单片机的设计参数
单片机的设计参数
单片机技术自发展以来已走过了近20年的发展路程。单片机技术的发展以微处理器(MPU)技术及超大规模集成电路技术的发展为先导，以广泛的应用领域拉动，表现出较微处理器更具个性的发展趋势。小到遥控电子玩具，大到航空航天技术等电子行业都有单片机应用的影子。针对单片机技术在电子行业自动化方面的重要应用，为满足广大学生、爱好者、产品开发者迅速学会掌握单片机这门技术，于是产生单片机实验板普遍称为单片机开发板、也有单片机学习板的称呼。比较有名的例如电子人DZR-01A单片机开发板。
单片机开发板是用于学习51、STC、AVR型号的单片机实验设备。根据单片机使用的型号又有51单片机开发板、STC单片机开发板、AVR单片机开发板。常见配套有硬件、实验程序源码、电路原理图、电路PCB图等学习资料。例如电子人单片机开发板，针对部分学者需要特别配套有VB上位机软件开发,游戏开发等教程学习资料。开发此类单片机开发板的公司一般提供完善的售后服务与技术支持。单片机又称单片微控制器,它不是完成某一个逻辑功能的芯片,而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。相当于一个微型的计算机，和计算机相比，单片机只缺少了I/O设备。概括的讲：一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时，学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。单片机的使用领域已十分广泛，如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等。各种产品一旦用上了单片机，就能起到使产品升级换代的功效，常在产品名称前冠以形容词——“智能型”，如智能型洗衣机等。
单片机（Microcontrollers）诞生于1971年，经历了SCM、MCU、SoC三大阶段，早期的SCM单片机都是8位或4位的。其中最成功的是INTEL的8051，此后在8051上发展出了MCS51系列MCU系统。基于这一系统的单片机系统直到现在还在广泛使用。随着工业控制领域要求的提高，开始出现了16位单片机，但因为性价比不理想并未得到很广泛的应用。90年代后随着消费电子产品大发展，单片机技术得到了巨大提高。随着INTEL i960系列特别是后来的ARM系列的广泛应用，32位单片机迅速取代16位单片机的高端地位，并且进入主流市场。
而传统的8位单片机的性能也得到了飞速提高，处理能力比起80年代提高了数百倍。高端的32位Soc单片机主频已经超过300MHz，性能直追90年代中期的专用处理器，而普通的型号出厂价格跌落至1美元，最高端的型号也只有10美元。当代单片机系统已经不再只在裸机环境下开发和使用，大量专用的嵌入式操作系统被广泛应用在全系列的单片机上。而在作为掌上电脑和手机核心处理的高端单片机甚至可以直接使用专用的Windows和Linux操作系统。
常见配套资源如下：
1、硬件实验板及其配件如：连接线、CPU芯片、流水灯、点阵显示、ds18b20温度检测、彩色TFT液晶屏，SD卡，游戏开发（推箱子游戏）、收音机、mp3解码等。
2、实验程序源码，包含汇编源程序、C语言源程序。
3、电路原理图、PCB电路图。
4、实验手册、使用手册。
5、针对单片机开发板的详细讲解视频。
6、附加PCB设计制作、VB软件开发等计算机学习资料
1、8个LED灯，可以练习基本单片机IO操作，在其他程序中可以做指示灯使用。
2、2个四联8段数码管，显示温度数据，HELLO欢迎词、时钟等。
3、高亮8*8点阵，如练习数字，字母，图片显示，或者小游戏的开发如贪吃蛇等。
4、4个独立按键，可以配置为中断键盘，为程序的按键扫描节省更多的时间。
5、8个AD按键，主要设计为游戏开发如推箱子等，去掉了矩阵键盘，AD键盘在实际中的应用相当广泛，如电视机加减搜台等都是采用AD键盘，一根AD线可以扩展几百个按键，更接近工程。
6、PCF8591具有AD/DA功能，其采用IIC总线协议，可练习IIC总线的操作。
7、DS18B20温度检测:单线多点检测支持。
8、光敏电阻测试光线强度，感受白天黑夜的区别。
9、FM收音机：能接收80M到110MHz之间的FM频段。可实现自动搜台和手动搜台。
10、DS1302时钟芯片提供实时时钟，带3V电池，在掉电的情况下，时钟仍然可以继续运行。
11、可读写SD卡文件系统，保存数据显示到TFT液晶屏等。
12、继电器可以控制高电压的设备，高压危险，请小心使用。
13、直流电机接口，控制直流电机。
14、步进电机接口，控制步进电机运行。
15、蜂鸣器，可以做电子琴、音乐发声等。
16、74HC595芯片练习串行转并行数据扩展。
17、74HC573锁存扩展芯片，可以扩展接口。
18、ULN2003电机驱动芯片。(这里用它来驱动步进电机，直流电机，继电器和蜂鸣器)
19、MAX232串口数据传输延长发送距离。(可与计算机通信，同时也可做为STC单片机下载程序的接口) 20、PL2303下载单片机，一线下载，直接的USB下载方式，高速下载。
21、TFT液晶屏，单片机也可以控制彩屏了，让你的学习充满乐趣
22、nRF24L01无线数据传输芯片接口，可以插nRF24L01芯片，做高速无线数据传输。
23、LCD1602液晶接口，字符液晶两行，每行可以显示16个字符。
24、LCD12864带字库液晶接口。
25、LCD12864图形液晶接口。
26、DS18B20单线多点温度采集接口。一根线上便可拓展多个DS18B20温度传感器，先提供两个。
27、提供ISP下载接口，可下载AVR、AT的单片机。支持AVR单片机。
28、40针扩展接口，可以无限扩展。以后的DZR-01A开发板配件将从此端口扩展出去。
29、PS2鼠标键盘接口。配合红外遥控器甚至可以遥控我们的电脑!(配例程)
30、AVR/51复位按键。可以复位51 STC AVR单片机，全部支持
31、TEA5767的IIC总线控制。学习IIC控制
32、SD卡的SPI总线控制。扩展大容量存储器
33、红外遥控接收器，可采集红外遥控发出的信号，可使用遥控信号控制其他设备。
34、外接5V供电电源座。
35、RXD、TXD、POWER电源指示灯
36、40PIN紧锁座(非常方便单片机芯片的取放)
37、带LM1117-3.3稳压芯片(为彩屏液晶，SD卡和无线模块供电)
38、USB供电(USB可以提供500MA的电流，完全能满足开发板的需求了)
39、预留电源+5V,GND接口各四个(方便用户扩展其他外围电路时取电和共地)
学习51单片机必须做大量的实验，与其说51单片机是学出来的，倒不如说51单片机是“玩”出来的。就好像个人电脑一样，让你在那看十天使用说明不如你亲自玩一天收获大。为了方便大家做一些51单片https://www.wendangku.net/doc/9110401154.html,/ccgx/index.html机的入门实验，制作了这块51单片机实验板。该51单片机实验板，支持AT89C51、AT89C52、AT89S51、AT89S52这四款51单片机进行实验。它由DS1302、DS18B20、AT24CXX(可以更换AT24C02、AT24C04、AT24C16等存储容量大小不同的EEPROM)、蜂鸣器、继电器、六个数码管、四个发光二极管、一个四乘四的矩阵键盘、四个独立按键、一个1602液晶接口等组成。如下图所示：
电路图左上角的接口如下：
该实验板利用7805构成了自己的稳压电路，为该实验板提供
+5V的稳压电源。其电路图如下：
说明：J4为心为负电压的DC插座；J5为接正电压的针脚；J6为接负电压的针脚；J9为接+5V的针脚。
实验板上硬件连接
利用短路帽，使P2口的P20至P25分别与数码管的位选1至6依次连接，用于控制选通哪一个数码管亮；使P0口的P00至P07分别与数码管的段码SM1至SM8依次连接，用于输出相应的段码。
数字 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 段码
c0
f9
b0
99
92
82
f8
80
90
- 5 -
四、源程序
#include
#define unchar unsigned char #define unint unsigned int
