模电复习大纲介绍
复习大纲
题型分布：
填空题 20分（20空）
分析判断题20分（4电路）
图解分析题共20 分（2题）
计算题共40 分（4题）
闭卷考试
每章要求
第1章绪论
本章从模拟信号和数字信号的区分、放大电路的四种等效电路形式以及相应的增益表达方式、放大电路各性能指标的计算、测量方法、电路的线性失真等方面加以阐述，其内容和学习分析思路贯穿于课程的全部，内容虽然不是重点，但有关电路的分析方法和思路则是课程的重点。
第2章运算放大器
基本运算电路及其分析方法是本课程的重点。通过学习要求能够熟练掌握理想运放的虚短、虚地、虚断概念及其分析方法，积分、微分电路的工作原理；正确理解实际运放电路的分析、运算电路的工作原理、输入输出关系。
本章重点是掌握比例、加减（差分）运算电路的工作原理和运算关系。利用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出电压和输入电压运算关系的方法。
第3章二极管及其基本电路
半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管的工作原理是学习的难点。要求同学掌握有关载流子的浓度、扩散、漂移、PN结的形成的基本概念；熟练掌握二极管及稳压管的特性、参数，二极管基本电路及分析方法；正确理解PN结单向导电性能、PN结方程、PN结电容；一般了解选管原则，二极管在模拟电路中的主要应用。
本章的重点是从使用的角度出发掌握半导体二极管的外部持性和主要参数。
第4章双极结型三极管及放大电路基础
本章是课程的重点，对于初学者也是难点所在。本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章节的基础。
通过建立有关放大、动态和静态、等效电路等概念；分析、判断放大电路能否放大以及
放大电路基本特性，各种基本放大电路的失真分析；对影响放大电路频率响应的因素和研究频率响应的必要性的学习，要求同学熟练掌握BJT晶体管的输入输出特性、电流分配关系、晶体管微变等效电路、放大电路静态工作点Q的估算、微变等效电路法在动态分析中的应用；正确理解放大的基本原理、、温度对管子参数的影响、静态工作点的稳定，输出动态范围、三种基本放大电路的特点；一般了解共射放大电路的频率特性、非线性失真。而这些恰是初学者的难点，上述问题也是学好本课程的关键。
本章的重点是放大的概念、放大电路的主要指标参数、基本放大电路和放大电路的分析方法。主要是共射放大电路的组成、工作原理、静态和动态分析（共集、共基电路暂时不作要求）。
第5章场效应管放大电路
通过对有关场效应管（FET）晶体管的学习，熟悉MOS型场效应管的特点、工作原理、转移特性、小信号模型以及由场效应管组成的放大电路的分析计算；能正确认识与双极型晶体管（BJT）电路区别；一般了解MOS 型场效应管的结构特点和衬底连接方法。
第6章模拟集成电路
熟练掌握典型差动放大电路的工作原理，零漂抑制原理，差模、共模、零漂概念，主要技术指标的分析计算，集成运放的主要参数的含义；能够正确理解集成运放的特点及组成，恒流源作有源负载和偏置电路；一般了解常用运放的工作原理。
本章的重点是差动放大电路的工作原理和通用型集成运放的四个组成部分及其作用、基本电流源电路的组成和工作原理、集成运放的主要性能指标及其物理意义、根据需求合理选用集成运放。
第7章反馈放大电路
熟练掌握反馈的概念、类型、反馈极性的判别以及深负反馈下负反馈电路的估算；正确理解正、负反馈的特点，不同反馈类型对放大电路性能的影响、能根据要求引入适当的反馈。了解自激的原因及条件和消除自激的措施。
对于负反馈放大电路的认识和判断是本章的学习重点，也是初学者学习中遇到的难点。
第8章功率放大电路
熟练掌握功率放大电路的特点，尤其是OTL和OCL功率放大电路的工作原理、输出功率和转换效率的计算；一般了解集成功放内部组成，功率管的散热方法。
本章的重点是讲述功率放大电路的组成原则，各种功效的电路特点和优缺点。
第9章信号处理与信号产生电路
讲述有关滤波电路的分析方法、主要性能、传递函数和通带截止频率。通过对振荡的组成的分析，掌握有关自激振荡的条件，熟练掌握RC型文氏电桥式振荡器、LC型振荡器、工作原理、相位关系和频率的计算。了解振荡频率的计算和石英晶体振荡器。
本章的重点是正弦波振荡的条件、正弦波振荡电路的组成及电路产生正弦波振荡的判断
方法；单限、滞回比较器的特点、工作原理、传输特性及用途。
第10章直流稳压电源
要求熟练掌握直流稳压电源的组成及各部分的作用。有关整流电路、电容滤波电路、稳压管稳压电路的分析和有关电路参数的估算。熟悉串联型稳压电路工作原理、参数选择、电压调节范围和三端集成稳压块的应用。
本章的重点是，着重是串联型稳压电路的分析和输出电压调节范围的计算。难点是各种稳压电路的稳压原理。
复习题库
第二章：
1、设运放均具有理想的特性，Ω
=K R 21，2100R k =Ω。写出输出电压o v 与输入电压1I v 、
2I v 的关系式。
o
v R R R R v
))(1()1(121
2
020
2120112
1
01i i i i i v v R R v R v v R v v v R R v -+
=-=-+
=
2、信号运算电路如下图所示，Ω=+K R R 1221,写出v O 与v I 1、v I 2的运算关系式。
)(120
122
02
1111
212
0122
22i i f n n n i n i f f p n R p v v R v R v v R v v v v R
R R v v v R R R v v -=
-=-=+=
=+==
1I v o
