材基第三章习题及答案讲解
第三章 作业与习题的解答
一、作业：
2、纯铁的空位形成能为105 kJ/mol 。将纯铁加热到850℃后激冷至室温（20℃），假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。(e 31.8=6.8X1013）
6、如图2-56，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环，并受到一均匀切应力τ。
（1）分析该位错环各段位错的结构类型。
（2）求各段位错线所受的力的大小及方向。
（3）在τ的作用下，该位错环将如何运动？
（4）在τ的作用下，若使此位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应为多大？
解：
（2）位错线受力方向如图，位于位错线所在平面，且于位错垂直。
（3）右手法则（P95）：（注意：大拇指向下，P90图3.8中位错环ABCD 的箭头应是向内，即
是位错环压缩）向外扩展（环扩大）。
如果上下分切应力方向转动180度，则位错环压缩。
(4) P103-104： 2sin 2d ?
τd T s b =
θRd s =d ； 2/sin 2θ?
d d =
∴ τ
ττkGb b kGb b T R ===2 注：k 取0.5时，为P104中式3.19得出的结果。
7、在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm 推进到3nm 时需要用多少功（已知晶体点阵常数a=0.3nm,G=7﹡1010Pa ）？ (3100210032ln 22ππGb dr w r Gb ==
?； 1.8X10-9J ）
8、在简单立方晶体的（100）面上有一个b=a[001]的螺位错。如果它(a)被（001）面上b=a[010]的刃位错交割。(b)被（001）面上b=a[100]的螺位错交割，试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折？
（（a ）：见P98图3.21， NN ′在（100）面内，为扭折，刃型位错；(b)图3.22，NN ′垂直（100）面，为割阶，刃型位错）
9、一个]101[2-=a b 的螺位错在（111）面上运动。若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移，请指出交滑移系统。
对FCC 结构：（1 1 -1）或写为（-1 -1 1）
10、面心立方晶体中，在（111）面上的单位位错]101[2-=a b ，在（111）
面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出：
γπ242
b G d s ≈ 应为 γ
π242a G d s ≈
（G 为切变模量，γ为层错能）
（P116式3.33，两个矢量相乘的积=|b1|˙|b2|˙cos(两矢量夹角)
11、在面心立方晶体中，（111）晶面和）（-
111晶面上分别形成一个扩展位错：
（111）晶面：]211[6]112[6]110[2----+→a a a =A+B
)111(-
晶面：]211[6]211[6]011[2a a a +→-=C+D 两个扩展位错在各自晶面上滑动时，其领先位错相遇发生位错反应，求出新位错的柏氏矢量；用图解说明上述位错反应过程；分析新位错的组态性质。
(交线/位错线[-1 1 0]；
4种可能反应：领先A-领先C ：a/6[1 1 0], A-D ： a/6[3 0 1],B-C ：a/6[0 3 -1],B-D ：a/3[1 1 0]；
中间两种位错不够稳定，继续分解出 a/6[1 1 0]、另一分解的位错之后再与C 或A 反应，形成D 或B ；前三种反应最终结果为：B-（111）层错- a/6[110]- (11-1)层错-D 。几乎所有教科书将该组态称为面角位错，是最低能态的稳定结构。
注意：固定位错 （不能滑移，如滑移面不在FCC 的{111}面的纯刃型不全位错）（例如：位错线方向为[-1 1 0]，柏矢为a/6[110]），加上两个相交{111}面（例如交于[-1 1 0]）上两片的层错及相应的不全位错a/6<112>的复杂位错组态称为面角位错。)
后一种为A-（111）层错- a/3[110]- (11-1)层错-C 。但从能量角度考虑，层错宽度较窄，在外力作用下易被压缩（即分解组态- -扩展位错的束集），面角位错组态在交线处合并成a/2[110]固定位错- -压杆位
错，滑移面为（0 0 1）。
14.为什么空位是热力学稳定缺陷，而位错是非热力学稳定缺陷。
15. 请判定下列位错反应能否进行，若能够进行，在晶胞图上做出矢量图。
（1）
（2）（均能）
二、习题解答
1.解释下列基本概念及术语
刃型位错螺型位错柏氏矢量混合位错割阶与扭折位错密度位错的应力场位错的弹性应变能线张力位错的滑移位错的攀移位错塞积柯氏气团完全位错不全位错堆垛层错层错能扩展位错位错反应肖克莱不全位错洛玛－柯垂耳位错束集弗兰克不全位错
2.简述柏氏矢量的特性
解：（1）柏氏矢量与所作的柏氏回路的起点选择、具体途径无关。
（2）如果所作的柏氏回路包含有几个位错，则得出的柏氏矢量是这几个位错的柏氏矢量之总和。朝向节点的各位错的柏氏矢量之总和必然等于离开节点的位错的柏氏矢量之总和。
（3）从柏氏矢量的这些特性可知，位错线只能终止在晶体表面或晶界上，而不能中断于晶体的内部。在晶体内部，它只能形成封闭的环或与其它位错相遇于节点。
3.证明位错线不能终止在晶体内部。
解：设有一位错C终止在晶体内部，如图所示，终点为A。绕位错C作一柏氏回路L1，得柏氏矢量b。现把回路移动到L2 位置，按柏氏回路性质，柏氏回路在完整晶体中移动，它所得的柏氏矢量不会改变，仍为b。但从另一角度看，L2 内是完整晶体，它对应的柏氏矢量应为0。这二者是矛盾的，所以这时不可能的。
4. 一个位错环能否各部分都是螺型位错，能否各部分都是刃型位错？为什么？
解：螺型位错的柏氏矢量与位错线平行，一根位错只有一个柏氏矢量，而一个位错环不可能与一个方向处处平行，所以一个位错环不能各部分都是螺型位错。刃位错的柏氏矢量与位错线垂直，如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面，则位错环处处都是刃型位错。这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面，这种位错又称棱柱位错。
5. 计算产生1cm 长的直刃型位错所需要的能量，并指出占一半能量的区域半径（设r 0＝1nm ，
R ＝1cm ，G ＝50GPa ，b ＝0.25nm ，ν＝1/3）。
解：产生1cm 长的直刃型位错所需要的能量W 1等于1cm 长的直刃型位错的应变能。
29922
2111905010(0.2510)110ln 1ln 11061014(1)1104 3.14(1)3
Gb R W J r πυ-----????=?=??=?-???- 设占一半能量的区域半径r 为10-x cm ，则
17
1
ln
1017
ln 10x r W x W --== 由112r W W =，可解得x ＝3.5，即r ＝10-3.5＝3.16μm 。 6. 同一滑移面上的两根正刃型位错，其柏氏矢量为b ，相距L ，当L 远大于柏氏矢量模时，
其总能量为多少？若它们无限靠近时，其能量又为多少？如果是异号位错结果又如何？ 解：当两根刃型位错相距很远时，总能量等于两者各自能量之和，无论是同号位错还是异号位错，均有
2122W W W Gb α=+=
当两根正刃型位错无限靠近时，相当于柏氏矢量为2b 的一个大位错的能量
22(2)4W G b Gb αα==
当两根异号刃型位错无限靠近时，相遇相消，其总能量为零。
7. 在如图所示的立方体形晶体中，ABCD 滑移面上有一个位错环，其柏氏矢量b 平行于AC 。
（1）指出位错环各部分的位错类型。
（2）指出使位错环向外运动所需施加的切应力的方向。
（3）位错环运动出晶体后晶体外形如何变化？
解：（1）1点为正刃型位错，2点为右螺型位错，3点为负刃型位错，4点为左螺型位错，其余均为混合位错。
（2）在晶体的上下底面施加一对平行于b的切应力，且下底面内的切应力与b同向平行；（3）滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与b相同的滑移，并在晶体侧表面形成相应台阶。
8.已知位错环ABCDA的柏氏矢量为b，外应力为τ和σ，如图所示，问：
（1）位错环各边分别是什么位错？
（2）如何局部滑移才能得到这个位错环？
（3）在足够大的切应力τ的作用下，位错环将如何运动？晶体将如何变形？
（4）在足够大的拉应力σ的作用下，位错环将如何运动？它将变成什么形状？晶体将如何变形？
解：（1）AB是右螺型位错，CD是左螺型位错；根据右手法则，BC是正刃型位错，DA是负刃型位错。
（2）设想在完整晶体中有一个贯穿晶体的上、下表面的正四棱柱，它和滑移面MNPQ交于ABCDA。现让ABCDA上部的柱体相对于下部的柱体滑移b，柱体外的各部分晶体均不滑移。这样，ABCDA就是在滑移面上已滑移区（环内）和未滑移区（环外）的边界，因而是一个位错环。
（3）在切应力τ的作用下，位错环下部晶体的运动方向与b的方向相同。根据右手定则，这种运动必然伴随这位错环的各边向环的外侧运动，从而导致位错环扩大。当位错环滑移出晶体后，滑移面上部晶体相对于下部晶体在反向平行于b的方向上滑移与b大小相同的距离；同时，晶体的左右两个侧面形成两个相反的台阶，台阶的宽度与b的大小相同。
（4）在拉应力σ的作用下，左侧晶体的运动方向与b的方向相同。根据右手定则，BC位错受力向下，DA位错受力向上，而AB和CD两螺型位错不受力。如果拉应力σ足够大，而且温度足够高，则BC位错向下负攀移，DA位错向上负攀移。由于A、B、C、D四点的钉扎作用，形成了两个B－H位错源。位错源每增殖一个位错环且位错环运动出晶体，晶体中就多一层原子面。所增多的原子面上的原子来自于晶体中其他原子的扩散，同时在晶体中产生相应的空位，因此，虽然晶体形状不变，但是y方向的厚度增大。
9.在下图所示的面心立方晶体的（111）滑移面上有两条弯折的位错线OS和O’S’，其中O’S’位
错的台阶垂直于（111），它们的柏氏矢量如图中箭头所示。
（1）判断位错线上各段位错的类型。
（2）有一切应力施加于滑移面，且与柏氏矢量平行时两条位错线的滑移特征有何差异？
解：（1）在两根位错线上，除1～2、3～4段为刃型位错以外，其余各段均为螺型位错。
（2）OS上的各位错段都可在该滑移面内滑移，O’S’上的1～2、3～4段位错不能运动，而其余各段都可以在该滑移面内滑移。
10.某面心立方晶体的可动滑移系为(111)[110]。
（1）指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量；
（2）如果滑移是由纯刃型位错引起的，试指出位错线的方向；
（3）如果滑移是由纯螺型位错引起的，试指出位错线的方向；
（4）指出在上述（2）、（3）两种情况下滑移时位错线的滑移方向；
（5）假定在该滑移系上作用一大小为0.7MPa 的切应力，试计算单位刃型位错和单位螺型位错线受力的大小和方向（取点阵常数a ＝0.2nm ）
解：（1）引起滑移的单位位错的柏氏矢量为[110]2
a b =
，即沿滑移方向上相邻两个原子间的连线所表示的矢量。
（2）设位错线方向为[uvw]。
因刃位错线与其柏氏矢量垂直，同时也垂直于滑移面法线，即 [][111][110][112]uvw =?=
（3）因螺位错与其柏氏矢量平行，故[][110]uvw =。
（4）在（2）时，位错线运动方向平行于b ；在（3）时，位错线的运动方向垂直于b 。
（5）在外间切应力τ的作用下，位错线单位长度上所受的力的大小为F b τ=，方向与位错线垂直。
而2
b =
所以110.70.79.89910/F b MN m τ-====? F 刃的方向垂直于位错线；F 螺的方向也垂直于位错线。
11. 晶体滑移面上存在一个位错环，外力场在其柏氏矢量方向的切应力为410G τ-=（G 为剪切
弹性模量），柏氏矢量102.5510
b m -=?，此位错环在晶体中能扩张的半径为多大？
解：单位长度位错受力为： 4101410 2.5510 2.5510/F b G GN m τ---==??=?
