TI CC1190 射频芯片说明
CC1190
https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, SWRS089A –NOVEMBER 2009–REVISED FEBRUARY 2010
850–950MHz RF Front End
Check for Samples:CC1190
FEATURES
APPLICATIONS ?850-950MHz ISM Bands Wireless Systems ?Seamless Interface to Sub-1GHz Low Power
RF Devices from Texas Instruments
?Wireless Sensor Networks ?Wireless Industrial Systems ?Up to 27dBm (0.5W)Output Power
?IEEE 802.15.4Systems ?6dB Typical Sensitivity Improvement with
?Wireless Consumer Systems CC11xx and CC430
?Wireless Metering (AMR/AMI)Systems ?Few External Components
?Smart Grid Wireless Networks –Integrated PA
–Integrated LNA
DESCRIPTION –Integrated Switches
CC1190is a cost-effective and high-performance RF –Integrated Matching Network
Front End for low-power and low-voltage wireless –Integrated Inductors
applications at 850-950MHz.?Digital Control of LNA and PA Gain by HGM
CC1190is a range extender for the sub-1GHz Pin
low-power RF transceivers,transmitters,and ?50-nA in Power Down (LNA_EN =PA_EN =0)
System-on-Chip devices from Texas Instruments.?High Transmit Power Efficiency
CC1190integrates a power amplifier (PA),a –PAE =50%at 26dBm Output Power
low-noise amplifier (LNA),switches,and RF matching for the design of a high-performance wireless ?Low Receive Current Consumption
systems.–3mA for High Gain Mode
CC1190increases the link budget by providing a –26μA for Low Gain Mode
power amplifier for increased output power,and an ? 2.9dB LNA Noise Figure,Including Switch and
LNA with low noise figure for improved receiver External Antenna Match
sensitivity.?RoHS Compliant 4-mm ×4-mm QFN-16
CC1190provides an efficient and easy-to-use range Package
extender in a compact 4-mm ×4-mm QFN-16
?
2V to 3.7V Operation https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,1190BLOCK DIAGRAM
Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
CC1190
SWRS089A–NOVEMBER2009–REVISED https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,
These devices have limited built-in ESD protection.The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
ORDERING INFORMATION
DEVICE TEMPERATURE PACKAGE(1)TRANSPORTION MEDIA
CC1190RGVR Tape and Reel,2500
-40°C to85°C QFN(RVG)16
CC1190RGVT Tape and Reel,250
(1)For the most current package and ordering information,see the Package Option Addendum at the end of this document,or see the TI
website at https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Under no circumstances must the absolute maximum ratings be violated.Stress exceeding one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device.
VALUE UNIT
Supply voltage,V DD All supply pins must have the same voltage–0.3to3.8V
Voltage on any digital pin–0.3to VDD+0.3,max3.8V
Input RF level10dBm
Storage temperature range–50to150°C
Human-body model,non RF pins2000V
Human-body model,RF pins:PA_IN,PA_OUT,TR_SW,
ESD1500V LNA_IN,LNA_OUT
Charged device model1000V RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
MIN MAX UNIT
Ambient temperature range–4085°C
Operating supply voltage2 3.7V
Operating frequency range850950MHz ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T C=25°C,VDD=3V,f RF=915MHz(unless otherwise noted).Measured on CC1190EM reference design including external matching components optimized for915MHz operation.
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
P IN=-40dBm,HGM=13mA Receive current
P IN=-40dBm,HGM=026μA
P IN=5dBm,POUT=26.5dBm,HGM=1302
Transmit current No input signal,HGM=156mA
No input signal,HGM=029
Power down current LNA_EN=PA_EN=050200nA
High input level(control pins)HGM,LNA_EN,PA_EN 1.3VDD V
Low input level(control pins)HGM,LNA_EN,PA_EN0.3V
Power down→Receive mode,switching
300ns time
Power down→Transmit mode,switching
600ns time
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued)
T C=25°C,VDD=3V,f RF=915MHz(unless otherwise noted).Measured on CC1190EM reference design including external matching components optimized for915MHz operation.
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT RF Receive
P IN=-40dBm,HGM=111.6
Gain dB
P IN=-40dBm,HGM=0-6
Gain variation over frequency850–950MHz,P IN=-40dBm,HGM=1 1.2dB Gain variation over power supply2–3.7V,P IN=-40dBm,HGM=11dB
HGM=1,including internal switch and external
2.9dB
antenna match
Noise figure
HGM=0,including internal switch and external
6.2dBm
antenna match
HGM=1-12.3
Input1dB compression dBm
HGM=011.2
Input IP3,High Gain Mode HGM=1-5dBm
Input reflection coefficient,S11,High HGM=1,measured at antenna port,depends
-11.5dB Gain Mode on external antenna and LNA match
RF Transmit
P IN=-20dBm,HGM=127.9
Gain dB
P IN=-20dBm,HGM=024.6
Maximum Output Power P IN=5dBm,HGM=1,VDD=3.7V27.7dBm
P IN=5dBm,HGM=126.5
Output power,POUT P IN=0dBm,HGM=125.5dBm
P IN=-6dBm,HGM=122
Power Added Efficiency,PAE P IN=5dBm,HGM=148%
HGM=124
Output1dB compression dBm
HGM=023.7
Output power variation over frequency850–950MHz,PIN=5dBm,HGM=1 1.7dB Output power variation over power supply2V–3.7V,PIN=5dBm,HGM=1 4.5dB Output power variation over temperature-40°C–85°C,PIN=5dBm,HGM=11dB
2nd harmonic power HGM=1,PIN=5dBm 2.5
See application note AN001(SWRA090)for dBm
3rd harmonic power-37
regulatory requirements.
HGM=1,measured at SMA connector on
Input reflection coefficient,S11-10dB
PA_IN/LNA_OUT(TX active)
GND PA_IN LNA_OUT GND L N A _I N H G M
L N A _E N P A _E N GND PA_OUT
GND
TR_SW V D D _P A 2B I A S V D D _L N A
V D D _P A 1CC1190
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DEVICE INFORMATION
QFN-16PACKAGE
TOP VIEW
NOTE
The exposed die attach pad must be connected to a solid ground plane as this is the
primary ground connection for the chip.Inductance in vias to the pad should be
minimized.Following the CC1190EM reference layout is recommended .Changes will alter
the performance.Also see the PCB land pattern information in this data sheet.