2
I v
3、由运算放大器A 1和A 2组成的运算电路如下图所示，求输出信号v o1和v o 的值，并说明实现了怎样的运算。
2
3
211421011
1
01i F i F F i F v R R v R R R R v v R R v -=-
=
4、由运算放大器A 1和A
2组成的运算电路如下图所示，若电路中R 1= R 2= R 3= R 4=R 时求输出信号v o 的表达式
)
(2)(2)(2)
(21012
121024
2
43i i c i c
i c i i c v v v v v R v v R R v v v R v R R v -=-=-+=-=+=
第三章：
1、已知1210sin ,3, 4.5i Z Z u tV U V U
V ω===（稳压值），正向压降均为0.7 V ， 试画出U o 波形。
o t
7.5 1.4
2、已知10sin i u tV ω=，E 1=4V ，E 2=2V ，D 为理想二极管，试画出v o 的波形。
3、试分析下面电路中的理想二极管是导通还是截止? 并求出A 、B 两端的电压U AB
A B
AB
021=U D D 断通
4、一限幅电路如图所示，设二极管均为理想二极管，输入信号i v 为0－6V 的电压信号，画出该电路的传输特性曲线（即输出电压o v 与输入信号i v 的关系曲线）。要求分析随输入电压的变化，二极管的工作状态。
10
t
+
-
o
v
2
R
4V
6
-6
4
2
/
i
v V
第四章：
一、图解分析题
1．单管放大电路与晶体管的输出特性曲线如图所示。已知集电极直流电源VCC = 12 V，设V BEQ=0.7V.
（1）画出该电路的直流通路与交流通路；
(2) 用图解法求解晶体管的静态工作点Q（需指出Q的坐标值）；
(3) 当加入
i
v后，使基极电流按40sin()
b
i t A
ωμ
=变化时，画出输出信号
o
v的波形。
（4）加大
i
v幅度，会出现什么失真？解释原因并给出解决方法。
（5）该电路输出信号的动态范围V OP-P=？
o
CC
V
()
ce
V V
m A
I
V
V
A
K
I
CQ
CEQ
BQ
75
.1
8.6
40
280
7.0
12
=
=
≈
Ω
-
=
μ
交流负载线斜率
5.1
1
//
1
-
=
-
=
L
C
R
R
首先会出现截止失真，静态工作点偏低，减少R B,或增大V CC V OP-P =2(9-6.8)=4.4V
二、微变等效电路法
1. 电路如图所示。其中，162b R k =Ω，215b R k =Ω，3c R k =Ω，1100e R =Ω，Ω=k R e 32 负载电阻3L R k =Ω、24CC V V =+，设T 为硅管，其50β==、Ω=200'bb r ，电容对交流输入信号短路。试计算：
（1）试估算静态时的BQ I 、CQ I 和CEQ V 的值；） （2）画出该电路的微变等效电路；
（3）求电路的电压放大倍数v A 、输入电阻R i 和输出电阻o R 。
o
v +
CC
解：（1）2
12
4.7b BQ CC
b b R V V V R R =≈+ 1.33B Q B E Q
C Q E Q
e
V V
I I
mA R -≈==
26.6CQ
BQ I I A μβ
=
=
4E BQ BEQ V V V V =-=
16CEQ CC CQ c E V V I R V V =- -=
（2）微变等效电路如下图所示，其中，21//b b b R R R =
b I β
b I r be R L R C
C
e be b i e be L
C e be b L C b i V EQ
T bb be R R R r R R R r R R R r i R R i V V A I V r r =++=++-=++-==
++=0])1(//[)1(//])1([//)1(11
10'ββββββ
2. 在下图的所示的电路中，已知R b =260kΩ，R e = R L =5.1kΩ，R s =500Ω，V EE =12V , β=50，Ω=200'bb r ，试求：
（该题不作要求） （1） 求电路的静态工作点（I BQ 、 I CQ 、V CEQ 的值） （2） 画出交流微变等效电路；
（3） 计算电压增益Av ,输入阻抗R i 及输出阻抗R o 。
解：（1）
(
)EE E e EB B b V I R V I R =++-
21.7BQ e b I A μ=-
50(21.7) 1.09CQ BQ I I A mA βμ==?-=-
0()12(150)(21.7) 5.1 6.4CEQ EE EQ e V V I R V A K V μ=--=--+?-?=-
（2）
R L
R v s R R
r be
v S
i V
+ -
o V
b I β
b I
（3）''26(1)
200 1.4|21.7|
T T be bb bb E B V V mV r r r K I I A βμ=++=+=Ω+=Ω- (1)(//)(1)(//)(150)(5.1//5.1)
0.99(1)(//)(1)(//) 1.4(150)(5.1//5.1)
o b e L e L v i b be b e L be e L V I R R R R K K A V I r I R R r R R K K K ββββ+++=
====++++++//[(1)(//)]260//[1.4(150)(5.1//5.1)]87.3i b be e L R R r R R K K K K K β=++=++=Ω
// 1.4260//0.5//
5.1//371150
