本参考手册的目标应用程序开发人员。它提供了完整的信息如何使用stm8l05xx,stm8l15xx 和stm8l16xx微控制器的存储器和外围设备。
该stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx是一个家庭的不同存储密度的微控制器和外围设备。这些产品是专为超低功耗应用。可用的外设的完整列表,请参阅产品数据表。
订购信息,引脚说明,机械和电气设备的特点,请参阅产品数据表。
关于STM8 SWIM通信协议信息和调试模块,请参阅用户手册(um0470)。
在STM8的核心信息,请参阅STM8的CPU编程手册(pm0044)。关于编程,擦除和保护的内部快闪记忆体,请参阅STM8L闪存编程手册(pm0054)。
1 中央处理单元(CPU)。30。
1.1 引言30
1.2 CPU的寄存器。30。
1.2.1 描述CPU寄存器。..。30
1.2.2 STM8 CPU寄存器图。..。34
1.3 全球配置寄存器(cfg_gcr)。34。
1.3.1 激活水平。..。34
1.3.2 游泳禁用。..。35
1.3.3 描述全局配置寄存器(cfg_gcr)。..。35 1.3.4 全局配置寄存器图及复位值。..。35
2 启动ROM . . . 36
3程序存储器和数据存储器。37。
3.1引言37
3.2术语。37。
3.3个主要的快闪存储器的特点。38。
3.4记忆的组织。39。
3.4.1低密度设备的存储器组织。39
3.4.2介质密度的装置记忆的组织。..。40
3.4.3介质+密度装置记忆的组织。..。41
3.4.4高密度存储器组织。..。42
3.4.5专有代码区(译)。43
3.4.6用户区(UBC)。43
3.4.7数据的EEPROM(数据)。..。46
3.4.8主程序区。46
3.4.9选项字节。..。46
3.5内存保护。47。
3.5.1读出保护。47
3.5.2内存访问安全系统(质量)。47
3.5.3使写访问选项字节。49
3.6内存编程49
3.6.1同时读写(读写网)。..。49
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rm0031内容
3.6.2字节编程。..。49
3.6.3字编程。50
3.6.4块编程。50
3.6.5选项字节编程。52
Flash 3.7的低功耗模式。52。
3.8例ICP和IAP。52。
3.9闪光寄存器57
3.9.1闪光控制寄存器1(flash_cr1)。57
3.9.2闪光控制寄存器2(flash_cr2)。58
3.9.3 Flash程序存储器的解密密钥寄存器(flash_pukr)。58 3.9.4数据EEPROM解除保护关键寄存器(flash_dukr)。..。59 3.9.5闪光状态寄存器(flash_iapsr)。..。59
3.9.6 Flash寄存器图及复位值。60
4单线接口模块(游泳)和调试模块(DM)61
4.1引言61
4.2个主要特征。61。
4.3游泳模式。61。
5内存和寄存器图62
5.1寄存器描述缩写。62。
6功率控制(PWR)。63。
6.1电源63
6.2上电复位(POR)/掉电复位(PDR)。64。
6.3掉电复位(BOR)65
6.4可编程电压检测器(PVD)。66。
6.5的内部参考电压(vrefint)67
6.6的电压调节器68
6.7压水堆寄存器69
6.7.1功率控制和状态寄存器1(pwr_csr1)。69
6.7.2压水堆控制和状态寄存器2(pwr_csr2)。..。70
6.7.3 PWR寄存器图及复位值。70
7低功耗模式。71。
7.1减速系统时钟72
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内容rm0031
7.2周门控时钟(PCG)72
7.3等待模式(WFI或WFE模式)。72。
7.4等待中断(WFI)模式。73。
7.5等待事件(WFE)模式73
7.5.1 WFE寄存器。74
7.5.2 WFE寄存器图及复位值。..。79
7.6低功率运行模式。80。
7.6.1进入低功率运行模式。..。80
7.6.2退出低功率运行模式。..。80
7.7低功率待机模式。80。
7.8停止模式。81。
7.8.1进入暂停模式。81
7.8.2退出暂停模式。..。81
7.9主动停止模式。82。
8复位(RST)。83。
8.1―复位状态‖和―下复位‖的定义。83。
8.2外部复位(NRST引脚)83
8.2.1异步外部复位的描述。..。83
8.2.2配置活动/ PA1引脚作为通用输出。84
8.3内部复位84
8.3.1上电复位(POR)。..。84
8.3.2独立看门狗复位。..。84
8.3.3窗口看门狗复位。..。84
8.3.4游泳复位。84
8.3.5非法操作码复位。84
8.4个寄存器。85。
8.4.1复位引脚配置寄存器(rst_cr)。..。85
8.4.2复位状态寄存器(rst_sr)。85
8.4.3 RST寄存器图及复位值。..。86
9控制的时钟(CLK)。87。
9.1引言87
9.2 HSE时钟。88。
9.3个HSI时钟90
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rm0031内容
9.4 LSE时钟。90。
9.5集成电路的时钟。91。
9.6系统的时钟源。91。
9.6.1系统启动。..。..91
9.6.2系统时钟切换程序。..。..92
9.7周门控时钟(PCG)95
9.8时钟安全系统(CSS)95
9.8.1时钟安全系统对HSE。..。..95
9.8.2时钟安全系统在伦敦经济学院。..。..96
9.8.3 CSS LSE控制和状态寄存器(csslse_csr)。..。..97 9.8.4 CSS LSE寄存器图及复位值。..98
9.9时钟和液晶时钟。98。
9.10声钟。98。
9.11可配置时钟输出能力(CCO)。98。
9.12个独立的系统时钟的时钟源TIM2 / TIM3。99。9.13时钟中断99
9.14时钟寄存器。100。
9.14.1系统时钟分频寄存器(clk_ckdivr)。..。100
9.14.2时钟RTC寄存器(clk_crtcr)。..。100
9.14.3内部时钟寄存器(clk_ickcr)。..。102
9.14.4周围门控时钟寄存器1(clk_pckenr1)。..。103 9.14.5周围门控时钟寄存器2(clk_pckenr2)。..。104 9.14.6周围门控时钟寄存器3(clk_pckenr3)。..。105 9.14.7可配置时钟输出寄存器(clk_ccor)。106
9.14.8外部时钟寄存器(clk_eckcr)。107
9.14.9系统时钟状态寄存器(clk_scsr)。..。108
9.14.10系统时钟切换寄存器(clk_swr)。..。109
9.14.11开关控制寄存器(clk_swcr)。109
9.14.12时钟安全系统寄存器(clk_cssr)。..。..110
9.14.13时钟嘀寄存器(clk_cbeepr)。..。111
9.14.14 HSI校准寄存器(clk_hsicalr)。..111
9.14.15 HSI时钟校准微调寄存器(clk_hsitrimr)。..。..112 9.14.16 HSI解锁寄存器(clk_hsiunlckr)。..。..112
9.14.17主调节器控制状态寄存器(clk_regcsr)。..。..113 9.14.18时钟寄存器图及复位值。..。..114
10个通用I / O端口(GPIO)。115。
10.1引言115
10.2个GPIO的主要特点。115。
10.3端口的配置与使用。116。
10.3.1输入模式。..。117
10.3.2输出模式。118
10.4复位配置118
10.5未使用的I / O引脚。118。
10.6低功率模式118
10.7输入模式的细节118
10.7.1函数输入。118
10.7.2中断能力。119
10.8个输出模式的详细介绍。119。
10.8.1交替输出功能。119
10.8.2斜率控制。119
10.9个GPIO寄存器。120。
10.9.1端口X输出数据寄存器(px_odr)。120
10.9.2端口X引脚输入寄存器(px_idr)。120
10.9.3 X口数据方向寄存器(px_ddr)。121
10.9.4端口X控制寄存器1(px_cr1)。..。121
10.9.5端口X控制寄存器2(px_cr2)。..。122
10.9.6外围函数映射。122
10.9.7 GPIO寄存器图及复位值。..。122
11路由接口(RI)和系统配置
控制器(syscfg)。123。
11.1引言123
11.2日的主要特点。123。
11.2.1 RI功能描述。125
11.2.2的I / O组。125
11.2.3 TIM1输入捕捉路由。..。127
11.2.4 TIM2和TIM3路由。128
11.2.5比较器的路由。..129
11.2.6 DAC的路由。..。..129
11.2.7内部参考电压的路由。131
11.3日131个中断
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rm0031内容
11.4日寄存器。131。
11.4.1定时器输入捕捉路由寄存器1(ri_icr1)。..。131 11.4.2定时器输入捕捉路由寄存器2(ri_icr2)。..。132 11.4.3 I / O输入寄存器1(ri_ioir1)。..。132
11.4.4 I / O输入寄存器2(ri_ioir2)。..。132
11.4.5 I / O输入寄存器3(ri_ioir3)。..。133
11.4.6 I/O控制寄存器1(ri_iocmr1)。..。133
11.4.7 I/O控制寄存器2(ri_iocmr2)。..。133
11.4.8 I/O控制寄存器3(ri_iocmr3)。..。134
11.4.9 I/O寄存器开关1(ri_iosr1)。..。134
11.4.10 I/O寄存器开关2(ri_iosr2)。..。136
11.4.11 I/O寄存器开关3(ri_iosr3)。..。137
11.4.12 IO控制寄存器(ri_iogcr)。..。138
11.4.13模拟开关寄存器1(ri_ascr1)。140
11.4.14模拟开关寄存器2(ri_ascr2)。140
11.4.15电阻控制寄存器(ri_rcr)。141
11.4.16控制寄存器(ri_cr)。142
11.4.17 IO屏蔽寄存器1(ri_iomr1)。..。143
11.4.18 IO屏蔽寄存器2(ri_iomr2)。..。143
11.4.19 IO屏蔽寄存器3(ri_iomr3)。..。144
11.4.20 IO屏蔽寄存器4(ri_iomr4)。..。144
11.4.21 I / O输入寄存器4(ri_ioir4)。..。145
11.4.22 I/O控制寄存器4(ri_iocmr4)。..。145