PIN FUNCTIONS
PIN
I/O DESCRIPTION NO.
NAME The exposed die attach pad must be connected to a solid ground plane.See CC1190EM -
GND Ground (SWRR064)reference design for recommended layout.1
GND Ground Secondary ground connection.Should be shorted to the die attach pad on the top PCB layer.2
PA_OUT RF Output of PA.3
GND Ground Secondary ground connection.Should be shorted to the die attach pad on the top PCB layer.4
TR_SW RF RXTX switch pin.5
LAN_IN RF Input of LNA.Digital control pin.6
HGM Digital Input HGM =1→Device in High Gain Mode.HGM =0→Device in Low Gain Mode.7
LNA_EN Digital Input Digital control pin.See Table 2and Table 3for details.8
PA_EN Digital Input Digital control pin.See Table 2and Table 3for details.9
GND Ground Secondary ground connection.Should be shorted to the die attach pad on the top PCB layer.10
LNA_OUT RF Output of LNA.11
PA_IN RF Input of PA.12
GND Ground Secondary ground connection.Should be shorted to the die attach pad on the top PCB layer.13
VDD_LNA Power 2–3.7V Supply Voltage.14
BIAS Analog Biasing input.Resistor between this node and ground sets bias current.15
VDD_PA2Power 2–3.7V Supply Voltage.16VDD_PA1Power 2–3.7V Supply Voltage.
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CC1190EM Evaluation Module
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Table1.List of Materials Optimized for915MHz Operation
(See the CC1190EM Reference Design,SWRR064)
DEVICE FUNCTION VALUE
L21PA load inductor10nH,LQW18AN10NG10from Murata
L22RXTX switch and LNA match7.5nH,LQW15AN7N5G00from Murata
L23Part of antenna match 2.2nH,LQW15AN2N2C10D from Murata
L24Part of antenna match 3.9nH,LQW15AN3N9C00from Murata
C21DC block47pF,GRM1555C1H470JZ01D from Murata
C22RXTX switch and LNA match12pF,GRM1555C1H120JZ01D from Murata
C24Part of antenna match 3.3pF:GRM1555C1H3R3CZ01D from Murata
C25Part of antenna match8.2pF:GRM1555C1H8R2CZ01D from Murata
C28Part of antenna match0.5pF,GRM1555C1HR50CZ01D from Murata
C51Part of LNA match12pF,GRM1555C1H120JZ01D from Murata
C101DC block47pF:GRM1555C1H470JZ01D from Murata
C111DC block47pF:GRM1555C1H470JZ01D from Murata
R141Bias resistor 3.3kΩ,RK73H1ETTP3301F from Koa
Frequency - MHz 11.510.910.510.7870N o i s e F i g u r e i n H G M - d B L N A G a i n i n H G M - d B
11.711.311.1850880910860890930900940950920Temperature -C
o
-20H G M G a i n - d B L G M G a i n - d B
-40-1020-30060108090
50304070Supply Voltage - V H G M G a i n - d B L G M G a i n - d B 2
2.4
2.82.2 2.6
3.6
3.23 3.4-6.2
-6.15
-6.1
-6.05
-6
-5.95
-5.9
-5.85-5.8Frequency (850 MHz to 950 MHz)
S (1,1)
-20
-10
1020304050
60-40-35-30-25-20-15-10-505Pin - dBm P A E - %, P - d B m O U T 050100150200250300350400
C u r r e n t - m A
202530354045505560Frequency - MHz
P A E - %, P - d B m O U T 200220240260
280300320340360C u r r e n t - m A CC1190
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TYPICAL CHARACTERISTICS
T C =25°C,V DD =3V,f RF =915MHz (unless otherwise noted).Measured on CC1190EM reference design including external
matching components optimized for 915MHz operation.
Figure 2.LNA Gain and Noise Figure vs Operating Frequency
Figure 3.LNA Gain vs Temperature Figure 4.LNA Gain vs Supply Voltage Figure 5.Input Impedance of LNA Measured from Antenna Port on CC1190EM (RX Active)
Figure 6.PA Output Power,PAE and Current Consumption Figure 7.PA Output Power,PAE and Current Consumption vs Input Power vs Operating Frequency at 5dBm Input Power
20
25
30
3540455055
60
-40-30-20-1003040507080Temperature -C
o P A E - %, P - d B m O U T 200220240260280300320340
360C u r r e n t - m A 102060
2025303540455055
Supply Voltage - V P
A E - %, P - d
B m O U T 175200225250
275300325350C u r r e n t - m A Frequency (850 MHz to 950 MHz)
S (1,1)
CC1190
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TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
T C =25°C,V DD =3V,f RF =915MHz (unless otherwise noted).Measured on CC1190EM reference design including external matching components optimized for 915MHz operation.
Figure 8.PA Output Power,PAE and Current Consumption Figure 9.PA Output Power,PAE and Current Consumption vs Temperature at 5dBm Input Power vs Supply Voltage at 5dBm Input Power
Figure 10.Input Impedance Measured at SMA connector on PA_IN/LNA_OUT on CC1190EM (TX Active)
CC1190
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INTERFACE AND CONTROL
Controlling the Output Power from CC1190
The output power of CC1190is controlled by controlling the input power.The CC1190PA is designed to work in compression(class AB),and the best efficiency is reached when a strong input signal is applied.The output power can be reduced by setting the pin HGM low.If a reduced maximum output power is wanted,the impedance seen by the PA should be increased,thus increasing the PA efficiency by changing the output matching network.
Input Levels on Control Pins
The three digital control pins(PA_EN,LNA_EN,HGM)have built-in level-shifting functionality,meaning that if CC1190is operating from a3.6V supply voltage,the control pins will still sense1.6-1.8V signals as logical'1'. An example of the above is that PA_EN is connected directly to the PA_EN pin on CC110x,but the global supply voltage is3.6V.The PA_EN pin on CC110x will switch between0V(RX)and1.8V(TX),and this is still a high enough voltage to control the operating mode of CC1190.
