2020年半导体分立器件行业分析

2020年半导体分立器件行业分析

一、行业管理 (2)

二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2)

1、行业技术水平和技术特点 (2)

2、行业特征 (3)

（1）周期性 (3)

（2）区域性 (3)

（3）季节性 (4)

三、行业上下游的关系 (4)

1、上游行业情况 (4)

2、下游行业情况 (5)

四、行业竞争情况 (5)

1、行业竞争格局 (5)

2、行业主要企业情况 (6)

（1）安世集团（Nexperia） (7)

（2）英飞凌（Infineon） (7)

（3）意法半导体（ST Microelectronics） (7)

（4）华润微电子有限公司 (8)

（5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8)

（6）苏州固锝电子股份有限公司 (8)

（7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9)

（8）吉林华微电子股份有限公司 (9)

（9）强茂电子（无锡）有限公司 (9)

（10）无锡新洁能股份有限公司 (9)

一、行业管理

国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。

二、行业技术水平和技术特点及行业特征

1、行业技术水平和技术特点

半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及

性能水平大幅提高。部分优质企业在细分产品领域的技术工艺水平已经达到国际先进水平，并凭借其成本、技术优势逐步实现进口替代。但在诸如分立器件芯片等部分高端产品领域，目前国内生产技术与国外先进水平尚存在一定的差距。

2、行业特征

（1）周期性

半导体分立器件作为基础性的功能元器件，应用涵盖了通信电路、消费电子、智能终端、汽车电子、LED照明、智能电网等众多配套领域。随着半导体分立器件行业新型技术特征的发展，其应用领域将不断扩大。由于半导体分立器件所服务的行业领域较广，具体受下游单一行业周期性变化影响不显著，但与整体宏观经济景气度具有一定的关联性。

（2）区域性

国内半导体分立器件的生产主要集中在经济较发达、工业基础配套完善的电子信息产业制造区域。经过多年的发展，我国已形成了三大电子信息产业集聚带。即以上海、江苏、浙江为中心的长江三角洲地区，以广州、深圳为龙头的珠江三角洲以及以北京、天津为轴线的环渤海湾地区。受该市场区域的影响，半导体分立器件行业生产呈现出一定的区域性特征。

半导体技术-中国半导体分立器件分会

“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估

材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 （1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，

使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根 据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 （2）汽车电子

半导体分立器件测试系统说明书

QTEC-4000 半导体分立器件测试系统

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半导体分立器件

半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法

示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。 示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。 示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 （1）常用二极管的类型有： ①整流二极管 主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频

中国半导体照明行业市场分析与预测

中国半导体照明行业市场分析与预测 2018-03-24 09:54:08 文章来源：中国半导体照明网 1、半导体照明行业进展背景与现状 照明方式按照照明光源可分成白炽灯、气体放电灯、固态光源三大类。19世纪以来，白炽灯、气体放电灯（荧光灯、卤素灯）等照明工具得到了逐步的广泛应用，而随着照明技术的进展，以固态光源技术为基础的新一代照明方式——半导体照明开始显现，并凭借其革命性的技术与性能优势得到了迅速的进展。半导体照明是使用LED（Light Emi tting Diode发光二极管）作为光源的照明。 发光二极管是一种能够将电能转化为光能的电子器件，具有二极管的特性。自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管产生以来，作为一种全新的照明技术，LED 利用半导体芯片作为发光材料、直截了当将电能转换为光能，以其发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保卫生等优越性，被业界认为是人类继爱迪生发明白炽灯泡后最伟大的发明之一。如下表所示为现时期LED灯与传统照明器具的性能对比： 表1：现时期LED灯与传统照明器具的性能对比 一些发达国家和地区先后出台半导体照明进展的战略打算，并出台相应的举措，促进当地半导体照明产业进展。美国大力进展半导体照明产业，目前已拥有Lumileds公司、Gree公司、Color Kinet ic s（CK）公司，差不多着手启动“下一代照明打算”(NGLI) 。日本差不多完成了“21世纪照明”进展打算的第一期目标，正在组织实施第二期打算，大

