模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷

一.填空题(每空1分,共30分)

1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS 和NMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）

1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。C

A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5

C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2

2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）

A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型

C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型

3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（ A）

A) 增加B) 减小

C) 不变D)不能确定

4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

A) 提高电源电压B) 采用恒流源差分电路

C) 减小工作点电流D)加大R C

5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。 A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同 C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同 6．理想集成运算放大器的放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o 分别为（ C ）

A) ∞，0，∞ B) 0，∞，∞ C) ∞，∞，0 D) 0，∞，0 7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。 A)

；1>F A B) π??n 2=+

f

a ；1>F A C) π??n

f a 2=+；1=F A

D) ；1=F A

8．共模抑制比K CMR 是（ D ）

A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值 9．下列说法中正确的是（ D ） A) 任何放大电路都有功率放大作用

B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈

D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变

10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。 A) 耦合电容和旁路电容的存在 B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 C) 半导体管的非线性特性 D) 静态工作点不合适

三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V ，Rb1=20K ，Rb2=10K ，Re=2K ,Rc=2K ，R L =6K ，β=40,r be =1K 。

）

（V U R R R U CC b b b B 41210

2010

212=?+=+=

)(65.12

7.04mA R U U I I e BE B E C =-=-=

≈

)(4.5)22(65.112)(V R R I U U e C C CC CE =+?-=+-= )(41)(041.040

65

.1uA mA I I C

B ===

=

β

72.02

411)6//2(40)1()//(-=?+?-=++-==

e be L C i o u R r R R u u A ββ

四．（6分）设硅稳压管D 1和D 2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V ，求：

①稳压管接法如图，求输出电压O U 。

②若两只稳压管方向均相反，求O U 。 ③若D 1方向不变，D 2方向相反，求O U 。

① U O = 5+10 = 15V ② U O = 0.7+0.7=1.4V ③ U O = 5+0.7=5.7V

五．（9分）下图中三极管均为硅管，R B 和R C 的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。

（1） （2） （3）

（1）U BE =1-0.5=0.5V<0.7V ，发射结反偏，所以三极管工作在截止状态 （2）发射结正偏，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态 （3）发射结正偏，集电结正偏，所以三极管工作在饱和状态

V

25

六、（9分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出u o1、u o2和u o 的表达式。

i1i1o13u u 100

300

u -=-= ??=??-=-dt u -0.1dt u 10

1001001

u i2i2

3o2

?+=+-=dt u 1.03u )u u (u i2i1o2o1o

七．(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K ，Rc1 = Rc2 = 3K ，R L = 3K ，U CC = 12V ，β= 50，r be1 = r be2 = 950Ω。

Ω≈+?===k 95.095

.028095.0280//1

121be b i i r r r r

3895.072

.050)

//(be1

i2c1u1-=?-

=-

=r r R A β 7995

.05

.150)

//(2

22-=?-

=-

=be L C u r R R A β 3002793821=?=?=u u u A A A

八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：

①如果VD 3接反，则会出现什么现象? ②如果VD 3被开路, 则会出现什么现象?

u 2

R L

u o

VD1

VD4

VD3

VD2u 1

① 在电源负半周将出现电源短路，电源烧坏 ② 只能在电源负半周整流，出现半波整流现象。

《模拟电子技术》试卷答案

一.填空题(每空1分,共30分)

1．P型半导体掺入 3 价元素，多子是自由电子，少子是空穴。2．PN结主要特性是单向导电性，即正向导通，反向截止。3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在饱和区或截止区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。6．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电压、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电流串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为NMOS 和PMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）

三．（8分） ）

（V U R R R U CC b b b B 412102010

212=?+=+=

)(65.12

7

.04mA R U U I I e BE B E C =-=-=

≈

)(4.5)22(65.112)(V R R I U U e C C CC CE =+?-=+-= )(41)(041.040

65

.1uA mA I I C

B ===

=

β

72.02

411)6//2(40)1()//(-=?+?-=++-==

e be L C i o u R r R R u u A ββ 四．（6分）

① U O = 5+10 = 15V ② U O = 0.7+0.7=1.4V ③ U O = 5+0.7=5.7V

五．（9分）

（1）U BE =1-0.5=0.5V<0.7V ，发射结反偏，所以三极管工作在截止状态 （2）发射结正偏，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态 （3）发射结正偏，集电结正偏，所以三极管工作在饱和状态 六、（9分）i1i1o13u u 100