However,the input voltages should not have logical'1'level that is higher than the supply.
Connecting CC1190to a CC102X Device
Table2.Control Logic for Connecting CC1190to a CC102X Device
PA_EN LNA_EN HGM Mode Of Operation 00don't care Power Down
010RX Low Gain Mode
011RX High Gain Mode
100TX Low Gain Mode
101TX High Gain Mode
https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,1190+CC102X Application Circuit
CC1190 https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, SWRS089A–NOVEMBER2009–REVISED FEBRUARY2010
Connecting CC1190to a CC110X Device
Table3.Control Logic for Connecting CC1190to a CC110X Device
PA_EN LNA_EN HGM Mode Of Operation 00don't care Power Down
010RX Low Gain Mode
011RX High Gain Mode
100TX Low Gain Mode
101TX High Gain Mode
https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,1190+CC110X Application Circuit
Connecting CC1190to a CC430or CC111X Device
Table4.Control Logic for Connecting CC1190to a CC430or CC111X Device PA_EN LNA_EN HGM Mode Of Operation 00don't care Power Down
010RX Low Gain Mode
011RX High Gain Mode
100TX Low Gain Mode
101TX High Gain Mode
https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,1190+CC430/CC111X Application Circuit
CC1190
SWRS089A–NOVEMBER2009–REVISED https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,
REVISION HISTORY
Changes from Original(November2009)to Revision A Page ?Changed the data sheet from Product Preview to Production (1)
PACKAGING INFORMATION Orderable Device
Status (1)Package Type Package Drawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball Finish MSL Peak Temp (3)CC1190RGVR
ACTIVE VQFN RGV 162500Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-3-260C-168HR CC1190RGVT
ACTIVE VQFN RGV 16250Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-3-260C-168HR (1)The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE:Product device recommended for new designs.
LIFEBUY:TI has announced that the device will be discontinued,and a lifetime-buy period is in effect.
NRND:Not recommended for new designs.Device is in production to support existing customers,but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW:Device has been announced but is not in production.Samples may or may not be available.
OBSOLETE:TI has discontinued the production of the device.
(2)Eco Plan -The planned eco-friendly classification:Pb-Free (RoHS),Pb-Free (RoHS Exempt),or Green (RoHS &no Sb/Br)-please check https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/productcontent for the latest availability information and additional product content details.
TBD:The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.
Pb-Free (RoHS):TI's terms "Lead-Free"or "Pb-Free"mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6substances,including the requirement that lead not exceed 0.1%by weight in homogeneous materials.Where designed to be soldered at high temperatures,TI Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.
Pb-Free (RoHS Exempt):This component has a RoHS exemption for either 1)lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package,or 2)lead-based die adhesive used between the die and leadframe.The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible)as defined above.
Green (RoHS &no Sb/Br):TI defines "Green"to mean Pb-Free (RoHS compatible),and free of Bromine (Br)and Antimony (Sb)based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1%by weight in homogeneous material)
(3)MSL,Peak Temp.--The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications,and peak solder temperature.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided.TI bases its knowledge and belief on information provided by third parties,and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information.Efforts are underway to better integrate information from third parties.TI has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate
information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary,and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s)at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
PACKAGE OPTION ADDENDUM
https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, 10-Feb-2010
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing
Pins
SPQ Reel Diameter (mm)Reel Width W1(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)P1(mm)W (mm)Pin1Quadrant CC1190RGVR VQFN
RGV 162500330.012.4 4.3 4.3 1.58.012.0Q2CC1190RGVT VQFN RGV 16250
330.012.4 4.3 4.3 1.58.012.0Q2
*All dimensions are nominal
Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length(mm)Width(mm)Height(mm) CC1190RGVR VQFN RGV162500338.1338.120.6
CC1190RGVT VQFN RGV16250338.1338.120.6
IMPORTANT NOTICE
Texas Instruments Incorporated and its subsidiaries(TI)reserve the right to make corrections,modifications,enhancements,improvements, and other changes to its products and services at any time and to discontinue any product or service without notice.Customers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and complete.All products are sold subject to TI’s terms and conditions of sale supplied at the time of order acknowledgment.
TI warrants performance of its hardware products to the specifications applicable at the time of sale in accordance with TI’s standard warranty.Testing and other quality control techniques are used to the extent TI deems necessary to support this warranty.Except where mandated by government requirements,testing of all parameters of each product is not necessarily performed.
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TI does not warrant or represent that any license,either express or implied,is granted under any TI patent right,copyright,mask work right, or other TI intellectual property right relating to any combination,machine,or process in which TI products or services are https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,rmation published by TI regarding third-party products or services does not constitute a license from TI to use such products or services or a warranty or endorsement https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,e of such information may require a license from a third party under the patents or other intellectual property of the third party,or a license from TI under the patents or other intellectual property of TI.