曲率半径为R 的位错因线张力而施加于单位长度位错线的力2
2Gb F R
≈，当此力和外加应力场对位错的力相等所对应的R 就是此位错环在晶体中能扩张的半径，所以
2
142.5510/2Gb GN m R
-=? 即61.27510R m -=? 12. 拉伸单晶体铜，拉力轴方向为[001]，σ＝106Pa 。求在（111）上有一个[101]2
a b =
的螺型位错线上所受的力（已知铜的点阵常数a ＝0.36nm ）。
解 设外加拉应力在滑移面（111）上[101]晶向的分切应力τ cos cos τσ?λ=
式中?为[001]与（111）面的法线[111]间的夹角；λ为[001]与[101]间的夹角。
所以
6510 4.0810
Pa τ==? 螺型位错线上受力为F d
51044.0810 3.610 1.0410/d F b N m τ--==??=?
13. 根据位错滑移模型解释，为什么金属的实际屈服强度比理论屈服强度低很多。
解：晶体的理论屈服强度是以刚性滑移模型为基础计算出的，该模型认为晶体是完整的，不存在任何缺陷。在外力作用下，晶体中相邻两部分晶体沿滑移面和滑移方向作整体的刚性滑移，显然，晶体滑移时外力要破坏掉滑移面上下两层原子面间的所有结合键，需要做很大的功，由此计算的理论屈服强度远高于实际屈服强度。
位错滑移模型是建立在位错运动的基础上，该模型认为晶体滑移是位错在滑移面上运动的结果。当位错在滑移面上滑移时，只需要位错线中心区域的原子发生微小的移动，而远离位错线的原子位移量迅速减小，这样，位错运动仅破坏位错线中心少量原子的结合键，所做的功小得多。位错滑移使晶体滑移阻力急剧减小，所计算得屈服强度比理论屈服强度低3～4个数量级，接近于实验值。
14. 如图所示，某晶体的滑移面上有一个柏氏矢量为b 的位错环，并受到一个均匀的切应力τ。
试分析：
（1）该位错环各段位错的结构类型；
（2）求各段位错线所受力的大小及方向；
（3）在τ的作用下，该位错环将要如何运动；
（4）在τ的作用下，若该位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应该是多少？
解：（1）由柏氏矢量与位错线关系可以知道：A 、B 点为刃型位错，依据右手法则，A 为正刃型位错，B 为负刃型位错。C 点为左螺型位错，D 点为右螺型位错。其他为混合位错。
（2）各段位错所受的力的大小为b τ，方向垂直于位错线。
（3）外加切应力τ，使位错环收缩。
（4）在外力τ和位错线的线张力T 作用下，位错环最后在晶体中稳定不动，此时由公式2Gb r τ=，在τ的作用下此位错环要稳定不动，其最小半径为min 2Gb r τ
=。 15. 当位错的柏氏矢量平行x 轴，请证明不论位错线是什么方向，外应力场的zz σ分量都不会对
位错产生作用力。
解 在外加应力场下单位长度位错线受的滑移方向力和垂直滑移面的力分别为b τ和b σ，其中τ是外应力场在位错滑移面滑移方向的分切应力，σ是外应力场在垂直滑移面和柏氏矢量的面上的正应力。可见，位错受力的大小和位错线的取向无关。现在外应力场是zz σ，在位错滑移面滑移方向的分切应力,所以位错在滑移面上所受的力为0；因位错的柏氏矢量是x 方向，只有xx σ才能使位错在垂直滑移面方向受力，所以在垂直滑移面方向的力亦为0。
16. 晶体中，在滑移面上有一对平行刃位错，它们的间距该多大才不致在它们的交互作用下发
生移动?设位错的滑移阻力(切应力)为9.8×105Pa ，ν=0.3，G=5×1010Pa 。(答案以b 表示) 解：两个位错间在滑移方向在单位长度上的作用力为22222()2(1)()A B A B x Gb b x x y F
x y πυ→-=?-+，现两个位错处于同一个滑移面，所以作用力为12(1)A B A B x Gb b F x
πυ→=-，其中x 是两位错的距离。当这个力等于和大于位错滑移需要克服的阻力b τ阻时，两个位错就能滑动，所以当
12(1)Gb x πυτ≤-阻
时两个位错就会滑动。即
103515101 1.16102(1)2(10.3)9.810
Gb b x b πυτπ?≤==?--?阻 若两个位错是同号的,则两个位错相距的距离小于上面计算的x 时,2位错相斥移动到距离为x 时保持不动;若2位错是反号的,则2个位错间的距离小于上面计算的x 时,2位错相吸移动直至相对消.2个位错间的距离大于x 才会保持不动.