be b s o e r R R K K K
R R K β++≈=Ω=Ω++
第六章：
1、电路如图所示，Ω==12021e e R R ，BJT 的100β=，0.6BE V V =,'200bb r =Ω，电流源动态输出电阻Ω=k r 1200。求： （1）Q 点（111,,B E CE I I V ）；
（2）当10.01i v V =，20.01i v V =-时，求输出电压12o o o v v v =-的值；
10V
-
m A
I I I m A
I I I E B B E E 01.012
12
10
21======β
V V Rc I V V V E CC CE CE 5)6.0(1121=---==
V
A V R r R A K I mv
r r vd e be c vd E bb be 76.002.038
)1(8.226)1(01
1
1
'=?==≈++=
Ω=++=βββ
2、 电路如图所示，图中输入信号I v 为两个输入信号之差值。设1T 、2T 、3T 管的50β=，
Ω=200/bb r ，0.7BE V =，稳压管Z D 的稳定电压V V Z 5=,试计算：
（1）静态工作点的值（1E I 和1C V ）； （2）差模电压放大倍数。
12058
.22
.650583
.1583.126)1(2.62.694.01294.02
87.187.110
3.27
.051
11213
33'=?=
+=
+=
Ω=++==?-=-=====?-=-=
=B C
be
b C
vd C bb be C C CC C C C e BE Z E C R R r R R A K I m V
r r V R I V V m A I I m A R V V I I βββ
3. 电路如图所示，已知1T 、2T 均为硅管，120.7BE BE V V V ==，1260ββ==，'50bb r =Ω。试计算：
（1）静态工作点的值11,CQ CEQ I V （基极电阻两端的压降可以忽略不计）； （2）差模电压放大倍数。
v V o
第七章：
1、指出以下电路中的交流反馈支路，并说明其所引入的反馈类型（正、负、电压、电流、串联、并联反馈）。
R 1 ， R 2 ； 电压串联负反馈 R 2 ； 电压串联负反馈
i
u o
2
R 8 ； 电流并联负反馈
R f ， R e2 ； 电流并联负反馈
R
f ； 电压并联正反馈
R 7 ； 电压串联负反馈
2．电路如下图所示，试在深度负反馈的条件下，近似计算电路的闭环电压增益
电压串联负反馈 深反馈条件下
4
5000
5
44
1R R v v v v A v R R R v v v f i vf f f
i +=≈=
+=
=
电压串联负反馈 电压串联负反馈 深反馈条件 深反馈条件下
2
000
22
1b f f i vf f b b f f
i R R v v
v v A v R R R v v v +
=≈=+=
= 1
3000
3
11
1R R v v v v A v R R R v v v f i vf f f
i +=≈=
+=
=
3、深度负反馈放大电路如图所示。已知V CC =12V ，120R k =Ω,220R k =Ω,3360R =Ω，
43R k =Ω,52R k =Ω。
（1）指出电路中的级间交流反馈通路及其类型； （2）计算反馈系数；
（3）估算闭环电压放大倍数o
vf i
U A U =
和输出电阻of R 。 v s R o cc EE
1
of
电压串联负反馈
=+=
=
1
33
R R R V V F O
f 0.018
=+
=3
1
1R R A vf 56 Ω=+≈K R R R R of 5.2)//(314
第八、十章： 1、稳压电源电路中的基准电压往往由 提供，该器件通常工作在 状态。 2、串联可调的稳压电源电路中通常通过调整 来改变输出电压的。 3、改变串联可调的稳压电源电路中的取样电阻对输出电压是否有影响？ 。 4、乙类放大电路放大管的导通角θ等于 、甲类放大电路放大管的导通角θ等于 5、.直流稳压电源主要由变压器、 、 和 电路组成。
6、乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率，在理想的情况下可达到比较高的值，但这种电路会产生 失真现象。为了消除这种失真，应当给功放管施加静态偏置，使其工作于 状态。
7、硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。
8、 串联型稳压电路主要由 、 、 和 组成。 9、在甲类、甲乙类和乙类三种类型功放中，电源效率最高的是 类型电路，但该电路存在的缺陷是有 现象，但可以采用 方式来加以改善。 10、功率放大电路中与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是 。 11、串联可调的稳压电源电路中通常通过调整 来改变输出电压的。
第九章：
1、在下图所示的电路中：
（1）为了使电路能够产生正弦波振荡，集成运放A 两个输入端的正负极应如何安排？将“＋”、“一”号标在图上。若能够振荡，R f 和R /的值应该满足怎样的关系，电路才能起振；
（2）如果电路连接正确以后仍不能振荡，分析可能是何原因，应该调整哪个元件，增大还是减小？
（3）如果电路能够振荡，但输出波形有严重的非线性失真，分析可能是何原因，应该调哪个元件，增大还是减小？
（1）集成运放A 两个输入端的极性如下图所示，以满足相位条件 RC 选频网络在谐振点上，增益的幅度也即电路反馈系数的幅度13
F ?
