金属氧化膜电阻耐脉冲电力特性曲线
（参考特性tech notes ）
金属氧化膜固定电阻器脉冲特性Limitations of Potential Pulsing on Metal Oxide Resistors ■ Pulse Characteristics (Usual) 脉冲特性（通常）
P P : Pulse limit power 脉冲限制功率(W) V P : Pulse limit voltage 脉冲限制电压(V)
τ: Pulse continuous time 脉冲持续时间 (s)
T : Period 周期 (s)
V R : Rated voltage 额定电压 (V) P : Rated power 额定功率 (W) R : Nominal resistance 标称阻值(?)
V P max . : Max. pulse limit voltage 最大脉冲限制电压(V)
Withstand pulse limit power is calculated by the following method.耐受脉冲限制功率按下式计算： P P =K·P·T/τ
Refer to the right for a fixed number of V Pmax. V P max 请参考右表。
●T>1(s)→ T=1(s). ●Added voltage.施加电压≤V P max 。
●T/τ>100 →T/τ=100. ● P P or V P is reference value. P P 或 V P 为参考值。 ● P P
The peak power is defined as the maximum power dissipated at any point in time regardless of the waveform shape. 峰值功率是指最终耗散在任意点的最大功率 而不论波形。
The pulse waveform, if other than a square wave, must first be converted to an approximated square wave as shown on the right.
如果其他脉冲波形与方波相比，必须先转换为近似 方波，如右图所示。
t : Time to attenuate down to the rated power 衰减至额定功率时间
(s)
Type K
V P max
RY15-1/2W
0.5 600
RY16-1W 0.5 600 RY17-2W 0.5 700 RY18-3W 0.5 700
■Pulse Characteristics (Inrush) 脉冲特性（浪涌）
[Conditions条件]
Resistance change≤±5% with pulse 1000cycles as in the figure below.(Reference Only). 按下图规范1000次循环，阻值变化≤±5%（仅作参考）
1)Added power and added voltage are within the lower territory of this graph.
施加功率和电压应在下图曲线区域内。
2)Added in normal temperature and humidity.在正常温度和湿度情况下。
[Waveform波形]
电阻的分类及性能.
电阻的分类及性能 电阻分为限值固定电阻和限值可变电阻两类。 限值固定电： 1碳膜电阻，标示通用R或RT 电压稳定性能好，造价低，在普通电子产品中应用广泛。 2.金属膜电阻，R或RJ 电压系数更好，同等条件下体积比碳膜电阻小很多，但它的脉冲负荷稳定性差，造价高。 3.金属氧化膜电阻器，R或RY 具有抗氧化、耐酸、抗高温等特点。 4.合成碳膜电阻器，R或RH 高压、高阻电阻器。 5.玻璃釉电阻器，R或RL 耐高温、耐潮湿、稳定、噪声小、限值范围大。 6.水泥电阻器，R 应用大功率电路，当负载短路时，电阻丝与焊脚间的压接处会迅速熔断，对整个电路起保护作用。 7.排电阻器，R 用圆点或缺口表示公共端，电阻器上的数字分别表示有效数字和倍数数字。 8.熔断电阻器（保险电阻器），R 具有电阻器和过流保护熔断双重作用元件。 9.实心电阻器，R 成本低，限值误差大，稳定较差。 限值可变电阻 一、可调电阻器（可人工调节）标示RP 有3个引脚和一个动片引脚，还有一个可调整旋转 钮，可以通过改变动片，改变电阻的阻值。 二、敏感电阻器（随环境变化而变化） 1．压敏电阻器，MY 当外加电压施加到某一临界值时，压敏的阻值会急剧变小。 2.