300

u -=-

= ??=??-=-dt u -0.1dt u 10

1001001

u i2i2

3o2

?+=+-=dt u 1.03u )u u (u i2i1o2o1o

七．(10分) Ω≈+?=

==k 95.095

.028095

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3895

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=be L C u r R R A β 3002793821=?=?=u u u A A A

八．（8分）

① 在电源负半周将出现电源短路，电源烧坏 ② 只能在电源负半周整流，出现半波整流现象。

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一、选择题(本大题共15小题，每题只有一个正确答案，请将其序号填在答题卡 上，每小题5分，满分75分) 1、已知全集U ＝R ，M={x|x 21+≤,x ∈R}，N ＝{1,2,3,4}，则C U M ∩N= ( ) A. {4} B. {3,4} C. {2,3,4} D. {1,2,3,4} 2、“G ＝ab ±”是“a,G,b 成等比数列”的 ( ) A. 充分不必要条件 B. 必要不充分条件 C. 充要条件 D. 既不充分也不必要条件 3、函数y=)32(log 3-x 的定义域为区间 ( ) A. ),23(+∞ B. ),23 [+∞ C. ),2(+∞ D. ),2[+∞ 4、函数y=sin3xcos3x 是 ( ) A. 周期为3π的奇函数 B. 周期为3π 的偶函数 C. 周期为32π的奇函数 D. 周期为32π 的偶函数 5、已知平面向量与的夹角为90°,且＝(k,1)，＝(2,6)，则k 的值为 ( ) A. -31 B. 3 1 C. -3 D. 3 6、在等差数列{a n }中，若S 9=45，则a 5= ( ) A. 4 B. 5 C. 8 D. 10 7、已知抛物线y=mx 2的准线方程为y=-1，则m ＝ ( ) A. -4 B. 4 C. 41 D. -4 1 8、在△ABC 中，内角A 、B 所对的边分别是a 、b ，且bcosA=acosB ，则△ABC 是( ) A. 等腰三角形 B. 直角三角形 C. 等边三角形 D. 等腰直角三角形 9、过原点的直线与圆x 2+y 2+4x+3=0相切，若切点在第二象限，则该直线的方程是 ( ) A. y=x 3 B. y=-x 3 C. y=x 33 D. y=-x 3 3 10．下列命题中正确的是（ ） A ．平行于同一平面的两直线平行 B.垂直于同一直线的两直线平行 C.与同一平面所成的角相等的两直线平行D.垂直于同一平面的两直线平行 11、已知tan α=5，则sin α·cos α= ( )

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

高职高考数学模拟试卷

---精品文档欢迎来主页下载 2018高职高考数学模拟试卷120分钟。小题，满分150分。考试时间本试题卷共24注意事项：、答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、1铅笔将试卷类型填涂在答题卡试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除”铅笔把答题纸上对应题目的答案标号用2B2、选择题每小题选出答案后，涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。A 试卷类型：75分）小题，每小题5分，共一、单项选择题（本大题共15在 每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。错涂、多 涂或未涂均无分。????5,44N?,3M?,0,1,23,）1.已知集合，,则下列结论正确的是（ ????MM?NN?52,0,1?N?,3,4?MN?M D. C. A. B. log(x?1)2?x)f(的定义域是（2 、函数）x?2A B C D ),??(((??,0)1,2]2)21(,log2?log31a?0?”的（”是“）3.“aa A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . 7lg7?lg B. A. 1lg3?lg7?3lg3lg37?7lg D. C. 37lg3lg?3lg7?????????xcb??1,02,a?4,5x? ( ，). 5. 设向量,，且满足与，垂直则cba?11? C. D. A. B. 2?222 3x?1?2的解集是（）6.不等式 精品文档． 欢迎来主页下载---精品文档 11???? B. C.（－1，3） D.（1，3） A.?1，，1????33????. ）x+y-5=0的直线方程是（7、过点A（2，3），且垂直于直线2 2x+y-7=0 x-y-1=0 D、x-2y+4=0 B、y -2 x +4=0 C、2A、). 函数的最大 值是( 8. )?4sinxcosx(x?Rf(x) D. C. B. A. 8412k??），则9．已知角的值是（终边上的一点?cos,?4),P(3k41216 D．A．C．． B ?3?4?55?. ）平移后的图象对应的函数为（的图象按向量10、函数,1)?a=(x2y?sin6??B、A、1)?y?sin(2y?sin(2x?)?1x? 63??D、、 C1y?sin(2x??x?)y)?1?sin(236n???a).

