模拟电子技术A期中试卷

西南交通大学2012－2013学年第(2)学期期中考试试卷

课程代码 0471003/0473058 课程名称 模拟电子技术A/电子线路2

教师签字

一、选择及填空题:（共54分，每空2分）

1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。 由此可判断电极①是 ，电极②是__ __，电极③是_ ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是____（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A ．40 ，

B ．100，

C ．400）。

2．已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。影响f L 大小的因素是 ，影响f H 大小的因素是 。 （A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）

H

L

V CC

( a )

( b )

当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）

倍。当f ＝ f L 时，o

U 与i U 相位关系是 （A. 45? B. -90? C. －135?）。 3．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k 负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 。

4．在下图所示放大电路中，当输入电压分别为正弦波和三角波时，输出电压波形分别如图（a ）和图（b ）所 示。图（a ）发生 失真（非线性失真、频率失真），为了减小失真应采取的措施是 （增 大或减小某阻容元件的参数）；图（b ）发生 失真（非线性失真、频率失真），为了减小失真应采 取的措施是 （增大或减小某阻容元件的参数）。

班 级 学 号 姓 名

密封装订线 密封装订线 密封装订线

u u t

t

u o

u t

( a )

( b)

5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。

（1）．电压放大倍数u A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 。 （2）．电压放大倍数u A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 。 （3）．电压放大倍数u A ≈1，输入电阻i

R >100k Ω的电路是 。

L

( a )

L

( b )L

( c )

6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q 点也标在图上（设U BEQ ＝0.7V ）。 （1）电源电压V CC= V ，c R = Ωk ，b R =

Ωk ；最大不失真输出电压幅值=om U V ；

为获得更大的不失真输出电压，b R 应 （增大、减小）

（2）若Ω=K R 6L ，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分)

7．定性判断图中各电路是否具备正常放大能力，若不具备，则修改电路，使之具备正常放大能力的条件。修改时只能改变元器件的位置和连接关系，不能改变元器件的类型和增减元器件数量。

R L

12

E

V

4

8

2

6

10

( a )CC

V ( b )

DD

V

答：(a) (能正常放大、不能正常放大)，修改： ； (b) (能正常放大、不能正常放大)，修改： ；

二． 分析计算题:（共46分）

1．(18分) 图示电路中场效应管的转移特性可表达为：()2

off GS GS DSS D 1?

??? ?

?-

=U U I I ，其中DSS I ＝4mA ，GS(off)U ＝－4V ，电容对交流信号可视为短路。

（1）要求静态电流DQ I ＝1mA ，求S1R 的值；（4分） （2）画出微变等效电路图；（5分）

（3）求电压放大倍数u

A 和输出电阻o R ；（6分） （4）为保证管子在恒流区工作，S2R 最大值是多少？（3分）

R L Ω

2.(12分) 图示放大电路中，已知A 1、A 2为理想运算放大器。 （1）写出电压放大倍数I

O

u u A u =

的表达式；（8分） （2）若要求电压放大倍数10-=u A ，则2R 应选多大？ （4分）

O

u I

3. (16分)恒流源式的差分放大电路如图所示。试就下列问题选择正确答案填空（答案：A ．增大， B ．减小，C ．不变或基本不变）。设VT 3构成理想电流源。

1．当电源电压由±12V 变为±6V 时，静态电流I C1、I C2 ，静态电压U CE1、U CE2 ，U CE3 ，差模电压放大倍数d

u A

；

2．当电阻R e 减小时，静态电流I C1、I C2 ，静态电压U CE1、U CE2 ，差模电压放大倍数d u A

，

差模输入电阻R id .

模拟电子技术期中考试题及答案

2013－2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术 教师签字 一、选择及填空题:（共52分，每空2分） 1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。 由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A．发射极，B．基极，C．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A．PNP型，B．NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A．40 ， B．100，C．400）。 2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0 =），= 1 O U 1.3V ，= 2 O U 0v 。 3.已知下面图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。影响f L大小的因素是 C ，影响f H大小 的因素是 A 。（A．晶体管极间电容，B．晶体管的非线性特性，C．耦合电容） H L O C R b R c +V CC u i ( a )( b ) . A u 20lg u o 题号一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3 （16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名