热敏电阻器，MZ或MF 随着温度变化而变化，温度高阻值增大，温度低阻值增小为正温度系数相反为负温度系数。 3．湿敏电阻器，MS 常见种类硅湿敏电阻器、陶瓷湿敏电阻器、氯化理湿敏电阻器。 湿度变化而变化，湿敏电阻器是由感湿层（或湿敏膜）、引线电极和有一定强度的绝元基体组成。 4.光敏电阻器，ＭＧ入射光线增强，限值会明显减小，入射光线减弱限值会明显增大。按导体不同可分为单晶光敏和多晶光敏电阻器。按光谱特性分为红外线光敏电阻器、可见光敏电阻器及紫外线光敏电阻器。 5.气敏电阻器，MG 利用金属氧化物半导体表面吸收某种气体分子时，会发生氧化反应或还原电阻值改变特性而制成的。 电容的种类标示及性能 电容分为限值固定电容和限值可变电容器电容器一般标示都是C。
光敏电阻的物理特性
Ⅰ.光敏电阻的物理特性 光敏电阻:常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。Ⅱ.组成特性 光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。 Ⅲ.作用 光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。 根据光敏电阻的光谱特性，可分为三种光敏电阻器：紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器、可见光光敏电阻器。 Ⅳ.参数特性 （1）光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流之比称为亮电阻，常用“100LX”表示。（2）暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下，当没有光照射的时候，流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻，常用“0LX”表示。（3）灵敏度。灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值（暗电阻）与受光照射时的电阻值（亮电阻）的相对变化值。 （4）光谱响应。光谱响应又称光谱灵敏度，是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线，就可以得到光谱响应的曲线。 （5）光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值
室外一体化集成机柜选型规格书
室外一体化集成机柜选型规格书 项目名称 文档编号 版本号V1.0.0 作者史跃文 版权所有 大唐移动通信设备有限公司 本资料及其包含的所有内容为大唐移动通信设备有限公司(大唐移动)所有,受中国法律及适用之国际公约中有关著作权法律的保护。未经大唐移动书面授权，任何人不得以任何形式复制、传播、散布、改动或以其它方式使用本资料的部分或全部内容，违者将被依法追究责任。 文档更新记录
目录 1引言 ........................................... 错误!未定义书签。 编写目的.......................................... 错误!未定义书签。 预期读者和阅读建议................................ 错误!未定义书签。 参考资料.......................................... 错误!未定义书签。 缩写术语.......................................... 错误!未定义书签。2器件基本情况.................................... 错误!未定义书签。 器件名称.......................................... 错误!未定义书签。 器件说明: ......................................... 错误!未定义书签。3技术要求........................................ 错误!未定义书签。 外形尺寸图及说明.................................. 错误!未定义书签。 设备总体技术指标.................................. 错误!未定义书签。 机柜布局和结构要求................................ 错误!未定义书签。 机柜布局和功能区划分.......................... 错误!未定义书签。 机柜舱门技术要求.............................. 