2018年高职高考数学模拟试题一

2018年高职高考数学模拟试题一 数 学 本试卷共4页，24小题，满分150分。考试用时120分钟。 注意事项：1．答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座 位号填写在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型(A)填涂在答题卡相应位置上。将条形 码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴处”。 2．选择题每小题选出答案后，用2B 铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信息点涂黑， 如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案，答案不能答在试卷上。 3．非选择题必须用黑色字迹钢笔或签字笔作答，答案必须写在答题卡各题目指定区域 内相应位置上;如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案;不准使用铅笔和 涂改液。不按以上要求作答的答案无效。 4．考生必须保持答题卡的整洁。考试结束后，将试卷和答题卡一并交回。 一．选择题（共15题，每小题5分，共75分） 1. 设集合{}2,0,1M =-，{}1,0,2N =-,则=M N I ( ). A.{}0 B. {}1 C. {}0,1,2 D. {}1,0,1,2- 2．设x 是实数，则 “0>x ”是“0||>x ”的（ ） A ．充分而不必要条件 B ．必要而不充分条件 C ．充要条件 D ．既不充分也不必要条件 3．若sin 0α<且tan 0α>是，则α是（ ） A ．第一象限角 B ． 第二象限角 C ． 第三象限角 D ． 第四象限角

4．函数21 )1lg(-+-=x x y 的定义域为（ ） A ． B. C. D. 5．已知点)33,1(),3,1(-B A ，则直线AB 的倾斜角是（ ） A ．3π B ．6 π C ．32π D ． 65π 6．双曲线22 1102 x y -=的焦距为（ ） A ． B ． C ． D ． 7．设函数()???≤+->=0 , 10 ,x log 2x x x x f ，则()[]=1f f （ ） A ．5 B ．1 C ．2 D ．2- 8．在等差数列{n a }中，已知2054321=++++a a a a a ，那么3a 等于（ ） A ．4 B ．5 C ．6 D ．7 9．已知过点),2(m A -和)4,(m B 的直线与直线012=-+y x 平行，则m 的值为（ ） A ．0 B ．－8 C ． 2 D ． 10 10. 函数x x cos sin 4y =是 （ ） (A) 周期为π2的奇函数 (B)周期为π2的偶函数 (C) 周期为π的奇函数 (D) 周期为π的偶函数 11、设向量a ρ=(2,-1), b ρ=(x,3)且a ρ⊥b ρ则x=（ ） A. 21 B.3 C. 2 3 D.-2 12. 某公司有员工150人，其中50岁以上的有15人，35~49岁的有45人，不到35岁的有90人.为了调查 员工的身体健康状况，采用分层抽样方法从中抽取30名员工，则各年龄段人数分别为（ ） （A ）5,10,15 (B) 5,9,16 (C)3,9,18 (D) 3,10,17 13．已知01a << ，log log a a x =1log 52 a y = ，log log a a z =- ） A ．x y z >> B ．z y x >> C ．y x z >> D ．z x y >> 14. 过点P(1,2)且与直线013=+-y x 垂直的直线是（ ） }2|{≤x x }12|{≠≤x x x 且}2|{>x x } 12|{≠-≥x x x 且

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

2018高职高考数学模拟试卷

页脚内容1 2018高职高考数学模拟试卷 本试题卷共24小题，满分150分。考试时间120分钟。 注意事项： 1、答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型填涂在答题卡相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除” 2、选择题每小题选出答案后，用2B 铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。 3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。 4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。 试卷类型：A 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题5分，共75分） 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。错涂、多涂或未涂均无分。 1.已知集合{}4,3,2,1,0=M ，{}5,4,3=N ,则下列结论正确的是（ ） A. N M ? B. M N ? C. {}4,3=?N M D. {}5,2,1,0=?N M 2、函数x x x f --=2) 1(log )(2的定义域是（ ） A )0,(-∞ B )2,1( C ]2,1( D ),2(+∞

