高频正弦波电流下MOSFET和IGBT工作特性分析

高频正弦波电流下MOSFET和IGBT工作特性分析

作者：金晓毅;邬伟扬;孙孝峰

作者机构：燕山大学,河北,秦皇岛,066004;燕山大学,河北,秦皇岛,066004;燕山大学,河北,秦皇岛,066004

来源：电力电子技术

ISSN：1000-100X

年：2007

卷：041

期：009

页码：108-110

页数：3

中图分类：TM46;TN86

正文语种：chi

关键词：功率半导体器件;开关特性/电压过冲;串联谐振

摘要：从功率半导体器件MOSFET和IGBT的工作环境出发,详细分析了器件的通态电压、电流及开关时刻,得出在合适的关断电流瞬时值下,不仅能实现功率器件的ZCS,还能实现ZVS和无电压过冲换流的结论.还分析了在不合适电流值下换流时,电压过冲的产生机理,并提出了一种彻底抑制电压过冲的方法.通过测试实验室样机所用的功率器件,验证了分析的正确性和该方法的有效性.