11.4.23 I/O寄存器开关4(ri_iosr4)。..。146
11.4.24 RI寄存器图及复位值。..。147
11.5 syscfg寄存器。149。
11.5.1 syscfg映射控制寄存器1(syscfg_rmpcr1)。..。149 11.5.2 syscfg映射控制寄存器2(syscfg_rmpcr2)。..。150 软件syscfg映射控制寄存器3(syscfg_rmpcr3)。..。151 11.5.4 syscfg寄存器图及复位值。..。152
12中断控制器(ITC)。153。
12.1引言153
12.2中断屏蔽和处理流程。153。
12.2.1服务等待中断。154
12.2.2中断源。155
12.3个中断和低功耗模式156
文件编号15226启9 7 / 573
内容rm0031
12.4的激活水平/低功率模式控制。157。
12.5并行嵌套中断管理157
12.5.1并发中断管理模式。..。157
12.5.2嵌套中断管理模式。..。158
12.6个外部中断159
12.7中断指令。160。
12.8中断映射。160。
12.9国贸EXTI寄存器。161。
12.9.1 CPU条件码寄存器中断位(CCR)。161
12.9.2软件优先级寄存器X(itc_sprx)。..。162
12.9.3外部中断控制寄存器1(exti_cr1)。..。162
12.9.4外部中断控制寄存器2(exti_cr2)。..。164
12.9.5外部中断控制寄存器3(exti_cr3)。..。165
12.9.6外部中断控制寄存器4(exti_cr4)。..。166
12.9.7外部中断状态寄存器1(exti_sr1)。166
12.9.8外部中断状态寄存器2(exti_sr2)。167
12.9.9外部中断端口选择寄存器(exti_conf1)。..。168
12.9.10外部中断端口选择寄存器(exti_conf2)。..。169
12.9.11 ITC和完全寄存器图及复位值。..。170
13直接存储器存取控制器(DMA)。171。
13.1 DMA的介绍。171。
词汇。..。171
13.2 DMA的主要特点。172。
13.3的DMA功能描述173
13.3.1 DMA交易。173
13.3.2 DMA仲裁者。..。174
13.3.3 DMA通道。..。174
13.3.4蛋白Dma1请求映射。..。..181
13.3.5 DMA硬件要求描述。..。183
13.4 DMA低功率模式184
13.5 DMA中断。185。
13.6 DMA寄存器。185。
13.6.1 DMA全球配置和状态寄存器(dma_gcsr)。..185
13.6.2 DMA全局中断寄存器1(dma_gir1)。186
13.6.3 DMA通道配置寄存器(dma_cxcr)。..。..186
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rm0031内容
13.6.4 DMA通道状态和优先级寄存器(dma_cxspr)。..。..188 13.6.5 DMA数据传输寄存器(dma_cxndtr)。..。..189
13.6.6 DMA地址寄存器(外周高dma_cxparh)。..。189
13.6.7 DMA地址寄存器(dma_cxparl)低周。..190
13.6.8 DMA通道3周地址1地址的高高的记忆
寄存器(dma_c3parh_c3m1arh)。190
13.6.9 DMA通道3周地址低1低内存地址
寄存器(dma_c3parl_c3m1arl)。..。191
13.6.10 DMA存储器地址寄存器(dma_cxm0arh)高0。..。191 13.6.11 DMA存储器地址寄存器(dma_cxm0arl)低0。..。192 13.6.12 DMA通道3个内存0扩展地址寄存器
(dma_c3m0ear)。..。192
13.6.13 DMA寄存器图及复位值。..。193
14模拟到数字转换器(ADC)。195。
14.1引言195 ADC
14.2模数转换器的主要特点。195。
14.3 ADC功能描述。196。
14.3.1一般描述。196
14.3.2数模拟通道。..。197
14.3.3 ADC开关控制。..。197
14.3.4单转换模式。..。197
14.3.5连续转换模式。199
14.3.6 ADC时钟。199
14.3.7模拟看门狗。..。199
14.3.8中断。200
14.3.9信道选择(扫描模式)。..。200
14.3.10数据完整性。201
14.3.11 DMA传输。..。201
14.3.12配置分辨率。201
14.3.13数据对齐。..。201
14.3.14可编程采样时间。202
14.3.15施密特触发器禁用。203
14.3.16温度传感器。..。203
14.3.17内部参考电压转换。204
14.4 ADC低功耗模式。204。
14.5 ADC中断。204。
文件编号15226启9 9 / 573
内容rm0031
14.6 ADC寄存器。205。
14.6.1 ADC配置寄存器1(adc_cr1)。..。205 14.6.2 ADC配置寄存器2(adc_cr2)。..。206 14.6.3 ADC配置寄存器3(adc_cr3)。..。207 14.6.4 ADC状态寄存器(adc_sr)。..。208
14.6.5 ADC数据寄存器高(adc_drh)。..。209 14.6.6 ADC数据寄存器低(adc_drl)。..。209 14.6.7 ADC的高门槛高(adc_htrh)寄存器。210 14.6.8 ADC的高门槛低(adc_htrl)寄存器。210 14.6.9 ADC低阈值寄存器高(adc_ltrh)。210 14.6.10 ADC低阈值寄存器低(adc_ltrl)。211 14.6.11 ADC通道序列1寄存器(adc_sqr1)。211 14.6.12 ADC通道序列寄存器2(adc_sqr2)。212 14.6.13 ADC通道选择扫描3(adc_sqr3)。..。212 14.6.14 ADC通道选择扫描4(adc_sqr4)。..。213 14.6.15 ADC触发禁用1(adc_trigr1)。213
14.6.16 ADC触发禁用2(adc_trigr2)。214
14.6.17 ADC触发禁用3(adc_trigr3)。214
14.6.18 ADC触发禁用4(adc_trigr4)。214
14.6.19 ADC寄存器图及复位值。..。215
15个数字到模拟转换器(DAC)。216。
15.1引言216 DAC
15.2个DAC的主要特点。216。
15.3的DAC功能描述。218。
1. X使DAC通道。..。218
15.3.2 DAC输出缓冲区启用。..。218
15.3.3 DAC输出开关配置。218
15.3.4数据格式。219
15.3.5 DAC转换序列。..。219
15.3.6 DAC输出电压。219
15.3.7 DAC触发选择。..。219
15.3.8 DAC的DMA请求。..。220
15.3.9 DAC DMA下溢中断。..。220
15.3.10噪声的产生。..。220
15.3.11三角波的产生。..。221
15.3.12双DAC转换。..。222
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rm0031内容
15.4个DAC寄存器。226。
15.4.1 DAC通道控制寄存器1(dac_chxcr1)。..226 15.4.2 DAC通道控制寄存器2(dac_chxcr2)。..。..227 15.4.3 DAC软件触发寄存器(dac_swtrigr)。..。228 15.4.4 DAC状态寄存器(dac_sr)。..228
15.4.5 DAC通道X右对齐的数据保持寄存器高
(dac_rdhrh)。..。..229
15.4.6 DAC通道X右对齐的数据保持寄存器低
(dac_chxrdhrl)。..。..229
15.4.7 DAC通道X左对齐数据保持寄存器高
(dac_chxldhrh)。..。..229
15.4.8 DAC通道X左对齐数据保持寄存器低
(dac_chxldhrl)。..230
15.4.9 DAC通道×8位数据保持寄存器
(dac_chxdhr8)。230
15.4.10 DAC通道X双模式右对齐的数据保持寄存器高(dac_dchxrdhrh)。231
15.4.11 DAC通道X双模式右对齐的数据保持寄存器低(dac_dchxrdhrl)。..。231
15.4.12 DAC通道X双模式左对齐数据保持寄存器高(dac_dchxldhrh)。..。232
15.4.13 DAC通道X左对齐数据保持寄存器低
(dac_dchxldhrl)。..。232
15.4.14 DAC通道的双模式的8位数据保持寄存器
(dac_dchxdhr8)。..。..233
15.4.15 DAC通道数据输出寄存器高
(dac_chxdorh)。..。233
15.4.16 DAC通道数据输出寄存器低
(dac_chxdorl)。..。233
15.4.17 DAC寄存器映射及复位值。..。..234
16个比较器(COMP)。237。
16.1公司简介。237。
16.2计算机的主要特点。239。
16.3比较器1(COMP1)。240。
16.4比较器2(comp2)。241。
16.5使用比较器在窗口模式242
16.6公司的低功耗模式。243。
16.7比赛中断243
16.8公司注册。244。
文件编号15226启9 11 / 573
内容rm0031
16.8.1比较器控制和状态寄存器1(comp_csr1)。..。244
16.8.2比较器控制和状态寄存器2(comp_csr2)。..。245
16.8.3比较器控制和状态寄存器3(comp_csr3)。..。246
16.8.4比较器控制和状态寄存器4(comp_csr4)。..。247
16.8.5比较器控制和状态寄存器5(comp_csr5)。..。247
16.8.6 COMP寄存器图及复位值。..。248
17液晶显示控制器。249。
17.1液晶显示控制器的介绍。249。
17.1.1定义。249
17.2液晶显示控制器的主要特点。250。
17.3液晶显示功能描述。252。
17.3.1一般描述。252
17.3.2频率发生器。..。253
17.3.3通用驱动程序。256
17.3.4段驱动器。264
17.3.5使一段。..。265
17.3.6眨眼。..。265
17.3.7复用COM [ 7:4 ]和[ 43:40赛格赛格],[ 39:36 ],或[ 31:28赛格]。265 17.3.8代LCD电压水平。266
17.3.9 LCD缓冲区更新。..。269
17.4液晶显示控制器的低功耗模式。269。
17.5液晶显示控制器中断269
17.6的LCD控制寄存器。270。
17.6.1控制寄存器1(lcd_cr1)。..。270
19.6.2控制寄存器2(lcd_cr2)。..。272