/*****************************定义端口*****************************/ #define smg P2 //利用P2_0到P2_5由右向左依次选择要显示的数码管 #define dm P0 //利用P0口输出段码
/***************************************************************** 函数功能：延迟子函数（晶振12MHz)，延时时间为n乘以10us,n最大为255 入口参数：n 出口参数：*****************************************************************/ void delay_smg(unchar n) {
do{
_nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); n--;
}while(n); }
/***************************************************************** 函数功能：显示六位数以内的正整数，最高位不显示零入口参数：dat 出口参数：
*****************************************************************/ void xianshi_smg(unsigne d long dat) {
bit flag=0; //标志位
unchar i=0; //确定所给正整数为几位数
unchar shu[6]; //由0至5依次存放所给正整数的由高到低各位上的数 unchar code code0[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80, 0x90};//将数码管的段码定义到程序存储区
unchar j,k;
unsigned long n;
- 6 -
for(j=0,n=100000;j<=5;j++,n=n/10)
{
shu[j]=dat/n;
if(shu[j]!=0||flag==1) //flag初值为0。shu[j]不为0时，if语句
{ //成立，i增加1，flag置1。无论shu[j] i++; //为何值，if语句皆成立。故，可完成i flag=1; //记录所给正整数为几位数的功能。但，所 } //给正整数若为零，会出现i 为0这种情况,
dat=dat%n; //故，需在最后判断i是否为0。若i为0,
} //需将i置1。 if(i==0)
for(j=1,k=0xfe;j<=i;j++) {
smg=k;
dm=code0[shu[6-j]]; delay_smg(100); k=~k; k=k<<1; k=~k; dm=0xff; smg=0xff; } } /*****************************主函数*******************************/ main() {
unchar j;
while(1) //循环显示0、3、145、30705、860922这五个正整 { //数，以检验所编写的显示函数。 for(（）j=0;j<200;j++)（https://www.wendangku.net/doc/9110401154.html,/haishen/index.html） xianshi_smg(0); for(j=0;j<200;j++) xia nshi_smg(3); for(j=0;j<200;j++) xianshi_smg(145); for(j=0;j<200;j++) xianshi_smg(30005) ; for(j=0;j<200;j++) xianshi_smg(860922); } }
4×4矩阵式键盘识别实验
实验任务
用51单片机的P1口接4×4矩阵键盘；在数码管上显示每个按键的“0”至“F”序号。对应的按键的序号排列如下图所示：
电路原理图
实验板上硬件连接
利用短路帽，使P1口的P10至P17与4×4矩阵键盘的ZJ1至ZJ8依次连接，完成51单片机与矩阵键盘的连接；使P0口的P00至P07分别与数码管的段码SM1至SM8依次连接，用于输出相应的段码；使P2口的P20与数码管的位选1连接，利用一个数码管静态显示即可完成实验。四、源程序
#include
#define unchar unsigned char #define unint unsigned int
/****************************定义端口*******************************/ #define m1 P1_3 #define m2 P1_2 #define m3 P1_1
#define m4 P1_0 //m1至m4分别对应实验板由上到下对应的行 #define n1 P1_4 #define n2 P1_5 #define n3 P1_6
#define n4 P1_7 //n1至n2分别对应实验板由左向右对应的列
/******************************************************************** 函数功能：延迟子函数（晶振12MHz)，延时时间为n乘以10us,n最大为255 入口参数：n 出口参数：
********************************************************************/ void delay_jzaj(unchar n) { do{ _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _no p_(); _nop_(); n--;
}while(n); }
- 9 -
/******************************************************************** 函数功能：按矩阵键盘上的16个按键使最右边的数码管显示由0到F这16个数入口参数：出口参数：
********************************************************************/ void keyscan(void) {unchar m,n,a,b,c,d; m1=0; m2=0; m3=0; m4=0;
if(n1==0||n2==0||n3==0||n4==0) {
delay_jzaj(50);
if(n1==0||n2==0||n3==0||n4==0) {
a=n1;
b=n2; c=n3; d=n4;
switch(a*1000+b*100+c*10+d) {
case 111: n=1;break;
case 1011:n=2;break; case 1101:n=3;break; case 1110:n=4;break; defa ult:break;
}
}
} m1=1; m2=1; m3=1; m4=1; n1=0; n2=0; n3=0; n4=0;
if(m1==0||m2==0||m3==0||m4==0)
{
delay_jzaj(50);
if(m1==0||m2==0||m3==0||m4==0)
{
a=m1;
- 10 -
b=m2; c=m3; d=m4;
switch(a*1000+b*100+c*10+d) {
case 111: m=1;break;
case 1011:m=2;break; case 1101:m=3;break; case 1110:m=4;break;
default:break;
}
}
}
while(m1==0||m2==0||m3==0||m4==0); //直至按键松开此循环结束 n1=1; n2=1; n3=1; n4=1;
switch(10*m+n) {
case 11:P0=0xc0;break; //显示"0"
case 12:P0=0xf9;break; //显示"1" case 13:P0=0xa4;break; //显示"2" case 14:P0=0xb0;break; //显示"3" case 21:P0=0x99;break; //显示
