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模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直

流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。

A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子

3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小 B．基本不变 C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大 B．基本不变 C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器

1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ )

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( × )

4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × )

1．4 分析计算题

1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。

(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P

(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。

2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。

解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，

即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。

3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z ＝5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流

过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○

A1、○A2读数分别为多大?

解：当开关S 断开，R

2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得

A I mA K V R U U I 5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为 5 V 。

当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为

R U U R R R U 6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，

R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即

K V R R U I I A A 2.75.021821121）（而电压表的读数，即R 2两端压降为 3.6 V 。

第2章半导体三极管及其基本应用

2．1 填空题

1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。

2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。

3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。

4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO 增大，导通电压U BE 减小。

5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。

6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。

7．场效应管从结构上可分为两大类：结型、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道、 P 沟道两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。

8．U GS(off)表示夹断

电压，I DSS 表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。

2．2 单选题

1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。

A ．放大

B ．饱和

C ．截止

D ．不能确定

2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。

A．NPN型低频小功率硅晶体管 B．NPN型高频小功率硅晶体管

C．PNP型低频小功率锗晶体管 D．NPN型低频大功率硅晶体管

3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

A．正弦小信号 B．低频大信号 C．低频小信号 D．高频小信号4．( D )具有不同的低频小信号电路模型。

A．NPN型管和PNP型管 B．增强型场效应管和耗尽型场效应管

C．N沟道场效应管和P沟道场效应管 D．晶体管和场效应管

5．当U GS＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。

A．JFET B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 D．NMOS管

6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。

A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管

C．耗尽型NMOS管 D．耗尽型PMOS管

2．3 是非题

1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( × )

2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √ ) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( × )

4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。( √ )

5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( √ )

2．4 分析计算题

1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。

解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；

U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏

因此晶体管工作在放大状态。

(b) U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；

U BC=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏

因此晶体管工作在截止状态。

U BC=U B—U C＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏

因此晶体管工作在饱和状态。

(d)该管为PNP型晶体管

U EB=U E—U B＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；

U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏

因此晶体管工作在放大状态。

2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。

解：(a)方法一：

K V I B 053.0100)7.06(设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mA

U CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0

说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。

令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为

R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V

方法二：

K V I B 053.0100)7.06(mA

R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(mA

I I CS BS 039.01009.3因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有

I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V

(b) A

mA K V I B 4.80084.0510)7.06(设晶体管工作在放大状态，则有

I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mA

U CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)

说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。

(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B ＝0，I C＝0，U CE＝5 V

3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。

解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。

(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效

电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。

4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画

出各管的转移特性曲线。

解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS

(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时， i D＝0

(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u GS≤0

第3章放大电路基础

3．1 填空题

1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。

2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。

3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻大，输出电阻小。

4．差分放大电路的输入电压U i1＝1 V，U i2＝0.98 V，则它的差模输入电压

U id＝ 0.02 V，共模输入电压U iC＝ 0.99 V。

5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。

6．乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要

优点是效率高。

7．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 dB。

8．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小

零点漂移。

9．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为 0 ，称为虚断。

10．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。

3．2 单选题

1．测量某放大电路负载开路时输出电压为 3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为 1 V，则该放大电路的输出电阻为( D )kΩ。

A．0.5 B．1.0 C．2.0 D．4

2．为了获得反相电压放大，则应选用( A )放大电路。

A．共发射极 B．共集电极 C．共基极 D．共栅极

3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之

间接入( B )放大电路。

A．共发射极 B．共集电极 C．共基极 D．共源极

4．放大电路如图T3．1所示，已知R S＝R D，且电容器容量足够大，则该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B )。

A． u0l = u02 B．u0l = －u02 C． u0l＞u02 D． u0l＜u02

5．选用差分电路的原因是( A )。

A．减小温漂 B．提高输入电阻 C．减小失真 D．稳定放大倍数6．差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D )增大。

A．差模电压增益D．共模电压增益 C．差模输入电阻D．共模抑制比7．功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B )。

