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SFH9210中文资料

SFH 9210

Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender

Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter 2004-08-301

Wesentliche Merkmale

?Gro?er Arbeitsabstand (2-10mm)

?IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor

?Enge Strahlverteilung des Senders ?Tageslichtsperrfilter Anwendungen ?Positionssensor ?Endabschaltung

?Drehzahlüberwachung, -regelung ?

Bewegungssensor

Typ Type Bestellnummer Ordering Code I CE [mA]

(I F = 8 mA, V CE = 5 V, d = 5 mm)

(see note on page 5)SFH 9210

Q62702P5262

1 (8)

Beim Betrieb dieses Bauteils sind die Sicherheitsvorschriften für die Laserklasse 1M nach IEC 60825-1 Am. 2 zu beachten.

Operating this device the safety instructions for laser class 1M according to IEC 60825-1 Am. 2 have to be observed.

ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device

Features

?Long operating distance (2-10mm)

?IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in combination with a Silicon NPN phototransistor

?Narrow beam characteristics of the emitter ?Daylight cut-off filter Applications ?Position sensor ?End position switch

?Speed monitoring and regulating ?

Motion sensor

Grenzwerte Maximum Ratings

Bezeichnung Parameter Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Sender (GaAs-VCSEL-Diode) Emitter (GaAs VCSEL diode)

Sperrspannung Reverse voltage V

Vorw?rtsgleichstrom Forward current I

10mA

Verlustleistung Power dissipation P

tot

25mW

Empf?nger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor)

Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung Continuous collector-emitter voltage V

16V

Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (t≤ 2 min) Collector-emitter voltage, (t≤ 2 min)V

Emitter-Kollektor-Sperrspannung Emitter-collector voltage V

Kollektorstrom Collector current I

20mA

Verlustleistung

Total power dissipation P

tot

100mW

Reflexlichtschranke Reflective Interrupter

Lagertemperatur

Storage temperature range T

stg

- 40…+ 85°C

Betriebstemperatur Operating temperature range T

- 40…+ 85

Elektrostatische Entladung

Electrostatic discharge

ESD400V Umweltbedingungen / Environment conditions 3 K3 acc. to EN 60721-3-3 (IEC 721-3-3)

2004-08-302

2004-08-30

A Characteristics Bezeichnung Parameter

Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit

Sender (GaAs-VCSEL-Diode)Emitter (GaAs-VCSEL diode)Wellenl?nge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 8 mA, t p = 20 ms

λpeak

850nm

Spektrale Bandbreite bei 50% von I max Spectral bandwidth at 50% of I max I F = 8 mA

?λ1nm

Schwellenstrom 1)Threshold current 1)I th 2.6 (<5)mA Durchla βspannung Forward voltage I F = 10 mA V F

1.8 (≤

2.3)

Sperrstrom

Reverse current V R = 3 V

I R

0.01 (≤ 1)μA

Kapazit?t Capacitance

V R = 0 V, f = 1 MHz C O

25pF

W?rmewiderstand 2)Thermal resistance 2)

R thJA

1200K/W

Empf?nger (Si-Fototransistor)Detector (silicon phototransistor)Kapazit?t Capacitance

V CE = 5 V, f = 1 MHz

C CE

10pF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitter leakage current V CE = 20 V

I CEO

3 (≤ 200)nA

Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit)Photocurrent (outside light density)V CE = 5 V, E V = 1000 Lx I P

3.5mA

W?rmewiderstand 2)Thermal resistance 2)

R thJA

270K/W

Reflexlichtschranke Reflective Interrupter

Kollektor-Emitterstrom

Collector-emitter current

Kodak neutral white test card, 90% Reflexion

= 8 mA; V CE = 5 V; d = 5 mm

(see note on page5)I

-1 -2 -3

-4

1 (8)

1 (2)

1.6 ... 3.2

2.5 (5)

4 (8)

Kollektor-Emitter-S?ttigungsspannung

Collector-emitter-saturation voltage

Kodak neutral white test card, 90% Reflexion

= 8 mA; d = 5 mm; I C = 0.3 x I CE min.