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Products Applications
Audio https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/audio Automotive and Transportation https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/automotive
Amplifiers https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Communications and Telecom https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/communications
Data Converters https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Computers and Peripherals https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/computers
DLP?Products https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Consumer Electronics https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/consumer-apps
DSP https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Energy and Lighting https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/energy
Clocks and Timers https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/clocks Industrial https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/industrial
Interface https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Medical https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/medical
Logic https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Security https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/security
Power Mgmt https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Space,Avionics and Defense https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/space-avionics-defense Microcontrollers https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, Video and Imaging https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/video
RFID https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,
OMAP Mobile Processors https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/omap
Wireless Connectivity https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,/wirelessconnectivity
TI E2E Community Home Page https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,
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最详细解读射频芯片
最详细解读射频芯片 传统来说，一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，一般包含五个部分部分：射频部分、基带部分、电源管理、外设、软件。 射频部分：一般是信息发送和接收的部分； 基带部分：一般是信息处理的部分； 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要； 外设：一般包括LCD，键盘，机壳等； 软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？ 1. 射频芯片和基带芯片的关系 先讲一下历史，射频（Radio Frenquency）和基带（Base Band）皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播（FM/AM），迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号（无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容）。 但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。 言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器（RF Transceiver）发送出去的工程，解调就是相反的过程。 2.工作原理与电路分析 射频简称RF射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波，为是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围在300KHz～300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。高频（大于10K）；射频（300K-300G）是高频的较高频段；微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。射频技术在无线通信领域中被广泛使用，有线电视系统就是采用射频传输方式。
射频识别技术
射频识别技术 031130217 射频识别，RFID（Radio Frequency Identification）技术，又称无线射频识别，是一种通信技术，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。 射频的话，一般是微波，1-100GHz，适用于短距离识别通信。 RFID读写器也分移动式的和固定式的，目前RFID技术应用很广，如：图书馆，门禁系统，食品安全溯源等。 一定义 射频识别（RFID）是一种无线通信技术，可以通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或者光学接触。 无线电的信号是通过调成无线电频率的电磁场，把数据从附着在物品上的标签上传送出去，以自动辨识与追踪该物品。某些标签在识别时从识别器发出的电磁场中就可以得到能量，并不需要电池；也有标签本身拥有电源，并可以主动发出无线电波（调成无线电频率的电磁场）。标签包含了电子存储的信息，数米之内都可以识别。与条形码不同的是，射频标签不需要处在识别器视线之内，也可以嵌入被追踪物体之内。 许多行业都运用了射频识别技术。将标签附着在一辆正在生产中的汽车，厂方便可以追踪此车在生产线上的进度。仓库可以追踪药品的所在。射频标签也可以附于牲畜与宠物上，方便对牲畜与宠物的积极识别（积极识别意思是防止数只牲畜使用同一个身份）。射频识别的身份识别卡可以使员工得以进入锁住的建筑部分，汽车上的射频应答器也可以用来征收收费路段与停车场的费用。 某些射频标签附在衣物、个人财物上，甚至于植入人体之内。由于这项技术可能会在未经本人许可的情况下读取个人信息，这项技术也会有侵犯个人隐私忧患。 二概念 从概念上来讲，RFID类似于条码扫描，对于条码技术而言，它是将已编码的条形码附着于目标物并使用专用的扫描读写器利用光信号将信息由条形磁传送到扫描读写器；而RFID则使用专用的RFID读写器及专门的可附着于目标物的RFID标签，利用频率信号将信息由RFID标签传送至RFID读写器。 结构 从结构上讲RFID是一种简单的无线系统，只有两个基本器件，该系统用于控制、检测和
