N) 3.因为面心立方晶体与密排六方晶体的配位数相同,所以它们的原子排列密集程度也相同 4.体心立方晶格中最密原子面是{111}。 Y 5.金属理想晶体的强度比实际晶体的强度高得多。N 6.金属面心立方晶格的致密度比体心立方晶格的致密度高。 7.实际金属在不同方向上的性能是不一样的。N 8.纯铁加热到912℃时将发生α-Fe 向γ-Fe 的转变。 ( Y ) 9.面心立方晶格中最密的原子面是111},原子排列最密的方向也是<111>。 ( N ) 10.在室温下,金属的晶粒越细,则其强度愈高和塑性愈低。 ( Y ) 11.纯铁只可能是体心立方结构,而铜只可能是面心立方结构。 ( N ) 12.实际金属中存在着点、线和面缺陷,从而使得金属的强度和硬度均下降。 ( Y ) 13.金属具有美丽的金属光泽,而非金属则无此光泽,这是金属与非金属的根本区别。N

第一章 晶体结构与晶体中的缺陷

第一章晶体结构与晶体中的缺陷 一、名词解释 1.正尖晶石与反尖晶石;2.弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷; 3.刃位错与螺位错;4.固溶体;5.非化学计量化合物: 二、填空与选择 2.在硅酸盐结构分类中,下列矿物Ca[Al2Si2O8];CaMg[Si2O6];β-Ca2SiO4和Mg3[Si4O10](OH)2,分别属于;;;和四类。 3.在负离子作立方密堆的晶体中,为获得稳定的晶体结构,正离子将所有八面体空隙位置填满的晶体有,所有四面体空隙均填满的晶体有,填满一半八面体空隙的晶体有,填满一半四面体空隙的晶体有。 4.在尖晶石(MgAl2O4)型晶体中,O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+填入了;金红石晶体中,所有O2-作稍有变形的六方密堆,Ti4+填充了。(A全部四面体空隙;B 全部八面体空隙;C四面体空隙的半数;D八面体空隙的半数;E四面体空隙的八分之一;F八面体空隙的八分之一) 5.构成层状硅酸盐的[Si2O5]片中的Si4+,通常被一定数量的Al3+所取代,为满足鲍林第二规则(静电价规则),在层状结构中结合有(OH)-离子和各种二价正离子或三价正离子。这种以Al3+取代Si4+的现象,称为。( A同质多晶(同质多象);B类质同晶;C有序-无序转化;D同晶置换(同晶取代)) 6.高岭石与蒙脱石属于层状硅酸盐结构,前者的结构特征是,后者的结构特征是。(A二层型三八面体结构;B三层型三八面体结构;C二层型二八面体结构;D 三层型二八面体结构) 7.在石英的相变中,属于重建型相变的是,属于位移式相变的是。(A α-石英→α-鳞石英;B α-石英→β-石英;C α-鳞石英→α-方石英;D α方石英→β-方石英) 8.晶体结构中的热缺陷有和二类。 9.CaO掺杂到ZrO2中,其中置换了。由于电中性的要求,在上述置换同时产生一个空位。以上置换过程可用方程式表示。10.由于的结果,必然会在晶体结构中产生"组分缺陷",组分缺陷的浓度主要取决于:和。 11.晶体线缺陷中,位错线与和垂直的是位错;位错线与二者平行的是位错。