=
， 为了使电路能够起振，应满足1A F ??
?>，
所以3A ?>，而1
1f R A R ?
=+
于是，得到 1
13f R R +
>
因此12f R R >
（2）当电路连接正确以后仍不能振荡，其原因应该是幅度条件没有得到满足，可调整电阻 R f 并使其增大
（3）电路能够振荡，说明相位条件和幅度条件均满足要求，但输出波形出现严重的非线性失真，是由于其输出信号的幅度过大使运放工作在饱和区，可适当减小R f 的值，选用具有负温度系数的热敏电阻。
2、电路如下图所示，试判断其是否能够产生正弦波振荡，并说明理由。
C
本电路不可能产生振荡。 电路中反馈信号接到同相输入端，0A ?=；四节RC 相移电路中有三节RC 相移电路是超前移相网络，一节RC 相移电路是滞后移相网络，所以最大相移为1800，电路不可能产生振荡。
3、试画出下图所示电路的交流通路，并判断该电路是否能够产生自激振荡。图中，B C 为交流旁路电容，偏置电阻1B R 、2B R 不计。 1、射同余异，相位平衡
2、发射结正偏，集电结反偏，放大器在放大区
B
C CC
V +
4、如图所示电路，只画出了交流通路，试从相位平衡的角度，判断其是否能够产生自激振荡，并说明理由。
电路不能产生自激振荡
T 是共基极放大器，φA =0，而变压器耦合的反馈网络φF =π，这样φA +φF =π≠2n π，不满足振荡电路的相位条件，所以该电路不能自激振荡。
5．试分析下图所示电路能否产生自激振荡？简述理由。
电路不能产生自激振荡
T是共射极放大器，φA=π，而变压器耦合的反馈网络φF=0，这样φA+φF=π≠2nπ，不满足振荡电路的相位条件，所以该电路不能自激振荡。
模电实验总结报告
模电实验总结报告 Prepared on 22 November 2020
模电实验总结报告 在本学期的模电实验中一共学习并实践了六个实验项目，分别是：①器件特性仿真；②共射电路仿真；③常用仪器与元件；④三极管共射级放大电路；⑤基本运算电路；⑥音频功率放大电路。 实验中，我学到了PISPICE等仿真软件的使用与应用，示波器、信号发生器、毫伏表等仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学过的理论知识付诸实践的时候，对理论本身会有更具体的了解，各种实验方法也为日后更复杂的实验打下了良好的基础。 几次的实验让我发现，预习实验担当了不可或缺的作用，一旦对整个实验有了概括的了解，对理论也有了掌握，那实验做起来就会轻车熟路，而如果没有做好预习工作，对该次实验的内容没有进行详细的了解，就会在那里问东问西不知所措，以致效率较低，完成的时间较晚。由于我个人对模电理论的不甚了解，所以在实验原理方面理解起来可能会比较吃力，但半学期下来发现理论知识并没有占过多的比例，而主要是实验方法与解决问题的方法。比如实验前先要检查仪器和各元件（尤其如二极管等已损坏元件）是否损坏；各仪器的地线要注意接好；若稳压源的电流示数过大，证明电路存在问题，要及时切断电路以免元件的损坏，再调试电路；使用示波器前先检查仪器是否故障，一台有问题的示波器会给实验带来很多麻烦。 做音频放大实验时，焊接电路板是我新接触的一个实验项目，虽然第一次焊的不是很好，也出现了虚焊的情况，但技术都是在实践中成熟，相信下次会做的更好些。而这种与实际相结合的电路，在最后试听的环节中，也给我一种成就感，想来我们的实验并非只为证实理论，也可以在实际应用上小试身手。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模电复习资料
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 自动化一班121111129 模电实验心得体会 在本学期的模电实验中学习并实践了几个实验项目，如常用电子仪器的使用；晶体管共射极单管放大器；射极跟随器集成运算放大器的基本应用；负反馈放大电路；差分放大电路；电压比较器等试验。 实验中，学习了示波器、信号发生器、毫伏表、万用表、稳压电源仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学过的理论知识付诸实践的时候，对理论本身会有更具体的了解，各种实验方法也为日后更复杂的实验打下了良好的基础。 由于我个人对模电理论的不甚了解，所以在实验原理方面理解起来可能会比较吃力，但半学期下来发现理论知识并没有占过多的比例，而主要是实验方法与解决问题的方法。经过很多次的实验我发现自己可以很快的接受上课所学的内容。在我们第一次上实验对实验器材都不是很了解，但是我们花费两节课才对实验器材有了深刻的理解！而我们的预习实验担当了不可或缺的作用，一旦对整个实验有了概括的了解，对理论也有了掌握，那实验做起来就会很快很顺手，而如果没有做好预习工作，对该次实验的内容没有进行详细的了解，就会在那里问东问西不知所措，以致效率较低，完成的时间较晚。再就是在实验中要养成好习惯，比如说：检查仪器和各元件（尤其如二极管等已损坏元件）是否损坏；各仪器的地线要注意接好；若稳压源的电流示数过大，证明电路存在问题，要及时切断电路以免元件的损坏，再调试电路；使用示波器前先检查仪器是否故障，一台有问题的示波器会给实验带来很多麻烦。就我个人而言，感觉对模拟电路的理论知识了解的还可以，因此在做实验时完全感觉是在对课堂上理论知识的复习，也是对理论知识的检验，俗话说：时间是检验真知的唯一标准。此次实验对我而言也试验正他的正确性！ 通过这学期的模电试验课程，让我学习到了很多之前不知道的只是，在理论课程学习的基础上，通过试验的方式更加直观的体现了理论依据。模电这门课程不仅仅让我学到了专业课程的知识，更让我理解了很多的学习方法，这些学习方法不仅在模电这门课程上能够得到很好的使用，在今后我的其他课程的学习中，更能教会我怎么从开始的一无所有到最后详细的去了解一门课程。并且，模电实验这门课程充分的磨练了我的性格，因为我一直是个性格比较急躁的人，没有什么耐心，但是模电实验却是一个需要静下心来仔细去完成的东西，所以在每次的实验做不出自己想要的结果的时候，虽然有时很急躁，但是还是鼓起勇气一次次的做下去，对我以后的人生也会有很大的帮助。 