雷达射频集成电路的发展及应用
龙源期刊网 https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html, 雷达射频集成电路的发展及应用 作者：黄林锋 来源：《山东工业技术》2017年第24期 摘要：本文概述了雷达射频集成电路技术的特点，是一种以半导体和射频电路技术为基础，一种集信号放大、数据传输和转化功能为一体的技术，并从其发展与演变切入进行研究，探讨了目前常用的几种雷达射频集成电路的发展成果及其应用状况。 关键词：雷达射频集成电路;发展;应用 DOI：10.16640/https://www.wendangku.net/doc/8f17896763.html,ki.37-1222/t.2017.24.099 现代的雷达系统越来越注重高精度的距离探测与跟踪，还要求较强的抗干扰性、目标识别作用和气象探测功能。由此，要求完整一套的现代雷达系统包含近万个信号接收器和信号发射装置，这也极大提高了系统的复杂性和设备的成本造价。雷达系统的现代化除保留上述基本功能，还应减少设备的造价，这推进了射频集成电路在现代雷达领域的研发 [1]。由无线天线、电磁信号处理器、显示屏幕、控制面板、信号的发射和接收器所组成的现代雷达系统。目前，射频集成系统已经应用于信号的发射和接收器，下文从射频集成电路在雷达系统的研发入手，通过深入研究，介绍雷达系统目前的几种应用现状。 1 雷达射频集成电路的发展概述 随射频集成技术和信息化在雷达系统中的深入发展，射频集成电路已经演变了好几个架构形态[2]。以信号接收系统为例，在三十年内演化出三种不同的形态。在此过程，雷达系统的 数字化不断提高，实现某些频段的完全数字化，使射频集成电路向混合集成电路的方向不断发展。 2 雷达系统射频集成电路的发展及应用研究 2.1 射频集成SOC 以单片作为射频电路的集成基板，SiGe和CMOS作为集成射频与数字化特点的技术平台。技术的快速发展极大提高了射频电路的集成化程度，上部集混合频率、放大频率和合成信号功能为一体，下部集增频、分贝放大功能的器件。雷声公司（美国）研发的最新设备——X 波段应用了上述技术 [3]，其在实际中具有高性能、减小雷达体积和节约造价的应用优势。 2.2 射频多通道集成电路 在一个集成芯片上集多通道于一体，这种集成电路没有射频集成电路那么多的器件，应用系统的封装工艺，以高度集成化的多通道芯片，实现射频混合电路的性能优化和结构简化。采
常用无线射频芯片
常用无线射频芯片 TYYGROUP system office room 【TYYUA16H-TYY-TYYYUA8Q8-
常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 射频收发器 CC2420ZRTCR 射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee?芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee?芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器
RFID相关射频芯片基本介绍与应用
RFID相关射频芯片基本介绍与应用 （一）RC530 概述：RC530是NXP 公司出品的应用与13.56MHz非接触式通信中高集成读卡IC系列中的一员，该芯片完全集成了在13.56MHz下所有类型的被动非接触式通信方式和协议。MFRC530支持ISO14443A所有的层。RC530的外围电路入图所示。该电路由接收电路和单片机接口电路两部分组成。由于RC530内部接收部分使用一个受益于副载波双边带的概念装入卡响应的调整。推荐使用内部产生的VMID电势作为RX脚的输入电势。为了提供一个稳定的参考电压，必须在VIMD脚接一个对地的电容C9,RX和VMID必须连接一个分压IC卡将回复自己UID，如果没有碰撞阅读器将收到完整的电路由R9,R10构成，而且天线与分压器间还需要用一个电容C10串接。由于IC卡工作在13.56Mhz下。石英晶体在产生用于驱动RC530和天线的13.56Mhz时钟时，还会产生更高频率的谐波。因此必须加上由 L1,L2,C11,C13组成的低通滤波电路。 （二）MF RC531 概述MF RC531 是应用于13.56MHz 非接触式通信中高集成读写卡芯片系列中的一员。该读写卡芯片系列利用了先进的调制和解调概念，完全集成了在13.56MHz 下所有类型的被动非接触式通信方式和协议。芯片管脚兼容MF RC500、MF RC530 和SL RC400。MF RC531 支持ISO/IEC14443A/B 的所有层和MIFARE? 经典协议，以及与该标准兼容的标准。支持高速MIFARE?非接触式通信波特率。内部的发送器部分不需要增加有源电路就能够直接驱动近操作距离的天线（可达100mm）。接收器部分提供一个坚固而有效的解调和解码电路，用于ISO14443A 兼容的应答器信号。数字部分处理ISO14443A 帧和错误检测（奇偶＆CRC）。此外，它还支持快速CRYPTO1 加密算法，用于验证MIFARE 系列产品。与主机通信模式有8 位并行和SPI 模式，用户可根据不同的需求选择不同的模式，这样给读卡器/终端的设计提供了极大的灵活性。 特性 高集成度的调制解调电路； 采用少量外部器件，即可输出驱动级接至天线； 最大工作距离100mm； 支持ISO/IEC14443 A/B 和MIFARE? 经典协议； 支持非接触式高速通信模式，波特率可达424kb/s； 采用Crypto1 加密算法并含有安全的非易失性内部密匙存储器；? 管脚兼容MF RC500、MF RC530 和SL RC400； 与主机通信的2 种接口：并行接口和SPI，可满足不同用户的需求 自动检测微处理器并行接口类型； 灵活的中断处理； 64 字节发送和接收FIFO 缓冲区； 带低功耗的硬件复位； 可编程定时器； 唯一的序列号； 用户可编程初始化配置； 面向位和字节的帧结构； 数字、模拟和发送器部分经独立的引脚分别供电； 内部振荡器缓存器连接13.56MHz 石英晶体；
集成电路与系统
集成电路与系统 集成电路设计与集成系统专业工资待遇 截止到 2013年12月24日，57740位集成电路设计与集成系统专业毕业生的平均薪资为4639元，其中应届毕业生工资3701元，0-2年工资4104元，10年以上工资5104元，3-5年工资6069元，8-10年工资10494元，6-7年工资11198元。 集成电路设计与集成系统专业就业方向 集成电路设计与集成系统专业学生毕业后可到国内外各通信、雷达、电子对抗等电子系统设计单位和微电子产品的单位从事微电子系统的研发设计。。 集成电路设计与集成系统专业就业岗位 硬件工程师、电气工程师、模拟集成电路设计工程师、研发工程师、射频集成电路设计工程师、设计工程师、等。 集成电路设计与集成系统专业就业地区排名 集成电路设计与集成系统专业就业岗位最多的地区是上海。薪酬最高的地区是肇庆。 就业岗位比较多的城市有：上海[36个]、北京[30个]、深圳[28个]、苏州[11个]、西安[10个]、武汉[9个]、广州[7个]、成都[6个]、无锡[6个]、济南[6个]等。 就业薪酬比较高的城市有：肇庆[8065元]、信阳[6999元]、北京[6279元]、上海[6194元]、佛山[5265元]、厦门[5231元]、杭州[5024元]、南京[5013元]、惠州[4999元]、沈阳[4867元]、大连[4799元]等。 集成电路设计与集成系统专业在同类专业排名
集成电路设计与集成系统专业在专业学科中属于工学类中的电气信息类，其中电气信息类共34个专业，集成电路设计与集成系统专业在电气信息类专业中排名第28，在整个工学大类中排名第95位。 在电气信息类专业中，就业前景比较好的专业有：计算机科学与技术，自动化，软件工程，信息工程，电气工程及其自动化，网络工程，计算机软件，电子信息工程，通信工程等。
PL1167中文资料-2.4GHz无线射频收发芯片资料