页脚内容2 3.“01a <<”是“log 2log 3a a >”的（ ） A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . A. lg 7lg31+= B. 7 lg 7 lg 3lg 3= C. 3lg 3 lg 7lg 7= D. 7lg 37lg 3= 5. 设向量()4,5a =r ，()1,0b =r ，()2,c x =r ，且满足→→+b a 与→c 垂直,则x = ( ). A. 2- B. 1 2- C. 1 2 D. 2 6.不等式312x -<的解集是（ ） A.1 13??- ???， B.1 13?? ???， C.（－1，3） D.（1，3） 7、过点A （2，3），且垂直于直线2x +y -5=0的直线方程是（ ）. A 、 x -2y +4=0 B 、y -2 x +4=0 C 、2x -y -1=0 D 、 2x +y -7=0 8. 函数()4sin cos ()f x x x x R =∈的最大值是( ). A. 1 B. 2 C. 4 D. 8

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

模拟电子技术基础期末复习

一、填空 1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。 2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。 ３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。 ４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。 ５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。 ６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。 7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。 8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。 9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。 10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。 11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。 12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。 14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。 15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。 16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。 17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。 18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。 19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。 20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。 22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。级数愈多则上限频率越。 23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。 24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。 25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的

电力电子技术模拟卷答案

华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性

负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件

中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变

模拟电子技术期末复习题及答案

《电子技术基础2》复习题 一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分） 1、N型半导体的多数载流子是空穴。（） 2、P型半导体的多数载流子是空穴。（） 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 （） 4、运算电路中一般引入负反馈。（） 5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。（） 9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（） 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（） 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。（） 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。（） 13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。（） 14、共发射极放大电路输出与输入反相。（） 15、共基极放大电路输出与输入反相。（） 16、共集电极放大电路输出与输入反相。（） 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。（） 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。（） 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。（） 22、运放的共模放大倍数越小越好。（） 23、运放的差模放大倍数越小越好。（） 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （） 26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（） 27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（） 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。（） 29、用于滤波的电容通常串联连接。（） 30、用于滤波的电容通常并联连接。（） 31、用于滤波的电感通常串联连接。（） 32、用于滤波的电感通常并联连接。（） 33、稳压管正常工作状态下，处于正向导通状态。（） 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。（） 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。（） 36、电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（）

高职高考数学模拟试卷

2017年广东高职高考数学模拟试卷 姓名： 学号： 评分： 一、 选择题：本大题共15小题，每小题5分，满分75分. 1．已知集合}5,3,1{},4,1{==N M ，则=N M Y （A ） {1，3，4，5} （B ） {4，5} （C ）{1，4，5} （D ）{1} 2．函数x x f +=1)(的定义域是 （A ）]1,(--∞ （B ）),1[+∞- （C ）]1,(-∞ （D ）),(+∞-∞ 3．不等式0672 >+-x x 的解集是 （A ）（1，6）（B ）Ф （C ）（-∞，1）∪（6，+∞） （D ） （-∞，+∞） 4．设0>a 且y x a ,,1≠为任意实数，则下列算式错误．． 的是 （A ）10=a （B ）y x y x a a a +=? （C ）y x y x a a a -= （D ） 22)(x x a a = 5．在平面直角坐标系中，已知三点)2,0(),1,2(),2,1(---C B A ，则=+|| （A ）2 （B ）4 （C ）1 （D ） 3 6．下列方程的图像为双曲线的是 （A ）022=-y x （B ）2222=-y x （C ）1432 2=+y x （D ）y x 22= 7．已知函数)(x f 是奇函数，且1)2(=f ，则=-3 )]2([f （A ） -1 、 （B ）-8 （C ） 1 （D ）8 8． “10<”的 （A ）必要非充分条件 （B ）充分必要条件 （C ） 充分非必要条件 （D ） 非充分非必要条件 9．若函数x x f ωsin 2)(=的最小正周期为3π，则=ω

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；

2021年电力电子技术考前模拟题(有答案)

电力电子技术考前模拟题 欧阳光明（2021.03.07） 一、选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A 度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值 电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D ) A、0o-90° B、0o-120° C、0o-150° D、0o-180° 15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案 一、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。 8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。 9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。 10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。 12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ 14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。 15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共30分） 1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（） A -6V B -9v C -12v 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分

别是（），该管是（）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高C输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声 三、分析计算题（共34分） 1、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通2）U AO=？（5分） 2、已知：电路如图所示Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100