在攀移方向的作用力为0,所以不论2个位错的间距如何,都不会发生攀移。
17. 在相距为h 的滑移面上，有柏氏矢量为b 的两个相互平行的正刃型位错A 、B ，如图所示。
若A 位错的滑移受阻，忽略派纳力，B 位错需多大切应力才可滑移到A 位错的正上方？
解：将位错A 置于坐标原点。A 位错产生的应力场的诸分量中只有yx τ会引起位错B 的滑移，设滑移力为x F ，由位错线所受的力的公式：x yx F b τ=可计算出所需外加切应力的数值。为讨论问题方便，也可以采用如图所示的极坐标。（直角与圆柱坐标间换算：cos cos ,sin h x r y h θθθ
==
=。） 2222222222422222()cos (cos sin )2(1)()2(1)1sin 2cos cos sin (cos sin )2sin 42(1)sin 2(1)8(1)x yx Gb x x y Gb r r F b x y r
Gb Gb Gb r h h
θθθτπυπυθθθθθθθπυθπυπυ--====-+--==--- （三角函数：2222sin cos 1,sin 22sin cos ,cos2cos sin θθθθθθθθ+===-）
当x y >，即x h >，0x F >，两位错互相排斥，需加x 轴负方向的力才可使B 位错向y 轴滑动，当sin 41θ=时，即8π
θ=时，x F 取得极大值，故B 位错滑移到A 位错的正上方所要克服
的最大阻力为2
8(1)x Gb F h
πυ=-。 当B 位错所处的位置x y <，即x h <，0x F <，两位错互相吸引，如果不考虑位错运动的晶格阻力等，无需外力，就可自动滑移至A 位错的上方。
18. 在面心立方晶体中把两个平行且同号的单位螺型位错以相距100nm 推近到3nm 时需要做多
少功？（已知晶体点阵常数a ＝0.3nm ，切变模量G ＝7×1010Pa ）
解：两个平行的螺型位错（b 1，b 2）间的作用力
1222Z Gb b F b r
τθτπ== 由题意知12[110]2a b b b ===
所以2
22Z Gb F b r
τθτπ== 假设一个位错固定，将另一个位错从相距100nm 处推倒相距3nm 时，此时外力做的功为W ，
即
21
22100310100ln 2233.5088.610r r Gb dr Gb W F dr r N m τππ====?=??? 19. 为什么两条运动的柏氏矢量相互垂直的螺型位错交割后产生的割阶会阻碍螺型位错的滑移
运动？
解：根据螺型位错的柏氏矢量与位错线相互平行，以及螺型位错的位错线周围的原子面呈螺旋形的特点知道，当两条位错线相互垂直，也就是柏氏矢量相互垂直的螺型位错相遇并交割后，会在各自的位错线上产生一个刃型割阶，但是刃型割阶的滑移面与螺型位错的滑移面不平行，割阶的滑移方向与螺型位错的滑移方向垂直。在外力作用下，当螺型位错向前滑移时，割阶只能以攀移方式来配合螺型位错的滑移，在常温或低温下这是不可能的。因此，刃型割阶一定阻碍螺型位错的滑移运动。
20. 简单立方晶体（100）面有1个[010]b =的刃型位错。
（1）在(001)面有1 个[010]b =的刃型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？
（2）在(001)面有1 个[100]b =的螺型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？ 解：两位错相割后，在位错留下一个大小和方向与对方位错的柏氏矢量相同的一小段位错，如果这小段位错在原位错的滑移面上，则它是弯折；否则是割阶。为了讨论方便，设(100)面上
[010]b =的刃型位错为A 位错，
（001）面上[010]b =的刃型位错为B 位错，（001）面上[100]b =的螺位错为C 位错。
（1）A 位错与B 位错相割后，A 位错产生方向为[010]的小段位错，A 位错的滑移面是（100），[010][10]0=，即小段位错是在A 位错的滑移面上，所以它是弯折；而在B 位错产生方向为
[010]的小段位错，
B 位错的滑移面是（001），[10]010=，即小段位错在B 位错的滑移面上，所以它是弯折。
（2）A 位错与C 位错相割后，A 位错产生方向为[100]的小段位错，A 位错的滑移面是(100)，
[100][100]0≠，即小段位错不在A 位错的滑移面上，所以它是割阶；而在C 位错产生方向为
[010]的小段位错，
C 位错的滑移面是（001），[10]010=，
即小段位错在B 位错的滑移面上，所以它是弯折。
21. 简单立方晶体(100)面有一个[001]b =的螺型位错。
（1）在（001）面有1 个[010]b =的刃型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？
（2）在（001）面有一个[100]b =的螺型位错和它相截，相截后2个位错产生弯折还是割阶？ 解：为了讨论方便，设(100)面上[001]b =的螺型位错为A 位错，（001）面上[010]b =的刃型位错为B 位错，（001）面上[100]b =的螺型位错为C 位错。
（1）A 位错与B 位错相割后，A 位错产生方向为[010]的小段位错，A 位错的滑移面是（100），[010][0]0=，即小段位错是在A 位错的滑移面上，所以它是弯折；而在B 位错产生方向为[001]
的小段位错，B 位错的滑移面是（001），[1
0]00≠，即小段位错不在B 位错的滑移面上，所以它是割阶。
（2）A 位错与C 位错相割后，A 位错产生方向为[100]的小段位错，A 位错的原滑移面是（100），[10][10]0≠，即小段位错不在A 位错原来的滑移面上，但在(010)面上，它也是C 位错的滑移面，所以它是弯结；而在C 位错产生方向为[001]的小段位错，C 位错的原滑移面是（001），[01][01]0≠，即小段位错不在C 位错的原滑移面上，但它在（010）面上，它也是C 位错的滑移面，所以它是弯结。
22. 在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错线AB 和CD 以及AB 和EF ，设其中一条位错线
AB 在切应力作用下发生如图所示的运动，试问交割后两条位错线的形状有何变化？各段位错线的位错类型是什么？
解：（1）AB 和CD 位错线的形状都不变，但AB 的长度缩短2b ，CD 的长度增加1b 。
（2）AB 位错上形成右螺型扭折，EF 位错上形成左螺型扭折。
23. 面心立方结构金属Cu 的对称倾侧晶界中，两正刃型位错的间距D ＝1000nm ，假定刃型位错
的多余半原子面为（110）面，1100.1278d nm =，求该倾侧晶界的倾角θ。 解：面心立方结构的单位位错为1102
a b =<>，由于{110}面有附加原子面，故 110220.12780.2556b d nm nm ==?= 由公式b
D θ
≈可求出该倾侧晶界的倾角θ 40.25561802.556100.01461000b D θπ-≈==??≈
24. 下图表示在滑移面上有柏氏矢量相同的2个同号刃位错AB 和CD 。它们处在同一根直线上，
距离为x，它们作F－R源开动。
（1）画出这2个F－R源增殖时的逐步过程，二者发生交互作用时，会发生什么情况？
（2）若2位错是异号位错时，情况又会怎样？
解：（1）因为两个位错是同号的，并且柏氏矢量相同，所以，若在外力作用下位错源开动，两个位错都会同时开动，并且两个位错都向同一方向拱弯，如下图（b）所示。在外力作用下，位错会继续拱弯，在相邻的位错段靠近，它们是反号的，互相吸引，如下图（c）中的P处所示。两段反号位错相吸对消后，原来两个位错连接一起，即形成AD位错，余下一段位错，即BC位错，这段位错和原来的位错反号，如下图（d）所示。在外力作用下，BC位错也作位错源开动，但它的拱弯方向与原来的相反，如下图（e）所示。BC位错继续拱弯，与AD位错在如图（f）的O及O'处相遇，因为在相遇处它们是反号的，所以相吸对消。最后，放出一个大位错环，并回复原来的AB和CD两段位错，如下图（g）所示。这个过程不断重复增殖位错。
（b）若两个位错是反号的，当位错源开动时，两个位错向相反方向拱弯，如下图（b）所示。在外力作用下，位错会继续拱弯，在相邻的位错靠近的地方，它们是反号的，互相吸引，如下图（c）中的P处所示。两段反号位错相吸对消后，即形成AC和BD位错，如下图（d）所示。AC 和BD位错继续滑动，它们在下图（e）的O及O'处又相遇，在相遇处的位错也是反号的。反号位错相吸并对消，放出一个大位错环，同时恢复原来的AB和CD两段位错，如下图（f）所示。这个过程不断重复增殖位错。
上述过程是两段位错间的距离x 不是很大的情况下发生的，如果x 很大，两个位错单独作为位错环开动，它们各自放出一个位错环，然后两个位错再合并成一个大位错环。
25. 计算铜中全位错的柏氏矢量的长度（铜的晶格常数为0.36151nm ）。
解：已知铜为FCC 结构，点阵常数为0.36151nm ，其密排方向或柏氏矢量的方向为<110>。
00.361510.51125nm = 全位错的柏氏矢量的长度为10.511250.255632
b nm =?= 26. 试述面心立方（111）面上的扩展位错交滑移到(111)面的过程。
解：（111）面上的扩展位错在滑移的时候受阻，可以发生束集形成螺型全位错，其位错反应为 [121][211][110]662
a a a +→ 形成的螺型位错[110]2
a b =，位错线[110]t =，可以交滑移到(111)面上，并且扩展开，在(111)面上形成扩展位错，即[110][211][121]266
a a a →+ 该扩展位错可以在(111)上继续运动，也可以发生束集，再交滑移到（111）面上，再扩展开。
27. 一个[110]2
a b =的螺型位错在（111）面上运动。若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移，请写出交滑移系统。
解：所有包含螺型位错方向的面都是滑移面，对于fcc 晶体滑移面（111）来说，只有（111）与(11)包含[110]2
a l
b ==