"4" case 22:P0=0x92;break; //显示"5" case 23:P0=0x82;break; //显示"6" case 24:P0=0xf8;break; //显示"7" case 31:P0=0x80;break; //显示"8" case 32:P0=0x90;break; //显示"9" case 33:P0=0x88;break; //显示"A" case 34:P0=0x83;break; //显示"b" case 41:P0=0xc6;break; //显示"C" case 42:P0=0xa1;break; //显示"d" case 43:P0=0x86;break; //显示"E" case 44:P0=0x8e;break; //显示"F" default:break;
} }
/******************************主函数*******************************/ main()
{ P2=0xfe; //选择最右边的那个数码管 while(1) keyscan()
反渗透计算书
项目信息:合肥经济开发区热电厂锅炉补给水系统 系统细节 第1段进水流量 125.68 m3/h 第1级产水流量 100.54 m3/ h 渗透压: 进系统的原水流量 125.68 m3/ h 第1级回收率 80.00 % 给水 0.21 bar 给水压力 8.27 bar 给水温度 25.0 C 浓水 1.01 bar 污堵因子 0.85 给水TDS 419.38 mg/ l 平均 0.61 bar 化学加药 无 元件数量 144 平均驱动 压 6.85 bar 总有效膜面积 4882.82 M2 第1级平均通 量 20.59 lmh 功率 36.0 8 kW 原水类型:三级废水(微滤) SDI<3 能耗 0.36 kWh/m 3 段 元件位置 P V 数量 元件数量 给水流量 (m3/h ) 给水压力 (bar ) 再循环流量 (m3/h ) 浓水流量 (m3/h ) 浓水压力 (bar ) 产水流量 (m3/h ) 平均通量 (lmh ) 产水压力 (bar ) 升压 压力 (bar ) 产品 水 TDS (mg/l ) 1 BW30-365 FR 16 6 125.68 7.92 0.00 54.65 7.32 71.03 21.8 2 0.10 0.00 4.06 2 BW30-365 FR 8 6 54.65 6.98 0.00 25.14 6.49 29.51 18.1 3 0.10 0.00 10.94
ROSA报告的产品水通量是根据有效膜面积来计算的，而不是公称面积。免责声明：上述数据或信息没有得到任何明示或暗示的保证，也未得到可销售性或对某一目的可适用性的任何保证。FilmTec公司和陶氏化学公司对本软件取得的结果或应用这些数据或信息的任何损害均不承担任何责任。当客户由于使用ROSA膜设计软件，对非FilmTec公司和陶氏化学公司所拥有或控制的专利构成所谓侵权而引起诉讼时，FilmTec公司和陶氏化学公司均不承担任何责任。 FILMTEC?反渗透膜系统分析ROSA v6.1.3 ConfigDB u238786_51 项目:安徽金源方案:1 wyh, kaidi 2006-12-24 设计报警 -无- 溶解性报警 拉格朗日饱和指数 > 0 史蒂夫戴维斯稳定指数 > 0 系统需要加阻垢剂，有关剂量和最大容许回收率，可咨询阻垢剂供应商。 段细节 第1段元 件 位 置 回收 率 产水流 量 (m3/h) 产水 TDS(mg/l) 给水流 量 (m3/h) 给水 TDS(mg/l) 给水 压力 (bar) 1 0.10 0.78 2.83 7.86 419.38 7.92 2 0.11 0.76 3.16 7.08 464.99 7.77 3 0.12 0.7 4 3.58 6.32 520.40 7.64 4 0.13 0.73 4.14 5.58 589.33 7.53 5 0.15 0.72 4.89 4.84 677.60 7.45
华为PCB设计规范
华为设计规范 （)：印刷电路板。 原理图：电路原理图，用原理图设计工具绘制的、表达硬件电路中各种器件之间的连接关系的图。 网络表：由原理图设计工具自动生成的、表达元器件电气连接关系的文本文件，一般包含元器件封装、网络列表和属性定义等组成部分。 布局：设计过程中，按照设计要求，把元器件放置到板上的过程。深圳市华为技术有限公司1999-07-30批准，1999-08-30实施。 仿真：在器件的或支持下，利用设计工具对的布局、布线效果进行仿真分析，从而在单板的物理实现之前发现设计中存在的问题、时序问题和信号完整性问题，并找出适当的解决方案。深圳市华为技术有限公司1999-07-30批准，1999-08-30实施。 . 目的 . 本规范归定了我司设计的流程和设计原则，主要目的是为设计者提供必须遵循的规则和约定。 . 提高设计质量和设计效率。 提高的可生产性、可测试、可维护性。 . 设计任务受理 . 设计申请流程 当硬件项目人员需要进行设计时，须在《设计投板申请表》中提出投板申请，并经其项目经理和计划处批准后，流程状态到达指定的设计部门审批，此时硬件项目人员须准备好以下资料：
⒈经过评审的，完全正确的原理图，包括纸面文件和电子件； ⒉带有元件编码的正式的； ⒊结构图，应标明外形尺寸、安装孔大小及定位尺寸、接插件定位尺寸、禁止布线区等相关尺寸； ⒋对于新器件，即无编码的器件，需要提供封装资料； 以上资料经指定的设计部门审批合格并指定设计者后方可开始设计。 . 理解设计要求并制定设计计划 . 仔细审读原理图，理解电路的工作条件。如模拟电路的工作频率，数字电路的工作速度等与布线要求相关的要素。理解电路的基本功能、在系统中的作用等相关问题。 . 在与原理图设计者充分交流的基础上，确认板上的关键网络，如电源、时钟、高速总线等，了解其布线要求。理解板上的高速器件及其布线要求。 . 根据《硬件原理图设计规范》的要求，对原理图进行规范性审查。 . 对于原理图中不符合硬件原理图设计规范的地方，要明确指出，并积极协助原理图设计者进行修改。 . 在与原理图设计者交流的基础上制定出单板的设计计划，填写设计记录表，计划要包含设计过程中原理图输入、布局完成、布线完成、信号完整性分析、光绘完成等关键检查点的时间要求。设计计划应由设计者和原理图设计者双方签字认可。 . 必要时，设计计划应征得上级主管的批准。 . 设计过程 . 创建网络表
反渗透EDI超滤设计计算Word
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Content 目录 1.0Component Calculation (4) 单元计算 (4) 1.1Raw Water Tank (4) 原水罐 (4) 1.2Raw Water Pump (4) 原水泵 (4) 1.3Back Wash Pump (5) 反洗水泵 (5) 1.4Ultra Filtration: (5) 超滤： (5) 1.5Softener Filter: (5) 软化器： (5) 1.5RO High Pressure Pump (7) 1st高压泵 (7) 2nd高压泵 (7) 1.6RO design calculation (8) 反渗透设计计算 (8) 1.7EDI design calculation (8) EDI设计计算 (8) 1.8Osmostar Heat Exchanger (8) Osmostar消毒热交换器 (8) 2.0Piping Design Calculation (9) 管路设计计算 (9) 2.1Piping Calculation of Ultra Filtration (9) 超滤管道设计： (9) 2.2Piping for Softener Filter: (10) 软化器管道： (10) 2.3Piping In front of the RO High Pressure Pump (10) 高压泵前管道： (10) 2.4Piping behind the RO High Pressure Pump (11)