A．输出功率 B．放大器效率 C．放大倍数 D．负载能力

8．由两管组成的复合管电路如图T3．2所示，其中等效为PNP型的复合管是( A )。

9．OTL电路负载电阻R L＝10Ω，电源电压V CC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( B )W。

A．10 B，5 C．2.5 D．1.25

10．集成运算放大器构成的放大电路如图T3．3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom＝±10 V，ui＝5 V，则该放大电路的输出电压为( C )V。

A．-5 B．0 C．5 D．10

3．3 是非题

1．放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无

关。( × )

2．共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而

且输出电阻又较大，故很少应用。，( × )

3．单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑

制温漂。( √ )

4．乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也越大，所以

放大器效率也越小。( × )

5．OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。( × )

6．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。

( √ )

3．4 分析计算题

1．放大电路如图T3．4所示，已知晶体管的U BEQ＝0.7 V，β＝99，r bb′＝200Ω，各电容在工作频率上的容抗可略去。

试：(1)求静态工作点I CQ、U CEQ；

(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出r be；

(3)求电压放大倍数Au＝u o／u i及输入电阻R i、输出电阻R0。

解：(1)求I CQ 、U CEQ 、I BQ

电路构成分压式电流负反馈偏置电路，所以

V V V R R R U CC B B B BQ 79.21233101021

2mA R U U I I E BEQ BQ EQ

CQ 127.079.2V R R I V U E C CQ CC

CEQ 3.5)27.1(112)(A mA mA I I CQ BQ

1001.0991 (2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，分别如图

(a)、(b)所示。K

I mV r r EQ b b be 8.2126)991(20026)1(

(3)求A u ，R i 、R

0由图 (b)可得

878.21.5//7.499//0be L C i u

r R R u u A K r R R R be B B i

28.2//10//33////21K

R R C 7.402．差分放大电路如图T3．5所示，已知I 0＝2 mA 。

试：(1)求放大电路的静态工作点I CQ2、U CQ2；

(2)当u i ＝10 mV 时，i C1＝1.2 mA ，求V 2管集电极电位u c2、输出电压

u 0以及电压放大倍数Au ＝u o ／u i 。

解：(1)求I CQ2和U CQ2

由图3．42可知：mA I I CQ 122202

R I V U C CQ CC CQ 331622(2)求u C2、u 0及Au

根据差分放大电路的传输特性可知

当i C1＝1.2mA 时，i C2＝I 0一i C1＝2—1.2＝0.8 mA

所以V 2管集电极电位为

C2＝Vcc 一i C2 Rc ＝6 V 一0.8×3＝3.6 V 放大电路的输出电压u 0为

u 0＝u C2一U CQ2＝3.6—3＝0.6 V

所以，电压放大倍数为60

106.00mV V u u A i u 3．放大电路如图T3．6所示。

试：(1)说明二极管V 3、V 4的作用；

(2)说明晶体管V 1、V 2工作在什么状态?

(3)当U im ＝4 V 时，求出输出功率P 0的大小。

解：(1)V 3、V 4正向导通，其压降提供给功率管V 1、V 2作为发射结小正向偏置电压，用以克服交越失真。

(2)因V 1、V 2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态。

(3)因U om ≈U im ＝4 V ，所以输出功率为

R U P L om Om 08.0100)24()2(224．集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图

T3．7所示，试分别求出它们的电压放大倍数Au ＝u o ／u i 及输入电阻R i 。

解：图(a)为反相放大电路，所以

23060u A R i ＝30K Ω

图(b)为同相放大电路，所以

V u u u u u u A P i P i u

2)20401(40204000 R i ＝20+40＝60 K Ω

第4章负反馈放大电路

4．1 填空题

1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是正反馈。

2．反馈信号只含有直流量的，称为直流反馈，反馈信号只含有交流量的，称为交流反馈。

3．反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是

电压反馈，若反馈信号取自输出电流，则是电流反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是串联反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是并联反馈。