17.6.3控制寄存器3(lcd_cr3)。..。273
17.6.4频率选择寄存器(lcd_frq)。..。274 17.6.5端口掩码寄存器(lcd_pm)。274
17.6.6控制寄存器4(lcd_cr4)。..。275
17.6.7 LCD显示存储器(lcd_ram)。..。276 17.6.8 LCD寄存器图及复位值。..。278
18定时器的概述280
18.1定时器功能的比较281
18.2表281定时器信号名称
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rm0031内容
19 16位先进控制定时器(TIM1)。283。
19.1引言283
19.2 TIM1主要特点284
19.3 TIM1时间单位。286。
19.3.1阅读和写作的16位计数器。287
19.3.2写序列的16位tim1_arr寄存器。..。287 19.3.3分频器。287
19.3.4了计数模式。..。288
19.3.5向下计数模式。..。290
19.3.6中心对齐方式(向上/向下计数)。..。292 19.3.7重复计数器。294
19.4 TIM1时钟/触发控制器。296。
19.4.1分频时钟(ck_psc)。..。296
19.4.2内部时钟源(fsysclk)。..。297
19.4.3外部时钟源模式1。..。297
19.4.4外部时钟源模式2。..。299
19.4.5触发同步。300
19.4.6之间的同步定时器。304
19.5 TIM1捕获/比较通道。310。
19.5.1写序列的16位tim1_ccri寄存器。311 19.5.2输入阶段。..。312
19.5.3输入捕捉模式。313
19.5.4输出级。315
19.5.5强制输出模式。..。316
19.5.6输出比较模式。..。316
19.5.7 PWM模式。..。318
19.5.8利用中断功能。325
19.5.9清理ociref信号对外部事件。..。328 19.5.10编码器接口模式。..。329
19.5.11定时器输入异或函数。331
19.5.12与霍尔传感器。331
19.6 TIM1中断。333。
19.6.1 TIM1等事件的能力。333
19.7 TIM1 DMA。333。
19.7.1 DMA单模式。333
19.7.2 DMA突发模式。..。334
文件编号15226启9 13 / 573
内容rm0031
19.8 TIM1寄存器335
19.8.1控制寄存器1(tim1_cr1)335
19.8.2控制寄存器2(tim1_cr2)337
19.8.3从模式控制寄存器(tim1_smcr)。338。
19.8.4外部触发寄存器(tim1_etr)。339。
19.8.5 DMA请求使能寄存器(tim1_der)341
19.8.6中断使能寄存器(tim1_ier)。342。
19.8.7状态寄存器1(tim1_sr1)343
19.8.8状态寄存器2(tim1_sr2)344
19.8.9事件生成寄存器(tim1_egr)。345。
19.8.10捕获/比较寄存器模式1(tim1_ccmr1)。346。
19.8.11捕获/比较寄存器模式2(tim1_ccmr2)。349。
19.8.12捕获/比较寄存器模式3(tim1_ccmr3)。350。
19.8.13捕获/比较寄存器模式4(tim1_ccmr4)。351。
19.8.14捕获/比较使能寄存器1(tim1_ccer1)352 19.8.15捕获/比较使能寄存器2(tim1_ccer2)355 19.8.16计数器(tim1_cntrh)355
19.8.17计数器的低(tim1_cntrl)356
19.8.18分频器高(tim1_pscrh)。356。
19.8.19分频器的低(tim1_pscrl)。356。
19.8.20自动重载寄存器高(tim1_arrh)357
19.8.21自动重载寄存器低(tim1_arrl)357
19.8.22重复计数器寄存器(tim1_rcr)。357。
19.8.23捕获/比较寄存器1高(tim1_ccr1h)。358。
19.8.24捕获
20个16位通用定时器(TIM2,TIM3,tim5)368 20.1引言368
20.2 TIMx主要特点。368。
20.3 TIMx功能描述369
20.3.1时间单位。..。369
20.3.2时钟/触发控制器。..。370
20.3.3捕获/比较通道。..。371
20.3.4定时器输入异或函数。373
20.4 TIMx中断。373。
20.5 TIMx寄存器。374。
20.5.1控制寄存器1(timx_cr1)。374。
20.5.2控制寄存器2(timx_cr2)。375。
20.5.3从模式控制寄存器(timx_smcr)。376。
20.5.4外部触发寄存器(timx_etr)。377。
20.5.5 DMA请求使能寄存器(timx_der)378
20.5.6中断使能寄存器(timx_ier)。379。
20.5.7状态寄存器1(timx_sr1)380
20.5.8状态寄存器2(timx_sr2)381
20.5.9事件生成寄存器(timx_egr)。382。
20.5.10捕获/比较寄存器模式1(timx_ccmr1)。383。
20.5.11捕获/比较寄存器模式2(timx_ccmr2)。385。
20.5.12捕获/比较使能寄存器1(timx_ccer1)386 20.5.13计数器(timx_cntrh)387
20.5.14计数器的低(timx_cntrl)388
20.5.15分频寄存器(timx_pscr)。388。
20.5.16自动重载寄存器高(timx_arrh)388
20.5.17自动重载寄存器低(timx_arrl)389
20.5.18捕获/比较寄存器1高(timx_ccr1h)。389。
20.5.19捕获/比较寄存器1低(timx_ccr1l)。390。20.5.20捕获/比较寄存器2高(timx_ccr2h)。390。
20.5.21捕获/比较寄存器2低(timx_ccr2l)。390。20.5.22中断寄存器(timx_bkr)。391。
20.5.23输出空闲状态寄存器(timx_oisr)。393。20.5.24 TIMx寄存器图及复位值。393。
文件编号15226启9 15 / 573
内容rm0031
21个8位基本定时器(时间)。395。
21.1引言395
TIM4主要特点395 21.2
21.3 tim4interrupts 395
21.4时间时钟选择。396。
21.5时间寄存器396
21.5.1控制寄存器1(tim4_cr1)。396
21.5.2控制寄存器2(tim4_cr2)。397
21.5.3从模式控制寄存器(tim4_smcr)。..。397 21.5.4 DMA请求使能寄存器(tim4_der)。399
21.5.5中断使能寄存器(tim4_ier)。..。399
21.5.6状态寄存器1(tim4_sr)。399
21.5.7事件生成寄存器(tim4_egr)。..。400
21.5.8计数器(tim4_cntr)。400
21.5.9分频寄存器(tim4_pscr)。..。401
21.5.10自动重载寄存器(tim4_arr)。401
21.5.11 Tim4寄存器图及复位值。402
22红外(irtim)接口403
22.1引言403
22.2个主要特征。403。
22.3 irtim寄存器。404。
22.3.1控制寄存器(ir_cr)。404
22.3.2 irtim寄存器图及复位值。..。404
23蜂鸣器(声)。405。
23.1引言405
23.2声功能描述。406。
23.2.1寻呼操作。..。406
23.2.2寻呼机的校准。406
23.2.3 LSI时钟频率测量。..。406
23.3声寄存器。407。
23.3.1哔控制/状态寄存器1(beep_csr1)。407 23.3.2哔控制/状态寄存器2(beep_csr2)。407 23.3.3哔寄存器图及复位值。..。408
16 / 573文档ID 15226转9
rm0031内容
24实时时钟(RTC)。409。
24.1引言409
24.2 RTC的主要特点。410。
24.3 RTC功能描述。410。
24.3.1时钟预分频器。..。411
24.3.2实时时钟和日历。..。413
24.3.3可编程报警。..。414
24.3.4周期自动唤醒。414
24.3.5 RTC初始化和配置。..。..415
24.3.6看完日历。..。416
24.3.7重置RTC。..。417
24.3.8时钟同步(低,中,高密度+设备)。417 24.3.9 RTC光滑的数字校准(低,中,高
密度的设备)。..。418
24.3.10篡改检测(低,中,高密度+设备)。420 24.3.11校准时钟输出。420
24.3.12报警输出。421
24.4时钟低功耗模式。421。
24.5时钟中断421
24.6 RTC寄存器。422。
24.6.1时间寄存器1(rtc_tr1)。..。422
24.6.2时间寄存器2(rtc_tr2)。..。422
24.6.3时间寄存器3(rtc_tr3)。..。422
24.6.4数据寄存器1(rtc_dr1)。..。423
24.6.5数据寄存器2(rtc_dr2)。..。423
24.6.6数据寄存器3(rtc_dr3)。..。424
24.6.7亚秒寄存器高(rtc_ssrh)。..。424
24.6.8亚秒寄存器低(rtc_ssrl)。..。425
24.6.9控制寄存器1(rtc_cr1)。..。425
24.6.10控制寄存器2(rtc_cr2)。..。426
24.6.11控制寄存器3(rtc_cr3)。..。427
24.6.12初始化和状态寄存器1(rtc_isr1)。428
24.6.13初始化和状态寄存器2(rtc_isr2)。429
24.6.14同步分频器寄存器高(rtc_sprerh)。..。430
24.6.15同步分频器寄存器低(rtc_sprerl)。..。431
24.6.16异步分频器寄存器(rtc_aprer)。431
文件编号15226启9 17 / 573
内容rm0031
24.6.17唤醒定时器寄存器高(rtc_wutrh)。432
24.6.18唤醒定时器寄存器低(rtc_wutrl)。..432
24.6.19写保护寄存器(rtc_wpr)。..。433
24.6.20 RTC换档控制寄存器高(rtc_shiftrh)。..。433
24.6.21 RTC换档控制寄存器低(rtc_shiftrl)。..。434
24.6.22报警寄存器1(rtc_alrmar1)。434
24.6.23报警寄存器2(rtc_alrmar2)。435
24.6.24报警寄存器3(rtc_alrmar3)。435
24.6.25报警寄存器4(rtc_alrmar4)。436
24.6.26报警子第二寄存器高(rtc_alrmassrh)。..。436
24.6.27报警子第二寄存器低(rtc_alrmassrl)。..。437