错误!未定义书签。 设备舱技术要求................................ 错误!未定义书签。 温控舱技术要求................................ 错误!未定义书签。 电池舱技术要求................................ 错误!未定义书签。 其它技术要求.................................. 错误!未定义书签。 机柜材料要求.................................. 错误!未定义书签。4样品常规检测.................................... 错误!未定义书签。5可靠性检测...................................... 错误!未定义书签。6包装、运输及存储................................ 错误!未定义书签。7质量要求........................................ 错误!未定义书签。 供应商接口........................................ 错误!未定义书签。 产品规格书........................................ 错误!未定义书签。
薄膜电容规格书模板
美的制冷家用空调国内事业部 电子元器件规格书 供方名称：厦门法拉电子股份有限公司 器件名称：薄膜电容 型号规格：参见第六项表格 物料编码：参见第六项表格 厂家型号：MKP62-275VAC-104TSSKP15 MKP62-275VAC-274TSSMP22.5 MKP62-275VAC-105TSSMP22.5 MKP62-275VAC-224KP15 MKP62-275VAC-474MP22.5 MKP62-275VAC-105MP22.5 MKP62-275VAC-335KP27.5 MKP62-275VAC-155MP22.5 编制： 审核： 供方会签： 日期： 版本：V1.0 注意事项： 1、本规格书双方签字后正式生效，本规格书连封面合共6页； 2、本规格书一式两份，版本由使用方与供方共同维护；任何对内容的改动必须经双方同意，并以书面文件的形式发布。
规格书更新纪录： 一厂家品牌中英文：
厦门法拉电子股份有限公司（鹭岛牌） Xiamen Faratronic Co.,Ltd.,（） 二产地（国内的写工厂地址）： 中国厦门市金桥路101号 三厂家型号及型号含义： F15B3.7 ：F15表示电容器引线成型（弯脚）15mm，B3.7表示电容器引线成型（弯脚）15mm后，剪短引线长度为3.7mm。 3. 引线形状及间距图： Note: W±0.4 H±0.4 T±0.4 五安全认证说明：
● 六 外观尺寸及关键参数对照表： P=7.5 or 10.0mm P ≥15.0mm and C R ≤1.0μF 符号说明Marking Introduction ：
低压无功补偿技术规格书
低压无功补偿技术规格书． 低压自动无功补偿装置技术要求 1、总则 1.1、本技术规范书适用于变电所内配置的RNT低压动态无功功率补偿装置，它提出了该动态无功功率补偿装置本体及附属设备的功能设计、结构、性能、调试和试验等方面的技术要求。 1.2本技术规格书中提出了最低限度的技术要求，并未规定所有的技术要求和适用的标准，未对一切技术细节做出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供方须提供一套满足本技术规格书和相关标准规范要求的高质量产品及其相应
服务，以保证的安全可靠运行。 1.3、供方须执行现行国家标准和电力行业标准。有矛盾时，按技术要求较高的标准执行。主要的标准如下： GB/T 15576-2008 《低压成套无功功率补偿装置》 GB50227-95 《并联电容器成套装置设计规范》 JB5346-1998 《串联电抗器》 GB191 《包装贮运标准》 GB11032-2000 《交流无间隙金属氧化锌避雷器》 GB/T 2681-1981 《电工成套装置中的导体颜色》 GB/T 2682-1981 《电工成套装置中的指示灯和按钮的颜色》 GB1028 《电流互感器》 GB10229 《电抗器》 DL/T620-1997 《装置过电压保护和绝缘配合》 GB 4208-93 《外壳防护等级》（IP代码） GB/T14549-93 《电能质量-公用电网谐波》 另外，尚应符合本技术规格书规定的技术要求和买方的要求。 1.4、未尽事宜，供需双方协商确定。 