PL1167 单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射频收发芯片 芯片概述: 主要特点: PL1167是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通用 ISM频 段的单片低功耗高性能 2.4GHz无线射频收发芯片。 ψ 低功耗高性能2.4GHz无线射频收 发芯片 ψ 无线速率：1Mbps 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、功率放 大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。ψ 内置硬件链路层 ψ 内置接收强度检测电路输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI或 I2C接 ψ 支持自动应答及自动重发功能 ψ 内置地址及FEC、CRC校验功能 ψ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ψ 使用微带线电感和双层PCB板 ψ 低工作电压：1.9~3.6V 口进行灵活配置。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰性能强， 可以适应各种复杂的环境并达到优异的性能。 内置地址及 FEC、CRC校验功能。 ψ 封装形式：QFN16/TSSOP16 内置自动应答及自动重发功能。 ψ ψ QFN16仅支持SPI接口芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm，接收灵敏度可 以达到-88dBm。TSSOP16可支持SPI与I2C接口内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下待机电流 可以减小到接近 1uA。 应用: ψ 无线鼠标，键盘，游戏机操纵杆 ψ 无线数据通讯 ψ 无线门禁 管脚分布图: ψ 无线组网 ψ 安防系统 ψ 遥控装置 ψ 遥感勘测 ψ 智能运动设备 ψ 智能家居 ψ 工业传感器 ψ 工业和商用近距离通信 ψ IP电话，无绳电话 ψ 玩具
1概要 性能强，可以适应各种复杂的环境并达到优异的 性能。 PL1167 是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通 用 ISM 频段的单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射 频收发芯片。 内置地址及 FEC 、CRC 校验功能。 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、 功率放大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。 内置自动应答及自动重发功能。 芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm ，接收 灵敏度可以达到-88dBm 。 输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI 或 I2C 接口进行灵活配置。 内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下 待机电流可以减小到接近 1uA 。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰 2特性 ζ 低功耗高性能2.4GHz 无线射频收发芯片 ζ 无线速率：1Mbps ζ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ζ 使用微带线电感和双层PCB 板 ζ 低工作电压：1.9~3.6V ζ 内置硬件链路层 ζ 内置接收强度检测电路 ζ 封装形式：QFN16/TSSOP16 ζ 支持自动应答及自动重发功能 ζ 内置地址及FEC 、CRC 校验功能 ζ ζ QFN16仅支持SPI 接口 TSSOP16可支持SPI 与I2C 接口 3快速参考数据 参数 数值 单位 最低工作电压 最大发射功率 数据传输速率 发射模式功耗@0dBm 接收模式功耗 工作温度范围 接收灵敏度 1.9 V dBm Mbps mA 5.5 1 16 17 -40 to +85 -88 mA ℃ dBm uA 掉电模式功耗 1
常用无线射频芯片
常用无线射频芯片集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]
常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 射频收发器 CC2420ZRTCR 射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器 TRF6901PTRG4 射频收发器
无线射频识别技术(RFID)基础知识
无线射频识别技术（RFID）基础知识 无线射频识别技术的基本原理是利用空间电磁感应（Inductive Coupling）或者电磁传播（Propagation Coupling）来进行通信，以达到自动识别被标识物体的目的。基本工作方法是将无线射频识别标签（Tags）安装在被识别物体上（粘贴、插放、挂佩、植入等），当被标识物体进入无线射频识别系统阅读器（Readers）的阅读范围时，标签和阅读器之间进行非接触式信息通讯，标签向阅读器发送自身信息如ID号等，阅读器接收这些信息并进行解码，传输给后台处理计算机，完成整个信息处理过程。 无线射频识别技术是一本多门学科多种技术综合利用的应用技术。所涉及的关键技术大致包括：芯片技术、天线技术、无线通信技术、数据变换与编码技术、电磁场与微波技术等。 一、基本概念 无线射频识别技术（Radio Frequency Identification，RFID）是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号的空间耦合（电磁感应或者电磁传播）传输特性，实现对被识别物体的自动识别。图1所示为RFID系统配置示意图。 图1 RFID系统配置示意图 电磁感应，即所谓的变压器模型，通过空间高频交变磁场实现耦合，依据的是电
磁感应定律，如图2所示。电磁感应方式一般适合于中、低频工作的近距离射频识别系统。典型的工作频率有：125KHz、225KHz和13.56MHz。识别作用距离小于1m，典型作用距离为10～20cm。 图2 电感耦合 电磁传播或者电磁反向散射（Back Scatter）耦合，即所谓的雷达原理模型，发射出去的电磁波，碰到目标后反射，同时携带回目标信息，依据的是电磁波的空间传播规律，如图3所示。电磁反向散射耦合方式一般适合于超高频、微波工作的远距离射频识别系统。典型的工作频率有：433MHz、915MHz、2.45GHz、5.8GHz。识别作用距离大于1m，典型作用距离为3～l0m。 图3 电磁耦合 射频识别系统一般由两个部分组成，即电子标签和阅读器。在RFID的实际应用中，电子标签附着在被识别的物体上（表面或者内部），当带有电子标签的被识别物品通过阅读器的可识读区域时，阅读器自动以无接触的方式将电子标签中的约定识别信息取出，从而实现自动识别物品或自动收集物品标识信息的功能。阅读器系统又包括阅读器和天线，有的阅读器是将天线和阅读器模块集成在一个设备单元中的，成为集成式阅读器（Integrated Reader）。 由上可见，为了完成RFID系统的主要功能，RFID系统具有两个基本的构成部
RF 设计与应用----射频集成电路封装
RF设计与应用----射频集成电路封装 关键词：射频，多层电路板，电路封装 摘要：针对无线通信产品业者所面临的课题，本文试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 在行动通讯质量要求的提高，通讯带宽的需求量大增，因应而生的各项新的通讯规范如GPRS、W-CDMA、CDMA-2000、Bluetooth、 802.11b纷纷出笼，其规格不外乎：更高的数据传输速率、更有效的调变方式、更严谨的噪声规格限定、通讯功能的增强及扩充，另外再加上消费者对终端产品“轻、薄、短、小、久（包括产品的使用寿命、维护保固，甚至是手机的待机时间）”的诉求成了必要条件；于是乎，为了达成这些目的，各家厂商无不使出混身解数，在产品射频(Radio Frequency)、中频(Intermediate Frequency)与基频(Base Band)电路的整合设计、主动组件的选择应用、被动组件数目的减少、多层电路板内线路善加运用等，投注相当的心血及努力，以求获得产品的小型化与轻量化。 针对这些无线通信产品业者所面临的课题，我们试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度，来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响，以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 射频集成电路封装技术的现况 就单芯片封装(Single Chip Package)的材质而言，使用塑料封装( P l a s t i c Pac kage)的方式，是一般市面上常见到的高频组件封装类型，低于3GHz工作频率的射频集成电路及组件，在不严格考虑封装金属导线架(Metal Lead Frame)和打线(Wire Bond)的寄生电感(Parasitic Inductance)效应下，是一种低成本且可薄型化的选择。由于陶瓷材料防水气的渗透性特佳及满足高可靠度的需求，故也有采用陶瓷封装技术；对于加强金属屏蔽作用及散热效果的金属封装，可常在大功率组件或子系统电路封装看到它的踪迹。