24.6.28报警的一秒的屏蔽寄存器(rtc_alrmassmskr)。..。437 24.6.29校准寄存器高(rtc_calrh)。438
24.6.30校准寄存器低(rtc_calrl)。439
24.6.31篡改控制寄存器1(rtc_tcr1)。..。439
24.6.32篡改控制寄存器2(rtc_tcr2)。..。440
24.6.33 RTC寄存器映射和复位值。..。441
25个独立的看门狗(IWDG)。444。
25.1引言444
25.2独立看门狗功能描述。444。
25.3 IWDG寄存器。446。
25.3.1关键寄存器(iwdg_kr)。..。446
25.3.2分频寄存器(iwdg_pr)。446
25.3.3重装寄存器(iwdg_rlr)。447
25.3.4 IWDG寄存器图及复位值。..。447
26窗口看门狗(wwdg)。448。
26.1引言448
26.2 wwdg主要特点448
26.3 wwdg功能描述448
26.4如何编程的看门狗超时。450。
26.5 wwdg,低功耗模式。450。
26.6硬件看门狗的选择。451。
26.7 wwdg中断。451。
26.8 wwdg寄存器451
18 / 573文档ID 15226转9
rm0031内容
26.8.1控制寄存器(wwdg_cr)。..。451
26.8.2窗口寄存器(wwdg_wr)。..。452
26.9窗口看门狗复位值寄存器图452
27 AES硬件加速器(AES)。453。
27.1引言453
27.2 AES的主要特点。453。
27.3 AES的功能描述。454。
27.4种操作模式。455。
27.4.1模式1:加密。455
27.4.2模式2:密钥推导。456
27.4.3模式3:解密。456
27.4.4模式4:导出密钥和解密。457
27.5 AES DMA接口458
27.6错误标志。459。
27.7、处理时间为459
27.8 AES低功耗模式。460。
27.9 AES中断460
27.10 AES寄存器。461。
27.10.1 AES控制寄存器(aes_cr)。..。461
27.10.2 AES状态寄存器(aes_sr)。462
27.10.3 AES数据输入寄存器(aes_dinr)。463
27.10.4 AES数据输出寄存器(aes_doutr)。463
27.10.5 AES寄存器图及复位值。..。464
28内部集成电路(I2C)接口465
28.1引言465
28.2的I2C总线的主要特点。466。
28.3的I2C总线的一般描述。467。
28.4的I2C功能描述。469。
28.4.1 I2C奴隶模式。..469
28.4.2 I2C主模式。..。471
28.4.3错误条件。..478
28.4.4 SDA和SCL线控制。..。479
28.4.5 SMBus。..。479
文件编号15226启9 19 / 573
内容rm0031
28.4.6 DMA请求。..。482
28.4.7分组错误检查。483
28.5的I2C总线的低功耗模式。484。
28.6的I2C中断484
28.7的I2C寄存器。486。
28.7.1控制寄存器1(i2c_cr1)。..。486
28.7.2控制寄存器2(i2c_cr2)。..。487
28.7.3频率寄存器(i2c_freqr)。..。489
28.7.4自己的地址寄存器的LSB(i2c_oar1l)。490 28.7.5自己的地址寄存器的MSB(i2c_oar1h)。..。490 28.7.6自己的地址寄存器2(i2c_oar2)。..。490
28.7.7数据寄存器(i2c_dr)。..491
28.7.8状态寄存器1(i2c_sr1)。..。..491
28.7.9状态寄存器2(i2c_sr2)。..。..493
28.7.10状态寄存器3(i2c_sr3)。..。..494 28.7.11中断和DMA寄存器(i2c_itr)。..。496 28.7.12时钟控制寄存器低(i2c_ccrl)。..497 28.7.13时钟控制寄存器高(i2c_ccrh)。498 28.7.14试寄存器(i2c_triser)。..。499
28.7.15 PEC寄存器(i2c_pecr)。..。500
28.7.16 I2C寄存器图及复位值。..。500
29通用同步/异步接收器
(USART)。502。
29.1是介绍。502。
29.2是主要特点。502。
29.3串口功能描述503
29.3.1 USART特征描述。506
29.3.2发射机。..。507
29.3.3接收机。..。..510
29.3.4高精度波特率发生器。..。..513
29.3.5 USART接收时钟偏差的公差。..516 29.3.6奇偶控制。516
29.3.7多处理器通信。..。..518
29.3.8 USART同步通信。519
29.3.9单线半双工通信。..522
29.3.10智能卡。522
20 / 573文档ID 15226转9
rm0031内容
29.3.11 IrDA SIR的ENDEC块。..。524
29.3.12连续通信使用DMA。..。526
29.4是低功耗模式529
29.5串口中断。529。
29.6串口寄存器530
29.6.1状态寄存器(usart_sr)。..。530
29.6.2数据寄存器(usart_dr)。..。532
29.6.3波特率寄存器1(usart_brr1)。532
29.6.4波特率寄存器2(usart_brr2)。532
29.6.5控制寄存器1(usart_cr1)。..。533 29.6.6控制寄存器2(usart_cr2)。..。534 29.6.7控制寄存器3(usart_cr3)。..。535 29.6.8控制寄存器4(usart_cr4)。..。536 29.6.9控制寄存器5(usart_cr5)。..。536 29.6.10保护时间寄存器(usart_gtr)。..。537 29.6.11分频寄存器(usart_pscr)。..。538 29.6.12 USART寄存器图及复位值。538
30串行外设接口(SPI)。540。
30.1引言540
30.2 SPI的主要特点。540。
30.3的SPI功能描述。541。
30.3.1一般描述。541
30.3.2配置SPI从属模式。..。545
30.3.3配置SPI主模式。..。545
30.3.4配置SPI单工通信。546
30.3.5数据发送和接收程序。546
30.3.6 CRC计算。..。553
30.3.7状态标志。554
30.3.8禁用SPI。..。555
30.3.9 SPI通信使用的DMA(直接存储器寻址)。557 30.3.10错误标志。558
30.3.11 SPI低功耗模式。559
30.3.12 SPI中断。..。560
30.4 SPI寄存器。560。
30.4.1 SPI控制寄存器1(spi_cr1)。..。560
文件编号15226启9 21 / 573
内容rm0031
30.4.2 SPI控制寄存器2(spi_cr2)。..。561
30.4.3 SPI中断控制寄存器(spi_icr)。..。..562
30.4.4状态暂存器(spi_sr)。..。563
30.4.5 SPI数据寄存器(spi_dr)。..。..564
30.4.6 SPI多项式的CRC寄存器(spi_crcpr)。..。564 30.4.7 SPI RX CRC寄存器(spi_rxcrcr)。..。564 30.4.8 SPI TX CRC寄存器(spi_txcrcr)。565
30.5 SPI寄存器映射及复位值。565。
列表
表1适用的产品。..。1
表2中断的水平。..。33
表3 CPU的寄存器映射。..。34
表4 cfg_gcr寄存器映射。..。..35
表5块大小。..。52
表6内存访问和编程方法。..(低密度的设备)53
表7。记忆体存取与编程方法(中密度的装置)。..。54 表8内存访问和编程方法。
(中+高密度器件)。..。55
表9闪光寄存器映射。..。60
表10列出的缩写。..。62
表11。内部参考电压状态时停止/主动停止模式。67
表12压水堆的中断请求。..。68
表13压水堆寄存器图及复位值。..。70
表14总结了低功率模式。..。71
表15 WFE寄存器映射。..。79
表16个寄存器图及复位值。..。86
表17。CSS LSE在低功率模式。..。97
表18。CSS LSE寄存器图。..。98
表19时钟中断请求。..。99
表20。外周时钟门控位(pcken 10 pcken 17)。103。
表21。外周时钟门控位((pcken 20 pcken 27)。104。表22。外周时钟门控位(pcken 30 pcken 35)。105。
表23。时钟寄存器图及复位值。114。
表24 I / O端口配置的总结。117。
表25。对GPIO端口的低功耗模式的影响。118。
表26 GPIO寄存器映射。122。
表27 I / O组和选择。126。
表28 TIM1输入捕捉路由。128。
表29 RI的中断请求。131。
表30路由接口寄存器的地图。147。
表31寄存器映射。152。
表32软件的优先级别。154。
表33。向量地址地图与软件优先位。159。
表34外部中断的敏感性。160。
表35专用的中断的指令集。160。
表36。ITC和完全寄存器图。170。
表37的源地址和目的地址。180。
表38蛋白Dma1信道请求映射。181。
表39依据/ usartx DMA请求。183。
表40 I2C1 DMA请求。184。
表41 TIMx DMA请求。184。
表42在低功率模式的DMA行为。184。
表43的DMA中断请求。185。
表44 DMA寄存器映射。193。
表45旗/中断配置。200。
表46采样周期的授权。202。
表47在低功率模式的行为。204。
文件编号15226启9 23 / 573
表rm0031列表
表48中断请求。..。204
表49寄存器映射。..。215
表50 DAC输出的开关配置。..。218
表51。DAC输出开关配置(介质和介质+高密度
设备)。..。218
表52。转换触发源(介质,介质+高密度的设备)。..。..220
表53转换触发源。..。220
表54。DAC寄存器地图(中,培养基+高密度的设备)。..。..234
表55窗口中断/唤醒模式。..。..243
表56。在低功率模式比较器的行为。..。..243
表57中断请求比较器。..。..243
表58。比较器和路由接口寄存器图。..。248
表59。16.384千赫的输入频率,典型的帧速率的计算。..。255
表60。500千赫的输入频率,典型的帧速率的计算。..。..256
表61赛格和COM信号映射。..。..266
表62在低功率模式的液晶行为。..。..269
表63显示的中断请求。..。..270
表64显示寄存器映射。..。278
表65定时器的特性。..。280
表66定时器的功能比较。..。281