(see note on page5)

CE sat

0.15 (≤ 0.6)V

1)Der VCSEL emittiert nur bei Flussstr?men gr??er als I th

VCSEL only emits at forward currents higher than I th

2)Montage auf PC-Board mit > 5 mm2 Padgr?βe

Mounting on pcb with > 5 mm2 pad size

3)Nur eine Gruppe innerhalb einer Verpackungseinheit. Bezug von Einzelgruppen ist nicht m?glich.

Only single group within one packing unit. Single bins can not be ordered.

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

2004-08-304

Schaltzeiten (T A = 25 °C, V CC = 5 V, I C = 1 mA1), R L = 1 k?)

Bezeichnung Parameter Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Einschaltzeit Turn-on time t

ein

65μs

Anstiegzeit Rise time t

50μs

Ausschaltzeit Turn-off time t

aus

off

55μs

Abfallzeit Fall time t

50μs

1)I

eingestellt über den Durchlassstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom Bauteil (d)

as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between reflector and component (d)

Anm.:- Es wird empfohlen die Lichtschranke bei dem spezifizierten Arbeitpunkt von ca. 8mA für den Emitter einzusetzten, weil andere Betriebsstr?me zu einem gr??eren Streubereich beim Koppelfaktor führen. Der Abgleich erfolgt über den Arbeitswiderstand am Detektor.

Von einem Einsatz der Lichtschranke mit gl?nzenden oder gar spiegelnden Oberfl?chen wird abgeraten. Die Abstrahlcharakteristik des Senders ?ndert sich sowohl über die Temperatur als auch mit dem Flu?strom st?rker als bei Standardemittern und führt somit ebenfalls zur Erh?hung des Streubereichs beim Koppelfaktor.

Bei diffuser Streuung ist dieser Einflu? jedoch gering, und kann für die meisten Anwendungen vernachl?ssigt werden.

Note:It is recomended to use the interrupter at the specified emitter current of about 8mA, as other operating currents lead to a larger coupling factor variation. The tuning is done using the operating resistor on the detector side.

It is not recomended to use the interrupter in combination with shiny or mirror like surfaces. Changes in temperatures and operating current are having a bigger influence on the radiation characteristic as it is the case for standard emitters. This means a higher variance of the coupling factor. For diffuse surfaces the mentioned influence is low, and can be neglected for most of the applications.

2004-08-305

2004-08-306

Collector Current

Max. Permissible Forward Current I F = f (T A )

C I Cmax ---------f d ()

Switching Characteristics t = f (R L )

T Forward Current I F = f (V )

Transistor Capacitance (typ.)C Threshold Current I th = (T Α)

Collector Current I C = f (I F ),

Ma?zeichnung

Package Outlines

Ma?e werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).

Empfohlenes L?tpaddesign IR-Reflow L?ten

Recommended Solder Pad IR Reflow Soldering

Ma?e werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2004-08-308

2004-08-309

Bitte Verarbeitungshinweise für SMT-Bauelemente beachten!Please observe the handling guidelines for SMT devices!

IR-Reflow L?tprofil

(nach IPC 9501)IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 9501)

L?thinweise

Soldering Conditions Bauform Type

Drypack Level acc. to IPS-stand. 020Tauch-, Schwalll?tung Dip, Wave Soldering Reflowl?tung Reflow Soldering Kolbenl?tung

Iron Soldering Peak Temp.(solderbath)Max. Time in Peak Zone Peak Temp.(package temp.)Max. Time in Peak Zone (Iron temp.)

SFH 92104

n. a.

–

245 °C

10 sec.

n.a.

Gurtung / Polarit?t und Lage siehe Dokument: Short Form Katalog: Gurtung und

Verpackung - SMT-Bauelemente - Geh?use:SMT RLS

Methode of Taping / Polarity and Orientation see document: Short Form Catalog: Tape and Reel -

SMT-Components - Package: SMT-RLS

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Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.

1 A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.

2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.

2004-08-3010