2、设备环境条件 2.1、周围空气温度 ℃38.4最高气温： 低压无功补偿设备 技术协议 29.3℃最低气温： - 6.8~10.6℃年平均气温： 1500米2.2、海拔高度：不大于0.05g 6度区，动峰值加速度：2.3、地震烈度：户内2.4、安装地点：、电容补偿柜技术参数3400V 额定电压：1） AC 660V 额定绝缘电压： 2500V 额定工频耐受电压：1min 8kV 冲击耐压： TMY 主母线：）2TMY 母线：PE 系统容量与无功补偿设备等应达到设计要求；3） 外形尺寸：具体见附图4）电压等级下的动态电容无功380V采用）无功功率补偿全部采用动态补偿方式：5 补偿柜，补偿容量具体见附表。％的电抗器，从根本7 对控制器、电抗器、驱动器进行特殊设计，要求选用6）上解决与系统发生串联、并联谐振，避免使谐波放大，实现无功补偿和谐波抑制并举的功能；控制应具有高可靠性，而且操作简单，与系统联结时，不需要考虑交流系统）7 相序，不会因为相序接错而带来烧坏可控硅或其他器件的现象；实现电流过零投切，电容投切过程中无涌流冲击、无操作过电压、无电弧重8）燃现象，使用寿命长；控制器实现全数字化，液晶显示，具有联网通讯功能；9）根据负载无功和负荷波动情况，在规定的动态响应时间内，多级补偿一次到）10位；
YESO 不燃性金属氧化皮膜电阻器
MO 金属氧化皮膜电阻器 随着电子设备之发展其构成之零件亦趋向小 型化、轻型化及耐用化等倾向。电阻在高温下要有长期之安定性，电阻皮膜之单位面积就要负载较高之电力，适其要求之电阻就是金属氧化皮膜电阻器。 RSF ：小型化高性能金属氧化皮膜电阻器，选 用高品质瓷棒来制作，尺寸较RS 大幅缩小，亦能发挥大型尺寸之功效。 APPEARANCE. DIMENSIONS DIMENSIONS 寸 法（m/m ） 型 号 STYLE POWER RATING L max. D max. H±3 D MAX WORK ING V. MAX OVERL OAD V. RESISTANCE RANGE ±2%,±5% RS-1/2W RSF-1/2WS 1/2W 9.5 3.2 28 0.65 250 400 0.2Ω~56K Ω RS-1W RSF-1WS 1W 12 9.5 4.5 3.2 35 28 0.8 0.65 350 600 0.2Ω~82K Ω RS-2W RSF-2WS 2W 16 12 5 4.5 35 35 0.8 0.8 350 600 0.2Ω~82K Ω RS-3W RSF-3WS 3W 18 16 6 5 33 35 0.8 0.8 500 800 0.2Ω~120K Ω 分装色：RS-灰色 。RSF ：粉红色。 表 示：5W 以下 RS-5W RSF-5WS 5W 25 18 8 6 40 33 0.8 0.8 500 800 0.2Ω~150K Ω PERFORMANCE SPECIFICATIONS 试验方法 TEST METHODS 项 目 TEST ITEM 性 能 CHARACTERISTICS JIS C 5202 MIL-R-22684B 使用温范围 Operating Temp. Range -55°c`200°c - - 温度系数 Temp. Coefficient (ppm/°c) ±350 5.2 4.6.11 短时间过负荷 Short Time Overload RS ±(1%+0.05Ω)RSF ±(2%+0.05Ω) 5.5 条件A 4. 6.5 焊接耐热性 Effect of Soldering ±(1%+0.05Ω) 6.4 350°c 2sec 4.6.9 温度循环 Temp. Cycling ±(1%+0.05Ω) 7.4 -25°c/85 °c 4.6.3 耐久性(耐湿负荷) Moisture Resistance ±5% 7.9 1000hr 4.6.10 阻值最大变化率 M a x . R e s i s t a n c e C h a n g e s 耐久性(定格负荷) Load Life ±5% 7.10 1.000hr 4.6.12 耐电压 Dielectric With standing Voltage ±(0.5%+0.05Ω) 5.7条件A 4.3.7 绝缘电阻 Insulation Resistance Over 103 M Ω 5.6条件A 4.6.8 不燃性 Non-combustibility 依 照UL492.2试验方法13之过负荷试验结果无燃烧危险 The resistor shall withstand Overload test in accordance with Article UL 492.2 13 Without producing a fire hazard.