4．负反馈虽然使放大电路的增益减小，但能使增益的稳定提高，通频带展宽，非线性失真减小。

5．电压负反馈能稳定输出电压，使输出电阻减小；电流负反馈能

稳定输出电流，使输出电阻增大。

6．放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。

7．负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数Au=90，电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为 10 ，闭环放大倍数为 9 。

8．深度负反馈放大电路有：x i≈ x f ，即x id≈ 0 。

4．2 单选题

1．放大电路中有反馈的含义是( C )。

A．输出与输入之间有信号通路 B．输出与输入信号成非线性关系

C．电路中存在反向传输的信号通路 D．除放大电路以外还有信号通路2．直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D )。

A．提高输入电阻 B．降低输人电阻

C．提高增益 D．稳定静态工作点

3．并联负反馈能使放大电路的( B )。

A．输人电阻增大 B．输入电阻减小

C．输入电阻不变 D．输出电阻减小

4．在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影

响也要小，则需引入负反馈的类型为( A )。

A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联

5．负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈

条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为( B )。

A．F B．1／F C．A D．1+AF

4．3 是非题

1．直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电

路中。( × )

2．若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。( × )

3．共集电极放大电路，由于且Au≤1，故该电路没有负反馈。( × )

4．当输入信号是一个失真的正弦波，加人负反馈后能使失真减小。( × ) 5．负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无

效。( √ )

6．在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效

地提高闭环放大倍数。( × )

4．4分析计算题

1．反馈放大电路如图T4．1所示，试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。

解：(a)在图T4．1(a)中标出反馈信号u f ，如下图(a)所示，可见u f ＝u 0，反馈信号取样于输出电压u 0，故输出端为电压反馈。由图(a)可见，u i 、u id 、u f 三者串联，形成电压比较关系u id ＝u i —u f ，故输入端为串联反馈。令u i 为，则得输出电压u 0 ，u f 为，如图(a)所示，反馈电压u f 使净输入u i 减小，故为负反馈。所以图T4．1 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。

(b)由图T4．1 (b)可见，负载R L 、反馈网络、基本放大电路(即集成运放)三者为串联，故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流i f 如下图 (b)所示。令输入电压u i 为，如下图(b)所示，此时集成运放输出端对地电位为，因此电压u R3为，i f 由输入端流向输出端，如下图(b)所示，可见札i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (b)所示电路为电流并联负反馈放大电路。

(c)由图T4．1 (c)可见，放大电路的输出端R L 、基本放大器、反馈网络三者并联，故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联，故为并联反馈。令输入信号u i 为，根据共发射极放大电路特性，可知u 0为，反馈信号i f 由输入端流向输出端，由下图(c)可得i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。

2．深度负反馈放大电路如图T4．2所示，在图中标出反馈信号

x f ，指出反

馈类型，求出闭环电压放大倍数A uf ＝u o ／u i 。+ + －+

－

+ －

解：(a)为电压并联负反馈，反馈信号为i f ，标于下图 (a)中。在深度电压并联负反馈电路中有i i ≈i f ，而i i ＝(u i —u N )/R 1≈u i /R 1，i f ＝(u N —u 0)/R 1≈－u 0/R 2，因此可得

2120R R R i R i u u A i f i u (b)为电流串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(b)中。在深度电流串联负反馈电路中有：u i ≈u f 。又由图下(b)可得：u 0＝i 0R L ，u f ＝i 0R 2。所以可得

00R R u u u u A L f i u (c)为电压串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：u i ≈u f 。现由下图(c)可知u f ≈u 0，所以可得

00f i u u u u u A 第5章集成运算放大器的应用电路

5．1 填空题

1．运算电路中的集成运算放大器应工作在线性区，为此运算电路中必须引入深度负反馈。

2．反相比例运算电路的主要特点是输入电阻较小，运算放大器共模输入信号为零；同相比例运算电路的主要特点是输入电阻很大，运算放大器共模输入信号较大。

3．简单RC 低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.707 倍，即

衰减 3 dB，相移为 -45°。

4．晶体管有三个频率参数fβ称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，f T称为特征频率。

5．集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降 3 dB所对应的信号频率称为开环带宽，开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽。