总之，通过本学期模电实验课程的学习，让我体会到了模电这门课程的难度，单同时更让我体会到了其中的乐趣，磨练了自己的性格，同时更让我得到了一些不仅仅局限于课本的知识。可以说真的让我做到受益匪浅。最后，感谢老师半学期来对学生的教诲和指导！ 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 模 拟 电 路 实 验 心13级电信二班得杨晓奇 体20130922222 会 时间过得很快，转眼间一学期过去了，模拟电路实验这门课也接近了尾声。在这学期学习过程中，有欢笑，有汗水，有同学们的努力学习，更有王老师对我们的谆谆教诲，一次次的实验课上有批评，有表扬，却让我们学到了很多知识。那么就将本学期实验课体会总结如下：模拟电路实验这门课，主要是通过学习理论知识，然后在实际中动手操作各种电路实验，再通过结合理论知识，实验操作来验证，加深对所有内容的理解。所以，理论与实践相结合才能达到更好的效果。总而言之，实验的重点在于培养学生掌握电工仪表的使用,训练基本接线技能,正确使用电子仪器,学会调试电子线路,并培养学生的动手能力。 在这学期的模拟电子技术实验学习过程中我学到了很多东西，比如：动手能力、逻辑思维以及设计思想都得到了很大的提高。为了让我们对模拟电路实验的基本原理和实验方法能够熟练掌握和理解，我们这学期开设了模拟电路实验，实验内容主要是分为获得元器件原始数据，测试，验证，调试，总结经验公式，完成实验报告等。实验设备主要用到的有：双踪示波器，信号发生器，，数字万用表，实验电源，交流毫伏表，模拟电子技术试验箱等。进行介绍，包括它们的特点，分类以及作用，然后让我们将各个电子元件进行实际的实验与验证。在做完实验后，通过总结实验过程中所出现的问题，以及实际测得的结果与理论估算值比较，讨论分析做出相应的解决方案，整理实验数据，并完成实验报告。 刚开始做实验的时候，示波器不怎么会调，犯了很多错，还好王 老师很耐心的教导，后面掌握的还不错。而在实验中有时我们虽然熟练掌握了操作实验的方法，弄明白了一些理论上不是很容易理解的问题。但是在操作中也会遇到意想不到的问题，可以说这是很锻炼人的，每次在解决了问题后都会有很多收获，同时也明白团队的意义，只有和组员同心协力，才能最快的完成实验。在实验前，老师总会很耐心的告诉我们一些要注意的问题。比如，在连接电路前，要将电源断开，先测什么后测什么，实验中要注意些什么等等；待我们连接好电路，王老师都会先检查，给我们详细讲解后，再让我们测量。最后感谢王老师这一学期对我们的指导和教育，让我们学到了很多专业及其他的知识。我们以后将会把那些运用到生活学习中。 ;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲 （各章重点及公式汇编） 第三章 1. 半导体 | 2．PN 结正偏时： 反 偏时 ： 削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄，导通； PN 结变宽，截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系 条件 关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ； U ＞1V V =- (Si) (Ge) U ＞-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I ＞＞I 半导体 N 型 > P 型 掺杂 5价 施主杂质 3价 受主杂质 多子 电子 ~ 空穴 少子 空穴 电子 中小值 和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ；穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器 （2）最大不失真V om （振幅）计算 （1）图解方法： U 为饱和压降 ： （3）NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U （t ）截止失真波形 、 U （t ）饱和失真波形 （4）直流通路和交流通路要求能熟练掌握 （5）三极管小信号等效电路 — （6）放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ￥ 电 路 静态工作点Q 的计算 动 模电实验心得体会 模电实验心得体会 模电实验心得体会1 在这个学期中，我们一共完成了从常用电子仪器的适用到串联稳压电源等九个实验课题。具体的实验情况在实验报告中已经很清楚的反映了。在此，我想谈谈我的心得体会。 首先，我们在试验中面临着很多问题。实验仪器就是其中之一。实验室中的很多仪器（示波器、交流毫伏表等）确实是由于年代久远而不能正常工作。但我发现，很多同学在实验现象没出来的情况下就借口说是实验仪器的问题。其实不然。很多情况下，仪器没有调试好导致现象不明显或者与理论相差甚远。在做共射共集放到电路实验中，有与我粗心，没有加旁路电容，从而导致放大倍数很小。后经过几次检查，方恍然大悟。那次试验后，我做实验变得更加的耐心。在连接电路前，都会认真分析一下实验原理。然后根据实验指导书上的步骤一步一步的来做。果然，出现错误的几率小了很多。 其次，做实验要养成好的习惯。很多同学在做实验的时候态度很随便。没有注意诸如：连线之前检查导线是否导通、用三用表测电阻时不质疑短接调零、链接电路是带电操作等等。也许，在很多人看来这些都是小问题。但真正每一次都做到一丝不苟，养成良好的习惯的同学并不多。 最后，我想说的是实验的目的。刚开始，我认为实验是一项任 务。只要完成了就行。无非就是照着课本连连线、得出个已经计算好的结果就行了。但自从自己做功放后我改变了这种看法。在做功放的时候，虽然原理图都是被人提前设计好的。但是在做得时候总是会需要自己去调试、布线。有时候看似链接的很完美的电路。 可能会因为某个地方的虚焊而不能工作。这种情况非常锻炼你能力。在找错误的地方的时候你自然而然的明白了电路的原理。功放主要包括电源和放大两个部分。基本上我们所学的一些基础内容都包含在内。而且当完成一个自己独立完成的功放后，会有一种成就感。实验跟课本的理论相结合，在课本中学习，在实验中检验。在试验中发现，用课本知识去分析。