高压泵后管道： (11) 2.51st RO outlet Piping: (11) 一级RO出口管道： (11) 2.62nd RO outlet Piping: (12) 二级RO出口管道： (12) 2.7EDI outlet Piping: (12) EDI出口管道： (12) 3.0Appendix (13) 附录 (13) 3.1Appendix A-- UF Calculation (13) 附录A 超滤计算书 (13) 3.2Appendix B—RO Design Calculation (16) 附录B RO设计计 (16)
电感主要参数介绍
电感主要参数介绍 除固定电感器和部分阻流圈为通用元件（只要规格相同，各种电子整机上均可使用）外，其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型（代用除外），购买及使用时应以元件型号为主要依据，具体参数大都不需考虑，若需了解，可查相应产品手册或有关资料，这里不可能一一示例。下面谈谈固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 1．电感量L 电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通（即通过某一面积的磁力线数）发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势，电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时，线圈产生的磁通也要变化，磁通掠过线圈，线圈两端便产生感应电势，这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的，犹如线圈具有惯性，这种电磁惯性的大小就用电感量L来表示。L 的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关，采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯，可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H（亨），实际用得较多的单位为mH（毫亨）和IxH（微亨），三者的换算关系如下：1μH—103→1mH—103→1H。 2．感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到，但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q等参数密切相关，在分析电路中也经常需要用到，故这里专门作些介绍。前已述及，由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比，计算公式为：XL （Ω）=2лf（Hz）L（H）。不难看出，线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零，仅线圈的直流电阻起阻力作用，因电阻：—般很小，所以近似短路。通过高频电流时XL大，若L也大，则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反，所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器，以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 3．品质因数Q 这是表示电感线圈品质的参数，亦称作Q值或优值。线圈在一定频率的交流电压下工作时，其感抗XL和等效损耗电阻之比即为Q值，表达式如下：Q=2лL/R。由此可见，线圈的感抗越大，损耗电阻越小，其Q值就越高。值得注意的是，损耗电阻在频率f较低时可视作基本上以线圈直流电阻为主；当f较高时，因线圈骨架及浸渍物的介质损耗、铁芯及屏蔽罩损耗、导线高频趋肤效应损耗等影响较明显，R就应包括各种损耗在内的等效损耗电阻，不能仅计直流电阻。 Q的数值大都在几十至几百。Q值越高，电路的损耗越小，效率越高，但Q值提高到一定程度后便会受到种种因素限制，而且许多电路对线圈Q值也没有很高的要求，所以具体决定Q 值应视电路要求而定。 4．直流电阻
电感元件设计规范
1 电磁学基本概念及公式 (2) 1.1 基本概念 (2) 1.2 基本公式 (2) 2 磁元件的基本特性 (3) 2.1 磁滞效应（H YSTERESIS E FFECT）： (3) 2.2 霍尔效应（H ALL E FFECT）： (3) 2.3 临近效应（P ROXIMITY E FFECT） (3) 2.4 磁材料的饱和 (4) 2.5 磁芯损耗 (4) 3 电感磁芯的分类及特点 (5) 3.1 磁芯材料的分类及其特点 (5) 3.1.1 铁氧体（Ferrite） (5) 3.1.2 硅钢片（Silicon Steel） (6) 3.1.3 铁镍合金（又称坡莫合金或MPP） (6) 3.1.4 铁粉芯（Iron Powder） (6) 3.1.5 铁硅铝粉芯（又称Sendust或Kool Mu） (6) 3.2 磁芯的外形分类： (6) 3.3 电感的结构组成 (7) 3.3.1 环型电感 (7) 3.3.2 EE型电感/变压器 (8) 3.4 电感的主要类型： (8) 3.5 电感磁芯主要参数说明 (9) 4 电感在UPS中的应用 (9) 5 电感设计的原则 (12) 5.1 原则一：电感不饱和（感值下降不超出合理范围） (12) 5.2 原则二：电感损耗导致的温升在允许的范围内（考虑使用寿命） (15) 5.3 原则三：电感的工艺要求可以达成 (17) 6 电感设计规范表 (18)
目的 磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点，究其原因是磁性元 件属非标准件，其设计时需考虑的设计参数众多，工艺问题也较为突出，分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件，优化设计并减少设计中的错误，特制定此规范。 1 电磁学基本概念及公式 1.1 基本概念 1） 磁通：穿过磁路的磁力线的总数，以Ф表示，单位韦伯（Wb ）。 2） 磁通密度（磁感应强度）：垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量， 以B 表示，单位高斯（Gauss ）或特斯拉（T ），1 T=104 Gauss 。 3） 磁场强度：单位磁极在磁场中的磁力，以H 表示，单位安[培]每米（A/m ）或奥斯特（Oe ），1 Oe=103/4π A/m 。 4） 磁导率：磁通密度与磁场强度之比，以μ表示，实际使用中通常指相对于真空的磁导率，真空中的磁导率μ0 =4π×10-7 H/m 。 5） 磁体：磁导率远大于μ0 的物质，如铁，镍，钴及其合金或氧化物等。 6） 居里温度点：磁体在温度升高时，其磁导率下降，当温度高到某一点时，磁性基本消失，此温度称为居里温度点。 7） 磁势：建立磁通所需之外力，以F 表示。 8） 自感：磁通变化率与电流变化率之比称自感，以L 表示。 9） 互感：由于A 线圈电流变化而引起B 线圈磁通变化的现象，B 线圈的磁通变化率与A 线圈的电流变化率之比称为A 线圈对B 线圈的互感，以M 表示。 1.2 基本公式 法拉第电磁感应定律： 穿过闭合回路的磁通发生变化，回路中会产生感应电流。如果回路不闭合，无感应电流，但感应电动势依然存在，感应电动势的大小： 磁场中的磁体存储的能量为： 为磁场中磁体的体积其中V BHV W m 2 1 = 电学与磁学的对偶关系表： d e N dt φ =为等效磁路长度 其中磁场强度为铁窗面积其中磁通密度磁通磁势磁导率l l NI H A A B R F NI F H B / / / / =====φφμ图2.1 环形铁心的铁窗 面积与磁路长度示意图
陶氏反渗透膜型 技术手册 版