表67内部定时信号的词汇。..。281
表68。indices'i‖的解释,―n‖,和―X‖。282
表69计数方向与编码器的信号。..。..329
表70。补充OCI和打破OCIN通道输出控制
feature353
表71 TIM1寄存器映射。..。366
表72 TIMx内部触发连接。..。376
表73。具有断特征OCI频道输出控制点(断裂特征
实施,互补输出未实现)。..。392
表74 TIMx寄存器映射。..。393
表75时间寄存器映射。..。402
表76红外寄存器映射。..。..404
表77。嘟寄存器图。..。..408
表78。对RTC的低功率模式的影响。..。421
表79中断控制位。..。421
表80。RTC寄存器映射和复位值。..。441
表81。最小/最大独立看门狗超时(LSI的时钟频率= 38千赫)。..。445
VPD VANTAGE Plant Design System 工厂三维布置设计管理系统 PDMS结构建库 培训手册
型钢库 PDMS已经提供了较完善的元件库,包括型材截面、配件和节点库。但不一定十分齐全,所以PDMS提供了非常方便的建库工具,这些功能都可在PARAGON中实现。 设计库、元件库和等级库之间的关系 等级库(Specificaion)是设计库与元件库之间的桥梁。设计者在等级库中选择元件后,等级中的元件自动找到对应的元件库中的元件;元件库中的几何形状和数据被设计库参考。如下图。 型钢库层次结构 型钢库World下包含了许多元件库和等级库,它们也是一种树状结构库。下图就是型钢库层次结构: 型钢等级库层次结构 等级库相当于元件库的索引,其目的是为设计人员提供一个选择元件的界面,它的层次结构既与界面的关系如下图所示。 本章主要内容: 1.定义型钢截面(Profile) 2.定义型钢配件(Fitting) 3.定义节点(Joint) 定义型钢截面(Profile) 练习一:定义型钢截面库 1.元件库最终的层次结构如下: 2.以管理员身份(如SYSTEM)登录PARAGON模块,再进入Paragon>Steelwork子模块。 3.在 4.选择菜单Create>Section,创建新的STSE, 5.在刚创建的STSE下,选择菜单Create>Element,创建三个元素:“ref.DTSE”、“ref.GMSS”和“ref.PTSS”。 现在的数据库结构如下: 6.设置。选择Settings>Referance Data… 和Display>Members…按下图设置: 7.鼠标指向CATA层,选择菜单Create>Section,创建新的STSE:example/PRFL/BOX。8.选择菜单Create>Category>For Profiles,创建新的STCA,如下图: 9.鼠标指向STCA:example/PRFL/REF.DTSE层,在命令行中键入命令:“NEW DTSE /BOX/EQUAL/DTSE”,这样新建了一个DTSE,如下图。 10.创建截面本身。选择菜单Create>Profile,按下图设置:
DIV+CSS:网站首页布局实例教程 第一步:页面布局与规划 在网页制作中,有许多的术语,例如:CSS、HTML、DHTML、XHTML等等。在下面的文章中我们将会用到一些有关于HTML的基本知识,而在你学习这篇入门教程之前,请确定你已经具有了一定的HTML基础。下面我们就开始一步一步使用DIV+CSS进行网页布局设计吧。所有的设计第一步就是构思,构思好了,一般来说还需要用PhotoShop或FireWorks(以下简称PS或FW)等图片处理软件将需要制作的界面布局简单的构画出来,以下是我构思好的界面布局图。 下面,我们需要根据构思图来规划一下页面的布局,仔细分析一下该图,我们不难发现,图片大致分为以下几个部分: 1、顶部部分,其中又包括了LOGO、MENU和一幅Banner图片; 2、内容部分又可分为侧边栏、主体内容; 3、底部,包括一些版权信息。 有了以上的分析,我们就可以很容易的布局了,我们设计层如下图:
根据上图,我再画了一个实际的页面布局图,说明一下层的嵌套关系,这样理解起来就会更简单了。 DIV结构如下: │body {}/*这是一个HTML元素,具体我就不说明了*/ └#Container {}/*页面层容器*/
├#Header {}/*页面头部*/ ├#PageBody {}/*页面主体*/ │├#Sidebar {}/*侧边栏*/ │└#MainBody {}/*主体内容*/ └#Footer {}/*页面底部*/ 至此,页面布局与规划已经完成,接下来我们要做的就是开始书写HTML代码和CSS。 第二步:写入整体层结构和CSS 接下来我们在桌面新建一个文件夹,命名为“DIV+CSS布局练习”,在文件夹下新建两个空的记事本文档,输入以下内容:
1 问:Geo FEM,Plaxis,Z-Soil软件比较? 2008/6/5 9:34:48 答:三者针对某个算例计算结果相差不大,误差在可接受范围之内。 就易用性来说,Plaxis好于Z-Soil好于GEO。Plaxis大家都用得很多了,Z-Soil的建模可以在前 处理模块中用CAD元素绘制,或者通过dxf文件导入;GEO4只能输入剖面线的坐标,比较烦琐。 Plaxis和Z-soil基本可以解决岩土工程所有问题,但GEO4由于建模功能的限制,只能解决隧道、 边坡等相关问题;Plaxis和Z-Soil可以进行渗流分析(非饱和)包括流固偶合分析。 总的来说,Plaxis和Z-Soil是专业的岩土工程有限元程序;GEO FEM是GEO4里面的一个工具 包,而GEO4类似于国内的理正一样,是遵循Eurocode的设计软件。 2 问:在plaxis中,用折减系数作出它的几个滑裂面,如何查看滑裂面的角度、圆心、半径等 这些滑裂面的相关参数呢? 2008/6/5 9:36:26 答:使用强度折减法,不用假定slip surface,故不会有这些数据。 3 问:Plaxis怎么模拟路堤分步填筑?在实际施工中,填筑不是一次加载的,可能先填一半, 过个月再填一半,而且这一半也不是一次填完,要在几天内完成,请问怎么在Plaxis中模拟,怎 么设置可以反应填筑速率,请高手指教? 2008/6/5 9:47:25 答:手册里有相关例子,你可以参考一下lesson 5。 堆载速率可以通过设置堆载这个stage的时间间隔来设置。如果只有基本模块,可以设置mstage 的数值。mstage=1.0,说明100%施加上去了,mstage=0.1,说明只有10%的荷载。由于Plaxis 不能设置load function,比较麻烦。当然,你可以将一层土细分成几个stage完成,也可以实现。 4 问:Plaxis 3D 用这个软件分析基坑时,基坑是钢格栅喷混凝土支护,支护用板来模拟,EI 和EA中的I和A分别指哪个面的惯性矩和面积,以及单位后面的/m应该是哪个长度? 2008/6/5 9:49:13 答:应该是:A=沿着洞轴方向L×厚度d E是弹性模量I是惯性矩 5 问:在网上看到有人怀疑Plaxis 3D Foundation和3D Tunnel的真三维性,有人说它们不是 真正的三维计算,有谁知道是怎么回事吗? 2008/6/5 9:59:42 答:Plaxis 3D Tunnel计算内核是三维的。但是目前只支持平面拉伸建模,建附加模型还存在困 难。3D Tunnel的确不能生成复杂的斜交隧道。 3D Foundation是专门解决基础问题的三维有限元计算软件。其解决基础问题要比FLAC3D要专 业,特别是考虑了一些工程实际,但开放性不如FLAC3d。近期3D Foundation将在此方面有重 大改进,新版本前处理借用GID作为前处理工具。Plaxis 系列优点长处是其理论,尤其是hs和 hs-small模型。 6 问:最近在算一个基坑,很好的地质条件,桩、撑刚度都取得很大,居然算出来水平位移始终 都有70mm左右,但用同济启明星算水土分算,并且参数都没有取最大值,算的结果只有17mm 左右。深圳规范要求水平位移不超过30mm,要是用Plaxis是很难算出小于规范值的结果的,事 实上,也不至于有那么大的位移的? 2008/6/5 10:05:32 答:主要问题是现在很多地质报告都不提供三轴的试验参数:例如E50模量,Eur模量,Es模量, 有效强度指标等;土体的本构参数比较特殊,要做特殊的试验,因此一般的项目参数方面的确有 问题。不过,即便是只有Es模量和直剪固快指标,通过换算和引入K0、孔隙比、Cc,Cs等其 他参数,也是可以得到其他需要的参数,不过这需要比较扎实的本构模型方面的知识和岩土工程 经验,知道不同的本构适合模拟什么土层,知道本构的优点和局限性,这对使用者的要求的确比 较高。 7 问:隧道已经组成一个类组,所以一定要对其进行材料定义。如果不定义得话,就不能对其 进行网格划分,这要怎么解决呢? 2008/6/5 10:08:42 答:你是不是只想模拟基坑开挖对既有隧道结构的影响,而省略掉前面隧道开挖过程的模拟。 这样的话,结果恐怕很难正确,而且会碰到你所说的问题。因为隧道在基坑开挖前,有一定的受
本参考手册的目标应用程序开发人员。它提供了完整的信息如何使用stm8l05xx,stm8l15xx 和stm8l16xx微控制器的存储器和外围设备。 该stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx是一个家庭的不同存储密度的微控制器和外围设备。这些产品是专为超低功耗应用。可用的外设的完整列表,请参阅产品数据表。 订购信息,引脚说明,机械和电气设备的特点,请参阅产品数据表。 关于STM8 SWIM通信协议信息和调试模块,请参阅用户手册(um0470)。 在STM8的核心信息,请参阅STM8的CPU编程手册(pm0044)。关于编程,擦除和保护的内部快闪记忆体,请参阅STM8L闪存编程手册(pm0054)。
1 中央处理单元(CPU)。30。 1.1 引言30 1.2 CPU的寄存器。30。 1.2.1 描述CPU寄存器。..。30 1.2.2 STM8 CPU寄存器图。..。34 1.3 全球配置寄存器(cfg_gcr)。34。 1.3.1 激活水平。..。34 1.3.2 游泳禁用。..。35 1.3.3 描述全局配置寄存器(cfg_gcr)。..。35 1.3.4 全局配置寄存器图及复位值。..。35 2 启动ROM . . . 36 3程序存储器和数据存储器。37。 3.1引言37 3.2术语。37。 3.3个主要的快闪存储器的特点。38。 3.4记忆的组织。39。 3.4.1低密度设备的存储器组织。39 3.4.2介质密度的装置记忆的组织。..。40 3.4.3介质+密度装置记忆的组织。..。41 3.4.4高密度存储器组织。..。42 3.4.5专有代码区(译)。43 3.4.6用户区(UBC)。43 3.4.7数据的EEPROM(数据)。..。46 3.4.8主程序区。46 3.4.9选项字节。..。46 3.5内存保护。47。 3.5.1读出保护。47 3.5.2内存访问安全系统(质量)。47 3.5.3使写访问选项字节。49 3.6内存编程49 3.6.1同时读写(读写网)。..。49 2 / 573文档ID 15226转9 rm0031内容 3.6.2字节编程。..。49 3.6.3字编程。50 3.6.4块编程。50 3.6.5选项字节编程。52 Flash 3.7的低功耗模式。52。 3.8例ICP和IAP。52。 3.9闪光寄存器57 3.9.1闪光控制寄存器1(flash_cr1)。57 3.9.2闪光控制寄存器2(flash_cr2)。58