第二章 晶体结构缺陷习题答案

第二章晶体结构缺陷 1、(错)位错属于线缺陷,因为它得晶格畸变区就是一条几何线。2.(错)螺型位错得柏氏失量与其位错线垂直,刃型位错得柏氏失量与其位错线就是平行。 3、(错)肖特基缺陷就是由于外来原子进入晶体而产生得缺陷。 4、(错)弗伦克尔缺陷就是由于外来原子进入晶体而产生得缺陷。 二选择题 1.非化学剂量化合物Zn1+x O中存在 A 。 A、填隙阳离子 B、阳离子空位 C、填隙阴离子 D、阴离子空位 2、非化学计量化合物UO2+x中存在 C 。 A、填隙阳离子 B、阳离子空位 C、填隙阴离子 D、阴离子空位 3.非化学剂量化合物TiO2-x中存在 D 。 A、填隙阳离子 B、阳离子空位 C、填隙阴离子 D、阴离子空位 4、螺型位错得位错线就是 A 。 A、曲线 B、直线 C、折线 D、环形线 5.非化学剂量化合物ZnO1-x中存在 D 。 A、填隙阳离子 B、阳离子空位 C、填隙阴离子 D、阴离子空位 6、非化学计量化合物UO2+x中存在 C 。 A、填隙阳离子 B、阳离子空位 C、填隙阴离子 D、阴离子空位 三、名词解释 1、弗仑克尔缺陷 原子离开其平衡位置二进入附近得间隙位置,在原来位置上留下空位所形成得缺陷,特点就是填隙原子与空位总就是成对出现。 2.固溶体: 物种数:凡在固体条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成得单一、均匀得晶态固体称为固溶体。 四、解答题 1.完成下列缺陷方程式,并且写出相应得化学式 (1)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体;

(2)CaCl 2溶人NaC1中形成空位型固溶体; 解:(1)NaCl Na Ca ’+ Cl Cl + V Cl · Ca 1-x Na x Cl 2-x (2)CaCl 2 Ca Na · + 2Cl Cl + V Na ’ Na 1-2x Ca X Cl 2完成下列缺陷方程式,并且写出相应得化学式(6分) (1)M gCl 2固溶在LiCl 晶体中形成填隙型 Li 1-x Mg x Cl 1+x (2) SrO 固溶在Li 2O 晶体中形成空位型 Li 2-2x Sr x O 3.写出下列缺陷反应式 ①、NaCl 形成肖脱基缺陷。 ②、AgI 形成弗伦克尔缺陷(Ag +进入间隙)。 ③KCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体。 解:1、O→VNa ′+VCl˙ 2、Ag Ag+Vi →A g i ˙+V Ag′ ③ KCl K Ca ’+ Cl Cl + V Cl · Ca 1-x K x Cl 2-x 4 对于MgO 、Al 2O 3与Cr 2O 3,其正、负离子半径比分别为0、47,0、36与0、40。Al 2O 3与Cr 2O 3形成连续固溶体。(4分) (a )这个结果可能吗?为什么? (b )试预计,在MgO -Cr 2O 3系统中得固溶度就是有限还就是很大得?为什 么? 答(a )可能,Al 2O 3与Cr 2O 3得正离子半径之比小于15%。晶体结构又相同。 所以可能 (b )MgO -Cr 2O 3系统中得固溶度就是有限得,由于得晶体结构不同。 O Li Li O Li O V Sr S SrO +'+??→??. 2)(Cl i Li LiCl Cl Cl Mg S MgCl ++?? →??')(.2

第一章 晶体结构

第一章晶体结构

第一章晶体结构 本章首先从晶体结构的周期性出发,来阐述完整晶体中离子、原子或分子的排列规律。然后,简略的阐述一下晶体的对称性与晶面指数的特征,介绍一下倒格子的概念。 §1.1晶体的周期性 一、晶体结构的周期性 1.周期性的定义 从X射线研究的结果,我们知道晶体是由离子、原子或分子(统称为粒子)有规律地排列而成的。晶体中微粒的排列按照一定的方式不断的做周期性重复,这样的性质成为晶体结构的周期性。 周期性:晶体中微粒的排列按照一定的方式不断的做周期性重复,这样的性质成为 晶体结构的周期性。 晶体结构的周期性可由X-Ray衍射直接证实,这种性质是晶体最基本或最本质的特征。(非晶态固体不具备结构的周期性。非晶态的定义等略),在其后的学习中可发现,这种基本 2

3 a a 2 a 图1.1 晶格 性质对固体物理的学习具有重要的意义或是后续学习的重要基础。 2.晶格 格点和点阵 晶格:晶体中微粒重心,做周期性的排列所组成的骨架,称为晶格。 微粒重心所处的位置称为晶格的格点(或结点)。 格点的总体称为点阵。 整个晶体的结构,可看成是由格点沿空间三个不同方向, 各自按一定距离周期性平移而构成。每个平移的距离称为周期。 在某一特定方向上有一定周期,在不同方向上周期不一定相同。 晶体通常被认为具有周期性和对称性,其中周期性最为本质。对称性其实质是来源于周期性。故周期性是最为基本的对称性,即“平移对称性”(当然,有更为复杂或多样的对称性,但周期性或平移对称性是共同的)。