兴趣就在这一个个的试验中激发了。 当然，我明白：大学的最终目的不是让我们去做一些诸如功放、摇摇棒之类的东西，而是锻炼我们去探索、去发现、去学习的能力。以可能做的某项东西很简单或者没有做成功。但那并不是失败，因为你已经学习到了许多。耐心并且细心的去做每一步，坚持严谨的态度做到最后。每一个人都是成功者。 模电实验心得体会2 在本学期的模电实验中一共学习并实践了六个实验项目，分别是：①器件特性仿真；②共射电路仿真；③常用仪器与元件；④三极管共射级放大电路；⑤基本运算电路；⑥音频功率放大电路。 实验中，我学到了PISPICE等仿真软件的使用与应用，示波器、信号发生器、毫伏表等仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学 模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;. 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;. 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D； 做电子实验的心得体会 实验是学习和研究电子技术学科的重要手段，既是对理论的验证、实施，同时还是对理论的进一步研究与探索。整理了电子实验心得体会，欢迎大家阅读。 做电子实验的心得体会首先非常感谢学校为我们提供了比赛锻炼的机会和优越的实验条件，感谢一直以来辛勤培养我们的老师——是你们教授了我们扎实的理论知识和丰富的实践经验，再次感谢我的战友陈伟群、梁爽——是你们的鼓励和坚持铸就了我们的成功，最后我想感谢我的爸爸妈妈——是你们对我一直以来的期望和严格的要求，才使我没有放弃自己，努力进取! 自从大二听说了全国电子设计大赛那时，一颗小小的种子就已默默埋入了我的心底，我大一成绩不好，还挂过科，对人生没有规划。大一结束时家里给我了很深刻的教育，我意识到不能再这样堕落下去了，背负着家人的期望与对电子大赛的向往，我开始了艰辛的准备。大二的课程虽不像大一那么枯燥，但模电数电c语言等专业基础课也是有一定难度的，我硬着头皮，顶着压力，看不懂就一遍一遍看，题目不会做就请教老师同学，上网下载课程视频，去论坛求助，2点前几乎没有睡过觉，在这同时，我还在准备着大一的补考，可以说大二这段时间是相当辛苦的，但是冬去春来，辛苦是最终有了回报，我通过了大一的全部科目，并且熟练掌握了 模电数电c语言。而且最重要的我对电子，对编程产生了兴趣。大三了，我们开更多专业课了，我深知我只是赶上了我的同学，现在才是真正起跑的时刻，我不能放松对自己的要求，因为我即将面对的是电子大赛!就这样我仍然以120%的努力去学习单片机，自控原理，程序设计等等，还买了单片机开发板来实践，平时也多多关注其他相关知识和技术。 终于期待已久的时刻到来了，一年多以来的刻苦努力就要派上用场了。 XX年5月份来我跟陈xx和梁xx同学组队参加了学校组织的安联锐视杯电子设计大赛。经过讨论我们最终确定了智能遥控小车的课题。在比赛早期我们一起上网寻找前辈留下的资料。这个步骤看似简单但在整个比赛中是最为重要的，我们筛选资料，参考别人，寻求老师意见，确定了整个设计的方案和进度表。确立了方案后我们进入了真正的设计制作过程，并结合每个人的特长和特点进行分工，在这个阶段我们几乎天天泡在实验室，画图，论证，确定元件，选购元件，编写程序，焊接电路，测试电路，板子焊了一块又一块，程序也一改再改，调试了一遍又一遍，方案也与此同时一遍遍的优化。我们经历了从失败到成功，再从失败到成功的一遍遍的洗礼，这期间最最重要的是不要被困难击倒，要团结，要坚持，谁也不能退缩不能放弃。就这样我们克服了重重困难，按时保质的完成了设计。锻炼了心态和默契，同时也积 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 模电课程设计心得(精选多篇) 第一篇：模电课程设计心得 时间总是过得很快，经过一周的课程设计的学习，我已 经自己能制作一个高保真音频功率放大器，这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面 临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，更为紧急的是，之前刚做完protelxx的课程设计，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。昨天刚考完复变，为了尽快完成模电的课程设计，我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图，但离实际应用差距较大，有些器件很难找到，后来到网上搜索了一下相关内容，顺便到学校图书馆借相关书籍，经过不断比较与讨论，最终敲定了高保真音频功率放大器的电 路原理图，并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。 在做电路仿真时，我画好了电路原理图，修改好参数后， 创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行，后来请教同学，他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的，开始是创建网络表时出现问题，后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的，这确实很难修改。输出 时仿真波形总是一条直线，我弄了一晚上也找不出原因，整个人也显得焦躁不已。 接下来，开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊接实物，以为会比较轻松，但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同，要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线，增加了很大的难度。