jQuery Mobile开发入门手册——入门篇 作者:张勇辉更新日期2010-11-03 Blog:https://www.wendangku.net/doc/92266194.html,
目录 jQuery Mobile开发入门手册——入门篇 (1) 概述 (3) 框架特性 (3) 版本约定 (3) 初始配置 (4) 页面声明 (4) 技术理论 (4) WebKit 和HTML5 (4) 移动Web 应用程序的考虑 (5) 一般站点的呈现 (5) 组件 (7) 页面 (7) 模态对话框 (8) 工具条 (9) 标题容器 (9) 页脚容器 (10) 导航 (11) 按钮 (11) 表单应用 (13) 列表应用 (14)
概述 此文档是基于jQuery Mobile框架的移动设备Web应用开发知识而编制,目的是为了方便开发人员快速的掌握此框架的开发应用,其中包含了框架的基础应用知识和在团队协作开发中的常规约定。 框架特性 JQuery Mobile以“Write Less, Do More”作为目标,为所有的主流移动操作系统平台提供了高度统一的UI框架:jQuery的移动框架可以让你为所有流行的移动平台设计一个高度定制和品牌化的Web应用程序,而不必为每个移动设备编写独特的应用程序或操作系统。 jQuery Mobile目前支持的移动平台有苹果公司的iOS(iPhone,ipad,iPod Touch),Android,Black Berry OS6.0,惠普WebOS,Mozilla的Fennec和Opera Mobile。今后,将增加包括Windows Mobile,Symbian和MeeGo在内的更多移动平台。 根据jQuery Mobile项目网站,目前jQuery Mobile的特性包括: ?jQuery核心——与jQuery桌面版一致的jQuery核心和语法,以及最小的学习曲线。?兼容所有主流的移动平台——iOS、Android、BlackBerry,Palm WebOS、Symbian、Windows Mobile、BaDa、MeeGo以及所有支持HTML的移动平台。 ?轻量级alpha版本的jQuery Mobile 其JavaScript 大小仅为12KB ,CSS 文件也只有6KB大小。 ?标记驱动的配置jQuery Mobile采用完全的标记驱动而不需要JavaScript的配置。 ?渐进增强jQuery Mobile采用完全的渐进增强原则:通过一个全功能的HTML网页,和额外的JavaScript功能层,提供顶级的在线体验。这意味着即使移动浏览器不支持JavaScript,基于jQuery Mobile的移动应用程序仍能正常的使用。 ?自动初始化通过使用mobilize()函数自动初始化页面上的所有jQuery部件。 ?无障碍包括WAI-ARIA在内的无障碍功能以确保页面能在类似于VoiceOver等语音辅助程序和其他辅助技术下正常使用。 ?简单的API 为用户提供鼠标、触摸和光标焦点简单的输入法支持。 ?强大的主题化框架jQuery Mobile提供强大的主题化框架和UI接口。 版本约定 为了避免由于版本不统一等引发的问题,在此次撰写中对框架的版本进行了如下约定:jQuery核心:V 1.50 Mobile核心:V 1.0 ALPHA 3
参 考 手 册
目录 1简介 (7) 2 一般说明 (7) 2.2 文件处理 (9) 2.3 帮助工具 (9) 2.4 输入方法 (10) 3 输入前处理 (10) 3.1 输入程序 (10) 3.5 荷载和边界条件 (28) 4 材料属性和材料数据组 (33) 4.1 模拟土体及界面行为 (35) 4.1.1 一般标签页 (35) 4.1.2 参数标签页 (39) 4.1.3 渗流参数标签页 (50) 4.1.4 界面标签页 (56) 4.1.5 初始标签页 (61) 4.2 不排水行为模拟 (63) 4.2.1 不排水(A) (64) 4.2.2 不排水(B) (64) 4.2.3 不排水(C) (64) 4.3 土工试验模拟 (64) 4.3.1 三轴试验 (67) 4.3.2 固结仪试验 (68) 4.3.3 CRS (68) 4.3.4 DDS (69) 4.3.6 结果 (70) 4.4 板的材料数据组 (70) 4.4.1 材料数据组 (71) 4.4.2 属性 (71)
4.5.1 材料数据组 (74) 4.5.2 属性 (74) 4.6 锚杆的材料数据组 (75) 4.6.1 材料数据组 (76) 4.6.2 属性 (76) 4.7 几何构件的材料数据组赋值 (76) 5 计算 (77) 5.1 计算程序界面 (77) 5.2 计算菜单 (78) 5.3 计算模式 (79) 5.3.1 经典模式 (80) 5.3.2 高级模式 (80) 5.3.3 渗流模式 (81) 5.4 定义计算阶段 (81) 5.4.1 计算标签页 (81) 5.4.2 插入或删除计算阶段 (82) 5.4.3 计算阶段的标识和顺序 (82) 5.5 分析类型 (83) 5.5.1 初始应力生成 (83) 5.5.2 塑性计算 (85) 5.5.3塑性(排水)计算 (85) 5.5.4 固结(EPP)分析 (85) 5.5.5 固结(TPP)分析 (86) 5.5.6 安全性(PHI/C折减) (86) 5.5.7 动力分析 (87) 5.5.8 自由振动 (87) 5.5.9 地下水渗流(稳态) (88) 5.5.10 地下水渗流(瞬态) (88) 5.5.11 塑性零增长步 (88)
CSS 参考手册 CSS背景属性 属性描述值 background 简写属性,作用是将背景属性设置在一个声明中。background-color background-image background-repeat background-attachment background-position background-attachment 设置是否背景图像是固定的或随页面其余部分滚动。scroll fixed background-color 设置元素的背景颜色。color-rgb color-hex color-name transparent background-image 将图像设置为背景。url none background-position 设置背景图像的起始位置。top left top center top right center left center center center right bottom left bottom center bottom right x-% y-% x-pos y-pos background-repeat 设置背景图像是否及如何重复。repeat repeat-x repeat-y no-repeat CSS 边框属性(border) 属性描述值 border 简写属性。作用是在一个声明中用来设置四个边框的所有属性。border-width border-style border-color border-bottom 简写属性。作用是在一个声明中用来设置底边框的所有属性。border-bottom-width border-style border-color border-bottom-color 设置底边框的颜色。border-color border-bottom-style 设置底边框的样式。border-style border-bottom-width 设置底边框的宽度。thin medium thick length border-color 设置四个边框的颜色,可以设置一到四个颜色。color
1 问:Geo FEM,Plaxis,Z-Soil软件比较?2008/6/5 9:34:48 答:三者针对某个算例计算结果相差不大,误差在可接受围之。 就易用性来说,Plaxis好于Z-Soil好于GEO。Plaxis大家都用得很多了,Z-Soil的建模可以在前处理模块中用CAD元素绘制,或者通过dxf文件导入;GEO4只能输入剖面线的坐标,比较烦琐。Plaxis和Z-soil基本可以解决岩土工程所有问题,但GEO4由于建模功能的限制,只能解决隧道、边坡等相关问题;Plaxis和Z-Soil可以进行渗流分析(非饱和)包括流固偶合分析。 总的来说,Plaxis和Z-Soil是专业的岩土工程有限元程序;GEO FEM是GEO4里面的一个工具包,而GEO4类似于国的理正一样,是遵循Eurocode的设计软件。 2 问:在plaxis中,用折减系数作出它的几个滑裂面,如何查看滑裂面的角度、圆心、半径等 这些滑裂面的相关参数呢? 2008/6/5 9:36:26 答:使用强度折减法,不用假定slip surface,故不会有这些数据。 3 问:Plaxis怎么模拟路堤分步填筑?在实际施工中,填筑不是一次加载的,可能先填一半, 过个月再填一半,而且这一半也不是一次填完,要在几天完成,请问怎么在Plaxis中模拟,怎么 设置可以反应填筑速率,请高手指教? 2008/6/5 9:47:25 答:手册里有相关例子,你可以参考一下lesson 5。 堆载速率可以通过设置堆载这个stage的时间间隔来设置。如果只有基本模块,可以设置mstage 的数值。mstage=1.0,说明100%施加上去了,mstage=0.1,说明只有10%的荷载。由于Plaxis 不能设置load function,比较麻烦。当然,你可以将一层土细分成几个stage完成,也可以实现。 4 问:Plaxis 3D 用这个软件分析基坑时,基坑是钢格栅喷混凝土支护,支护用板来模拟,EI 和EA中的I和A分别指哪个面的惯性矩和面积,以及单位后面的/m应该是哪个长度? 2008/6/5 9:49:13 答:应该是:A=沿着洞轴方向L×厚度d E是弹性模量I是惯性矩 5 问:在网上看到有人怀疑Plaxis 3D Foundation和3D Tunnel的真三维性,有人说它们不是 真正的三维计算,有谁知道是怎么回事吗? 2008/6/5 9:59:42 答:Plaxis 3D Tunnel计算核是三维的。但是目前只支持平面拉伸建模,建附加模型还存在困难。 3D Tunnel的确不能生成复杂的斜交隧道。 3D Foundation是专门解决基础问题的三维有限元计算软件。其解决基础问题要比FLAC3D要专 业,特别是考虑了一些工程实际,但开放性不如FLAC3d。近期3D Foundation将在此方面有重 大改进,新版本前处理借用GID作为前处理工具。Plaxis 系列优点长处是其理论,尤其是hs和 hs-small模型。 6 问:最近在算一个基坑,很好的地质条件,桩、撑刚度都取得很大,居然算出来水平位移始终 都有70mm左右,但用同济启明星算水土分算,并且参数都没有取最大值,算的结果只有17mm 左右。规要求水平位移不超过30mm,要是用Plaxis是很难算出小于规值的结果的,事实上,也 不至于有那么大的位移的? 2008/6/5 10:05:32 答:主要问题是现在很多地质报告都不提供三轴的试验参数:例如E50模量,Eur模量,Es模量, 有效强度指标等;土体的本构参数比较特殊,要做特殊的试验,因此一般的项目参数方面的确有 问题。不过,即便是只有Es模量和直剪固快指标,通过换算和引入K0、孔隙比、Cc,Cs等其 他参数,也是可以得到其他需要的参数,不过这需要比较扎实的本构模型方面的知识和岩土工程 经验,知道不同的本构适合模拟什么土层,知道本构的优点和局限性,这对使用者的要求的确比 较高。 7 问:隧道已经组成一个类组,所以一定要对其进行材料定义。如果不定义得话,就不能对其 进行网格划分,这要怎么解决呢? 2008/6/5 10:08:42 答:你是不是只想模拟基坑开挖对既有隧道结构的影响,而省略掉前面隧道开挖过程的模拟。 这样的话,结果恐怕很难正确,而且会碰到你所说的问题。因为隧道在基坑开挖前,有一定的受 力状况,这需要模拟隧道开挖过程才能得到其受力状况,基坑开挖的影响也是在其这个受力状况 上产生的。你现在的目的是让基坑开挖前,隧道结构的力和弯矩都为零了,所以结果很难正确。