4 3.平移矢量和晶胞 据上所述,基本晶体的周期性,我们可以在晶体中选取一定的单元,只要将其不断地重复平移,其每次的位移为a 1,a 2,a 3,就可以得到整个晶格。则→ 1a ,→ 2a ,→ 3 a 就代表重复单元的三 个棱边之长及其取向的矢量,称为平移矢量,这种重复单元称为晶胞,其基本特性为:⑴晶胞平行堆积在一起,可以充满整个晶体 ⑵任何两个晶胞的对应点上,晶体的物理性质相同,即: ()? ? ? ??+++=→ →→332211a n a n a n r Q r Q 其中→ r 为晶胞中任一点的位置矢量。Q 代表晶体中某一种物理性质,n 1、n 2、n 3为整数。 二、晶胞的选取 可采用不同的选取方法选取晶胞和平移矢量,其结果都可以得到完全一样的晶格。不同选取方法着眼点有所不同。 固体物理学:①.选取体积最小的晶胞,称为元胞 ②.格点只在顶角上,内部和面

硅的晶体结构

自然界物质存在的形态有气态物质、液态物质和固态物质。固态物质可根据它们 的质点(原子、离子和分子)排列规则的不同,分为晶体和非晶体两大类。具有确定的熔点的固态物质称为晶体,如硅、砷化镓、冰及一般金属等;没有确定的熔点、加热时在某一温度范围内就逐渐软化的固态物质称为非晶体,如玻璃、松香等。 所有晶体都是由原子、分子、离子或这些粒子集团在空间按一定规则排列而成的。这种对称的、有规则的排列,叫晶体的点阵或晶体格子,简称为晶格。最小的晶格,称为晶胞。晶胞的各向长度,称为品格常数。将晶格周期地重复排列起来,就构成为整个晶体。晶体又分为单晶体和多晶体。整块材料从头到尾都按同一规则作周期性排列的晶体,称为单晶体。整个晶体由多个同样成分、同样晶体结构的小晶体(即晶粒)组成的晶体,称为多晶体。在多晶体中,每个小晶体中的原子排列顺序的位向是不同的。非晶体没有上述特征,组成它们的质点的排列是无规则的,而是“短程有序、长程无序’’的排列,所以又称为无定形态。一般的硅棒是单晶硅,粗制硅(冶金硅)和利用蒸发或气相沉积制成的硅薄膜为多晶硅,也可以为无定形硅。 硅(S1)的原子序数为14,即它的原子核周围有14个电子。这些电子围绕着原子核按一层层的轨道分布,第一层2个,第二层8个,剩下的4个排在第三层,如图所示。另图为硅的晶胞结构。它可以看作是两个面心立方晶胞沿对角线方向上位移1/4互相套构而成。这种结构被称为金刚石式结构。硅(Si)锗(Ge)等重要半导体均为金刚石式结构。1个硅原子和4个相邻的硅原子由共价键联结,这 4个硅原子恰好在正四面体的4个顶角上,而四面体的中心是另一硅原子。 硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗变掺杂单晶)和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低,区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶,但纯度低于区熔单晶,适于生产20欧/厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片,但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底(或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底)上外延生长硅单晶薄层而制成,大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。

晶体结构习题

第一章晶体结构 1、三维空间有多少种布拉菲格子?画图说明这些布拉菲格子。 解:三维空间有14种布拉菲格子,分别如下图所示: 2、石墨层中的碳原子排列成如图所示的六角网状结构,试问一个原胞含有几个原子?为什 么?

