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电子技术基础复习题及答案最新版本

电子技术基础一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（）

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第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中，E12V =， D为硅二极管，R10K =Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？解：二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中， i u12sin tω =V，二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。（a）（b）（c）解： 2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解：(a) D导通， AB U6V =-；（b）D1导通，D2截止； AB U0V =；

2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =，输入电压 i u12sin tω =V，画出输出电压 o u波形图。解： 2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。 (b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =，波动范围10% ±；稳压管的稳定电压 Z U6V =，稳定电流 Z I5mA =，最大耗散功率 ZM P180mW =；限流电阻R200Ω =；输出电流 o I20mA =。（1）求I U变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？解：输入电压波动范围： Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=

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第1章电路模型和电路定律三、单项选择题 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ） A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 2、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为（ B ） A 、6V B 、－6V C 、14V 3、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ） A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 4、一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为（ A ） A 、200Ω B 、－200Ω C 、±200Ω 5、两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为（ B ） A 、10V B 、20V C 、30V 6、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。 A 、储存电场能量 B 、储存磁场能量 C 、耗能 7、理想电压源和理想电流源间（ B ） A 、有等效变换关系 B 、没有等效变换关系 C 、有条件下的等效关系 8、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ） A 、有电流，有功率损耗 B 、无电流，无功率损耗 C 、有电流，无功率损耗 9、图示电路中5V 电压源发出的功率P 等于（ A ） A ）15W B ）－15W C ）30W D ）－30W

五、计算分析题 1、图1.1所示电路，已知U =3V ，求R 。（2k Ω） 2、图1.2所示电路，已知U S ＝3V ，I S ＝2A ，求U AB 和I 。（？V 、？A ） 3、图1.3所示电路，负载电阻R L 可以任意改变，问R L 等于多大时其上可获得最大功率，并求出最大功率P Lmax 。（？Ω） 4、图1.4所示电路中，求2A 电流源之发出功率。（？W ） 5、分别计算S 打开与闭合时图1.5电路中A 、B 两点的电位。（S 打开：A － 10.5V,B 图1.1 L 4U 图 1.4 2Ω Ω 图1.2

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资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。只供学习与交流资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。只供学习与交流

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp—

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2 第1章逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝

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《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

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第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

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《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答第1章节后检验题解析第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。第16页检验题解答：图1-5检验题4电路图 U 3

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第1章逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=

(2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4．根据下列各逻辑式，画出逻辑图。 ①Y=（A+B ）C ； ②Y=AB+BC ； ③Y=（A+B ）（A+C ）； 5．试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。

6.如果“与”门的两个输入端中， A为信号输入端， B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时，输入信号端A的波形如图所示，试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端，则输出端Y的波形又如何？总结上述四种门电路的控制作用。

第2章组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式，列出真值表，然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=： ①列出逻辑真值表，说明其逻辑功能； ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图； ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图； ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图； ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器

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第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）

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电子技术实训试题库一、填空类题 1、CW7906表示输出电压为V的稳压器。 2、在多级放大电路中，级数越多，通频带越。 3、为了有效地抑制零点漂移，常采用电路作为集成运放的前置级。 4、如图1所示放大电路，极间反馈类型为。 5、对三极管的引脚进行判别时，把万用表置于R?100Ω（或R k1 ?Ω档），把黑表笔与假定的基极引连，红表笔分别与另外两个极相连，测得其电阻值均很小，说明该管的类型为。 6、测得三极管各管脚对雪电压分别为U C=0.4V，U B=1.0V，U E=0.3V，则此三极管工作于状态。 7、在比例运算放大电路中，若闭环放大倍数A F=-3，则反馈系数F为。 8、将二进制数11011001转换为十进制数。 9、将异或门实现的函数C =改用同或门实现，其函数表达式为。 ? B A L? 10、图中画出了门电路的输入波形A、B，输出波形L、其中L对应的门电路类型为。 11、复合管的电流放大倍数β是 12、集成运放运用于时电压放大倍数趋于无穷大。 13、十进制数69转换为8421BCD码是 14、时序逻辑电路中最基本的单元一般是 15、JK触发器转化为T触发器的条件是 16、能将二进制代码转换为相应的输出信号的电路称为 17、如图所示电压跟随电路中，输入输出电阻的特点是 18、如图所示电路中已知U21=U22=20V（有效值），则U O2= 19、如图所示电路，满足深度负反馈，已知R1=100K，R2=50K=R F=2K反馈系数F=