陶氏反渗透膜型号技术手册2014最新版 一、造成RO使用寿命缩短的原因 1 反渗透设备的操作不当引起陶氏膜型号性能的损坏 1.1 反渗透设备中有残余气体在高压下运行,形成气锤会损坏陶氏反渗透膜 常有两种情况发生: A、设备排空后,重新运行时,气体没有排尽就快速升压运行。应在2～4bar的压力下将余下的空气排尽后,再逐步升压运行。 B、在预处理设备与高压泵之间的接头密封不好或漏水时(尤其是微滤器及其后的管路漏水)当预处理供水不很足时,如微滤发生堵塞,在密封不好的地方由于真空会吸进部分空气。应清洗或更换微滤器,保证管路不漏。总之,应在流量计中没有气泡的情况下逐步升压运行,运行中发现气泡应逐渐降压检查原因。 1.2 反渗透设备关机时的方法不正确 A、关机时快速降压没有进行彻底冲洗。由于膜浓水侧的无机盐的浓度高于原水,易结垢而污染膜。 B、用投加化学试剂的预处理水冲洗。因含化学试剂的水在设备停运期间可能引起膜污染。 反渗透设备在准备关机时,应停止投加化学试剂,逐步降压至3bar左右用预处理好的水冲洗10min,直至浓缩水的TDS与原水的TDS很接近为止。 1.3 反渗透设备消毒和保养不力导致微生物的污染 这是复合聚酰胺膜使用中普遍存在的问题,因为聚酰胺膜耐余氯性差,在使用中没有正确投加氯等消毒剂,加上用户对微生物的预防重视不够,容易导致微生物的污染。目前许多厂家生产的纯水微生物超标,就是消毒、保养不力造成的。 主要表现为:出厂时,RO设备没有采用消毒液保养;设备安装好后没有对整个管路和预处理设备消毒;间断运行不采取消毒和保养措施;没有定期对预处理设备和反渗透设备消毒;保养液失效或浓度不够。 1.4 反渗透设备余氯监测不力 如投加NaHSO3的泵失灵或药液失效,或活性炭饱和时因余氯损坏膜。
反渗透系统基本组成解析
反渗透系统基本组成解析 反渗透系统设计概述 反渗透系统基本组成部分 1)原水供水单元：原水可能是自来水、地下水、水库水或 其它水源，但一般反渗透系统都有一个储水槽。在系统设计时 要考虑避免二次污染，防止沙土、灰尘等机械杂质污染和发酵、水藻等生物污染的发生。 2)预处理系统：针对原水得水质指标和水源特点，设置合 理的预处理系统，保证经过预处理的水质能够达到反渗透系统 对于 COD、SDI、余氯和 LSI 等的要求。对于一定的原水，不 同的预处理工艺和污染因子去除效果会影响到反渗透膜元件类型、数量和系统参数的选择。在目前越来越多的反渗透系统被 用于地表水和回用污水的情况下，为了保证系统性能和和效率，推荐优先选用膜法预处理(超滤/微滤)。请参考本书卷首较为详 细的“美国海德能公司反渗透纳滤设计导则”。 3)高压泵系统：高压泵系统的压力(扬程)和流量的选择主 要依据运行海德能设计软件 IMSdesign 的模拟计算结果。为了
保证系统的安全可靠，在实际选型时，可以在计算结果推荐选 型的基础上提高 10%扬程和流量规格。反渗透高压泵要求使用 性能高度稳定的耐腐蚀泵。泵系统一般由给水泵和高压泵组成，给水泵加在保安过滤器之前，用于高压泵供水和低压冲洗。在 高压泵出口一般要安装手动调压阀和慢开电动阀。手动调压阀 用于调节泵的出力，电动阀可以防止高压泵启动时发生水锤现象。 4)RO 膜单元：RO 膜单元由压力容器、膜元件、管道和浓 水阀门等组成，是反渗透系统的核心。本章内容主要针对 RO 膜单元的设计，包括参数选择、流程配置、膜元件选型、膜元 件数量和排列的选择以及设计方案的评价和优化等。 5)仪表和控制系统：为了装置能够安全可靠地运行、便于 过程监控，一般要配备温度表、pH 计、压力表、流量计、电 导率表、氧化还原电位计等仪表。反渗透系统的运行和监控由PLC、仪表、计算机系统和工艺模拟流程模拟屏执行，同时设 有手动操作按钮和控制室操作按钮，系统具有联锁保护功能及 报警指示功能。请参考本书第七章及第十三章相关内容。
贴片电感主要参数详解 电感器规格
贴片电感主要参数详解电感器规格 除固定电感器和部分阻流圈为通用元件（只要规格相同，各种电子整机上均可使用）外，其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型（代用除外），购买及使用时应以元件型号为主要依据，具体参数大都不需考虑，若需了解，可查相应产品手册或有关资料，这里不可能一一示例。下面谈谈固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 1．电感量L 电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通（即通过某一面积的磁力线数）发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势，电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时，线圈产生的磁通也要变化，
磁通掠过线圈，线圈两端便产生感应电势，这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的，犹如线圈具有惯性，这种电磁惯性的大小就用电感量L 来表示。L 的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关，采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯，可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H（亨），实际用得较多的单位为mH（毫亨）和IxH（微亨），三者的换算关系如下：1H=103mH=106 μH。 2．感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到，但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q等参数密切相关，在分析电路中也经常需要用到，故这里专门作些介绍。前已述及，由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比，计算公式为：XL （Ω）=2лf（Hz）L（H）。不难看出，线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零，仅线圈的直流电阻起阻力作用，因电阻：—般很小，所以近似短路。通过高频电流时XL大，若L也大，则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反，所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器，以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 3．品质因数Q
反渗透膜的主要性能参数与运行工况条件
1 反渗透膜的主要性能参数与运行工况条件 1.1 反渗透的主要性能参数[8] 1) 透水率。是指单位时间透过单位膜面积的水量。主要取决于膜的材质和结构等因素,但一定的反渗透膜其透水率则取决于运行条件；a. 透水率随温度的升高而增加,随工作压力的增加成比例的上升;b. 透水率随进水浓度的增加而下降;c. 透水率随回收率的增加而下降。 2) 回收率。即供水对渗透液的转换率,直接影响除盐系统的成本。对于苦盐水的回收率大约为90 %;高苦盐水降为60 %－65 %;工业海水系统回收率是35 %－45 %。 3) 膜通量。是表明通过膜表面的一个特定区域的水流速度。 对于地表水是8 GFD－14 GFD(13 L/ m3·h－23 L/ m3·h) ;经过反渗透出水是14 GFD－18 GFD(23 L/ m3·h －30 L/ m3·h) ;对于海水为7 GFD－8 GFD。 1.2 反渗透装置的运行工况条件[8] 为了确保反渗透装置安全可靠运行,选择一定适宜的工况条件是非常必要的。反渗透装置的主要工况条件为进水pH值、进水温度与运行压力。 1) 进水pH 值。对于醋酸纤维膜运行时,水以偏酸性为宜，pH值一般控制在4～7之间，在此范围外加速膜的水解与老化。目前认为pH值在5－6 之间最佳。膜的水解不仅会引起产水量的减少，而且会造成膜对盐去除能力的持续性降低，直至膜损坏为止。 2) 进水温度对产水量有一定的影响,温度增加1 ℃，膜的透水能力增加约2.7 %。反渗透膜的进水温度底限为5℃－8℃,此时的渗滤速率很慢。当温度从11℃升至25℃时，产水量提高50 %。但当温度高于30℃时,大多数膜变得不稳定，加速水解的速度。一般醋酸纤维膜运行与保管的最高温度为35℃，宜控制在25℃－35℃之间。 3) 运行压力。渗透压与原水中的含盐量成正比，与膜无关。提高运行压力后，膜被压密实，盐透过率会减少，水的透过率会增加，提高水的回收率。但当压力超过一定限度时会造成膜的老化，膜的变形加剧，透水能力下降。 1.3 影响反渗透运行参数的主要因素[9] 膜的水通量和脱盐率是反渗透过程中关键的运行参数，这两个参数将受到压力、温度、回收率、给水含盐量、给水PH值因素的影响。 （1）压力 给水压力升高使膜的水通量增大，压力升高并不影响盐透过量。在盐透过量不变的情况下，水通量增大时产品水含盐量下降，脱盐率提高了。 （2）温度