RFID(无线射频识别)标贴
书山有路勤为径；学海无涯苦作舟 RFID(无线射频识别)标贴 在媒体的特别关注下，已成为现今国内各业追逐的焦点。应接不暇的话题与争论。模糊了RFID的意义；但有一点能够肯定的是：RFID是全球供应链的〝润滑油″。而敏锐的商家们也纷纷表示如若愿及风险而放奔REID，后果势必是得不偿失。 RFID〈无线射频识别技术〉是一种自动识别系统〈AIDC或auto-ID〉， 也是条码技术的新生代产品。同时，低廉成本使得RFID标签对仓储型超市和〝智慧″标签应用系统及产品包装应用方面产生了极大的诱惑力。 包装印刷 过去，RFID在商业，尤其是零售业中的应用一直因其高昂的成本问题 而难以普及。直到导电油墨的出现，它提供的全面成本瘦身解决方案才使这一窘境有所改善。 至此，RFID技术才开始真正启用于工业的发展。上个夏季，全球最大 的零售商，沃尔玛要求他们前100名的供货商于2005年前，实现所有供货商品的RFID标签粘贴，而其他供应商也只有多出一年的时间来达到这一要求。同年十月，美国国防部也向大约43000家供应商提出了从05年开始，供货商品包装上必须粘贴RFID标签的要求。 无疑，导电油墨的出现为柔印厂商建立起了可拓展的FRID标签市场。 导电油墨，顾名思义，有导电能力的油墨，所以它可以充当电线、电阻或天线。这种油墨中，均匀分布的某些导电粒子或是类似导电聚合物体的物质对柔性和刚性承印物均有导电作用。在RFID标签中，导电油墨充当天线的角色，接受来自RFID电脑中枢系统发出的无线电信息流。这种导电油墨更多的是用于印刷无法使用传统腐蚀方法制作的电路板。另外，使用 专注下一代成长，为了孩子
射频集成电路综述
射频集成电路低噪声放大器研究前景
摘要 近年来，随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务，因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。 低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时降低噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。 宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的，对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数，通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求，因此给设计增大了难度。 噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法，对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来，随着SiGe 技术的发展，SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而，基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此，本文基于SiGe工艺，开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。
常用无线射频芯片[优质文档]
常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 2.4GHz射频收发器 CC2420ZRTCR 2.4GHz射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee?芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee?芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 2.4GHzZigBee处理器 CC2500RTKR 2.4GHz射频收发器? CC2510F16RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2510F32RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2510F8RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F16RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F32RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F8RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 2.4GHz发送器 CC2590RGVR 2.4GHz射频前端芯片 CC2591RGVR 2.4GHz射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR 2.4GHZ ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器 TRF6901PTRG4 射频收发器
射频电路和射频集成电路线路设计
射频电路和射频集成电路线路设计(9天) 培训时间为9天 课程特色 1）本讲座总结了讲演者20多年的工作,报告包括 o设计技术和技巧的经验， o获得的美国专利， o实际工程设计的例子， o讲演者的理论演译。 o 【主办单位】中国电子标准协会 【协办单位】智通培训资讯网 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 o 2）本讲座分为三个部分： A. 第一部分讨论和強调在射频电路设计中的设计技术和技巧, 着重论述设计中关鍵性 的技术和技巧,譬如,阻抗匹配,射频接地, 单端线路和差分线路之間的主要差別,射频集成电路设计中的难题……可以把它归类为橫向论述. 到目前为止，这种着重于设计技巧的論述是前所未有的，也是很独特的。讲演者认为，作为一位合格的射频电路设计的设计者，不论是工程师，还是教授，应当掌握这一部分所论述的基本的设计技术和技巧，包括： ?阻抗匹配； ?接地； ?射频集成电路设计； ?测试 ?画制版图； ? 6 Sigma 设计。 B. 第二部分: 描述射频系统的基本参数和系统设计的基本原理。
C. 第三部分: 提供个别射频线路设计的基本知识。这一部份和现有的有关射频电路和 射频集成电路设计的书中的论述相似, 其內容是讨论一个个射频方块,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器,壓控振蕩器,頻率综合器……可以把它归类为纵向论述，其中的大多数内容来自本讲座的讲演者的设计 ?在十几年前就已经找到了最佳的低噪声放大器的设计方法但不曾经发表过。在低噪声放大器的设计中可以同时达到最大的增益和最小的噪 声； ?获得了可调谐濾波器的美国专利； ?本讲座的讲演者所建立的用单端线路的设计方法来进行差分对线路的设计大大简化了设计并缩短了线路仿真的时间； ?获得了双线巴伦的美国专利。 学习目标在本讲座结束之后，学员可以了解到 o比照数码电路，射頻电路设计的主要差別是什麼? o什么是射频设计中的基本概念? o在射频电路设计中如何做好窄带的阻抗匹配？ o在射频电路设计中如何做好宽带的阻抗匹配？ o在射频线路板上如何做好射频接地的工作? o为什么在射频和射频集成电路设计中有从单端至双差分的趋势? o为什么在射频电路设计中容许误差分析如此重要? o什么是射频和射频集成电路设计中的主要难题？射频和射频集成电路设计师如何克服这些障碍?