由于采用了电路板，为了使步线美观、简洁， 还真是费了我们不少精力，经过不断的修改与讨论，最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子，我发现从刚开始的matlab到现在的pspice，不管是学习哪种软件，都给我留下了很深 的印象。由于没有接触，开始学得很费力，但到后来就好了。在每次的课程设计中，遇到问题，最好的办法就是问别人，因为每个人掌握情况不一样，不可能做到处处都懂，发挥群众的力量，复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会， 在很多时候，我遇到的困难或许别人之前就已遇到，向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 模拟电子线路课程内容概要（复习提纲） 1.半导体器件基础： （1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？ 答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴； 在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 （2）PN结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。 答：PN结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。 二极管的导通条件是PN结正向偏置。 硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。 门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。 （3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？ 答：三极管导电机理是当基极电压Ub有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。 三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。 三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区，起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。 2.放大电路基础： （1）要弄清放大电路有哪几个部分组成，什么是输入回路和输出回路。放大器的电压放大倍数以及通频带是怎样定义的？静态工作点是指哪些参数，为什么要设置静态工作点？稳定静态工作点的电路有哪些？怎样稳定？ 答：放大电路有信号源、放大器、负载组成。 输入信号与晶体管组成的回路就是输入回路，负载与晶体管组成的回路就是输出回路。 将放大器输出电压与输入电压的变化量之比定义为放大器的电压放大倍数；通常将放大倍数在高频和低频段分别下降至中频段放大倍数的 2 1 时所包括的频率 范围，定义为通频带。 静态工作点是指Ib，Ic，Uce。设置合适的静态工作点，使信号的整个周期内晶体管始终工作在放大状态，输出信号才不会产生失真。 稳定静态工作点的电路有电压负反馈的偏置稳定电路、电流负反馈式工作点稳定电路和典型的分压式偏置稳定电路。 半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 * PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 分析/作图题 1.电路如图所示，稳压管的稳定电压Z1Z26V U U ==，正向压降不计，输入电压 u t I V =5sin ω，REF 0V U =，简要分析电路的工作原理并画出输出电压o u 的波形。 + -REF U I u R 1z D 2 z D o u 2. 如图所示为一波形发生器电路, （1）试说明，它是由那些单元电路组成的； （2）定性画出A 、B 、C 各点的波形 。 +- + -+ - R R C C f R 1 R 2 R 3R 0 R 1 C A B C z D ± A u B u C u t ωt ωt ω0 3. 如上图所示稳压电路，选择正确答案填空： （1）R2、R3为电路的______ ； R1、VDz 为电路的______； VT 为电路的______； A为电路的______。 A. 调整管部分 B. 基准电压部分 C. 比较放大部分 D. 输出电压采样部分 （2）比较放大环节所放大的对象______。 A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差 4. 已知如下图所示电路中，场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(C)所示，利用图解法求解静态时IDQ 和UGSQ。 5. 试判断下图所示各电路是否满足自激振荡的相位平衡条件 6. 判断下图电路级间反馈的正负，如果是负反馈，说明反馈组态。 计算题 1、在图示放大器中，晶体管的静态V BE≈0.7V，β=100 （1）估算静态工作点I C和V CE 。 （2）画出交流等效电路。 （3）求放大器的A V、A VS、R i和R o 。 2设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且β＝100，U BEQ＝0.7V，rbe＝2kΩ。(1)静态时，流过Re的电流约为多少，I CQ1和I CQ2为多少？。(2)差模电压放大倍数Aud为多少；当u i1＝1mV，u i2＝-1mV时，输出信号uo为多少？ 3 下图所示电路引入了什么类型负反馈？若引入的是深度负反馈，则反馈系数是多少，电压放大倍数是多少？ 模电实验心得体会三篇 1.1 课题目的与意义 模拟电子技术是一门实践性很强的课程，加强工程训练，特 别是技能的培养，对于培养工程人员的素质和能力具有十分重要的作用。 程设计要实现以下两个目标：一、初步掌握模拟电子 线路的设计、组装及调试方法。即学根据设计要求，查阅文献资料，收集、分析类似电路的性能，并通过组装调试等实践活动，使电路达到性能要求；二、 课程设计为后续的毕业设计打好基础。 