超滤设计计算书
SAVIER
SA VIER 超滤用户手册 目录 目录 (1) 一超滤技术概述 (2) 二SA VIER 超滤膜组件介绍 (4) 2.1 S A VIER 超滤膜的特点 (4) 2.1.1 永久亲水性 (4) 2.1.2 较小的截留分子量 (4) 2.1.3 较大的毛细管膜内径 (5) 2.1.4 较大的壁厚度 (5) 2.1.5 均匀的布水方式 (5) 2.1.6 特殊的根部保护 (6) 2.2 S A VIER 超滤膜组件性能 (6) 2.3 S A VIER 超滤膜组件参数 (7) 2.4 S A VIER 超滤膜组件操作条件 (8) 2.5 S A VIER 超滤膜外型尺寸 (9) 三系统设计 (10) 3.1 超滤系统工作过程 (10) 3.2 冲洗过程 (11) 3.3 超滤系统的预处理 (12) 3.4 超滤系统的设计 (13) 四UF SV DESIGN3.2 计算机辅助软件的说明 (17) 4.1 SV D ESIGN3.2 启动后的界面如下： (17) 4.2 SV D ESIGN3.2 的使用说明 (19) 五系统气密性检测及化学清洗 (23) 5.1 系统气密性检测 (23) 5.2 断丝处理方法 (24) 5.3 化学清洗系统及清洗方法 (24) 5.4 停机保护 (25) 六超滤术语及常用数据汇编 (26) 七超滤系统运行记录表 (28) 附录一超滤工艺流程图.............................................................................................................................................29 附录二超滤运行阀门动作表. (30)
电感的主要参数
电感的主要参数 1）μi(导磁率)(Permeability)---这是铁芯的一个重要参数，对于一个带铁芯的电感，铁芯的导磁率越高，电感值会越高。 2）L(电感值)(Inductance)---L=(4πμiN2A/l)*10-9 (H)，N-线圈圈数，A-磁路截面积，l-磁路平均长度。电感值与铁芯的μi值成正比，与线圈圈数的平方成正比，与测试频率有关(电感值随测试频率的变化关系常用电感的频率曲线来表示)，与环境温度有关，客户通常对电感值的要求是在某一特定频率下合于某一范围。电感值通常是不用计算得出的(因为就算你算得吐血也未必算得准，磁环的可以算得大概准确)，而是用仪器测出的。目录上通常是标示L值的公差范围。 3） Q(品质因素)---客户通常对Q值的要求是越高越好， Q=2πfLe/Re (Re是有效电阻，是消耗能量的部份， 有效电阻由DCR、表面效应、铁损所贡献) (Le是真实电感扣除分布电容影响后的值)，电子工 程施希望所选定的频率讯号通过，而且更希望所通 过的讯号损失越少越好，故他们希望Q值越高越好。 Q值也是随测试频率而变化的，(Q值随测试频率的 变化关系常用Q值的频率曲线来表示)。目录上通常 以其最小值为标注。 4）DCR(直流电阻)(Direct Current Resistance)---电感在直流电流下测量得之电阻，客户通常对DCR值的要求是越小越好。目录上通常以其最大值为标注。 5） SRF(自共振频率)(Self-Resonant Frequency) ---电感的真实电感与电感的分布电容产生共振 时的频率，客户通常对SRF值的要求是越大 越好。目录上通常以其最小值为标注。 自共振频时电感的表现就像电阻，即 (真实)电感值的感抗(2πfL)与分布电容的容抗
反渗透计算公式
反渗透计算公式 1 反渗透的工艺原理 反渗透膜分离技术的原理通过对如下几个专业名词的解释来描述： 1)半透膜：只能允许溶剂分子通过，而不允许溶质的分子通过的膜称为理想半渗透。 2)渗透：在相同的外压下，当溶液与纯溶剂为半透膜隔开时，纯溶剂会通过半透膜是溶液变稀的现象称为渗透。 3)渗透平衡：渗透过程中，单位时间内溶剂分子从两个相反方向穿过半透膜的数目彼此相等，即达到渗透平衡。 4)渗透压：当半透膜隔开溶液与纯溶剂时，加在原溶液上使其恰好能阻止纯溶剂进入溶液的额外压力称为渗透压。通常溶液越浓，溶液的渗透压越大。 5)反渗透：如果加在溶液上的压力超过了渗透压，则反而使溶液中的溶剂向纯溶剂方向流动，这个过程叫做反渗透。
反渗透是利用反渗透膜选择性地只能透过溶剂(通常是水)而截留离子物质的性质，以膜两侧静压差为推动力，克服溶剂的渗透压，使溶剂通过反渗透膜而实现对液体混合物进行分离的膜过程。它的操作压差一般为 1.5～10.5MPa，截留组分的大小为1～10?的小分子溶质。除此之外，还可以从液体混合物中去除其他全部的悬浮物、溶解物和胶体。 2 反渗透工艺的技术特点 1)在常温不发生相变化的条件下，可以对溶质和水进行分离，适用于对热敏感物质的分离、浓缩、并且与有相变化的分离方法相比，能耗较低。 2)杂质去除范围广，不仅可以去除溶解的无机盐类、还可以去除各类有机杓杂质。 3)较高的除盐率和水的回用率、可截留粒径几纳米以上的溶质。 4)由于只是利用压力作为膜分离的推动力、因此分离装置简单，容易操作、自控和维修。 5)反渗透装置要求进水达到一定的指标才能正常运行，医此原水在进入反渗透装置之前要采用一定的预处理措施。为了延长膜的使用寿命，还要定期对膜进行清洗，以清除污垢。 3 反渗透工艺设计、计算 典型工艺流程：反渗透系统一般包括三大主要部分：预处理、反渗透装置、后处理。 与微滤和超滤过程类似，良好的预处理对反渗透装置长期稳定运行十分必要。 其目的主要为： a.国去除悬浮固体和胶体，降低浊度；
反渗透运行成本分析
一、运行成本分析 一、耗电费用 本工艺主要的耗电设备就是泵，根据泵的功率及运行情况来计算本套设计方案的吨水耗电费用，如下表所示： 此系统总装机容量为555.24KW，正常运转功率为489.12KW。 a.设备运行功率：此系统总装机容量为555.24KW，正常运转功率为489.12KW。 b.运行费用：
①水耗：水费不计入内。 ②电费：电费以0.6元/KW计，489.12KW×0.6÷100=2.93元/吨水 二、药剂费用 1. 盐酸 反渗透膜会受到铁、锰的氧化物、无机沉淀及有机物等污染物的污染，从而影响膜的性能。这里根据美国陶氏公司提供的反渗透清洗方式，选用0.2%的盐酸清洗反渗透膜，按每6个月洗膜，通过计算得一次消耗的盐酸的量为180升，每升的盐酸的价格按0.53元计。 则消耗柠檬酸的费用为： 180*0.53/（100*24*30*6）=0.00022元/吨 2. 杀菌剂 为了有效去除水中的胶体及颗粒物质，在超滤反洗时加入次氯酸钠，加次氯酸钠量按3ppm计，每天反洗43.63次，加药时间是30秒，每次每公斤的次氯酸钠按1.6元计。 则消耗次氯酸钠的费用为： （1.6*300*3*43.63*30/3600/1000）/24*100=0.000073元/吨 3. 还原剂 为了有效去除水中的氧化性物质，RO前增加还原剂加药装置，加药量按4.5ppm 计，每公斤还原剂按20元计。 则消耗还原剂的费用为： 4.5*180*20/100*1000=0.162元/吨 4. 阻垢剂 为了有效防止膜的结垢，在保安过滤器前加上阻垢加药装置，加阻垢剂量按4ppm 计，每公斤的阻垢剂按60元计。 则消耗阻垢剂的费用为： 4*180*60/100*1000=0.43元/吨 5. 碱剂 为了使水中二氧化碳全部转化为碳酸根离子，前加上碱加药装置，碱剂量按4ppm 计，每公斤的碱剂按2.5元计。
DC DC电感选型指南
