关于MOSFET驱动电阻选择

Q

L

Rg

Cgs

DR IVE

VC C

12V

驱动电压：

驱动电流：

可以看到当Rg比较小时驱动电压上冲会比较高，震荡比较多，L越大越明显，此时会对MOSFET及其他器件性能产生影响。但是阻值过大时驱动波形上升比较慢，当MOSFET有较大电流通过时会有不利影响。

此外也要看到，当L比较小时，

此时驱动电流的峰值比较大，而一般

IC的驱动电流输出能力都是有一定

限制的，当实际驱动电流达到IC输

出的最大值时，此时IC输出相当于

一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动

电压波形的上升率会变慢。电流曲线

就可能如左图所示（此时由于电流不

变，电感不起作用）。这样可能会对

IC的可靠性产生影响，电压波形上升

段可能会产生一个小的台阶或毛刺。

TR(nS) 19 49 230 20 45 229 Rg(ohm) 10 22 100 10 22 100 L(nH) 30 30 30 80 80 80

可以看到L 对上升时间的影响比较小，主要还是Rg 影响比较大。上升时间可以用2*Rg*Cgs 来近似估算，通常上升时间小于导通时间的二十分之一时，MOSFET 开关导通时的损耗不致于会太大造成发热问题，因此当MOSFET 的最小导通时间确定后Rg 最大值

也就确定了 Rg 140Ton_min

Cgs

，一般Rg 在取值范围内越小越好，但是考虑EMI 的话可以

适当取大。 以上讨论的是MOSFET ON 状态时电阻的选择，在MOSFET OFF 状态时为了保证栅极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小，这也是Rsink

实际使用中还要考虑MOSFET 栅漏极还有个电容Cgd 的影响，MOSFET ON 时Rg 还要对Cgd 充电，会改变电压上升斜率，OFF 时VCC 会通过Cgd 向Cgs 充电，此时必须保证Cgs 上的电荷快速放掉，否则会导致MOSFET 的异常导通。

Q

Rg

Cg s

VC C

Cg d

3