常用无线射频芯片
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CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片TRF7900APWR 27MHz双路接收器TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器 TRF6901PTRG4 射频收发器 TRF6903PTG4 射频收发器
无线、射频收发模块大全
无线收发模块大全 本文中着重通过几种实用的无线收发模块的剖析为你逐步揭开无线收发的原理，应用和结构，希望对你有所裨益！ 无线数据传输广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、身份识别、非接触RF智能卡、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、机器人控制、无线232 数据通信、无线485/422数据通信、数字音频、数字图像传输等领域中。
这是DF发射模块，体积：19x19x8毫米，右边是等效的电路原理图 主要技术指标： 1。通讯方式：调幅AM 2。工作频率：315MHZ (可以提供433MHZ，购货时请特别注明） 3。频率稳定度：±75KHZ 4。发射功率：≤500MW 5。静态电流：≤0.1UA 6。发射电流：3～50MA 7。工作电压：DC 3～12V DF数据发射模块的工作频率为315M，采用声表谐振器SAW稳频，频率稳定度极高，当环境温度在－25～＋85度之间变化时，频飘仅为3ppm/度。特别适合多发一收无线遥控及数据传输系统。声表谐振器的频率稳定度仅次于晶体，而一般的LC振荡器频率稳定度及一致性较差，即使采用高品质微调电容，温差变化及振动也很难保证已调好的频
点不会发生偏移。 DF发射模块未设编码集成电路，而增加了一只数据调制三极管Q1,这种结构使得它可以方便地和其它固定编码电路、滚动码电路及单片机接口，而不必考虑编码电路的工作电压和输出幅度信号值的大小。比如用PT2262等编码集成电路配接时，直接将它们的数据输出端第17脚接至DF数据模块的输入端即可。 DF数据模块具有较宽的工作电压范围3～12V，当电压变化时发射频率基本不变,和发射模块配套的接收模块无需任何调整就能稳定地接收。当发射电压为3V时，空旷地传输距离约20～50米，发射功率较小，当电压5V时约100～200米，当电压9V时约300～500米，当发射电压为12V时，为最佳工作电压，具有较好的发射效果，发射电流约60毫安，空旷地传输距离700～800米，发射功率约500毫瓦。当电压大于l2V时功耗增大，有效发射功率不再明显提高。这套模块的特点是发射功率比较大，传输距离比较远，比较适合恶劣条件下进行通讯。天线最好选用25厘米长的导线，远距离传输时最好能够竖立起来，因为无线电信号传输时收很多因素的影响，所以一般实用距离只有标称距离的20％甚至更少，这点需要在开发时注意考虑。 DF数据模块采用ASK方式调制，以降低功耗，当数据信号停止时发射电流降为零，数据信号与DF发射模块输入端可以用电阻或者直接连接而不能用电容耦合，否则DF发射模块将不能正常工作。数据电平
你是否真的了解射频芯片
你是否真的了解射频芯片 一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。 射频：一般是信息发送和接收的部分； 基带：一般是信息处理的部分； 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要；外设：一般包括LCD，键盘，机壳等； 软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？射频芯片和基带芯片的关系 射频（Radio Frenquency）和基带（Base Band）皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播（FM/AM），迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号（无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容）。 但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器（RF Transceiver）发送出去的工程，解调就是相反的过程。 工作原理与电路分析
车联网 RFID射频识别
车联网 一、概述 “绿色汽车”、节能减排已经成为当今汽车工业发展的主旋律，然而，面对因汽车增多而日益突出的交通拥堵问题、安全问题，因此，汽车仅有“绿色”是不够的，未来的新能源汽车必须与车辆智能化相结合，实现城市交通的智能化。 智能交通，是将先进的传感器技术、通信技术、数据处理技术、网络技术、自动控制技术、信息发布技术等有机地运用于整个交通运输管理体系而建立起的一种实时的、准确的、高效的交通运输综合管理和控制系统，通过信息技术在人车路三者当中建立相互间的信息依存和共享的关系，从而对交通状态实现全方位、立体化的监控与管理。所以，建立稳定的“路-车-人”关系网络，提供三者之间信息的高效交互功能，是实现智能交通的关键问题。 车联网，作为物联网在交通领域的应用，利用装载在车辆上的电子标签通过无线射频等识别技术，实现在信息网络平台上对所有车辆的属性信息和静、动态信息进行提取和有效利用，通过在车辆和道路之间高效的信息通信，根据不同的功能需求，实现对所有车辆的运行状态进行有效的监管和提供综合服务，进而可以达到智能交通的管理和信息服务的目标。 二、关键技术 1.RFID RFID射频识别是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。 ?组成部分 RFID标签俗称电子标签，也称应答器（tag, transponder, responder），根据工作方式可分为主动式（有源）和被动式（无源）两大类。 被动式RFID标签由标签芯片和标签天线或线圈组成，利用电感耦合或电磁反向散射耦合原理实现与读写器之间的通讯。RFID标签中存储一个唯一编码，通常为64bits、96bits 甚至更高，其地址空间大大高于条码所能提供的空间，因此可以实现单品级的物品编码。当RFID标签进入读写器的作用区域，就可以根据电感耦合原理（近场作用范围内）或电磁反向散射耦合原理（远场作用范围内）在标签天线两端产生感应电势差，并在标签芯片通路中形成微弱电流，如果这个电流强度超过一个阈值，就将激活RFID标签芯片电路工作，从而对标签芯片中的存储器进行读/写操作，微控制器还可以进一步加入诸如密码或防碰撞算法等复杂功能。RFID标签芯片的内部结构主要包括射频前端、模拟前端、数字基带处理单元和EEPROM存储单元四部分。 读写器： 读写器也称阅读器、询问器（reader, interrogator），是对RFID标签进行读/写操作的设备，主要包括射频模块和数字信号处理单元两部分。读写器是RFID系统中最重要的基
各种无线芯片对比
TI各种无线芯片介绍与对比 TI低功耗射频产品 TI 可为低于1GHz 和2.4GHz ISM 波段频带的各种无线应用提供符合经济效益、低功耗且与ZigBee? 兼容的解决方案, 以及一系列基于标准高性能专利的射频集成电路。设计资源（如低功耗射频选择指南）将提供有关低功耗射频产品的技术信息，包括特性和优势、应用领域、常规特征和图表，以及TI 的超低功耗MCU 和辅助高性能模拟产品的选择表。 完整的在线资源（如低功耗射频开发者网络、电子新闻简报、培训研讨会、软件、开发套件和参考设计，以及产品样片和评估模块）可以帮助您鉴别最佳设计解决方案并加快您的产品上市时间。借助TI 的产品和设计工具，将新的低功耗射频创新更快地推向世界。 针对消费类电子中键盘/鼠标, VoIP 方案, 遥控和游戏配件及其工业应用中警报和安全, AMR 系统, 监控和控制, 家庭和楼宇自动化和医疗电子的产品： 2.4GHz 频段芯片： CC2500 ——针对2.4GHz ISM 频带低功率无线应用设计的低成本、低功耗2.4GHz 射频收发器。 CC2500 是真正的高集成度、多通道2.4 GHz 收发器，其设计适用于极低功耗的无线应用。该电路专用于频带为2400-2483.5 MHz 的ISM（工业、科学及医药设备）与SR D（短程设备）。 市面最低的系统成本：极少的外置元件需求，所需元件均为低成本类型；参考设计采用两层PCB布板，所有元件置于同一板侧；极少的占位面积（4*4mm）,CC2500采用20引脚QFP封装。 超低功耗：接收模式：13.3mA,发送模式：21.2m A (0dBm输出功率)；快速启动时间（0.5us）降低平均电流损耗；无线电唤醒功能实现超低功耗的自动RX检测。