悦动使用手册说明书电 子版 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】
悦动使用手册(说明书)电子版1.驾驶席安全气囊……………3-25 2.灯光控制/转向信号………4-45 3.仪表盘………………………4-30 4.雨刮器/喷水器……………4-49 5.点火开关………………………5-4 6.方向盘………………………4-26 7.数字钟………………………4-77 8.危险警告灯开关……………4-44 9.空调控制系统*……………4-54 10.组合箱………………………4-74 11.变速杆…………………………5-9 12.点烟器………………………4-75 13.AUX………………………4-79 14.烟灰缸………………………4—75 15.助手席安全气囊……………3-25
17.手套箱………………………4-73 *:如有配备。 1.门锁闭锁/锁机械操纵……4-8 2.室外后视镜控制开关*……4-27 3.中央控制门锁操纵开关*……4-9 4.电动门窗锁止开关…………4-16 5.电动门窗开关*……………4-13 6.行李箱盖释放杆……………4-12 7.保险丝盒……………………7-44 8.后雾灯开关…………………4-48 9.语音警报系统开关*……4-41 10.方向盘倾斜杆………………4-26 11.发动机罩释放杆……………4-17 12.制动踏板…………………5-15 13.加速踏板………………………5-5
*:如有配备。
悦动自动档使用说明~ 自动档的使用说起来简单也不简单,说难也不难,很多朋友买了自动档就是为了一d到底,自动档确实简单,只要手握方向,眼观八方,工作的事全交给右脚,就能翻山越岭,跋山涉水,无所不去也。 但是我本人作为一个资深工薪族,准备把车保养的好点开个十年的人,还是对这个简单的东西进行了深入的研究,发现自动档的驾驶那是大有学问 。以正常驾驶为例,先说说自动档的分布,咱们悦动的自动波箱由上至下分别为 p-r-n-d-3(d往右边拨下就是)-2-l。 从起步开始说,众所周知,夏天不需要热车,冬天要热车,悦动车本身没水温表,手动档热车就比较简单了,有时间的原地等会,没时间的在起步的前两公里以慢速度< 30km的时候热下,也就可以了。但是自动档的比较麻烦,我有段时间在p档踩刹车点火,凭感觉热得差不多了,踩刹车挂到d档,结果一挂上就感觉整台车往前窜了下,吓了我一跳,后来去4s询问了下,才明白是热车不当所致,据说很伤变速箱。正确的做法是: 先在p档点火,接下来看转数表,刚开始发动时车子声音大很正常,是因为车子的发动机在提高转速热车,因为是电喷车,所以自动完成这工作。接下来,一般转速会在1500以上,我们就坐着等到指针降到1000左右的时候,就可以挂d档走人了,当然正常怠速的时候转速都在800,走一会儿就会自己降下来了。还有我偶尔遇到的情况,刚点火转速只上升到1100左右,这时候是不能走的,直接挂d档车子也还是会窜一下,这种情况就要等到转速降到800才能走。
外文原文 Surface settlement predictions for Istanbul Metro tunnels excavated by EPB-TBM S. G. Ercelebi ?H. Copur ?I. Ocak Abstract In this study, short-term surface settlements are predicted for twin tunnels, which are to be excavated in the chainage of 0 ? 850 to 0 ? 900 m between the Esenler and Kirazl?stations of the Istanbul Metro line, which is 4 km in length. The total length of the excavation line is 21.2 km between Esenler and Basaksehir. Tunnels are excavated by employing two earth pressure balance (EPB) tunnel boring machines (TBMs) that have twin tubes of 6.5 m diameter and with 14 m distance from center to center. The TBM in the right tube follows about 100 m behind the other tube. Segmental lining of 1.4 m length is currently employed as the final support. Settlement predictions are performed with finite element method by using Plaxis finite element program. Excavation, ground support and face support steps in FEM analyses are simulated as applied in the field. Predictions are performed for a typical geological zone, which is considered as critical in terms of surface settlement. Geology in the study area is composed of fill, very stiff clay, dense sand, very dense sand and hard clay, respectively, starting from the surface. In addition to finite element modeling, the surface settlements are also predicted by using semi-theoretical (semi-empirical) and analytical methods. The results indicate that the FE model predicts well the short-term surface settlements for a given volume loss value. The results of semi-theoretical and analytical methods are found to be in good agreement with the FE model. The results of predictions are compared and verified by field measurements. It is suggested that grouting of the excavation void should be performed as fast as possible after excavation of a section as a precaution against surface settlements during excavation. Face pressure of the TBMs should be closely monitored and adjusted for different zones. Keywords Surface settlement prediction _ Finite element method _ Analytical method _ Semi-theoretical method _ EPB-TBM tunneling _ Istanbul Metro Introduction Increasing demand on infrastructures increases attention to shallow soft ground tunneling methods in urbanized areas. Many surface and sub-surface structures make underground construction works very delicate due to the influence of ground deformation, which should be definitely limited/controlled to acceptable levels. Independent of the excavation method, the short- and long-term surface and sub-surface ground deformations should be predicted and remedial precautions against any damage to existing structures planned prior to construction. Tunneling cost substantially increases due to damages to structures resulting from surface settlements, which are above tolerable limits (Bilgin et al. 2009).