，故若发生交滑移，一定是从（111）面到(111)面。
28. 为什么说面角位错（Lomer －Cottrel 位错）是稳定性最大的固定位错？
解：固定位错是指不能滑移的位错。在晶体中可以形成多种类型的固定位错，由于它们自身的结构特点不同，阻碍滑移的能力也不同。面角位错是在面心立方晶体中形成的，当分别处在两个相交的滑移面上的扩散位错朝着滑移面的交线运动时，两个领先的肖克莱不全位错在交线处相遇并发生反应，生成柏氏矢量为1106
a <>的压杆位错，该位错的滑移面是{001}，而不是晶体的密排面{111}，故不能滑移，为固定位错。压杆位错在两个滑移面上分别拖着一个层错区，并在层错区的另一边与一个肖克莱不全位错相连，两个层错区又相互呈一定的角度，这样的整个位错组态称为面角位错，它既不能在{111}面上滑移，也不能在{001}面上滑移，故面角位错是面心立方结构中稳定性最大的固定位错。
29. 阐明堆垛层错与不全位错的关系，指出面心立方结构中常产生的不全位错的名称、柏氏矢
量和它们各自的特性。
解：如果原子层的正常堆垛出现差错，即形成堆垛层错。它可通过原子层的滑移、抽出和插入形成。而堆垛层错终止在晶体内部，就会产生层错与完整晶体的交界线，该交界线即为不全位错的位错线。因此可以认为不全位错是堆垛层错的边缘。
在面心立方结构中常出现的不全位错有肖克莱不全位错，一般由滑移型层错构成，其柏氏矢量为1126
a <>，它的特点是可以是刃型、螺型和混合型肖克莱不全位错，因为它的柏氏矢量与层错面共面，并且其滑动面是晶体的滑移面，所以它可以进行滑移运动，但刃型肖克莱不全位错不能攀移，螺型肖克莱不全位错不能交滑移运动。
另外在面心立方结构中还常出现弗兰克不全位错，一般由抽出或插入型层错构成。其柏氏矢量为1113
a <>，由于其柏氏矢量与层错面垂直，所以它只能是刃型不全位错。但其滑动面不是晶体的滑移面，它不能进行滑移运动，只能进行攀移运动，属于固定位错。
30. 在面心立方的(111)晶面上，有一个1[101]2
a b =的扩展位错。在(111)晶面上有一2[110]2
a b =的扩展位错。当它们在两个平面的交线上相遇时，能否形成Lomer —Cottrel 位错？写出位错反应式。 解：(111)面扩展位错[101][211][112]266
a a a →+ (111)面扩展位错[110][211][121]266
a a a →+ 当两位错在交线相遇时，可以证明有下面的位错反应
[112][121][011]666a a a +→
因为能量是降低的222
6618
a a a +> 由于[011]6
a 不在滑移面上（既不在(111)面上又不在(111)面上），因此最后形成Lomer —Cottrel 位错。
31. 面心立方晶体中(111)面上有[110]2a 的螺位错，若分解为Schockley 分位错。
（1）试写出位错反应式。
（2）已知点阵常数为a ＝0.3nm ，切变模量G ＝48000MN/m 2，层错能γ＝0.04J/m 2，求扩展位错的宽度。
（3）层错能的高低对螺型位错的运动有何影响？
解：（1）[110][211][121]266
a
a a →+ （2）6129
4800010[21121(1)]66 1.43220.0410a a Gb b d nm πλπ????+?+?-?===?? （3）层错能越高，扩展位错d 越小，越有利于扩展位错的束集；反之，位错束集困难。因此易于束集的扩展位错，对于螺型位错的交滑移运动，以及与其它位错的交割运动都十分有利。
32. 有一面心立方晶体，在（111）面滑移的柏氏矢量为
[101]2a 的右螺型位错，在与(111)面上滑移的柏氏矢量为[011]2
a 的另一右螺型位错相遇于此两滑移面交线。问： （1）此两位错能否进行下述反应：[101][011][110]222
a a a +→，为什么？ （2）说明新生成的全位错属哪类位错？该位错能否滑移？为什么？
（3）若沿[010]晶向施加大小为17.2MPa 的拉应力，试计算该新生全位错单位长度的受力大小，并说明方向（设晶格常数a ＝0.2nm ）。
解：（1） 晶体学条件[101][011][110]222a a a +
→
能量条件222
22222()()2222
a a a a
b a =+=+=∑反应前
22
22()22
a a
b ==∑反应后 22b b >∑∑反应前
反应后 根据上面两个条件，可判断上面反应可以进行。
（2）由于位错线为两滑移面交线，故位错线：
12111[101]111
i j n n k
ξ==?=（12,n n 分别为两滑移面法线矢量）
。 可见，位错线与柏氏矢量既不平行，也不垂直，该新生位错为混合型位错。
已知该新生位错的位错线及柏氏矢量，可由它们叉乘得到新生位错滑移面的法向量： 3101[111]110
i j k
n ==，该位错的滑移面为(111)
。
因该滑移面为面心立方的密排面，故该位错可以滑移。
（3
）cos ?==
1
cos
λ==
根据Schmid 定律，作用在新生位错滑移面的滑移方向上的分切应力为：
cos cos 17.27.0MPa
τσ?λ=
== 所以，作用在单位长度位错线上的力为：
96
310/f b N m τ--==== 其方向为垂直于位错线方向[101]，指向未滑移区。
33. 在铜单晶体中的（111）和(11)滑移面上各存在一个柏氏矢量为[110]2a
和[011]2
a 的全位错，当它们分解为扩展位错时，其领先位错分别为[211]6a 和
[121]6
a 。 （1）求它们可能的位错分解反应。 （2）当两领先位错在各自的滑移面上运动相遇时，发生了新的位错反应。试写出其位错反应式，判断该反应能否自发进行？并分析该新生成的位错其位错特性和运动性质。
（3）已知铜单晶a ＝0.36nm ，切变模量G ＝4×104MPa ，层错能γ＝0.04J/m 2，试求上述柏氏矢量为[110]2a 的位错形成扩展位错的宽度。
解：（1）根据柏氏矢量的守恒性[110][211][]266
a
a a uvw →+
可得u ＝1，v ＝-2，w ＝1，即[110][211][121]266
a a a →+ [011][121][]266a a a uvw →+，可得u ＝1，v ＝1，w ＝2，即[011][121][112]266
a a a →+ （2）[211][121][110]666
a a a +→ 晶体学条件：
b b ∑∑反应前反应后＝
能量条件：22
2222()()663
a a a
b =+=∑反应前
222()186a b ==∑反应后
2
2b b >∑∑反应前反应后
根据上面两个条件，可判断上面反应可以进行。 上述新生成位错[110]6
a 的位错线即为两滑移面交线，故位错线： 12111[101]111
i j n n k
ξ==?=（12,n n 分别为两滑移面法线矢量）。 0b ξ?=，故b ξ⊥，该新生位错为刃型位错。已知该新生位错的位错线及柏氏矢量，可有它们叉乘得到新生位错滑移面的法向量： 3110[001]110
i j k n ==，该位错的滑移面为(001)。
因该滑移面不在密排面上，且两边都有层错区连接，形成了稳定的压杆位错，故该位错不能滑移。
（3）2461290.36[211][121]41010[211211]663662220.0410
1.72a a a G Gb b d nm
πγπγπ??????+?-??===??=
34. 若面心立方晶体中有[101]2a b =
的单位位错及[121]6
a b =的不全位错，此二位错相遇产生位错反应。
（1）此反应能否进行？为什么？
（2）写出合成位错的柏氏矢量，并说明合成位错的类型。
（3）这个位错能否滑移？并分析其原因。
注册电气工程师考试试题和答案解析
注册电气工程师考试试题及答案（多项选择题） 1.电气接地按其接地的作用，可分为(AC )。 A.电气功能性接地 B.电气直接性接地 C.电气保护性接地 D.电气防静电接地 2.用电设备的接地及安全设计，应根据(ABC )等因素合理确定方案。 A.工程的发展规划 B.工程的地质特点 C.工程的规模 D.工程的电气设备 3.当防直击雷的人工接地体距建筑物出入口或人行通道小于3m时，为减少跨步电压，应采取的措施有( BC)。 A.水平接地体局部埋深不应小于0.8m B.水平接地体局部应包绝缘物，可采用50～80mm的沥青层，其宽度应超过接地装置2m C.采用沥青碎石地面或在接地体上面敷设50～80mm的沥青层，其宽度应超过接地装置2m D.水平接地体局部埋深不应小于0.5m
4.对辅助等电位连接线的截面要求有(ABC )。 A.当用于连接两个电气设备外露导电部分时，其截面不应小于其中较小的保护线截面 B.当用于连接电气设备与装置外可导电部分时，不应小于相应保护线截面的1/2 C.在任何情况下，其最小截面不应小于5m㎡(无机械保护时) D.在任何情况下，其最小截面不应小于5.5m㎡(有机械保护时) 5.根据使用场所的要求，洁净手术部主要选用( AC)系统接地形式。 A.TN-S B.TN-C C.IT 6.下列表述正确的是(BD )。 A.在施工现场专用的中性点直接接地的电力线路中，必须采用TN-C接零保护系统 B.绝缘子的底座、套管的法兰、保护网(罩)及母线支架等可接近裸露导体应接地(PE)或接零(PEN)可靠。不应作为接地(PR)或接零(PEN)的接续导体 C.当保护导体采用一般铜导线时，有机械保护时，其截面不应小于2.5m ㎡;无机械保护时不应小于5m㎡ D.金属电缆支架、电缆导管必须接地(PE)或接零(PEN)可靠
计算机操作系统典型例题解析之四
计算机操作系统复习题之四【例1】可变分区存储管理系统中，若采用最佳适应分配算法，“空闲区表”中的空闲区可按（A）顺序排列。 A、长度递增 B、长度递减 C、地址递增 D、地址递减分析：最佳适应算法要求每次都分配给用户进程能够满足其要求的空闲区中最小的空闲区，所以为了提高算法效率，我们把所有的空闲区，按其大小以递增的顺序形成一空闲分区链。这样，第一个找到的满足要求的空闲区，必然是符合要求中最小的。所以本题的答案是A。 【例2】虚拟存储技术是（B）。 A、扩充主存物理空间技术 B、扩充主存逻辑地址空间技术 C、扩充外存空间的技术 D、扩充输入/输出缓冲区技术 分析：所谓虚拟存储器，是指仅把作业的一部分装入内存便可运行作业的存储器系统。具体地说，所谓虚拟存储器是指具有请求调入功能和置换功能，能从逻辑上对内存容量进行扩充的一种存储器系统。实际上，用户所看到的大容量只是一种感觉，是虚的，故称之为虚拟存储器。虚拟存储技术是一种性能非常优越的存储器管理技术、故被广泛地应用于大、中、小型机器和微型机中。所以本题的答案是B。 【例3】很好地解决了“零头”问题的存储管理方法是（A）。A、分页存储管理方式B、分段存储管理方式C、多重分区管理D、可变式分区管理 分析：“零头”也就是内存碎片，是指内存中无法被利用的小空闲