光敏电阻特性测试实验(精)
光敏电阻特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验； 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光敏电阻及封装组件 1套 4、光照度计 1台 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级，亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构很简单，图1-1（a）为金属封装的硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体物质，称为光导层。半导体的两端装有金属电极，金属电极与引出线端相连接，光敏电阻就通过引出线端接入电路。为了防止周围介质的影响，在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜，漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最
碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻区别
碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻 碳膜电阻 碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。 金属膜电阻 金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬），并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端度上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。
金属氧化膜电阻 某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧化物薄膜电阻器），它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（如氧化锌），并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。它能够在高温下仍保持其安定性，电阻皮膜负载之电力亦较高。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。 方形线绕电阻 方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。 碳质电阻 碳质电阻（碳电阻器）是利用石墨，碳等较大电阻系数的物质加上胶合剂加压，加热成棒状，并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。其制造成本最为低廉，但稳定性较差及误差大。
光敏电阻特性研究
光敏电阻特性研究 【实验目的】 １．了解和掌握光敏电阻的特性 ２．掌握产生和检验偏振光的原理和方法。 ３．进一步学习和掌握调节复杂光路的方法； 【实验仪器与装置】 1000）、光敏电阻、导轨、检偏器、凸透镜（mm f60 =）、光源（光通量lx 磁性滑块、稳压电源、万用电表、导线等 【实验原理】 一、光电效应与光电器件 1.1 光电效应 光电效应可以分为以下三种类型： （1）外光电效应 在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象叫外光电效应。 只有当光子能量大于逸出功时，即时，才有电子发射出来，即有光 电效应，当光子的能量等于逸出功时，即时，逸出的电子初速度为0， 此时光子的频率为该物质产生外光电效应的最低频率，称为红限频率。 利用外光电效应制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。 （2）光电导效应 在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电 阻率的变化，这种现象称为光电导效应。由于这里没有电子自物体向外发射，仅 改变物体内部的电阻或电导，有时也称为内光电效应。与外光电效应一样，要产 生光电导效应，也要受到红限频率限制。 利用光电导效应可制成半导体光敏电阻。 （3）光生伏特效应 在光的作用下，能够使物体内部产生一定方向的电动势的现象叫光生伏特效 应。利用光生伏特效应制成的光电器件有光敏二极管、光敏三极管和光电池等。 各种光电器件都有下述特性：
（1）光电流 光敏元件的两端加一定偏置电压后，在某种光源的特定照度下产生或增加的电流称为光电流。 （2）暗电流 光敏元件在无光照时，两端加电压后产生的电流称为暗电流。 （3）光照特性 当光敏元件加一定电压时，光电流I与光敏元件上光照度E之间的关系，称为光照特性。一般可表示为。 （4）光谱特性 当光敏元件加一定电压时，如果照射在光敏元件上的是一单色光，当入射光功率不变时，光电流随入射光波长变化而变化的关系，称为光谱特性。 光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义，当光电器件的光谱特性与光源的光谱分布协调一致时，光电传感器的性能较好，效率也高。在检测中，应选择最大灵敏度在需要测量的光谱范围内的光敏元件，才有可能获得最高灵敏度。 （5）伏安特性 在一定照度下，光电流I与光敏元件两端的电压U的关系称为伏 安特性。 （6）频率特性 在相同的电压和相同幅值的光强度下，当入射光以不同的正弦交变频率调制时，光敏元件输出的光电流I和灵敏度S随调制频率f变化的关系：、称为频率特性。 （7）温度特性 环境温度变化后，光敏元件的光学性质也将随之改变，这种现象称为温度特性。 二、光敏电阻 ①光敏电阻工作原理和结构 光敏电阻是利用光电导效应制成的。制造光敏电阻的材料一般由金属的硫化物、硒化物、碲化物组成。由于光电导效应只限于光照的表面薄层，因此光电导体一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极常采用梳状图案，如图一所示。它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。 为了避免外来干扰，光敏电阻外壳的入射孔上盖有一种能透过所要求光谱范围的透明保护窗（如玻璃）。为了避免光敏电阻的灵敏度受潮湿等因素的影响，将电导体严密封装在金属壳中。如图二所示。