一：电感主要参数意义 DC-DC外围电感选型需要考虑以下几个参数：电感量L，自谐频率f0,内阻DCR，饱和电流Isat，有效电流Irms。 电感量L：L越大，储能能力越强，纹波越小，所需的滤波电容也就小。但是L越大，通常要求电感尺寸也会变大，DCR增加。导致DC-DC效率降低。相应的电感成本也会增加。 自谐频率f0：由于电感中存在寄生电容，使得电感存在一个自谐振频率。超过此F0是，电感表现为电容效应，低于此F0，电感才表现为电感效应（阻抗随频率增大而增加）。 内阻DCR：指电感的直流阻抗。该内阻造成I2R的能量损耗，一方面造成DC-DC降低效率，同时也是导致电感发热的主要原因。 饱和电流Isat：通常指电感量下降30%时对应的DC电流值。 有效电流Irms：通常指是电感表面温度上升到40度时的等效电流值。 二：DC-DC电感选型步骤 根据DC-DC的输入输出特性计算所需的最小电感量。。(对于电感量的计算，各DC-DC芯片手册上有明确的计算方法，请以手册为准，以下公式只是个举例说明) 对于Buck型DC-DC，计算公式如下 Lmin=【Vout*（1-Vout/Vinmax）】/Fsw*Irpp 其中：Vinmax = maximum input voltage Vout = output voltage fsw = switching frequency Irpp = inductor peak-to-peak ripple current 通常将Irpp控制在50%的输出额定电流Irate。则上述公式变化如下： Lmin=2*【Vout*（1-Vout/Vinmax）】/Fsw*Irate 对于Boost型DC—DC的Lmin电感计算公式如下： Lmin=2*【Vinmax*（1-Vinmax/Vout）】/Fsw*Irate
原理图和PCB的设计规范
一.PCB设计规范 1、元器件封装设计 元件封装的选用应与元件实物外形轮廓，引脚间距，通孔直径等相符合。元件外框丝印统一标准。 插装元件管脚与通孔公差相配合（通孔直径大于元件管脚直径8-20mil），考虑公差可适当增加。建立元件封装时应将孔径单位换算为英制（mil），并使孔径满足序列化要求。插装元件的孔径形成序列化，40mil以上按5mil递加，即40mil,45mil,50mil……，40mil以下按4mil递减，即36mil,32mil,28mil……。 2、PCB外形要求 1）PCB板边角需设计成(R=1.0-2.0MM)的圆角。 2）金手指的设计要求，除了插入边按要求设计成倒角以外，插板两侧边也应设计成（1-1.5）X45度的倒角或(R1-1.5)的圆角，以利于插入。 1.布局 布局是PCB设计中很关键的环节，布局的好坏会直接影响到产品的布通率，性能的好坏，设计的时间以及产品的外观。在布局阶段，要求项目组相关人员要紧密配合，仔细斟酌，积极沟通协调，找到最佳方案。 器件转入PCB后一般都集中在原点处，为布局方便，按合适的间距先把 所有的元器件散开。 2）综合考虑PCB的性能和加工效率选择合适的贴装工艺。贴装工艺的优先顺序为： 元件面单面贴装→元件面贴→插混装（元件面插装，焊接面贴装一次波峰成形）； 元件面双面贴装→元件面插贴混装→焊接面贴装。 1.布局应遵循的基本原则 1.遵照“先固后移，先大后小，先难后易”的布局原则，即有固定位 置，重要的单元电路，核心元器件应当优先布局。
2.布局中应该参考原理图，根据重要（关键）信号流向安排主要元器 件的布局。 3.布局应尽量满足以下要求：总的连线尽可能短，关键信号线最短， 过孔尽可能少；高电压，大电流信号与低电压，小电流弱信号完全分开； 模拟与数字信号分开。 4.在满足电器性能的前提下按照均匀分布，重心平衡，美观整齐的标 准优化布局。 5.如有特殊布局要求，应和相关部门沟通后确定。 2.布局应满足的生产工艺和装配要求 为满足生产工艺要求，提高生产效率和产品的可测试性，保持良好的可维护性，在布局时应尽量满足以下要求： 元器件安全间距（如果器件的焊盘超出器件外框，则间距指的是焊盘之 间的间距）。 1.小的分立器件之间的间距一般为0.5mm，最小为0.3mm，相邻器件 的高度相差较大时，应尽可能加大间距到0.5mm以上。如和IC （BGA），连接器，接插件，钽电容之间等。 2.IC、连接器、接插件和周围器件的间距最好保持在1.0mm以上， 最少为0.5mm，并注意限高区和禁止摆放区的器件布局。 3.安装孔的禁布区内无元器件。如下表所示 4.高压部分，金属壳体器件和金属件的布局应在空间上保证与其它 器件的距离满足安规要求。
反渗透膜
反渗透膜 反渗透膜 reverse osmosis membrane 反渗透过程所用的半透膜，只能透过水分子而不能透过盐分子。 反渗透膜 reverse osmosis film 反渗透技术原理是在高于溶液渗透压的作用下，依据其他物质不能透过半透膜而将这些物质和水分离开来。反渗透膜的膜孔径非常小，因此能够有效地去除水中的溶解盐类、胶体、微生物、有机物等。系统具有水质好、耗能低、无污染、工艺简单、操作简便等优点。 基本简介 反渗透膜是实现反渗透的核心元件，是一种模拟生物半透膜制成的具有一定特性的人工半透膜。一般用高分子材料制成。如醋酸纤维素膜、芳香族聚酰肼膜、芳香族聚酰胺膜。表面微孔的直径一般在0.5～10nm之间，透过性的大小与膜本身的化学结构有关。有的高分子材料对盐的排斥性好，而水的透过速度并不好。有的高分子材料化学结构具有较多亲水基团，因而水的透过速度相对较快。因此一种满意的反渗透膜应具有适当的渗透量或脱盐率。 反渗透膜应具有以下特征：（1）在高流速下应具有高效脱盐率；（2）具有较高机械强度和使用寿命；（3）能在较低操作压力下发挥功能；（4）能耐受化学或生化作用的影响；（5）受pH值、温度等因素影响较小；（6）制膜原料来源容易，加工简便，成本低廉。
根据脱盐的需要，经过大量的研究试验，从大量的高分子材料中筛选出了醋酸纤维素（CA）和芳香聚酰胺两大类膜材料。 此外，复合膜的表皮层还用到了其他一些特殊材料。 醋酸纤维素 醋酸纤维素又称乙酰纤维素或纤维素醋酸酯。常以含纤维素的棉花、木材等为原料，经过酯化和水解反应制成醋酸纤维素，再加工成反渗透膜。 聚酰胺 聚酰胺包括脂肪族聚酰胺和芳香族聚酰胺两大类。20世纪70年代应用的主要是脂肪族聚酰胺，如尼龙—4、尼龙—6和尼龙—66膜；目前使用最多的是芳香族聚酰胺膜。膜材料为芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺—酰肼以及一些含氮芳香聚合物。 芳香族聚酰胺膜适应的pH范围可以宽到2~11，但对水中的游离氯很敏感。 复合膜 复合膜的特征是主要由以上两种材料制成，它是以很薄的致密层和多孔支撑层复合而成。多孔支撑层又称基膜，起增强机械强度的作用；致密层也称表皮层，起脱盐作用，故又称脱盐层。脱盐层厚度一般为50nm，最薄的为30nm。 由单一材料制成的非对称膜有下列不足之处： 1、致密层和支持层之间存在被压密的过渡层。 2、表皮层厚度最薄极限为100nm，很难通过减小膜厚度降低推动压力。 3、脱盐率与透水速度相互制约，因为同种材料很难兼具脱盐和支撑两者均优。 复合膜很好地解决了上述问题，它可以分别针对致密层和支持层的要求选择脱盐性能好的材料和机械强度高的材料。从而复合膜的致密层可以做得很薄，有利于降低拖动压力；同时消除了过渡区，抗压密性能好。 基膜的材料以聚砜最为普遍，其次为聚丙烯和聚丙烯腈。因为聚砜价廉易得，制膜简单，机械强度好，抗压密性能好，化学性能稳定，无毒，能抗生物降解。 为进一步增强多孔支撑层的强度，常用聚酯无纺布。 脱盐层的材料主要为芳香聚酰胺。此外还有哌嗪酰胺、丙烯-烷基聚酰胺与缩合尿素、糠醇与三羟乙基异氰酸酯、间苯二胺与均苯三甲酰氯等。反渗透膜主要性能指标
电感的主要参数