力强化进展半导体产业重要性的认识，政府协助标准设立，在完善的技术研发体系下实行技术领先战略，并有强大的政府支撑体系。韩国的进展体会是政府主导下的大企业扩张，采取产业集聚加速进展，并以应用拉动市场。欧盟的“彩虹打算”在2000年7月启动，托付6个大公司、2所大学，通过欧盟的补助金来推广白光发光二极管的应用。 Philips 估量在2018-2020 年半导体照明市场将以平均6%的速度增长。从光源上看，目前要紧依旧以白炽灯、荧光灯为主，按照各国剔除白炽灯的打算，白炽灯泡立即于2020年全部禁用，因此白炽灯泡取代市场给了LED照明厂商极大的商机。LEDinside 估量LED灯泡产值占传统灯泡市场的渗透率，将于2019年达到三成以上。半导体照明是新兴产业，将逐步实现对传统照明的替代，Philips认为目前LED照明对通用照明领域的渗透率约3％，估量LED照明占通用照明领域的比例在2019年将达到50％，2020年将达到80％，LED照明产品将全面进入传统照明领域，成为全球要紧的照明方式。 据统计，目前全球通用照明市场规模为630亿到700亿美元。专门是随着现代社会的经济进展，环境污染和能源消耗问题日益严峻，节能环保的照明方式越来越成为各国政府关注的重点，而半导体照明由于在环保和节能上的杰出性能，逐步得到了各国政府及商业机构的支持和推广。而随着LED芯片价格与发光效率的逐步提升，半导体照明向通用照明各个领域渗透的商业条件也越来越成熟。目前LED实验室发光效率达到了208lm/W，差不多远远优于传统照明方式，在可预期的以后LED的发光效率还会进一步显著提高。 因此，各国政府在半导体的应用领域纷纷推出了补贴打算(补贴额达到了产品价格的30%至55%)，大力鼓舞半导体照明的普及和应用。目前，LED产业已形成美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的竞争格局。科锐、流明、日亚化学以其在高端芯片领域的技术创新优势，占据了LED上游的主导地位。中国台湾地区LED产业近年来迅速崛起，其芯片及封装业务在世界范畴内具有较大阻碍力。近年来，我国LED产业进展迅速，在国家政策的支持和下游应用需求的带动下，形成了较为完整的LED产业链，我国LED 产业要紧集合在长三角、珠三角、闽三角等地区，有一定的产业集群效应。 在我国，2018年5月，由科技部颁发了《“十城万盏”半导体照明应用工程试点》，估量在北京、上海、深圳、武汉等21个国内发达都市投资使用100万盏LED市政照明灯具，2018-2019年在全中国完成50个半导体照明示范都市建设工作，应用200万盏LED市政照明灯具。估量在以后几年，半导体照明将随着整个LED产业集群规模的不断扩大，而进入高速进展时期。

我国半导体分立器件行业研究

我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 （1）半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、 晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电

流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）： 从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒

半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断 提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。

行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。

一文看透中国半导体行业现状

一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下，中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时，也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是，近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议，已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金，挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”，还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位，再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测，到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片，然而当中只有15%是由中国自身生产的，和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色，为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备，工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器，能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下，中国在全国已经开发了好几个半导体产业群（图1），且在未来十年内，国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币（1080亿美金）到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外，还会兼顾到中国在通信、安全等工业，以求减少对国际半导体的依赖。 图1 ：中国半导体的全国分布图

但据我们观察，中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作，追逐市场的领先者和落后者，考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好，也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月，贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通，合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外，清华紫光集 团也给台湾的Powertech （力成）投资了6亿美金，成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年，是全球第五大封测服务厂，美国存储生产商金士顿为其重要股东，原持股比例约3.83%，并拥有四席董事席位，台湾东芝半导体也拥有一席，在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前，紫光还想买下西部数据和美光，但受限于美国监管局，这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重，但展望不久的将来，中国半导体业势必会发起更多并购，让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言，中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标，这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然，这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现，结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重，展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作，并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前，我们先了解一下中国抢占市场的惯用方