金属电阻率及其温度系数
金属电阻率及其温度系数金属电阻率及其温度系数 物质物质 温度温度 t/℃ t/℃ t/℃ 电阻率电阻率 Ω·m 电阻温度系数电阻温度系数 a a R /℃-1 银 20 1.586×10-8 0.0038(20℃) 铜 20 1.678×10-8 0.00393(20℃) 金 20 2.40×10-8 0.00324(20℃) 铝 20 2.6548×10-8 0.00429(20℃) 钙 0 3.91×10-8 0.00416(0℃) 铍 20 4.0×10-8 0.025(20℃) 镁 20 4.45×10-8 0.0165(20℃) 钼 0 5.2×10-8 铱 20 5.3×10-8 0.003925(0℃~100℃) 钨 27 5.65×10-8 锌 20 5.196×10-8 0.00419(0℃~100℃) 钴 20 6.64×10-8 0.00604(0℃~100℃) 镍 20 6.84×10-8 0.0069(0℃~100℃) 镉 0 6.83×10-8 0.0042(0℃~100℃) 铟 20 8.37×10-8 铁 20 9.71×10-8 0.00651(20℃) 铂 20 10.6×10-8 0.00374(0℃~60℃) 锡 0 11.0×10-8 0.0047(0℃~100℃) 铷 20 12.5×10-8 铬 0 12.9×10-8 0.003(0℃~100℃) 镓 20 17.4×10-8 铊 0 18.0×10-8 铯 20 20×10-8 铅 20 20.684×10-8 0.00376(20℃~40℃) 锑 0 39.0×10-8 钛 20 42.0×10-8 汞 50 98.4×10-8 锰 23~100 185.0×10-8 锰铜 20 44.0×10-8 康铜 20 50.0×10-8 镍铬合金 20 100.0×10-8 铁铬铝合金 20 140.0×10-8 铝镍铁合金 20 160.0×10-8 不锈钢 0~900 70~130×10-8 不锈钢304 20 72×10-8 不锈钢316 20 74×10-8
插件电阻具体讲解大全
插件电阻具体讲解大全
?插件电阻也称为电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。下面我们来说说插件电阻具体讲解大全：? ?固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻) ?氧化膜电阻 ? ?不能调节的,我们称之为定值电阻或固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见的可调电阻是滑动变阻器,例如收音机音量调节的装置是个圆形的滑动变阻器,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器.
?按制造材料有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻,无感电阻,薄膜电阻等. ? ?薄膜电阻，用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成.主要如：碳膜电阻器、碳膜电阻 ? ?碳膜电阻(碳薄膜电阻),常用符号RT作为标志;为最早期也最普遍使用的电阻器,利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜,再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状,依照螺旋纹的多寡来定其电阻值,螺旋纹愈多时表示电阻值愈大.最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成.其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高,但由于价钱便宜.碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上,是目前电子,电器,设备,资讯产品之最基本零组件.
?金属膜电阻(metal film resistor),常用符号RJ作为标志;其同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂,只是将炭膜换成金属膜(如镍铬),并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值,并且于瓷棒两端镀上贵金属.虽然它较碳膜电阻器贵,但低杂音,稳定,受温度影响小,精确度高成了它的优势，因此被广泛应用于高级音响器材,电脑,仪表,国防及太空设备等方面. ? ? 金属氧化膜电阻器，某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作,使用一般的电阻会未能保持其安定性.在这种情况下可使用金属氧化膜电阻(金属氧化物薄膜电阻器) ,它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜(用锡和锡的化合物喷制成溶液,经喷雾送入500~500℃的恒温炉,涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的.材料也可以氧化锌等),