毕业设计是系统的工程设计实践，而课程设计的着眼点是让学生开始从理论学习的轨道上逐渐引向实际方面，运用已学过的分析和设计电路的理论知识，逐步掌握工程设计的步骤和方法，同时，课程设计报告的书写，为今后从事技术工作撰写科技报告和技术 资料打下基础。 在设计一个模拟电子电路系统时，首先必须明确系统的设计任务，根据任务进行方案选择，然后对方案中的各部分进行单元电路的设计、参数计算和器件选择，最后将各部分连接在一起，画出一个符合设计要求的系统电路图。 1.2 本设计的主要工作 2. 原理图设计（介绍原理图设计的一些要点，过程） ⑴方案比较：①利用运放芯片TDA7294和各元器件组成音频功率 放大电路，待机和静音功能有保护电路，电源分别接+39v和-39v，输出功率可以达到70w。优点：有短路保护和过热保护电路，低噪声和低失真，高输出功率。缺点：由于输出功率较大，对各器件的要求都比较高，还要考虑到散热的问题，成本高。②利用运放芯片TDA2030和各元器件组成音频功率放大电路，有保护电路，电源只需接+19v，另一端接地，负载是阻抗为8的扬声器，输出功率大于8w。通过比较，方案①的输出功率有70w，能用在HiFi家用音响、有源音响、高性能电视机，但其输入要求比较苛刻，添加了实验难度。而方案②的要求不高，并能满足设计要求，所以选取方案②来进行设计。⑵整体电路框图： ⑶单元电路设计及元器件选择：①单元电路设计：功率放大器按输出级静态工作点的位置可分为甲类、乙类和甲乙类三种；若按照输出级与负载的耦合方式，甲乙类又可分为电容耦合（OTL 耦合）、直接耦合（OCL 电路）和变压器耦合三种。变压器耦合容易实现阻抗匹配，但体积大，较笨重。又OCL电路电源输入要求较高，所以采用OTL电路。采用单电源的OTL电路不需要变压器中间抽头，但需要在输出端接上大电容，且低频特性不如OCL好。根据“虚短”、“虚断”的原理，利用电阻的比值，可求得电路所需的放大倍数，其中可加入一个电位器替代反馈电阻，这样就能够实现电路放大倍数的调整。因为功率放大电路是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率，可以采取OTL电路来实现。为了提高转换功率，我们要对电路进行改善，这主要围绕功率放大电路频率响应的改善和消除非线性失真 模拟电子线路课程内容概要(复习提纲) 1. 半导体器件基础： (1) 了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体,什么是 N 型半导体，什么是P 型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？ 答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 5价杂质元素，如磷，镣，碑等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或 N 型半导体。其多数载流 子为电子，少数载流子为空穴； 在4价的硅(或错)晶体中掺入少量的 3价杂质元素，如硼，镣，锢等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或 P 型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子。 (2) PN 结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。 答：PN 结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。 二极管的导通条件是 PN 结正向偏置。 硅二极管的管压降为 0.6~0.8V ，错二极管的管压降为 0.2~0.3V 。 门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V 左右，错二极管的死区电压为0.1V 左右' 正向电 (3) 三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。三极管的输出特性曲线分为哪 几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？ 答：三极管导电机理是当基极电压 Ub 有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流 Ib 的控制，集电极电流Ic 会有一个很大的变 化，基极电流 Ib 越大，集电极电流Ic 也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。 三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。 三极管的输出特性曲线分饱和区、放大区和截止区，起正常放大作用的三极管必须工作在放大区。 2. 放大电路基础： (1) 要弄清放大电路有哪几个部分组成，什么是输入回路和输出回路。放大器的电压放大倍数以及通频带是怎样定义的？静态工作点是指哪些参数，为什么 要设置静态工作点？稳定静态工作点的电路有哪些？怎样稳定？ 答：放大电路有信号源、放大器、负载组成。 输入信号与晶体管组成的回路就是输入回路，负载与晶体管组成的回路就是输出回路。 1 将放大器输出电压与输入电压的变化量之比定义为放大器的电压放大倍数；通常将放大倍数在高频和低频段分别下降至中频段放大倍数的 花 时所包括的频率 范围，定义为通频带。 静态工作点是指 Ib, Ic , Uce 。设置合适的静态工作点，使信号的整个周期内晶体管始终工作在放大状态，输出信号才不会产生失真。 稳定静态工作点的电路有电压负反馈的偏置稳定电路、电流负反馈式工作点稳定电路和典型的分压式偏置稳定电路。 电压负反馈的偏置稳定电路的特点是将电阻 Rb 的上端从原来的接正电源改接为三极管集电极，这样就能将集电极的电压变化情况反映回输入端(基极)以稳 -可编辑修改- 50 正向电压模电实验总结报告
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