区。在有些内存管理方式下，系统运行一段时间后，内存的碎片会占据相当的数量的空间。分段存储管理方式、多重分区管理、可变式分区管理都会因为内存分配回收产生“零头”，而分页存储管理方式，按事先划分好的内存块为单位分配回收内存，所以不会产生“零头”。所以本题的答案是A。 【例4】系统“抖动”现象的发生是由（B）引起的。 A、交换的信息量过大 B、置换算法选择不当 C、内存容量不足 D、请求分页管理方案 分析：“抖动”现象是指刚被换出的页很快又要被访问，为此，又要换出其他页，而该页又很快被访问，如此频繁地置换页面，以致大部分时间都花在页面置换上。交换的信息量过大，内存容量不足都不是引起系统“抖动”现象的原因，而选择的置换算法不当才是引起“抖动”现象的根本原因，例如，先进先出算法就可能产生“抖动”现象。所以本题的答案是B。 【例5】虚拟存储管理系统的基础是程序的（C）理论。 A、全局性 B、虚拟性 C、局部性 D、动态性 分析：虚拟存储技术是基于程序的局部性原理的，程序的局部性原理体现在两个方面：时间局部性和空间局部性。时间局部性是指一条指令被执行后，那么它可能很快会再次被执行，空间局部性是指若某一存储单元被访问，那么与该存储单元相邻的单元可能也会很快被访问。所以本题的答案是C。
数据库安全技术测验题6
第6章测试题 一、单选题 1、大数据的核心就是（）。 A、告知与许可 B、预测 C、匿名化 D、规模化 参考答案：B 2、大数据不是要教机器像人一样思考。相反，它是（）。 A、把数学算法运用到海量的数据上来预测事情发生的可能性 B、被视为人工智能的一部分 C、被视为一种机器学习 D、预测与惩罚 参考答案：A 3、大数据是指不用随机分析法这样的捷径，而采用（A）的方法。 A、所有数据 B、绝大部分数据 C、适量数据 D、少量数据 参考答案：A 4、大数据的简单算法与小数据的复杂算法相比（）。 A、更有效 B、相当 C、不具备可比性 D、无效 参考答案：A 5、相比依赖于小数据和精确性的时代，大数据因为更强调数据的（），帮助我们进一步接近事实的真相。 A、安全性
B、完整性 C、混杂性 D、完整性和混杂性 参考答案：D 6、大数据的发展，使信息技术变革的重点从关注技术转向关注（）。 A、信息 B、数字 C、文字 D、方位 参考答案：A 7、大数据时代，我们是要让数据自己“发声”，没必要知道为什么，只需要知道（）。 A、原因 B、是什么 C、关联物 D、预测的关键 参考答案：B 8、建立在相关关系分析法基础上的预测是大数据的（） A、基础 B、前提 C、核心 D、条件 参考答案：C 9、下列说法正确的是（）。 A、有价值的数据是附属于企业经营核心业务的一部分数据； B、数据挖掘它的主要价值后就没有必要再进行分析了； C、所有数据都是有价值的； D、在大数据时代，收集、存储和分析数据非常简单； 参考答案：C
10、在大数据时代，下列说法正确的是（）。 A、收集数据很简单 B、数据是最核心的部分 C、对数据的分析技术和技能是最重要的 D、数据非常重要，一定要很好的保护起来，防止泄露 参考答案：B 11、在大数据时代，我们需要设立一个不一样的隐私保护模式，这个模式应该更着重于（）为其行为承担责任。 A、数据使用者 B、数据提供者 C、个人许可 D、数据分析者 参考答案：A 12、对大数据使用进行正规评测及正确引导，可以为数据使用者带来什么切实的好处（）。 A、他们无须再取得个人的明确同意，就可以对个人数据进行二次利用。 B、数据使用者不需要为敷衍了事的评测和不达标准的保护措施承担法律责任。 C、数据使用者的责任不需要强制力规范就能确保履行到位。 D、所有项目，管理者必须设立规章，规定数据使用者应如何评估风险、如何规避或减轻潜在伤害。 参考答案：A 13、促进隐私保护的一种创新途径是（）：故意将数据模糊处理，促使对大数据库的查询不能显示精确的结果。 A、匿名化 B、信息模糊化 C、个人隐私保护 D、差别隐私 参考答案：D
材基习题及答案
第三章 作业与习题的解答 一、作业： 2、纯铁的空位形成能为105 kJ/mol 。将纯铁加热到850℃后激冷至室温（20℃），假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。(e 31.8=6.8X1013） 6、如图2-56，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环，并受到一均匀切应力τ。 （1）分析该位错环各段位错的结构类型。 （2）求各段位错线所受的力的大小及方向。 （3）在τ的作用下，该位错环将如何运动？ （4）在τ的作用下，若使此位错环在晶体中稳定 不动，其最小半径应为多大？ 解： （2）位错线受力方向如图，位于位错线所在平面，且于位错垂 直。 （3）右手法则（P95）：（注意：大拇指向下，P90图3.8中位错 环ABCD 的箭头应是向内，即是位错环压缩）向外扩展（环扩大）。 如果上下分切应力方向转动180度，则位错环压缩。 (4) P103-104： 2sin 2d ?τd T s b = θRd s =d ； 2/sin 2 θ?d d = ∴ τ ττkGb b kGb b T R ===2 注：k 取0.5时，为P104中式3.19得出的结果。 7、在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm 推进到3nm 时需要用多少功（已知晶体点阵常数a=0.3nm,G=7﹡1010Pa ）？ (31002100 32ln 22ππGb dr w r Gb ==?； 1.8X10-9J ） 8、在简单立方晶体的（100）面上有一个b=a[001]的螺位错。如果
它(a)被（001）面上b=a[010]的刃位错交割。(b)被（001）面上b=a[100]的螺位错交割，试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折？ （（a ）：见P98图3.21， NN ′在（100）面内，为扭折，刃型位错；(b)图3.22，NN ′垂直（100）面，为割阶，刃型位错） 9、一个 ]101[2- =a b 的螺位错在（111）面上运动。若在运动过程中遇 到障碍物而发生交滑移，请指出交滑移系统。 对FCC 结构：（1 1 -1）或写为（-1 -1 1） 10、面心立方晶体中，在（111）面上的单位位错]101[2-=a b ，在（111） 面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出： γπ242 b G d s ≈ 应为 γπ242a G d s ≈ （G 为切变模量，γ为层错能） （P116式3.33，两个矢量相乘的积=|b1|˙|b2|˙cos(两矢量夹角) 11、在面心立方晶体中，（111）晶面和）（- 111晶面上分别形成一个扩展位错： （111）晶面：]211[6]112[6]110[2----+→a a a =A+B )111(- 晶面：]211[6]211[6]011[2a a a +→-=C+D 两个扩展位错在各自晶面上滑动时，其领先位错相遇发生位错反应，求出新位错的柏氏矢量；用图解说明上述位错反应过程；分析新位错的组
计算机操作系统典型例题解析之三
计算机操作系统典型例题解析之三 【例1】分配到必要的资源并获得处理机时的进程状态是（B ）。A、就绪状态B、执行状态 C、阻塞状态D、新状态 分析：进程有三种基本状态：就绪状态、执行状态和阻塞状态。当进程已分配到除CPU以外的所有必要的资源后，只要能再获得处理机便可立即执行，这时的状态称为就绪状态；处于就绪状态的进程如果获得了处理机，其状态转换为执行状态；进程因发生某种事件（如I/O请求、申请缓冲空间等）而暂停执行时的状态，亦即进程的执行受到阻塞，故称这种状态为阻塞状态；而新状态是指创建了进程但尚未把它插入到就绪队列前的状态。所以本题的答案是B。 【例2】挂起的进程被激活，应该使用（C）原语。 A、Create B、Suspend C、Active D、Wakeup 分析：在不少系统中，进程除了三种基本状态外，又增加了一些新的状态，其中最重要的是挂起状态。“挂起”的实质是使进程不能继续执行，即使挂起后的进程处于就绪状态，它也不能参加对CPU的竞争，进程的挂起调用Suspend（）原语。因此，被挂起的进程处于静止状态，相反，没有挂起的进程则处于活动状态。而且，处于静止状态的进程，只有通过“激活”动作，调用Active（）原语，才能转换成活动状态，调入内存。所以本题的答案是C。 【例3】任何时刻总是让具有最高优先数的进程占用处理器，此时采用的进程调度算法是（D）。A非抢占式的优先数调度算法B、时间片轮转调度算法C、先来先服务调度算法D、抢占式的优先
数调度算法 分析：“让具有最高优先数的进程占用处理器”，我们可以知道，采用的进程调度算法是优先数调度算法，但是我们还要进一步分析是抢占式的还是非抢占式的。“任何时刻总让”，通过这句话我们知道采用的是抢占式的，所以本题的答案是D。 【例4】若P、V操作的信号量S初值为2，当前值为－1，则表示有（B）等待进程。A、0个B、1个C、2个D、3个分析：信号量的初始值表示系统中资源的数目，每次的Wait操作意味着进程请求一个单位的资源，信号量进行减1的操作，当信号量小于0时，表示资源已分配完毕，进程自我阻塞。因此，如果信号量小于0，那么信号量的绝对值就代表当前阻塞进程的个数。所以本题的答案是B。 【例5】发生死锁的必要条件有四个，要预防死锁的发生，可以破坏这四个必要条件，但破坏（A）条件是不太实际的。 A、互斥 B、请求和保 C、不剥夺 D、环路等待 分析：预防死锁是指通过破坏死锁的某个必要条件来防止死锁的发生。四个必要条件中，后三个条件都可以被破坏，而第一个条件，即“互斥”条件，对某些像打印机这样的设备，可通过SPOOLing技术予以破坏，但其他资源，因受它们的固有特性的限制，该条件不仅不能被破坏，反而应加以保证。所以本题的答案是A。 【例6】有m个进程共享同一临界资源，若使用信号量机制实现对临界资源的互斥访问，则信号量值的变化范围是1 至1－m。