STM8L152介绍 8位超低功耗单片机,高达64 + 2字节数据的闪存EE PROM,EEPROM (Electrically Erasable Programmable ), 实时时钟,液晶显示器,定时器,USART,C,SPI,模数转换器,数模转换器,比较器特点:操作条件:工作电源:1.65v~ 3.6v 温度范围:40 to 85, 105 or 125 低功耗的特点:5个低功耗模式:等,低功率运行 (5.9|ì一),低功耗等(3|ì一),active-halt 全实时时钟(1.4|ì一),停止(400) 动态功率消耗:200UA/兆赫+ 330UA,快速唤醒从停止模式(4.7us) 超低漏 I/ O:50nA 先进的stm8核心: 哈佛结构和三级流水线
最大频率:16条16mhz,相关峰 最多40个外部中断源 复位和供应管理: 低功率,超安全欠压复位5可编程阈值 超低功率POR /PDR(通电复位/Protection(保护)、Detection(检测)、Response(响应)) 可编程电压检测器(Programmable voltage detector (PVD)) 时钟管理 32kHz和1-16MHz晶体振荡器 工厂校准的内部16MHz RC和 38kHz的低功耗RC 时钟安全系统
低功耗RTC BCD日历,闹钟中断, 数字校准+ / - 0.5ppm的准确度 先进的防篡改检测 DMA 4个通道。 ADC,DAC的,SPIS,我 2C,USART接口,定时器,1路。存储器到存储器的 LCD:8x40或4x44瓦特/升压转换器 12位ADC1 Msps/28渠道 温度。传感器和内部参考。电压 记忆
我们会定期对W3School 的CSS 参考手册进行浏览器测试。 CSS3 选择器 在CSS 中,选择器是一种模式,用于选择需要添加样式的元素。 "CSS" 列指示该属性是在哪个CSS 版本中定义的。(CSS1、CSS2 还是CSS3。) 选择器例子例子描述C S S .class.intro 选择class="intro" 的所有元素。 1 #id#firstname 选择id="firstname" 的所有元素。 1 ** 选择所有元素。 2 element p 选择所有 元素。 1 element,element div,p 选择所有
1 问:Geo FEM, Plaxis, Z-Soil软件比较?2008/6/5 9:34:48 答:三者针对某个算例计算结果相差不大,误差在可接受范围之内。 就易用性来说,Plaxis好于Z-Soil好于GEO。Plaxis大家都用得很多了,Z-Soil的建模可以在前处理模块中用CAD元素绘制,或者通过dxf文件导入;GEO4只能输入剖面线的坐标,比较烦琐。Plaxis和Z-soil基本可以解决岩土工程所有问题,但GEO4由于建模功能的限制,只能解决隧道、边坡等相关问题;Plaxis和Z-Soil可以进行渗流分析(非饱和)包括流固偶合分析。 总的来说,Plaxis和Z-Soil是专业的岩土工程有限元程序;GEO FEM是GEO4里面的一个工具包,而GEO4类似于国内的理正一样,是遵循Eurocode的设计软件。 2 问:在plaxis中,用折减系数作出它的几个滑裂面,如何查看滑裂面的角度、圆心、半径等 这些滑裂面的相关参数呢? 2008/6/5 9:36:26 答:使用强度折减法,不用假定slip surface,故不会有这些数据。 3 问:Plaxis怎么模拟路堤分步填筑?在实际施工中,填筑不是一次加载的,可能先填一半, 过个月再填一半,而且这一半也不是一次填完,要在几天内完成,请问怎么在Plaxis中模拟,怎 么设置可以反应填筑速率,请高手指教? 2008/6/5 9:47:25 答:手册里有相关例子,你可以参考一下lesson 5。 堆载速率可以通过设置堆载这个stage的时间间隔来设置。如果只有基本模块,可以设置mstage 的数值。mstage=1.0,说明100%施加上去了,mstage=0.1,说明只有10%的荷载。由于Plaxis 不能设置load function,比较麻烦。当然,你可以将一层土细分成几个stage完成,也可以实 现。 4 问:Plaxis 3D 用这个软件分析基坑时,基坑是钢格栅喷混凝土支护,支护用板来模拟,E I和EA中的I和A分别指哪个面的惯性矩和面积,以及单位后面的/m应该是哪个长度? 2008/6/5 9:49:13 答:应该是: A=沿着洞轴方向L×厚度d E是弹性模量 I是惯性矩 5 问:在网上看到有人怀疑Plaxis 3D Foundation和3D Tunnel的真三维性,有人说它们不是 真正的三维计算,有谁知道是怎么回事吗? 2008/6/5 9:59:42 答:Plaxis 3D Tunnel计算内核是三维的。但是目前只支持平面拉伸建模,建附加模型还存在困 难。3D Tunnel的确不能生成复杂的斜交隧道。 3D Foundation是专门解决基础问题的三维有限元计算软件。其解决基础问题要比FLAC3D要专 业,特别是考虑了一些工程实际,但开放性不如FLAC3d。近期3D Foundation将在此方面有重大 改进,新版本前处理借用GID作为前处理工具。Plaxis 系列优点长处是其理论,尤其是hs和 hs-small模型。 6 问:最近在算一个基坑,很好的地质条件,桩、撑刚度都取得很大,居然算出来水平位移始终 都有70mm左右,但用同济启明星算水土分算,并且参数都没有取最大值,算的结果只有17mm左 右。深圳规范要求水平位移不超过30mm,要是用Plaxis是很难算出小于规范值的结果的,事实 上,也不至于有那么大的位移的? 2008/6/5 10:05:32 答:主要问题是现在很多地质报告都不提供三轴的试验参数:例如E50模量,Eur模量,Es模量, 有效强度指标等;土体的本构参数比较特殊,要做特殊的试验,因此一般的项目参数方面的确有 问题。不过,即便是只有Es模量和直剪固快指标,通过换算和引入K0、孔隙比、Cc,Cs等其他 参数,也是可以得到其他需要的参数,不过这需要比较扎实的本构模型方面的知识和岩土工程经 验,知道不同的本构适合模拟什么土层,知道本构的优点和局限性,这对使用者的要求的确比较 高。 7 问:隧道已经组成一个类组,所以一定要对其进行材料定义。如果不定义得话,就不能对其 进行网格划分,这要怎么解决呢? 2008/6/5 10:08:42 答:你是不是只想模拟基坑开挖对既有隧道结构的影响,而省略掉前面隧道开挖过程的模拟。 这样的话,结果恐怕很难正确,而且会碰到你所说的问题。因为隧道在基坑开挖前,有一定的受 力状况,这需要模拟隧道开挖过程才能得到其受力状况,基坑开挖的影响也是在其这个受力状况