半导体行业发展趋势分析

半导体行业发展趋势分析 新型计算架构浪潮推动，中国半导体产业弯道超车机会来临

核心观点： ●2018，半导体市场供需两旺，中国市场迎弯道超车机遇 需求端新市场新应用推动行业成长：1）比特币市场的火爆带动矿机需求快速增加，ASIC 芯片矿机凭借设计简单，成本低，算力强大等优势被大量采用。国内ASIC 矿机芯片厂商比特大陆、嘉楠耘智、亿邦股份自身业绩高增长的同时，其制造与封测环节供应商订单快速增长。2）汽车电子、人工智能、物联网渐行渐近，带动行业成长。供给端国内建厂潮加剧全球半导体行业资本开支增长，上游确定性受益。 ● 1 月半导体行情冰火两重天 A 股市场：18 年1 月以来（至1 月26 日）申万半导体指数下跌9.03%，半导体板块跑输电子行业5.9 个百分点，跑输上证综指16.59 个百分点，跑 输沪深300 指数17.72 个百分点；其中制造（-5.59%）>封装（-5.64%）> 分立器件（-5.66%）>存储器（-5.85%）>设计（-7.34%）>设备（-9.57%）> 材料（-11.17%）；估值大幅回落。海外市场：费城半导体指数上涨6.79%，创历史新高，首次超过2001 年最高值；矿机及人工智能带动GPU 需求量增长，英伟达作为全球GPU 龙头深度受益，1 月以来（至1 月26 日）股价上涨22.14%；设备龙头整体上涨。 ●12 月北美半导体设备销售额创历史新高，存储芯片价格平稳波动 根据WSTS 统计，11 月全球半导体销售额达376.9 亿美金，同比增长21.5%，环比增长1.6%，创历史新高。其中北美地区半导体11 月销售额87.7 亿美金，同比增长40.2%，环比增长2.6%，是全球半导体销售额增长最快区域。分版块看，12 月北美半导体设备销售额23.88 亿美金，同比增长27.7%，环比增长16.35%，创历史新高；存储芯片价格1 月以来（至1 月26 日）价格 波动。 ●投资建议 我们认为国内IC 产业进入加速发展时期，由市场到核“芯”突破这一准则不断延续，从智能手机领域起步，未来有望在人工智能、汽车电子、5G、物联网等新兴市场实现加速追赶。本月重点推荐卡位新兴应用市场，业绩快速成长的华天科技、长电科技，建议关注通富微电；同时下游资本开支扩张带给上游设备领域的投资机会，建议关注北方华创、长川科技。

2020年半导体分立器件制造行业分析报告

2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月

目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)

一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技

我国半导体产业现况分析

我国半导体产业现况分析 报告出处：电子资讯时报发布日期：2003-04-09 报告类别：分析报告 行业分类：信息产业/电子设备 调查地点：全国 调查时间：2003年 调查机构：电子资讯时报 报告来源：电子资讯时报 报告内容： 封装测试业产值最大劳力密集代工为主 由于拥有充沛的劳力资源，加上政府减免增值税的优惠措施下，使得在我国封装的IC产品内销，就可以具备租税优惠的好处。原本封装与测试业就是人力需求较高，但资金及技术门槛相对较低的产业，所以在我国兴建封测厂于是成为许多外商进入我国市场最佳的渠道。在我国建立封装与测试厂不但是有租税优惠，更可获取IC生产成本的竞争优势。目前我国前十大半导体厂商中，较具规模的仍以外资封装测试厂商为主，这也使得整体封装产值占半导体产业产值比重高达七成以上。 然而，就目前封装技术来看，仍以直插式塑料封装（PDIP），生产100pin 以下的低阶消费性产品为主。整体看来，封装与测试产业仍旧偏重为外资代工生产低附加价值产品，虽然产值大，但技术能力仍有待提升。

设计业增长快速能力有待提升 由于市场发展潜力巨大，再加上政府重点扶植，促使了我国内地设计公司快速发展。尽管目前仍是以学校和研究机构的半官方性质居多，但在近两年大量留美专家学子加入后，诸如微处理器、无线及网络芯片等高技术导向的设计能力，已有了长足进步。 就地区分布来看，主要是以北京、上海、深圳为大本营。在技术能力方面，除少部分公司外，设计产品重点仍然以我国内地消费性电子产品为主，主流技术仍集中在1微米以上，并以反向工程的模仿为主，整体设计能力仍有待提升。 制造业技术落后以代工为主要业务 尽管目前我国内地半导体制造业主要晶圆尺寸仍以5英寸至6英寸为主，技术则集中在1.5微米以上，但在政府大力鼓励及各项租税优惠减免的保障下，吸引了中芯、宏力与和舰等半导体制造企业8英寸及12英寸晶圆厂的建厂计划。这些企业将以先进工艺能力，从而具备0.18微米的量产实力。 综观我国内地晶圆制造业的发展，除了早期与美国贝尔、阿尔卡特、摩托罗拉，日本NEC等合资建厂并从事生产外，近年来的发展主轴则是以提供晶圆代工生产为重点。在晶圆代工产业发展方面，除了作为全球目光焦点的中芯国际（SMIC）以及台积电之外，还包括和舰、宏力、华晶、先进与华虹NEC等，合计共有七家建设或量产中的晶圆代工厂商，估计在2004年时，将会有七座8英寸晶圆厂正式投入量产，若包括小尺寸代工的一座4英寸厂、三座5英寸厂及一座6英寸厂，总代工产能规模估计将可达到290万片以上的8英寸晶圆水平。