数据库安全性习题解答和解析
第九章数据库安全性习题解答和解析 1. 1.什么是数据库的安全性? 答：数据库的安全性是指保护数据库以防止不合法的使用所造成的数据泄露、更改或破坏。 2. 2.数据库安全性和计算机系统的安全性有什么关系? 答：安全性问题不是数据库系统所独有的,所有计算机系统都有这个问题。只是在数据库系统中大量数据集中存放,而且为许多最终用户直接共享,从而使安全性问题更为突出。 系统安全保护措施是否有效是数据库系统的主要指标之一。数据库的安全性和计算机系统的安全性,包括操作系统、网络系统的安全性是紧密联系、相互支持的。 3.试述可信计算机系统评测标准的情况,试述TDI/TCSEC标准的基本内容。 答：各个国家在计算机安全技术方面都建立了一套可信标准。目前各国引用或制定的一系列安全标准中,最重要的是美国国防部(DoD)正式颁布的《DoD可信计算机系统评估标准》(Trusted Computer System Evaluation Criteria,简称 TCSEC,又称桔皮书)。(详细介绍参见《概论》9.1.2)。 TDI/TCSEC标准是将TCSEC扩展到数据库管理系统,即《可信计算机系统评估标准关于可信数据库系统的解释》(Trusted Database Interpretation 简称TDI, 又称紫皮书)。在TDI中定义了数据库管理系统的设计与实现中需满足和用以进行安全性级别评估的标准。 TDI与TCSEC一样,从安全策略、责任、保证和文档四个方面来描述安全性级别划分的指标。每个方面又细分为若干项。这些指标的具体内容,参见《概论》9.1.2。 4.试述TCSEC(TDI)将系统安全级别划分为4组7个等级的基本内容。 答：根据计算机系统对安全性各项指标的支持情况,TCSEC(TDI)将系统划分为四组(division)7个等级,依次是D、C(C1,C2)、B(B1,B2,B3)、A(A1),按系统可靠或可信程度逐渐增高。 这些安全级别之间具有一种偏序向下兼容的关系,即较高安全性级别提供的安全保护包含较低级别的所有保护要求,同时提供更多或更完善的保护能力。各个等级的基本内容为：D级 D级是最低级别。一切不符合更高标准的系统,统统归于D组。 C1级只提供了非常初级的自主安全保护。能够实现对用户和数据的分离，进行自主
材料科学基础第三章答案
习题：第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章答案：第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章 3-2 略。 3-2试述位错的基本类型及其特点。 解：位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。刃型位错特点：滑移方向与位错线垂直，符号⊥，有多余半片原子面。螺型位错特点：滑移方向与位错线平行，与位错线垂直的面不是平面，呈螺施状，称螺型位错。 3-3非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？ 解：非化学计量化合物的特点：非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体；缺陷浓度与温度有关，这点可以从平衡常数看出；非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩产生金属离子过剩（n型）半导体，正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩产生负离子过剩（p型）半导体。 3-4影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些？ 解：影响形成置换型固溶体影响因素：（1）离子尺寸：15%规律：1.（R1-R2）/R1>15%不连续。 2.<15%连续。 3.>40%不能形成固熔体。（2）离子价：电价相同，形成连续固熔体。（ 3）晶体结构因素：基质，杂质结构相同，形成连续固熔体。（4）场强因素。（5）电负性：差值小，形成固熔体。差值大形成化合物。 影响形成间隙型固溶体影响因素：（1）杂质质点大小：即添加的原子愈小，易形成固溶体，反之亦然。（2）晶体（基质）结构：离子尺寸是与晶体结构的关系密切相关的，在一定程度上来说，结构中间隙的大小起了决定性的作用。一般晶体中空隙愈大，结构愈疏松，易形成固溶体。（3）电价因素：外来杂质原子进人间隙时，必然引起晶体结构中电价的不平衡，这时可以通过生成空位，产生部分取代或离子的价态变化来保持电价平衡。 3-5试分析形成固溶体后对晶体性质的影响。 解：影响有：（1）稳定晶格，阻止某些晶型转变的发生；（2）活化晶格，形成固溶体后，晶格结构有一定畸变，处于高能量的活化状态，有利于进行化学反应；（3）固溶强化，溶质原子的溶入，使固溶体的强度、硬度升高；（4）形成固溶体后对材料物理性质的影响：固溶体的电学、热学、磁学等物理性质也随成分而连续变化，但一般都不是线性关系。固溶体的强度与硬度往往高于各组元，而塑性则较低， 3-6说明下列符号的含义：V Na，V Na'，V Cl˙，（V Na'V Cl˙），Ca K˙，Ca Ca，Ca i˙˙解：钠原子空位；钠离子空位，带一个单位负电荷；氯离子空位，带一个单位正电荷；最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心；Ca2+占据K.位置，带一个单位正电荷；Ca原子位于Ca原子位置上；Ca2+处于晶格间隙位置。 3-7写出下列缺陷反应式：（l）NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体；（2）CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶体；（3）NaCl形成肖特基缺陷；（4）Agl形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）。
注册电气工程师基础考试真题完美解析版
2010年度全国勘察设计注册电气工程师 执业资格考试试卷 公共基础考试
一、单项选择题（共120题，每题1分。每题的备选项中只有一个最符合题意。） 1. 设直线方程为?? ? ??+-=-=+=33221 t z t y t x ，则该直线：（ ）。 （A ）过点（-1，2，-3），方向向量为k j i 32-+ （B ）过点（-1，2，-3），方向向量为k j i 32+-- （C ）过点（1，2，-3），方向向量为k j i 32+- （D ）过点（1，-2，3），方向向量为k j i 32+-- 答案：D 解析过程：将直线的方程化为对称式得3 3 2211--=+=-z y x ，直线过点（1，-2，3），方向向量为k j i 32-+或k j i 32+--。 主要考点：① 直线方程的参数式方程； ② 直线的方向向量反向后还是方向向量。 2. 设γβα，，都是非零向量，若γαβα?=?，则：（ ）。 （A ）γβ= （B ）βα//且γα// （C ）()γβα-// （D ）()γβα-⊥ 答案：C 解析过程：由γαβα?=?，有0=?-?γαβα，提公因子得()0=-?γβα，由于两向量平行的充分必要条件是向量积为零，所以()γβα-//。 3. 设()1 122+-=x x e e x f ，则：（ ）。 （A ）()x f 为偶函数，值域为()11， - （B ）()x f 为奇函数，值域为()0，∞- （C ）()x f 为奇函数，值域为()11，- （D ）()x f 为奇函数，值域为()∞+，0 答案：C
解析过程：因为()()x f e e e e e e e e e e x f x x x x x x x x x x -=+-=+- =+-=---2222222222111111，所以函数是奇函数； ()1lim -=-∞ →x f x ，()1lim =+∞ →x f x ，值域为()11，-。 4. 下列命题正确的是：（ ）。 （A ）分段函数必存在间断点 （B ）单调有界函数无第二类间断点 （C ）在开区间内连续，则在该区间必取得最大值和最小值 （D ）在闭区间上有间断点的函数一定有界 答案：B 解析：第二类间断点包括无穷间断点和震荡间断点，有界函数不可能有无穷间断点，单调函数不可能有震荡间断点，故单调有界函数无第二类间断点，应选（B ）。 分段函数可以不存在间断点，闭区间上连续的函数在该区间必取得最大值和最小值，在闭区间上连续的函数一定有界，故其他三个选项都是错误的。 5. 设函数()?????>+≤+=1 ,1,12 2 x b ax x x x f 可导，则必有：（ ）。 （A ）1=a ，2=b （B ）1-=a ，2=b （C ）1=a ，0=b （D ）1-=a ，0=b 答案：B 解析过程：显然函数()x f 在除1=x 点外处处可导，只要讨论1=x 点则可。由于()x f 在1=x 连续，则()11 2 2 1=+= -x x f ，()b a b ax x f +=+=+1，推出1=+b a 。 ()111lim 1112 lim 122121/ 2/1-=++-=--+=?? ? ??+=→→-x x x x x x f x x ，()a x b a b ax x f x =---+=→+1lim 1/1， 所以1-=a ，2=b 时，()x f 在1=x 可导。
操作系统例题讲解
