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C1B PECVD工序操作规程

C1B PECVD工序操作规程

C1B PECVD工序操作流程

1目的

本文规定了C1B PECVD工序的基本操作流程。

2适用范围

本规定适用于C1B PECVD工序。

3内容

3.1 生产准备

3.1.1 进入车间时必须穿好工作服、工作鞋,戴工作帽、手套和防尘口罩,衣着标准严格按照6S执行,不得穿着工作服在车间外活动,进入车间必须走风淋室。

3.1.2做好工艺卫生,接班后用酒精和无尘布擦拭机器传送带,使自动上下料设备保持清洁,并及时清理碎片。

3.2 操作流程

3.2.1启动工艺

在Roth&Rau操作界面上,进入OP操作界面,点击“控制”,选择设定的工艺,启动工艺。等到等离子源全部启动之后,对石墨板预热至少一轮之后,进行生产。

3.2.2上料

确认PSG后硅片产出不超过一小时,若超过一小时要求PSG工序重新清洗,若硅片在规定时间范围内则将装满去PSG后硅片的Schmid花篮运输到PECVD上料台,保证扩散面向上。启动上下料设备,进入自动状态,进行生产。

3.2.3镀膜检测与不良检验

镀膜检测:硅片镀膜之后,选取石墨板规定位置的硅片检验膜厚与折射率。

不良检验:在上下料设备的lift处目测镀膜后的硅片,发现镀膜不良、粉尘片的现象及时将硅片取出做返工处理。

3.2.4下料

将空的Baccini花篮放在卸料台上,硅片镀膜之后,由上下料设备装入片盒,将片盒从下料台上取下,放在手推车上送到丝网印刷工序。

3.2.5设备PM事项

3.2.5.1设备PM或开腔体之后必须使用假片空运行8小时消除粉尘,空运行期间由

C1B PECVD工序操作规程

工艺人员调整工艺。

3.2.5.2开始生产时,先做1板硅片进行跟踪,如果粉尘片每板超过2片,需要再用假片空运行,直到粉尘比例减小至规定值开始正常生产。

3.3仪器/工具/材料

仪器:Roth&Rau 、椭偏仪

工具:Schmid花篮、Baccini花篮、石墨板。

材料:PSG后硅片

3.3注意事项

3.3.1注意去PSG后硅片方向,确保扩散面向上。

3.3.2生产之前必须在工艺启动状态下预热石墨板,至少预热一轮。

3.3.3保证抽检硅片位置与顺序准确。

3.3.4上料片盒80小时用无尘布+酒精擦拭一次。

3.3.5 任何人未经允许不得更改工艺参数。