2020年半导体分立器件行业分析

2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)

一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究 （一）半导体行业基本情况 1、半导体概况 （1）半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显 的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 （2）半导体行业分类 按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对

信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时

2018年汽车半导体行业深度分析报告

２０１８年汽车半导体行业深度分析报告

内容目录 核心观点： (5) 1. 新能源汽车驱动汽车半导体发展 (5) 1.1. 汽车半导体的定义及前景 (5) 1.1.1. 汽车半导体的市场竞争特点 (5) 1.1.2. 汽车半导体的企业特征 (5) 1.1.3. 受环保驱动的新能源汽车市场是刚需 (6) 1.1.4. 新能源汽车半导体投资前景探讨 (6) 1.2. 特斯拉点燃汽车半导体行业投资热情 (7) 1.3. 全球新能源汽车迈入高增长轨道 (8) 2. 新能源汽车电子化显性增量——电机电控&电池 (10) 2.1. 汽车核心驱动部件-电机 (10) 2.2. 汽车电控系统介绍 (12) 2.2.1. 整车控制系统（VCU） (13) 2.2.2. 电机控制器（MCU） (13) 2.2.3. 电池管理系统（BMS） (13) 2.3. 新能源汽车的限制性技术-电池 (14) 3. 新能源汽车内部器件价值增长核心逻辑——电池电压提升 (16) 3.1. 新能源车按照动力来源的分类 (16) 3.2. 48V微混车发展空间广阔 (17) 3.3. 高电压下电池零部件的潜在变化 (18) 4. 新能源汽车电子化隐性增量——功率半导体量价齐升 (18) 4.1. 功率半导体 (19) 4.1.1. 汽车用功率半导体——汽车电能转换和控制的核心部件 (19) 4.1.2. 新能源汽车带来的功率半导体应用变化 (20) 4.1.3. 从“质”和“量”两方面看新能源汽车为功率器件带来的价值增量 (20) 4.1.4. 汽车功率半导体价值量测算及各元器件空间测算 (23) 4.1.5. 功率半导体市场基本被海外垄断，国内企业替代空间广阔 (25) 4.1.6. 国际领先汽车半导体方案提供商 (27) 5. 投资建议 (31) 图表目录 图1：2017年全球前十大车用半导体供应商排行（%） (6) 图2：全球四大区域碳排放的法律要求（CO2 / km） (6) 图3：2017年我国充电桩发展数量现状（个） (6) 图4：汽车电子技术路线 (6) 图5：特斯拉季度销量（辆） (7) 图6：特斯拉Model 3 (8) 图7：特斯拉销量预期（万台） (8)

半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准

半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1. 职业概况 1．1 职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1．2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路的人员。 1．3 职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1．4 职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作协调。知觉好。 1．6 基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1．7 培训要求： 1．7．1 培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训：初级不少于400标准学时；中级不少于300标准学时；高级不少于150标准学时；技师于150标准学时。 1．7．2 培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或相关专业8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书3年以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3 培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1．8 鉴定要求： 1．8．1 适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1．8．2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）在本职业连续见习工作2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者） （1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。

2020年半导体行业分析报告

2020年半导体行业分 析报告 2019年12月

目录 一、全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性 (4) 1、全球半导体呈现周期性，新需求催生创新周期 (4) 2、国产替代赋予成长性，自主可控加速成长属性 (5) 3、国内半导体行业受到创新周期与国产替代双重影响 (6) 二、多重创新周期叠加，恰逢2020年 (7) 1、5G手机：2020年是5G换机周期年 (7) 2、TWS耳机：2020年是安卓TWS放量年 (9) 3、服务器：2020年是服务器重回增长年 (10) 4、游戏主机：2020年是主机换机周期年 (11) 三、上游产业链供不应求，景气度回升 (13) 1、代工：先进制程到成熟制程，景气度相继回暖 (13) （1）台积电：2019Q2起大反转 (13) （2）联电、中芯国际：2019Q3产能利用率提升 (14) （3）世界先进、华虹：预计2019Q4景气度回升 (15) 2、存储：NAND、DRAM价格已逐渐企稳，预计20Q2涨价 (16) 3、CIS：数量+像素双轮驱动，涨价开始积极扩产 (17) 4、封测：5G等需求拉动下19H2已回暖 (19)