操作系统例题讲解 一、调度算法 对如下表所示的5个进程： 采用可剥夺的静态最高优先数算法进行调度（不考虑系统开销）。 问 题： ⑴ 画出对上述5个进程调度结果的Gantt 图； ⑵ 计算5个进程的平均周转时间、平均带权周转时间。 解： ⑴ 调度结果的Gantt 图如下： 0 2 4 5 7 9 10 12 14 (2) 时间计算： 二、存储管理 某系统采用虚拟页式存储管理方式，页面大小为2KB ，每个进程分配的页框数固定为4页。采用局部置换策略，置换算法采用改进的时钟算法，当有页面新装入内存时，页表的时钟指针指向新装入页面的下一个在内存的表项。设当前进程P 的页表如下（“时钟”指针指向逻辑页面3的表项）： 逻辑页号 0 1 2 3 4 5 问 题： ⑴ 当进程P 依次对逻辑地址执行下述操作： ① 引用 4C7H ； ② 修改 19B4H ； ③ 修改 0C9AH ； 写出进程P 的页表内容； ⑵ 在 ⑴ 的基础上，当P 对逻辑地址27A8H 进行访问， 该逻辑地址对应的物理地址是多少？
解：页面大小为2KB，2KB=2×210=211， 即逻辑地址和物理地址的地址编码的低11位为页内偏移； ⑴①逻辑地址4C7H=0100 1100 0111B，高于11位为0，所以该地址访问逻辑页面0； 引用4C7H，页表表项0：r=1； ②逻辑地址19B4H=0001 1001 1011 0100B，高于11位为3，所以该地址访问逻辑页面3； 修改19B4H，页表表项3：r=1, m=1; ③逻辑地址0C9AH=0000 1100 1001 1010B，高于11位为1，所以该地址访问逻辑页面1； 逻辑页1不在内存，发生缺页中断； ①、②两操作后，P的页表如下： 逻辑页号 1 2 3 4 5 按改进的时钟算法，且时钟指针指向表项3，应淘汰0页面， 即把P的逻辑页面1读到内存页框101H，页表时钟指针指向表项2。 并执行操作：修改0C9AH。 经上述3个操作后，P的页表如下： 逻辑页号 1 2 3 4 5 ⑵逻辑地址27A8H=0010 0111 1010 1000B，高于11位为4，所以该地址访问逻辑页面4； 页面4不在内存，发生缺页中断；按改进的时钟算法，淘汰页面2，页面4读到110H页框， 所以，逻辑地址27A8H对应的物理地址为： 0001 0001 0000 111 1010 1000B=887A8H。 三、设备与I/O管理 设系统磁盘只有一个移动磁头，磁道由外向内编号为：0、1、2、……、199；磁头移动一个磁道所需时间为1毫秒；每个磁道有32 个扇区；磁盘转速R=7500r/min. 系统对磁盘设备的I/O请求采用N-Step Look （即N-Step Scan，但不必移动到磁道尽头），N=5。设当前磁头在60号磁道，向内移动；每个I/O请求访问磁道上的1个扇区。现系统依次接收到对磁道的I/O请求序列如下： 50, 20, 60, 30, 75, 30, 10, 65, 20, 80,15, 70 问题： ⑴写出对上述I/O请求序列的调度序列，并计算磁头引臂的移动量； ⑵计算：总寻道时间（启动时间忽略）、总旋转延迟时间、总传输时间和总访问处理时间。 解：⑴考虑序列中有重复磁道的I/O请求，调度序列为： 60→75→50→30→20→15→10→65→70→80 磁头移动量=(75-60)+(75-50)+(50-30)+(30-20)+ (20-15)+(15-10)+(65-10)+(70-65)+(80-70) =15+25+20+10+5+5+55+5+10=155（磁道）
材基课后习题答案
1．解释以下基本概念 肖脱基空位 弗兰克耳空位 刃型位错 螺型位错 混合位错 柏氏矢量 位错密度 位错的滑移 位错的攀移 弗兰克—瑞德源 派—纳力 单位位错 不全位错 堆垛层错 位错反应 扩展位错。 位错密度：ρv ＝L/V(cm/cm3)；) ρa ＝1/S (1/cm2） 2．纯铁的空位形成能为105kJ/mol. 将纯铁加热到850℃后激冷至室温(20℃)，假设高温下 的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。 ? 解答：利用空位浓度公式计算 ? 850 ℃ (1123K) ：Cv1＝ ? 后激冷至室温可以认为全部空位保留下来 ? 20℃(293K) ：Cv2＝ ? Cv1 /Cv2= 3．计算银晶体接近熔点时多少个结点上会出现一个空位（已知：银的熔点为960℃，银的 空位形成能为1.10eV ，1ev ＝）?若已知Ag 的原子直径为0.289nm ，问空位在晶体中的平均 间距。 1eV ＝1.602*10-19J 解答：得到Cv ＝e10.35 Ag 为fcc ，点阵常数为a=0.40857nm ， 设单位体积内点阵数目为N ，则N ＝4/a3，＝？ 单位体积内空位数Nv ＝N Cv 若空位均匀分布，间距为L ，则有 =? 4．割阶或扭折对原位错线运动有何影响？ 解答：取决于位错线与相互作用的另外的位错的柏氏矢量关系，位错交截后产生“扭折” 或“割阶” ? “扭折”可以是刃型、亦可是“螺型”，可随位错线一道运动，几乎不产生阻力，且它 可因位错线张力而消失 ? “割阶”都是刃型位错，有滑移割阶和攀移割阶，割阶不会因位错线张力而消失，两 个相互垂直螺型位错的交截造成的割节会阻碍位错运动 5．如图，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环，并受到一均匀切应力τ。 ? 分析该位错环各段位错的结构类型。 ? 求各段位错线所受的力的大小及方向。 31V N L
操作系统练习题_及答案解析
操作系统练习题 第一章引言 (一单项选择题 1操作系统是计算机系统的一种( 。A.应用软件 B.系统软件c.通用软件D.工具软件 2.操作系统目的是提供一个供其他程序执行的良好环境,因此它必须使计算机( A.使用方便 B.高效工作 C.合理使用资源 D.使用方便并高效工作 3.允许多个用户以交互方式使用计算机的操作系统是( 。A.分时操作系统 B.批处理单道系统 C.实时操作系统 D.批处理多道系统 4.下列系统中( 是实时系统。A.计算机激光照排系统 B.办公自动化系统 C.化学反应堆控制系统 D.计算机辅助设计系统 5.操作系统是一种系统软件,它( 。A.控制程序的执行 B.管理计算机系统的资源 C.方便用户使用计算机 D.管理计算机系统的资源和控制程序的执行 6.计算机系统把进行( 和控制程序执行的功能集中组成一种软件,称为操作系统 A.CPU管理 B.作业管理 C.资源管理 D.设备管理 7.批处理操作系统提高了计算机系统的工作效率,但( 。 A.不能自动选择作业执行 B.无法协调资源分配 c.不能缩短作业执行时间 D在作业执行时用户不能直接干预 8.分时操作系统适用于( 。A.控制生产流水线B.调试运行程序c.大量的数据处理D.多个计算机资源共享 9.在混合型操作系统中,“前台”作业往往是指( 。A.由批量单道系统控制的作业 B.由批量多道系统控制的作业 c.由分时系统控制的作业D.由实时系统控制的作业
10.在批处理兼分时的系统中,对( 应该及时响应,使用户满意。A.批量作业B.前台作业c.后台作业D.网络通信 11.实时操作系统对可靠性和安全性要求极高,它( 。A.十分注重系统资源的利用率B.不强调响应速度 c.不强求系统资源的利用率 D.不必向用户反馈信息 12.分布式操作系统与网络操作系统本质上的不同之处在于( 。A.实现各台计算机之间的通信B.共享网络个的资源 c.满足较大规模的应用 D.系统中若干台计算机相互协作完成同一任务 13.SPOOL技术用于( 。A.存储管理B.设备管理C.文件管理 D.作业管理 14.( 为用户分配主存空间,保护主存中的程序和数据不被破坏,提高主存空间的利用率。 A处理器管理 B.存储管理 c.文件管理 D.作业管理 (二填空题 1. 计算机系统是按用户要求接收和存储信息,自动进行_______并输出结果信息的系统。 2.计算机是由硬件系统和_______系统组成。 3.软件系统由各种_______和数据组成。 4.计算机系统把进行_______和控制程序执行的功能集中组成一种软件称为操作系统。 5.操作系统使用户合理_______,防止各用户间相互干扰。 6.使计算机系统使用方便和_______是操作系统的两个主要设计目标。 7.批处理操作系统、_______和实时操作系统是基本的操作系统。 8.用户要求计算机系统中进行处理的一个计算机问题称为_______。
数据库安全性练习试题和答案
数据库安全性习题 一、选择题 1. 以下（）不属于实现数据库系统安全性的主要技术和方法。 A. 存取控制技术 B. 视图技术 C. 审计技术 D. 出入机房登记和加锁 2．SQL中的视图提高了数据库系统的（）。 A. 完整性 B. 并发控制 C. 隔离性 D. 安全性 3．SQL语言的GRANT和REVOKE语句主要是用来维护数据库的（）。 A. 完整性 B. 可靠性 C. 安全性 D. 一致性 4. 在数据库的安全性控制中，授权的数据对象的（），授权子系统就越灵活。 A. 范围越小 B. 约束越细致 C. 范围越大 D. 约束范围大 三、简答题 1. 什么是数据库的安全性 答：数据库的安全性是指保护数据库以防止不合法的使用所造成的数据泄露、更改或破坏。 2. 数据库安全性和计算机系统的安全性有什么关系
答：安全性问题不是数据库系统所独有的，所有计算机系统都有这个问题。只是在数据库系统中大量数据集中存放，而且为许多最终用户直接共享，从而使安全性问题更为突出。 系统安全保护措施是否有效是数据库系统的主要指标之一。 数据库的安全性和计算机系统的安全性，包括操作系统、网络系统的安全性是紧密联系、相互支持的， 3.试述实现数据库安全性控制的常用方法和技术。 答：实现数据库安全性控制的常用方法和技术有： 1)用(户标识和鉴别：该方法由系统提供一定的方式让用户标识自己的名字或身份。每次用户要求进入系统时，由系统进行核对，通过鉴定后才提供系统的使用权。 2)存取控制：通过用户权限定义和合法权检查确保只有合法权限的用户访问数据库，所有未被授权的人员无法存取数据。例如C2级中的自主存取控制（DAC），B1级中的强制存取控制（MAC）； 3)视图机制：为不同的用户定义视图，通过视图机制把要保密的数据对无权存取的用户隐藏起来，从而自动地对数据提供一定程度的安全保护。 4)审计：建立审计日志，把用户对数据库的所有操作自动记录下来放入审计日志中，DBA可以利用审计跟踪的信息，重现导致数据库现有状况的一系列事件，找出非法存取数据的人、时间和内容等。