6．集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时，运算放大器两个输入

端的静态电位不能为零，运算放大器输出端必须接有输出电容。

5．2 单选题

1．图T5．1所示比例运算电路中，设A为理想运算放大器，已知运算放大器最大输出电压U0M＝±12 V，当u I=1 V时，则输出电压u0为( C )V。

A．24 B．21 C．12 D、－12

2．若实现函数u0＝u I1+4u I2－4u I3，应选用( B )运算电路。

A．比例 B．加减 C．积分 D．微分

3．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( B )运算电路。

A．微分 B．积分 C．乘法 D．除法

4．集成运算放大器开环电压增益为106，开环带宽BW=5 Hz，若用它构成闭环增益为50倍的同相放大电路，则其闭环带宽BW f为( B )Hz。

A．5×105 B．105 C．250 D．5

5．3 是非题

1．凡是集成运算放大器构成的电路，都可用“虚短”和“虚断”概念加以

分析。( × )

2．放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。

( √ )

3．某集成运算放大器开环带宽为 5 Hz，由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。 ( × )

4．与无源滤波器相比较，有源滤波器具有可提供通带内增益，负载对滤波

特性影响小等优点。( √ )

5．4 分析计算题

1．电路如图T5．2所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式

并指出电路名称。

解：(a)11I F F P N u R R R u u F N N I R u u R u u 0

12经整理可得)(2110

I I F u u R R u ，为减法运算电路 (b)

t I F dt u C R u 0101

，为积分运算电路 (c)210I I u Ku u ，为乘法运算电路

(d)H i

U U 10，为一阶有源低通滤波器

2．运算电路如图T5．3所示，试求各电路输出电压的大小。

解：(a) 采用叠加定理，则得

V K K

u 8.0)]2(20206.01020[0 (b ) 采用叠加定理，则得

V V K K K K K V K K K

K K u P 1)3()15//15(15)15//15(6)15//15(15)15//15(V u K

K u P 2)10101(03．电路如图T5．4所示，试用比例运算关系求出输出电压。

解：(a)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路，则得

u R R R R R R

u R R u I I 022

)//1(0 (b)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，则得

I I u u R R

u R R u )1(0第6章信号产生电路

6．1 填空题

1．正弦波振荡电路主要由

放大电路、正反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。

2．设放大电路的放大倍数为u A 反馈网络的反馈系数为u F 则正弦波振荡电路

的振幅平衡条件是

u u F A ，相位平衡条件是)3,2,1,0(2n n F A 。

3．RC 桥式振荡电路输出电压为正弦波时，其反馈系数u F ＝ 1/3 ，放大

电路的电压放大倍数u A ＝ 3 ；若RC 串并联网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则振荡频率f 0＝ 1/(2πRC) 。

4．RC 桥式正弦波振荡电路中，负反馈电路必须采用非线性元件构成，其主要目的是为了稳幅。

5．用晶体管构成的三点式LC 振荡电路中，谐振回路必须由三个个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须同性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之异性质，方能满足振荡的相位条件。