R b +V CC C 2 R L C 1 u i u o 12 23 6u C E V 60μA 40μA 50μA 30μA 514 4 8 =10μA I B 20μA 2 6 10 VT R c Q i C mA 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9） 倍。当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 C （A. 45? B. -90? C. －135?）。 4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k 负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 。 5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 （1）．电压放大倍数u A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 （2）．电压放大倍数u A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 （3）．电压放大倍数u A ≈1，输入电阻i R >100k Ω的电路是 B 。 C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( a )C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( b )C 2 C 1 R b1 R b2 L R e R c ( c ) +12V +12V +12V C 3 u i u i u i u o u o u o 6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q 点也标在图上（设U BEQ ＝0.7V ）。 （1）电源电压V CC= 12 V ，c R = 2 Ωk ，b R = 377 Ωk ；最大不失真输出电压幅值=om U 4.5 V ；； 为获得更大的不失真输出电压，b R 应 减小（增大、减小） （2）若Ω=K R 6L ，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

2015计算机技能高考模拟试卷5

《2015计算机技能高考模拟试卷5》 一、单项选择题，每题2分，25题共50分 【第1题】 在下列HTML语句中，可以正确指向百度搜索引擎的超是 A、百度 B、百度 C、.baidu. D、百度 本题答案：B . 【第2题】 某兴趣小组想制作一个反映当代人类探索宇宙的多媒体作品，规划了四个专题，通过网络、图书馆、教材、光盘等途径获取了素材，接下来他们将进入多媒体作品制作的 A、选题立意阶段 B、设计规划阶段 C、开发制作阶段 D、评估测试阶段 本题答案：C . 【第3题】 用流程图描述算法时，表示“开始”的图形符号是 A、 B C D、 本题答案：B . 【第4题】 浏览网页时，可以从一个网页跳到另一个网页，也可以从一个跳到另一个，制作时实现网页之间跳转的技巧是 A、网页动态效果 B、超级 C、动画 D、网页布局 本题答案：B .

【第5题】 下图是一Excel工作表，若用柱形图反映每天销售利润的情况，应选择的区域是 A、A2:A11，H2:H11 B、A2:A11，F2:F11 C、A2:A9，H2:H9 D、B2:B9，F2:F9 本题答案：C . 【第6题】 君同学录制了一段wav格式的音乐文件，为了使文件变小，并能正常播放，最好的办法是使用音频编辑软件 A、给音乐加上淡入淡出的效果 B、将文件转换成mp3格式 C、剪掉其中的一部分 D、将音乐的音量变小 本题答案：B . 【第7题】 某同学搜索资料时进入一家英文，可是他不能完全看懂的英文容。下列选项中，能帮助他看懂网页容的软件是 A、Word B、英汉字典 C、好记星 D、金山快译 本题答案：D . 【第8题】 下列选项中不是文字处理软件的是 A、Word B、WPS C、记事本 D、暴风影音 本题答案：D .

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

春季高考信息技术模拟试题

春季高考模拟考试 信息技术试题 本试卷分卷一（选择题）和卷二（非选择题）两部分。满分200分，考试时间120分钟。考试结束后，请将本试卷和答题卡一并交回。 卷Ⅰ（选择题，共100分） 注意事项： 1．答第Ⅰ卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号、考试科目用铅笔涂写在答题卡上。 2．每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案。 一、选择题（本大题50个小题，每小题2分，共100分。在每小题列出的四个选项中，只有一项符合题目要求，请将符合题目要求的选项字母代号选出，并填涂在答题卡上） 1．在计算机网络中，共享的资源主要是指硬件、数据与（） A.外设 B.主机 C.通信信道 D.软件 2．（）是指为网络数据交换而制定的规则、约定与标准 A. 网络协议 B.体系结构 C.层次 D.接口 3．适用于对带宽要求高和对服务质量要求高的应用，所采用的数据交换技术是（） A.电路交换 B.报文交换 C.分组交换 D.信元交换 4．（）内部采用电气互连的结构，可以看做是多端口中继器 A.网卡 B.集线器 C.交换机 D.路由器 5．下列关于结构化布线系统优点的叙述中，正确的说法是 A.结构清晰，便于管理和维护 B. 灵活性强，适应各种不同的需求 C. 材料统一先进，适应今后的发展需要 D.以上都是 6．传统以太网中，使用光纤作为传输介质的以太网标准是（） A.10Base-5 B.10Base-2 C.10Base-F D.10Base-T 7．一台交换机的（）反映了它能连接的最大结点数 A.接口数量 B.网卡的数量 C.支持的物理地址数量 D.机架插槽数 8．HTTP是一种（） A.高级程序设计语言 B.超文本传输协议 C.域名 D.文件传输协议 9．一个节点损坏不可能导致全网瘫痪的是（） A．星型网络B．总线网络C．环形网络D．树状网络 只供学习与交流