第三章作业及答案
第三章练习题及参考答案 、材料分析题 1.分析下列关于人民群众在历史上的作用问题的不同观 【材料1】 孟轲说：“民为贵，社稷次之，君为轻。”荀子认为: “君者，舟也；庶人者，水也。水则载舟，水则覆舟。” 【材料2】 梁启超说：“大人物心理之动进稍易其轨而全部历史可以改观”，“舍英雄几无历史”。胡适说：英雄人物“一言可以兴邦，一言可以丧邦”。 【材料3】 黑格尔认为，历史不是个人随意创造的，而是决定于某种“客观精神” O伟大人物是“世界精神的代理人”，拿破 仑代表了“世界精神”，他“骑着马，驰骋全世界，主宰全世界”。世界历史是伟大人物和王朝的历史，“而不是一般人民的历史”。 【材料4】 毛泽东说：“人民，只有人民，才是创造世界历史的动力。"马克思说：“人们自己创造自己的历史，但是他们并不是随心所欲地创造，并不是在他们自己选定的条件下创造, 而是在直接碰到的，
既定的，从过去承继下来的条件下创造 【材料5] 马克思指出："如爱尔维修所说的，每一个社会时代都需要有自己的伟大人物，如果没有这样的人物，它就要创造出这样的人物来。”恩格斯也说：“恰巧某个伟大人物在一定时间出现于某一国家，这当然纯粹是一种偶然现象。但是，如果我们把这个人除掉，那时就会需要有另外一个人来代替它, 并且这个代替者是会出现的。
请回答: （1）材料1思想的合理性和局限性。 ⑵ 分别指出材料2和材料3的思想倾向，说明材料2和材料3的共同点。 ⑶ 材料4是什么观点？材料5体现了什么思想? 2.用有关历史发展规律性的原理分析下列材料: 【材料1】 人们必须认识到，人类进步能够改变的只有其速度，而不会出现任何发展顺序的颠倒或跃过任何重要的阶段。（摘自孔德：《实证哲学》） 【材料2】 一个国家应该而且可以向其他国家学习。一个社会即使 探索到了本身运动的自然规律, 它还是既不能跳过也不 能用法令取消自然的发展阶段。但是它能缩短和减轻分娩的痛苦。（摘自马克思：《资本论》） 【材料3】
注册电气工程师考试试题和答案解析试题库完整
注册电气工程师考试试题及答案 注册电气工程师考试试题及答案（多项选择题） 1. 电气接地按其接地的作用，可分为（）。 A. 电气功能性接地 B. 电气直接性接地 C. 电气保护性接地 D. 电气防静电接地 2. 用电设备的接地及安全设计，应根据（）等因素合理确定方案。 A. 工程的发展规划 B. 工程的地质特点 C. 工程的规模 D. 工程的电气设备 3?当防直击雷的人工接地体距建筑物出入口或人行通道小于3m时，为减少跨步电压，应采 取的措施有（）。 A. 水平接地体局部埋深不应小于0.8m B. 水平接地体局部应包绝缘物，可采用50?80mm 的沥青层，其宽度应超过接地装 置2m C. 采用沥青碎石地面或在接地体上面敷设50? 80mm的沥青层，其宽度应超过接 地装置2m D. 水平接地体局部埋深不应小于0.5m 4. 对辅助等电位连接线的截面要求有（）。 A. 当用于连接两个电气设备外露导电部分时，其截面不应小于其中较小的保护线截面
B. 当用于连接电气设备与装置外可导电部分时，不应小于相应保护线截面的1/2 C. 在任何情况下，其最小截面不应小于5m怦（无机械保护时） D. 在任何情况下，其最小截面不应小于5.5m m2(有机械保护时) 5. 根据使用场所的要求，洁净手术部主要选用( )系统接地形式。 A. TN-S B. TN-C C. IT 6. 下列表述正确的是( )。 A. 在施工现场专用的中性点直接接地的电力线路中，必须采用TN-C 接零保护系统 B. 绝缘子的底座、套管的法兰、保护网(罩)及母线支架等可接近裸露导体应接地(PE)或接零(PEN)可靠。不应作为接地(PR)或接零(PEN)的接续导体 C. 当保护导体采用一般铜导线时，有机械保护时，其截面不应小于 2.5m m ;无机械保护时不应小于5m m D. 金属电缆支架、电缆导管必须接地(PE)或接零(PEN)可靠 7. 电气功能性接地，主要包括( )等。 A. 防静电接地 B. 直流接地 C. 交流接地 D. 信号接地 8. 当变电所的高压系统与低压系统采用共用接地装置时，在向低压系统供电的变电所的高压侧，一旦发生高压系统接地故障的情况，只要满足( )时，则认为变电所和设备是安全的。 A. 暖气管作接地线或保护线 B. 薄壁钢管或外皮作接地线或保护线
4月全国自考操作系统试题及答案解析
全国2018年4月高等教育自学考试 操作系统试题 课程代码：02326 第一部分选择题(共30分) 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题1分，共20分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．设计分时操作系统的主要目标是（） A．吞吐量和周转时间B．交互性和响应时间 C．灵活性和可适应性D．可靠性和完整性 2．用户通常利用键盘命令、系统调用命令请求操作系统服务，有时也会用（）A．宏指令B．汇编语言 C．作业控制语言D．计算机高级语言 3．操作系统中的中断处理程序很大部分是处理（）中断的。 A．程序B．访管 C．I/O D．外部 4．用作业控制语言编写作业控制说明书主要用在（）系统。 A．分时B．实时 C．批处理D．多CPU 5．采用多道程序设计能（） A．增加平均周转时间B．发挥且提高并行工作能力 C．缩短每道程序执行时间D．降低对处理器调度的要求 6．程序状态字反映了（）状态。 A．进程调度B．作业调度 C．与处理器有关的系统D．主存储器分配 7．为了对紧急进程或重要进程进行调度，调度算法应采用（） A．先来先服务B．轮转法 C．优先权调度D．短执行时间优先调度 8．单个分区的存储管理不适用于（） A．个人计算机B．专用计算机 C．单道程序系统D．多道程序系统 9．页式管理中的地址结构分页号和页内地址两部分，它（） A．仍是线性地址B．是个二维地址 C．是个三维地址D．是个四维地址 10．把逻辑文件存放到存储介质上时，如果组织成（）文件，则逻辑记录可以按任意次序存放在不相邻的存储块中。 A．流式B．记录式 C．顺序D．链接 11．为了保证存取文件的可靠性，用户要求读一个文件前应首先请求系统执行（）文 1
数据库安全性习题解答和解析学习资料
数据库安全性习题解 答和解析
第九章数据库安全性习题解答和解析 1.1.什么是数据库的安全性? 答：数据库的安全性是指保护数据库以防止不合法的使用所造成的数据泄露、更改或破坏。 2.2.数据库安全性和计算机系统的安全性有什么关系? 答：安全性问题不是数据库系统所独有的,所有计算机系统都有这个问题。只是在数据库系统中大量数据集中存放,而且为许多最终用户直接共享,从而使安全性问题更为突出。 系统安全保护措施是否有效是数据库系统的主要指标之一。数据库的安全性和计算机系统的安全性,包括操作系统、网络系统的安全性是紧密联系、相互支持的。 3.试述可信计算机系统评测标准的情况,试述TDI/TCSEC标准的基本内容。 答：各个国家在计算机安全技术方面都建立了一套可信标准。目前各国引用或制定的一系列安全标准中,最重要的是美国国防部(DoD)正式颁布的《DoD 可信计算机系统评估标准》(Trusted Computer System Evaluation Criteria,简称 TCSEC,又称桔皮书)。(详细介绍参见《概论》9.1.2)。 TDI/TCSEC标准是将TCSEC扩展到数据库管理系统,即《可信计算机系统评估标准关于可信数据库系统的解释》(Trusted Database Interpretation 简称TDI, 又称紫皮书)。在TDI中定义了数据库管理系统的设计与实现中需满足和用以进行安全性级别评估的标准。 TDI与TCSEC一样,从安全策略、责任、保证和文档四个方面来描述安全性级别划分的指标。每个方面又细分为若干项。这些指标的具体内容,参见《概论》9.1.2。 4.试述TCSEC(TDI)将系统安全级别划分为4组7个等级的基本内容。 答：根据计算机系统对安全性各项指标的支持情况,TCSEC(TDI)将系统划分为四组(division)7个等级,依次是D、C(C1,C2)、B(B1,B2,B3)、A(A1),按系统可靠或可信程度逐渐增高。
《材料科学与工程基础》习题和思考题及答案
《材料科学与工程基础》习题和思考题及答案 第二章 2-1.按照能级写出N、O、Si、Fe、Cu、Br原子的电子排布（用方框图表示）。 2-2.的镁原子有13个中子，11.17%的镁原子有14个中子，试计算镁原子的原子量。 2-3.试计算N壳层内的最大电子数。若K、L、M、N壳层中所有能级都被电子填满时，该原子的原子序数是多少？ 2-4.计算O壳层内的最大电子数。并定出K、L、M、N、O壳层中所有能级都被电子填满时该原子的原子序数。 2-5.将离子键、共价键和金属键按有方向性和无方向性分类，简单说明理由。 2-6.按照杂化轨道理论，说明下列的键合形式： （1）CO2的分子键合（2）甲烷CH4的分子键合 （3）乙烯C2H4的分子键合（4）水H2O的分子键合 （5）苯环的分子键合（6）羰基中C、O间的原子键合 2-7.影响离子化合物和共价化合物配位数的因素有那些？ 2-8.试解释表2-3-1中，原子键型与物性的关系？ 2-9.0℃时，水和冰的密度分别是1.0005 g/cm3和0.95g/cm3，如何解释这一现象？ 2-10.当CN=6时，K+离子的半径为0.133nm(a)当CN=4时，半径是多少？(b)CN=8时，半径是多少？ 2-11.(a)利用附录的资料算出一个金原子的质量？(b)每mm3的金有多少个原子？(c)根据金的密度，某颗含有1021个原子的金粒，体积是多少？(d)假设金原子是球形(r Au=0.1441nm),并忽略金原子之间的空隙，则1021个原子占多少体积？(e)这些金原子体积占总体积的多少百分比？ 2-12.一个CaO的立方体晶胞含有4个Ca2+离子和4个O2-离子，每边的边长是0.478nm，则CaO的密度是多少？ 2-13.硬球模式广泛的适用于金属原子和离子，但是为何不适用于分子？ 2-14.计算（a）面心立方金属的原子致密度；（b）面心立方化合物NaCl的离子致密度（离子半径r Na+=0.097，r Cl-=0.181）；（C）由计算结果，可以引出什么结论？