PHOTOMOS光耦继电器AQW214EHAX

型号： AQW214EHAX
特点： 实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！ 封装： DIP8
端子形状： Surface-Mount
包装方式： tape and reel packing(X)
连续负载电流： 0.1A
负载电压： 400 V
导通电阻(平均)： 26 ohm
输出端子间容量(平均)： 45 pF
国外标准： UL, C-UL, BSI
触点结构： 2a
耐电压： 5000V AC
导通电阻(最大)： 35 ohm
开路状态漏电流(最大)： 1μA
最大允许LED电流： 50mA
LED反向电压： 5V
最大正向电流： 1A
部允许损耗： 75mW
动作LED电流(平均)： 1.2mA
动作LED电流(最大)： 3mA
复位LED电流(最小)： 0.4mA
复位LED电流(平均)： 1.1mA
LED压降(平均)： 1.25V
LED压降(最大)： 1.5V
动作时间(平均)： 0.5ms
复位时间(平均)： 0.08ms
全部允许损耗： 850mW
使用环境温度： -40℃～+85℃
保存温度： -40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)： 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大)： 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小)： 1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流)： 5-10mA