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变

模拟电子技术期中试卷a2

2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题（每空1分，共20分） 1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 二、选择题（每小题2分，共20分） 11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄 C．变宽D．不定 12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度 ① ② ③ 第 1 页，共 4 页

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

2019年最新高考通用技术模拟试题含答案

2019年高考模拟试卷(技术) 第一部分 信息技术（共50分） 一、选择题（本大题共12小题，每小题2分，共24分。在每小题给出的四个选项中，只有一个符合 题目要求） 1. 下列有关二维码的说法中，不正确的是（ ） A.扫描、识别二维码的过程属于信息的采集 B.设计、制作二维码的过程属于信息的编码 C.二维码本身是一种信息 D.二维码方便了我们的生活，但不可以随意扫描遇见的二维码 2. 学校通过邮箱 wzzx@16 https://www.wendangku.net/doc/8616649081.html, 给某学生家长的邮箱 4272242@https://www.wendangku.net/doc/8616649081.html, 发送了一封电子邮件，在家长末收取该邮件时，则该电子邮件将 A ．退回到发件人的邮箱 B ．保存在 https://www.wendangku.net/doc/8616649081.html, 邮件服务器上 C ．保存在家长电脑或移动终端上 D ．不断自动重发，直至家长收取该邮件 3. 使用Word 软件编辑某文档，部分界面如图所示, 下列说法正确的是（ ） A.批注的对象是“景物描写” B.删除批注，文字“落叶”同时被删除 C.修订前，第三行后半句文字是“脉络中，是否还藏有爱的颜色？” D.接受所有修订后，第三行后半句文字是“脉络中是否还藏有爱的颜色？” 4.使用Access 下列说法正确的是（ ） A.“ISBN ”字段的值必须唯一，“编号”字段的值可以不唯一 B.在数据表视图中可将“征订册数”的字段类型改为“文本” C.若该表为空表，则可将“征订序号”字段的类型改为“自动编号” D.添加记录时，可在“定价”字段值输入：23.5元 5. 某算法的部分流程图如图所示，执行这部分流程后，变量a 的值是 A. 4 B.2 C. 1 D.46 6. 为制作参加“纪念一二·九运动”合唱大赛的音乐，小Z 同学用GoldWave 软件制作一段音频，部分 界面如下，下面说法正确的是（ ） A.若在当前状态下执行“删除”，按原参数保存，所得音频文件大小为原来的2/3 B.该音频每秒钟采样44100个采样点，每个采样点需要1411位二进制进行存储 C.该音频文件加了淡出效果 D.若在当前状态下插入10秒静音，按原参数保存，文件大小约为6.7MB 第3题图 第4题图

电力电子技术模拟卷答案

华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性

负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件

中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

信息技术高考模拟卷(一)

信息技术高考模拟卷(一)

信息技术高考模拟卷(一) 本试题卷分第Ⅰ卷和第Ⅱ卷两部分。满分100分，考试时间90分钟。 第1卷必考模块(共55分) 注意事项： 1．答第Ⅰ卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸上。 2．选择题每小题选出答案后，用2B船笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。综合题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上，不能答在试题卷上。 一、选择题(本大题17小题，每小题2分，共34分。在每小题给出的四个选项中，只有一个是符合题目要求的。) 1.诸葛亮使用“空城计”的故事告诉我们（） A．信息具有共享性 B．信息具有真伪性

C．信息具有时效性 D．信息经过人的分析、提炼后具有更高的使用 价值 2.下列数据中最小的是（） A .1001 B B .110B C .1101 D D. 10EH 3.小明在网上下载了一张黑白图片ying.bmp， 其文件大小是58.6k，这张图片的分辨率应是（） A.640×480 B. 800×800 C. 800×600 D .1024×768 4.在评价因特网上的信息资源时，不属于CARS 列表法范畴的指标是 ( ) A.可信度 B.准确度 C.实用性 D. 合理性 5.与国际象棋大师卡斯帕罗夫对弈的计算机“深蓝”主要采用的技术是 ( ) A.网络技术 B.人工智能技术 C.语音技 术 D.多媒体技术 6.李强在英国牛津大学留学．他用数码相机拍了 一些学校的风景照，想通过网络将这些照片 传给国内的好友。下列方法中不能成功传送照片

西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时，半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大，u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小，I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时，由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。 (12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 （图2） _ _ －2V －8V －2.2V ① ② ③ 图1

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；