解:石墨层中一个原胞包含两个原子。图中A 和B 原子是不等价的,它们的几何处境不相同,因此一个原胞中至少有两个碳原子;如图所示,石墨单层可通过图中虚线框所围,包含A 、B 两个原子的单元周期性平移得到,它能构成石墨单层的一个原胞,因此石墨层中一个原胞包含两个原子。 3、 利用刚球密堆模型,求证球可能占据的最大体积与总体积之比为: (1) 简单立方 6 π ;(2 )体心立方 ;(3 )面心立方6;(4 )六角密积6 ; (5) 。 解:(1)在简立方的结晶学原胞中,设原子半径为R ,则原胞的晶体学常数R a 2=,则简立方的致密度(即球可能占据的最大体积与总体积之比)为: 6) 2(34134133 33π ππα=?=?=R R a R (2)在体心立方的结晶学原胞中,设原子半径为R ,则原胞的晶体学常数3/4R a =,则体心立方的致密度为: 83) 3/4(34 23423 3 33πππα=?=?=R R a R (3)在面心立方的结晶学原胞中,设原子半径为R ,则原胞的晶体学常数R a 22=,则面心立方的致密度为: 6 2)22(34 23443 3 33π ππα= ?=?=R R a R (4)在六角密积的结晶学原胞中,设原子半径为R ,则原胞的晶体学常数R a 2=,

R a c )3/64()3/62(==,则六角密积的致密度为: 6 2)3/64(4 )2(3634643634623 23π ππα=??=??=R R R c a R (5)在金刚石的结晶学原胞中,设原子半径为R ,则原胞的晶体学常数R a )3/8(=,则金刚石的致密度为: 163)3/8(34 83483 33 33πππα=?=?=R R a R 4、设有一简单格子,它的基矢分别为1233,3, 1.5()a i a j a i j k ===++。试求: (1) 此晶体属于什么晶系,属于哪种类型的布喇菲格子? (2) 该晶体的倒格子基矢; (3) 密勒指数为(121)晶面族的面间距; (4) 原子最密集的晶面族的密勒指数是多少? (5) [1,1,1]晶列与[1,1,1]晶列之间的夹角余弦为多少? 解:(1)由题意易知该晶体属于立方晶系,并属于体心立方布喇菲格子。 (2)由倒格子基矢的定义可知: ??? ? ? ? ???=?=???=-=-?=???= -=-?=???=k k a a a a a b k j k j a a a a a b k i k i a a a a a b 5.125.1392][][2)(325.13)(5.42][][2)(325.13)(5.42][][2321213321132321321 πππππππππ (3)根据倒格矢的性质,可求得密勒指数为( 3 211 121122122b b b K -+?= = π πd 10 3030352(3 22== -+= k j i π π (4)由于面密度d ρβ=,其中d 是面间距,ρ是体密度。对布喇菲格子,ρ等于常数。因此,我们可设原子最密集的晶面族的密勒指数为)(321h h h ,则该晶面族的面间距3 21h h h d

第二章晶体结构与晶体中的缺陷

内容提要:通过讨论有代表性的氧化物、化合物和硅酸盐晶体结构, 用以掌握与本专业有关的各种晶体结构类型。介绍了实际晶体中点缺陷分 类;缺陷符号和反应平衡。固熔体分类和各类固熔体、非化学计量化学化 合物的形成条件。简述了刃位错和螺位错。 硅酸盐晶体结构是按晶体中硅氧四面体在空间的排列方式为孤岛状、组群状、链状、层装和架状五类。这五类的[SiO4]四面体中,桥氧的数目也依次由0增加到4, 非桥氧数由4减至0。硅离子是高点价低配位的阳离子。因此在硅酸盐晶体中,[SiO4] 只能以共顶方式相连,而不能以共棱或共面方式相连。表2-1列出硅酸盐晶体结构类型及实例。 表2-1 Array硅酸 盐晶 体的 结构 类型