电感的主要参数 1）??μi(导磁率)(Permeability)---这是铁芯的一个重要参数，对于一个带铁芯的电感，铁芯的导磁率越高，电感值会越高。 2）???? L(电感值)(Inductance)---L=(4πμiN2A/l)*10-9(H)，N-线圈圈数，A-磁路截面积，l-磁路平均长度。电感值与铁芯的μi值成正比，与线圈圈数的平方成正比，与测试频率有关(电感值随测试频率的变化关系常用电感的频率曲线来表示)，与环境温度有关，客户通常对电感值的要求是在某一特定频率下合于某一范围。电感值通常是不用计算得出的(因为就算你算得吐血也未必算得准，磁环的可以算得大概准确)，而是用仪器测出的。目录上通常是标示L值的公差范围。 3） Q(品质因素)---客户通常对Q值的要求是越高越好， Q=2πfLe/Re (Re是有效电阻，是消耗能量的部份， 有效电阻由DCR、表面效应、铁损所贡献) (Le是真实电感扣除分布电容影响后的值)，电子工 程施希望所选定的频率讯号通过，而且更希望所通 过的讯号损失越少越好，故他们希望Q值越高越好。 Q值也是随测试频率而变化的，(Q值随测试频率的 变化关系常用Q值的频率曲线来表示)。目录上通常 以其最小值为标注。 4）DCR(直流电阻)(Direct Current Resistance)---电感在直流电流下测量得之电阻，客户通常对DCR值的要求是越小越好。目录上通常以其最大值为标注。 5） SRF(自共振频率)(Self-Resonant Frequency) ---电感的真实电感与电感的分布电容产生共振 时的频率，客户通常对SRF值的要求是越大 越好。目录上通常以其最小值为标注。 自共振频时电感的表现就像电阻，即 (真实)电感值的感抗(2πfL)与分布电容的容抗 (-1/2πfC d )相互抵消，即2πfL-1/2πfC d =0， 所以自共振频率f=1/2π√LC d 。自共振频时电感的Le(有效电感值)为0，所以此时的Q值为0。
8040反渗透膜技术要求复习进程
精品文档 精品文档 8040反渗透膜元件性能参数要求 8040反渗透膜元件适用于含盐量低于 10000ppm 的地表水、地下水、自来水及市政用水等水源的脱盐处理，主要应用于各种规模的工业用纯水、发电厂锅炉补给水等领域，也可适用于高浓度含盐废水、 饮料水制造等苦咸水应用领域。 有效膜面积 平均产水量 最低脱盐率 % 膜元件型号 ft 2(m 2 ) 稳定脱盐率 % GPD(m 3 /d) 8040 400（37.2） 10500（39.7） 99.5 99.3 测试 测试压力 225 psi (1.55MPa) 测试液温度 25 ℃ 测试液浓度(NaCl) 2000ppm 测试液pH 值 7.5 条件 单支膜元件回收率 15％ 极限 最高操作压力 600psi （4.14MPa ） 最高进水流量 75gpm （17 m 3 /h ） 最高进水温度 45℃ 使用 最大进水 SDI 15 5 进水自由氯浓度 ＜0.1ppm 条件 正常运行时进水pH 范围 2～11 单支膜元件最大压力降 15psi （0.1MPa ） 化学清洗时进水pH 范围 1～13 单支6芯膜壳最大压力降 50psi （0.34MPa ） 膜元件尺寸如下图：1.0 inch （英寸）=25.4 mm(毫米) A/mm(inch) B/mm(inch) C/mm(inch) 1016.0(40) 201.9(7.95) 28.6(1.125) 注意事项： 1. 表中所列的产水量为平均值，单支膜元件产水量误差为±15%。 2. 膜元件出厂前，干式膜元件无保护液，湿式膜元件使用1.0%的亚硫酸氢钠（冬天时添加10％的丙三醇防冻液）溶液进行 储藏处理并采用真空包装。 3. 干式膜元件润湿后应始终保持湿润；湿式膜元件长期不使用时，为了防止微生物的滋长，推荐用含1.0％亚硫酸氢钠（食 品级）的保护液（用RO 产水配制）浸泡膜元件。 4. 膜元件的初次使用时，建议首先低压冲洗15～25分钟（不宜浸泡或浸泡过夜），然后高压冲洗60～90分钟（产水量不 低于系统设计产水量的50%）。膜元件运行初期第一个小时内的产水和浓水应全部排放。 5. 在储存和运行中禁止添加任何对膜元件有影响的化学药剂，如违反使用这类化学药剂，将不承担由此产生的一切后果。 6. 由于技术进步及产品的更新换代，产品资料可能随时改变，事先予以通知。
电感元件设计规范
1 电磁学基本概念及公式............................................. 错误！未指定书签。 1.1 基本概念..................................................... 错误！未指定书签。 1.2 基本公式..................................................... 错误！未指定书签。 2 磁元件的基本特性................................................. 错误！未指定书签。 2.1 磁滞效应（）：............................................ 错误！未指定书签。 2.2 霍尔效应（）：............................................ 错误！未指定书签。2.3 临近效应（）.............................................................................. 错误！未指定书签。 2.4 磁材料的饱和................................................. 错误！未指定书签。 2.5 磁芯损耗..................................................... 错误！未指定书签。 3 电感磁芯的分类及特点............................................. 错误！未指定书签。 3.1 磁芯材料的分类及其特点....................................... 错误！未指定书签。 3.1.1 铁氧体（）............................... 错误！未指定书签。 3.1.2 硅钢片（） ...................................................................... 错误！未指定书签。 3.1.3 铁镍合金（又称坡莫合金或）................ 错误！未指定书签。 3.1.4 铁粉芯（） ...................................................................... 错误！未指定书签。 3.1.5 铁硅铝粉芯（又称或）.................................................. 错误！未指定书签。 3.2 磁芯的外形分类：............................................. 错误！未指定书签。 3.3 电感的结构组成............................................... 错误！未指定书签。 3.3.1 环型电感.................................. 错误！未指定书签。 3.3.2 型电感/变压器 ........................... 错误！未指定书签。 3.4 电感的主要类型：............................................. 错误！未指定书签。 3.5 电感磁芯主要参数说明......................................... 错误！未指定书签。 4 电感在中的应用................................................... 错误！未指定书签。 5 电感设计的原则................................................... 错误！未指定书签。 5.1 原则一：电感不饱和（感值下降不超出合理范围）................. 错误！未指定书签。 5.2 原则二：电感损耗导致的温升在允许的范围内（考虑使用寿命）.错误！未指定书 签。 5.3 原则三：电感的工艺要求可以达成............................... 错误！未指定书签。 6 电感设计规范表................................................... 错误！未指定书签。