20、74LS161是4位于一进制同步加法计算器，如图9所示连接后构成的计数器模 21、在某一振荡器中，如果反馈电路的系数F 是 0.02。那么开环放大器的放大倍数必须是。 22、一低频小功率三极管，当I C =2mA 时，β=150，则此三极管的交流输入电阻r be = ,K Ω(精确到小数点后一位)。 23、如图所示为一晶体三极管外形，则其1脚是极。 24、理想运算放大器的电路如图所示，u O = u i 。 25、一个全波整流电路，当输入40HZ 的正弦信号时，输入出信号的基波频率是。 26、如图所示电路输出端Y 的最小顶表达式为。 27、函数CD B A y +=的反函数是。 28、逻辑函数D B B A y ?+=的最简表达式是。 29、8421BCD 码100101110对应的十进制数是。 30、反映D/A 转换器工作速度的指标是。 31、晶体管和声效应管具有受控作用的器件，场效应管属于式器件，其G 、S 的阻抗要晶体管有B 、E 间的阻抗。 32、在调谐放大电路中，三极管集电极负载为。为了较好地兼顾通频带和选择性，双调谐回路的耦合程度最好处于状态。 33、将十进制（42.625）10转换成二进制数。 34、利用对偶原则写出表达式))()()((C B C A B A B A F ++++=的对偶式 F '= 。 35、时序逻辑电路按工作方式可分为和。 36、正弦波振荡电路振幅平衡条件是，相位平衡条件是。用CMOS 或非门实现反相器功能时，或非门的多余端应接。 37、文氏桥式正弦波振荡电路如图所示，R=12K Ω，C=0.03μF ，电路满足的条件参数时,电路方能起振；电路的振荡频率为。

经典电工学电子技术试题库(含答案)

电工电子技术试题库一、单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(D) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（C ） A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3．下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( C ) A．仅自由电子是载流子B．仅空穴是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是( C ) A．虚地与虚断B．虚短与虚地 C．虚短与虚断D．断路与短路 5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ B ） A．P型半导体，其少子为自由电子B．N型半导体，其多子为自由电子C．P型半导体，其少子为空穴D．N型半导体，其多子为空穴 6．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U O为（ B ） A．3V B．10V C．-3V D．-10V 7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ B ） A．基区很薄B．基区掺杂浓度最高 C．发射区掺杂浓度最高D．发射结的结面积小于集电结的结面积8．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ D ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极 9．放大电路如题7图所示，该电路引入了交直流（ B ） A．电流并联负反馈

B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈 10.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为( B ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V 11.NPN型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是( D ) A.E极电位最高，C极电位最低 B.E极电位最高，B极电位最低 C.C极电位最高，B极电位最低 D.C极电位最高，E极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈组态为( C ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻，可引入(D) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由(C) A.电流放大系数β确定 B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定 =++等价于(B) 15.函数Y A B C A.Y=ABC B. C = ? B A Y? =++ C.Y=AB+C D. Y A B C 16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C ) A.F=ABC B.F=A+B+C C.F=ABC D.F=A+B+C 17．下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( D ) A．AA A AA= =B．1 C．AA A AA= =D．0

数电电子技术基础习题答案册

习题答案第一章数制和码制 1. 数字信号和模拟信号各有什么特点？答：模拟信号一一量值的大小随时间变化是连续的。数字信号一一量值的大小随时间变化是离散的、突变的(存在一个最小数量单位△)。 2. 在数字系统中为什么要采用二进制？它有何优点？答：简单、状态数少，可以用二极管、三极管的开关状态来对应二进制的两个数。 3. 二进制：0、1;四进制：0、1、2、3;八进制：0、1、2、3、4、5、6、7;十六进制：0、1、2、 3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F。 4. (30.25)10=( 11110.01)2=( 1E.4)16。(3AB6) 16=( 0011101010110110)2=(35266)8。 (136.27)10=( 10001000.0100) 2=( 88.4) 16。 5. B E 6. ABCD 7. (432.B7) 16=( 010*********. 10110111) 2=(2062. 556) 8。 8. 二进制数的1和0代表一个事物的两种不同逻辑状态。 9. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。这种表示法称为原码。 10. 正数的反码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。 11. 正数的补码与原码相同，负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。 12. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。正数的反码、补码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。补码再补是原码。 13. A:(+1011)2的反码、补码与原码均相同：01011; B: (-1101)2的原码为11101,反码为10010, 补码为10011. 14. A: (111011)2的符号位为1,该数为负数，反码为100100,补码为100101. B: (001010)2 的符号位为0,该数为正，故反码、补码与原码均相同：001010. 15. 两个用补码表示的二进制数相加时，和的符号位是将两个加数的符号位和来自最高有效数字位的进位相加，舍弃产生的进位得到的结果就是和的符号。+3的补码000011, +15的补码001111,和为010010; +9 的补码01001, -12 的补码10100,和11101. 16. (100001000) BCD= (108) D= (6C) H= (01101100) Bo 17. A 18. A 19. 常见的十进制代码有8421码，2421码，5211码，余3码，余3循环码；前3种码从左到右每一位的1分别用码的权值表示；余3码的权值为8、4、2、1;余3循环码相邻的两个代码之间仅有一位的状态不同。 20. 计算机键盘上的按键是ASCII 码。1000100 1011000 1011000 1011001. (参见教材P15表 1.5.3) 习题答案第二章逻辑代数基础 1. 二值逻辑是指只有两种对立逻辑状态的逻辑关系。如门的开、关等。二值逻辑中的正逻辑指有1表示高电平，开关闭合等有信号的状态，0表示低电平，开关断开等无信号状态；负逻辑则正好与正逻辑相反。 2. 见教材P22-23。 3. 正逻辑与、或、非运算的真值表：

电工电子技术试题(含答案)

一选择题： 1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ D ）。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω，则相电压=C u （ D ）。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω （d ）2202sin(30)t ω+ 6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。 (a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ2 7.一负载电阻为RL ，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A ／20A ，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RL ′＝R0时，则RL 等于（ B ）

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用，是利用它的（ D ）。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（ c ）。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了（ B ） A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

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