6．石英晶体在并联型晶体振荡电路中起电感元件作用，在串联型晶体振荡器中起短路元件作用，石英晶体振荡器的优点是频率稳定度高。

7．电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在非线性状态。

8．迟滞比较器中引人中引入了正反馈，它有两个门限电压。

9．三角波产生电路由迟滞比较器和线性RC 积分电路组成。

6．2 单选题

1．信号产生电路的作用是在( B )情况下，产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。

A ．外加输入信号

B ．没有输入信号

C ．没有直流电源电压

D ．没有反馈信号

2．正弦波振荡电路的振幅起振条件是( D )。

A ．1u u F A

B ．0u u F A

C ．1u u F A

D ．1

u u F A 3．正弦波振荡电路中振荡频率主要由( D )决定。

A ．放大倍数

B ．反馈网络参数

C ．稳幅电路参数

D ．选频网络参数

4．常用正弦波振荡电路中，频率稳定度最高的是( D )振荡电路。

A ．RC 桥式

B ．电感三点式

C ．改进型电容三点式

D ．石英晶体

5．电路如图T6．1所示，它是( C )正弦波振荡电路。

A ．电容三点式

B ．电感三点式

C ．并联型晶体

D ．串联型晶体

6．电路如图T6，2所示，它称为( C )。

A ．RC 振荡电路

B ．单限电压比较器

C ．迟滞比较器

D ．方波产生电路

6．3 是非题

1．信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号，所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。( × )

2．电路存在反馈，且满足1u u F A ，就会产生正弦波振荡。 ( × )

3．RC 桥式振荡电路中，RC 串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。( √ )

4．选频网络采用LC 回路的振荡电路，称为LC 振荡电路。( √ )

5．电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，输入高电平时，输出为高电平；输入低电平时输出为低电平。( × )

6．非正弦波产生电路中没有选频网络，其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。( √ )

6．4 分析题

l ．振荡电路如图T6．3所示，试回答下列问题：

(1)指出电路名称；

(2)反馈信号u f 取自哪个元件的电压?

(3)画出电路的交流通路，判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件，求出振荡频率。

解：(1)画出交流通路如图 (b)所示，由图可见，反馈信号u f 取自反馈电容C 2两端电压。设基极输入电压i U 瞬时极性为 (对参考点地电位)，在回路谐振频率上放大电路输出电压0U 的瞬时极性为，所以，反馈电压f U 的瞬时极性为，可见f U 与i U 同相，电路构成正反馈。

(2)为电容三点式LC 振荡电路，其振荡频率

f 0等于MHz

P P P P H C C C C L LC f 85.130020030020062212121212

10+ －+

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。

A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分）第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的约为（）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高；基区做得很薄，且掺杂浓度低。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏；而集电结反偏。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的发射结正向偏置，三极管的集电结反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为微变等效法和图解法。 4、基本放大电路有三种组态，即共发射极、共基极和共集电极。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的代数乘积。 13、电压负反馈使输出电压稳定，因而降低了放大电路的输出电阻；电流负反馈使输出电流稳定，因而提高了电路的输出电阻。串联负反馈增大放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈。二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ；得分评卷人

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：和。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起失真，其输出电压的波形半周被部分削平。 6、直流稳压电源由、、及组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入才能正常进行工作。二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出（） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是；在P 型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一、填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、漂移电流是（ 3、所谓理想二极管，等效成断开； 1 分共 40 分）），反偏时（）电流，它由（就是当其正偏时，），所以 PN 结具有（）载流子形成，其大小与（结电阻为），等效成一条直线；）导电性。）有关，而与外加电压（当其反偏时，结电阻为（）。）， 4、三极管是（） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用反馈。控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（）、控制元件。），集电结（），发射结压降（）、（））。）。放大电路。）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数）BW 其中 BW=（）,（ AF= （）称为反馈深度。）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（极性相反的两个信号，称为（）信号。）信号，而加上大小相等、 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（）电源互补功率放大电路；、共集电极放大电路具有电压放大倍数（用在输入级，输出级或缓冲级。差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（称为（）失真，而采用 OTL 电路是（），输入电阻（），）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分共 30 分））类互补功率放大器。电源互补功率放大电路。输出电阻（）等特点，所以常）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。），未被调制的高频信号是运载信息的工具，），电路符号是（）。、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是该管是（）型。稳压时工作在）状态。）状态，但其两端电压必须（）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、）。 E 、波形不失真），此时应该（ E 、（PNP ））偏置电阻。 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（）

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题开卷（）闭卷（√）考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻；反向电阻。

模拟电子技术基础试题及答案

自测题分析与解答一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。，【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。