全球半导体呈现周期性，国产替代赋予成长性。全球半导体行业因其下游需求的不断迭代，如大型机、家电到PC、笔记本到功能机、智能手机的迭代，而具有一定的周期属性。近年不断发生的中兴、华为事件、中美贸易摩擦等又加速促进了国产替代的进程。国内半导体行业受到下游需求创新周期和国产替代的双重影响。 多重创新周期叠加，恰逢2020年。半导体行业下游应用主要包括计算端（电脑、服务器）、通讯端（手机、有线通讯）和消费电子端（可穿戴、电视）等。（1）随着5G基站的进一步建设和配套应用的不断发展，2020年将迎来第一波5G换机潮；（2）受益于2019年Q3联发科、高通、华为等相继实现TWS蓝牙连接技术问题，打破苹果AirPods监听模式专利封锁，安卓TWS或将迎来行业拐点；（3）随着全球服务器库存逐渐消化完毕，企业持续进行的数字化转型和AI应用的推进，服务器在2020年将重回增长步伐；（4）游戏主机大厂索尼将在2020年推出新一代游戏机Playstation 5，也将对半导体产业链产生一定的拉动作用。5G手机、TWS耳机、服务器和游戏主机这四大创新周期将成为2020年半导体行业下游需求的主要增长点。此外，汽车、AIOT等也将驱动半导体行业复苏。 上游产业链供不应求，景气度回升。代工方面，第一梯队厂商台积电2019年Q2收入开始大反转，资本开支显著增加。第二梯队厂商联电、中芯国际2019年Q3产能利用率开始提升。第三梯队厂商世界先进、华虹2020年一季度产能已被订空；存储方面，NAND、DRAM 价格已逐渐企稳，2020年有反弹趋势；CIS方面，后置四摄手机时代

2020年半导体IP行业分析报告

2020年半导体IP行业 分析报告 2020年7月

目录 一、IP助力芯片简易开发，空间有望翻倍增长 (6) 1、产业链上游关键环节，助力芯片简易开发 (6) 2、芯片复杂度提升叠加多元化应用增加驱动IP需求提升，空间有望翻倍增长 (10) （1）IP市场随IC设计市场蓬勃发展 (10) （2）芯片设计的复杂度、难度、成本、风险将持续提升 (11) ①高集成度促使设计复杂度提升 (11) ②终端多样性促使设计难度增加 (12) ③先进工艺带来设计成本增加 (12) ④先进工艺带来设计风险增加 (12) （3）独立IP可有效降低芯片设计公司的运营成本、使其专注于核心优势领域，同时专业化分工背景下规模效应更显著 (13) ①IP授权可降低芯片设计公司的运营成本、使其专注核心优势领域 (13) ②专业化分工下规模效应更加显著，降低设计成本和风险 (14) （4）处理器IP份额最大，数据中心驱动接口IP成为最快增长品类 (14) ①预计处理器IP将继续占据最大市场份额，并以稳健增速增长 (15) ②数据中心将驱动接口IP快速增长，接口IP成为最具潜力的IP品类 (15) ③从应用领域看，消费电子和汽车行业的半导体IP市场将快速增长 (16) （5）从地区分布看，亚太占据最大份额，预计未来仍将保持全球最高增速 (17) 二、竞争格局高度集中，龙头企业稳步发展 (18) 1、IP行业竞争格局高度集中，2019年CR10占比78.1%，且龙头企业地位稳 固 (18) 2、IP许可收入前5大厂商市占率高达66.70% (19) 3、全球巨头：聚焦细分领域做强+推出新产品/外延并购是实现增长的主要策 略 (20) （1）智能手机的飞速发展，助力ARM奠定市场霸主地位 (20) （2）ARM聚焦CPU、GPU，逐步丰富产品种类 (21)

半导体分立器件的命名方法

半导体分立器件的命名方法 （1）我国半导体分立器件的命名法 例： 1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管： 3A D50C3D G201 B 规格号规格号 序号序号 低频大功率低频大功率 PNP型、锗材料PNP型、锗材料 三极管三极管 3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管： 2C W51B T3 3 E 序号规格号 稳压管耗散功率 N型、硅材料三个电极 二极管特种管 半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法

示例（命名）： A F239S AF239型某一参数的S档 普通用登记序号 高频小功率三极管 锗材料 国际电子联合会晶体管型号命名法的特点： 1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。 2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。 3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。 4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。 5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。 6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。 (3) 美国半导体器件型号命名法 美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。 表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法