电池参数

1、各个参数之间的关系
A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。
B.Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp
C.Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况
D.Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率
E.Irev1为电压为-10V时的反向电流
F.Irev2为电压为-12V时的反向电流
G.Rs和Rsh决定FF
H.Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系
I.计算公式：
J.Ncell= Pmpp/S（硅片面积）
K.Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF
L.FF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc）

正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低
正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低


四、串阻Rs组成
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：
1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体）
2.正面电极金属栅线体电阻
3.正面扩散层电阻
4.背面电极金属层电阻
5.正背面金属半导体接触电阻
6.外部因素影响，如探针和片子的接触等
烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。
可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；
5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；
6属于外部测试因素，也会导致Rs变化

正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低
正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低


四、串阻Rs组成
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：
1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体）
2.正面电极金属栅线体电阻
3.正面扩散层电阻
4.背面电极金属层电阻
5.正背面金属半导体接触电阻
6.外部因素影响，如探针和片子的接触等
烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。
可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；
5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；
6属于外部测试因素，也会导致Rs变化

六、并阻Rsh组成
A.测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流

曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定
B.边缘漏电主要由以下几个方面决定：
C.①边缘刻蚀不彻底
D.②硅片边缘污染
E.③边缘过刻
F.
G.体内漏电主要几个方面决定
H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿
I.②由于铝粉的沾污导致的烧穿
J.③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电
K.④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等



十、网印区工艺过程常见问题处理
A.一、翘曲：
B.1.硅片太薄--控制原始硅片厚度
C.2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量
D.3.烧结温度过高--调整烧结炉4、5、6、7区温度
E.4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等
F.二、铝包：
G.1.烧结温度太高--调整烧结炉4、5、6、7区温度
H.2.印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重
I.3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时间必须达到规定时间
J.4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度
K.5.烧结排风太小--增大烧结炉排风
L.6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等
M.三、虚印：
N.1.印刷压力太小--增大印刷压力
O.2.印刷板间距太大--减小板间距
P.3.印刷刮刀条不平--更换刮刀条
Q.4.工作台板不平，磨损严重--更换工作台板
R.5.网印机导轨不平--重新调整导轨
A.四、粗线：
B.1.网版使用次数太多，张力不够--更换网版
C.2.网版参数不合格--核对该批网版参数，更换网版
D.3.浆料太稀，浆料搅拌时间太长--严格执行浆料搅拌时间规定
E.4.网印机参数不合适--调整网印机参数