真实晶体在高于0K的任何温度下,都或多或少地存在着对理想晶体结构的偏离,即存在着结构缺陷。晶体中的结构缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和复合缺陷之分,在无机材料中最基本和最重要的是点缺陷。 点缺陷根据产生缺陷的原因分类,可分为下列三类: (1)热缺陷(又称本征缺陷) 热缺陷有弗仑克儿缺陷和肖特基缺陷两种基本形式。 弗仑克儿缺陷是指当晶格热震动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗仑克儿缺陷。 肖特基缺陷是指如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,而在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。 (2)杂质缺陷(非本征缺陷) (3)非化学计量化学化合物 为了便于讨论缺陷反应,目前广泛采用克罗格-明克(Kroger-Vink)的点缺陷符号(见表2-2)。 表2-2 Kroger-Vink缺陷符号(以M2+X2-为例)

晶体结构 习题

第一章晶体结构 1.试述晶态、非晶态、准晶、多晶和单晶的特征性质。 解:晶态固体材料中的原子有规律的周期性排列,或称为长程有序。非晶态固体材料中的原子不是长程有序地排列,但在几个原子的范围内保持着有序性,或称为短程有序。准晶态是介于晶态和非晶态之间的固体材料,其特点是原子有序排列,但不具有平移周期性。 另外,晶体又分为单晶体和多晶体:整块晶体内原子排列的规律完全一致的晶体称为单晶体;而多晶体则是由许多取向不同的单晶体颗粒无规则堆积而成的。 2.晶格点阵与实际晶体有何区别和联系? 解:晶体点阵是一种数学抽象,其中的格点代表基元中某个原子的位置或基元质心的位置,也可以是基元中任意一个等价的点。当晶格点阵中的格点被具体的基元代替后才形成实际的晶体结构。晶格点阵与实际晶体结构的关系可总结为: 晶格点阵+基元=实际晶体结构 3.晶体结构可分为Bravais格子和复式格子吗? 解:晶体结构可以分为Bravais格子和复式格子,当基元只含一个原子时,每个原子的周围情况完全相同,格点就代表该原子,这种晶体结构就称为简单格子或Bravais格子;当基元包含2个或2个以上的原子时,各基元中相应的原子组成与格点相同的网格,这些格子相互错开一定距离套构在一起,这类晶体结构叫做复式格子。 解:(a)“面心+体心”立方不是布喇菲格子。 从“面心+体心”立方体的任一顶角上的格点看,与它最邻近的有12个格点;从面心任一点看来,与它最邻近的也是12个格点;但是从体心那点来看,与它最邻近的有6个格点,所以顶角、面心的格点与体心的格点所处的几何环境不同,即不满足所有格点完全等价的条件,因此不是布喇菲格子,而是复式格子,此复式格子属于简立方布喇菲格子。 (b)“边心”立方不是布喇菲格子。 从“边心”立方体竖直边心任一点来看,与它最邻近的点子有八个;从“边心”立方体水平边心任一点来看,与它最邻近的点子也有八个。虽然两者最邻近的点数相同,距离相等,但他们各自具有不同的排列。竖直边心点的最邻近的点子处于相互平行、横放的两个平面上,而水平边心点的最邻近的点子处于相互平行、竖放的两个平面上,显然这两种点所处的几何环境不同,即不满足所有格点完全等价的条件,因此不是布喇菲格子,而是复式格子,此复式格子属于简立方布喇菲格子。 (c)“边心+体心”立方不是布喇菲格子。

第一章 金属的晶体结构作业 答案

第一章金属的晶体结构 1、试用金属键的结合方式,解释金属具有良好的导电性、正的电阻温度系数、导热性、塑性和金属光泽等基本特性. 答:(1)导电性:在外电场的作用下,自由电子沿电场方向作定向运动。 (2)正的电阻温度系数:随着温度升高,正离子振动的振幅要加大,对自由电子通过的阻碍作用也加大,即金属的电阻是随温度的升高而增加的。 (3)导热性:自由电子的运动和正离子的振动可以传递热能。 (4) 延展性:金属键没有饱和性和方向性,经变形不断裂。 (5)金属光泽:自由电子易吸收可见光能量,被激发到较高能量级,当跳回到原位时辐射所吸收能量,从而使金属不透明具有金属光泽。 2、填空: 1)金属常见的晶格类型是面心立方、体心立方、密排六方。 2)金属具有良好的导电性、导热性、塑性和金属光泽主要是因为金属原子具有金属键的结合方式。 3)物质的原子间结合键主要包括金属键、离子键和共价键三种。 4)大部分陶瓷材料的结合键为共价键。 5)高分子材料的结合键是范德瓦尔键。 6)在立方晶系中,某晶面在x轴上的截距为2,在y轴上的截距为1/2;与z轴平行,则该晶面指数为(( 140 )). 7)在立方晶格中,各点坐标为:A (1,0,1),B (0,1,1),C (1,1,1/2),D(1/2,1,1/2),那么AB晶向指数为(ī10),OC晶向指数为(221),OD晶向指数为(121)。 8)铜是(面心)结构的金属,它的最密排面是(111 )。 9) α-Fe、γ-Fe、Al、Cu、Ni、Cr、V、Mg、Zn中属于体心立方晶格的有(α-Fe 、 Cr、V ),属于面心立方晶格的有(γ-Fe、Al、Cu、Ni ),属于密排六方晶格的有( Mg、Zn )。 3、判断 1)正的电阻温度系数就是指电阻随温度的升高而增大。(√) 2)金属具有美丽的金属光泽,而非金属则无此光泽,这是金属与非金属的根本区别。(×) 3) 晶体中原子偏离平衡位置,就会使晶体的能量升高,因此能增加晶体的强度。(× ) 4) 在室温下,金属的晶粒越细,则其强度愈高和塑性愈低。(×) 5) 实际金属中存在着点、线和面缺陷,从而使得金属的强度和硬度均下降。 (×) 6)体心立方晶格中最密原子面是{110},原子排列最密的方向也是<111> .(对) 7)面心立方晶格中最密的原子面是{111},原子排列最密的方向是<110>。 ( 对 ) 8)纯铁加热到912℃时将发生α-Fe向γ-Fe的转变,体积会发生膨胀。 ( 错 ) 9)晶胞是从晶格中任意截取的一个小单元。(错) 10)纯铁只可能是体心立方结构,而铜只可能是面心立方结构。 (错) 4、选择题 1)金属原子的结合方式是( C )

材基 1-5习题(印)DOC

第一章原子排列与晶体结构 1.fcc结构的密排方向是,密排面是,密排面的堆垛顺序是,致密度 为,配位数是,晶胞中原子数为,把原子视为刚性球时,原子的半径r与点阵常数a的关系是;bcc结构的密排方向是,密排面是,致密度为,配位数是,晶胞中原子数为,原子的半径r与点阵常数a的关系 是;hcp结构的密排方向是,密排面是,密排面的堆垛顺序是,致密度为,配位数是,,晶胞中原子数为,原子的半径r与点阵常数a 的关系是。 2.Al的点阵常数为0.4049nm,其结构原子体积是,每个晶胞中八面体间隙数 为,四面体间隙数为。 3.纯铁冷却时在912e发生同素异晶转变是从结构转变为结构,配位数, 致密度降低,晶体体积,原子半径发生。 4.在面心立方晶胞中画出晶面和晶向,指出﹤110﹥中位于(111)平面上的 方向。在hcp晶胞的(0001)面上标出晶面和晶向。 5.求和两晶向所决定的晶面。 6 在铅的(100)平面上,1mm2有多少原子?已知铅为fcc面心立方结构,其原子半径R=0.175×10-6mm。

第二章合金相结构 一、填空 1)随着溶质浓度的增大,单相固溶体合金的强度,塑性,导电性,形成间隙固溶体时,固溶体的点阵常数。 2)影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是(1);(2);(3);(4)和环境因素。 3)置换式固溶体的不均匀性主要表现为和。 4)按照溶质原子进入溶剂点阵的位置区分,固溶体可分为和。5)无序固溶体转变为有序固溶体时,合金性能变化的一般规律是强度和硬度,塑性,导电性。 6)间隙固溶体是,间隙化合物是。 二、问答 1、分析氢,氮,碳,硼在α-Fe 和γ-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。已知元素的原子半径如下:氢:0.046nm,氮:0.071nm,碳:0.077nm,硼:0.091nm,α-Fe:0.124nm,γ-Fe :0.126nm。 2、简述形成有序固溶体的必要条件。

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