光敏电阻的主要参数与特性(精)
光敏电阻的主要参数与特性 1.光敏电阻的主要参数 （1）暗电阻 ◆光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流。 （2）亮电阻 ◆光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。（3）光电流 ◆亮电流与暗电流之差称为光电流。 2．光敏电阻的基本特性 （1）伏安特性 ◆在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。 硫化镉光敏电阻的伏安特性 （2）光谱特性 ◆光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性，亦称为光谱响应。 下图为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同的。 光敏电阻的光谱特性 （3）光照特性 ◆光敏电阻的光照特性是光敏电阻的光电流与光强之间的关系，如图8-10所示。 ◆由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。
光敏电阻的光照特性 （4）温度特性 ◆光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时，它的暗电阻和灵敏度都下降。 ◆温度变化影响光敏电阻的光谱响应，尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。下图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线 （5）光敏电阻的响应时间和频率特性 ◆实验证明，光电流的变化对于光的变化，在时间上有一个滞后，通常用时间常数t来描述，这叫做光电导的弛豫现象。所谓时间常数即为光敏电阻自停止光照起到电流下降到原来的63%所需的时间，因此，t越小，响应越迅速，但大多数光敏电阻的时间常数都较大，这是它的缺点之一。下图所示为硫化镉和硫化铅的光敏电阻的频率特性。 光敏电阻的频率特性
电阻温度系数
电阻温度系数(TCR表示电阻当温度改变 1 度时，电阻值的相对变化，当温度每升高1C 时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值。单位为ppm/C(即10E (-6 )「C)。定义式如下：T CR=dR/R.dT 实际应用时，通常采用平均电阻温度系数，定义式如下：TCR(平均)=(R2-R1) /( R1*( T 2-T1 )) = (R2-R1) /(R1* △ T) R1--温度为t1时的电阻值，Q; R2--温度为t2时的电阻值，Q。 很多人对镀金，镀银有误解，或者是不清楚镀金的作用，现在来澄清下。。。 1。镀金并不是为了减小电阻，而是因为金的化学性质非常稳定，不容易氧化，接头上镀金是为了防止接触不良(不是因为金的导电能力比铜好) 。 2。众所周知，银的电阻率最小，在所有金属中，它的导电能力是最好的。 3 。不要以为镀金或镀银的板子就好，良好的电路设计和PCB 的设计，比镀金或镀银对电路性能的 影响更大。 4。导电能力银好于铜，铜好于金！现在贴上常见金属的电阻率及其温度系数：物质温度t/C 电阻率电阻温度系数aR/ C-1 银20 1.586 0.0038(20 C ) 铜20 1.678 0.00393(20 C ) 金20 2.40 0.00324(20 C ) 铝20 2.6548 0.00429(20 C ) 钙0 3.91 0.00416(0 C ) 铍20 4.0 0.025(20 C ) 镁20 4.45 0.0165(20 C ) 钼0 5.2 铱20 5.3 0.003925(0 C~100 C) 钨27 5.65 锌20 5.196 0.00419(0 C~100 C) 钴20 6.64 0.00604(0 C~100 C) 镍20 6.84 0.0069(0 C~100 C) 镉0 6.83 0.0042(0 C~100 C) 铟20 8.37 铁20 9.71 0.00651(20 C ) 铂20 10.6 0.00374(0 C~60C ) 锡0 11.0 0.0047(0 C~100 C) 铷20 12.5 铬0 12.9 0.003(0 C~100 C ) 镓20 17.4 铊0 18.0 铯20 20 铅20 20.684 (0.0037620 C~40C ) 锑0 39.0 钛20 42.0 汞50 98.4 锰23?100 185.0 电阻的温度系数，是指当温度每升高一度时，电阻增大的百分数。 例如，铂的温度系数是0.00374/ C。它是一个百分数。 在20 C时，一个1000欧的铂电阻，当温度升高到21 C时，它的电阻将变为1003.74欧。 实际上，在电工书上给出的是电阻率温度系数”，因为我们知道，一段电阻线的电阻由四个 因素决定：1、电阻线的长度；2、电阻线的横截面积；3、材料；4、温度。前三个因素是自身因素，第四个因素是外界因素。电阻率温度系数就是这第四个因素的作用大小。 实验证明，绝大多数金属材料的电阻率温度系数都约等于千分之4左右，少数金属材料的电 阻率温度系数极小，就成为制造精密电阻的选材，例如：康铜、锰铜等。
电阻的分类
1.Wire-绕线电阻 2.Foil-金属箔电阻 3.Metal Film-金属膜电阻 4.Metal Oxide-金属氧化物膜电阻 5.Carbon Film-碳膜电阻 6.Carbon Composition-碳实芯电阻 7.Thick Film-厚膜电阻 8.Thin Film-薄膜电阻 9.Metal Glaze-金属釉质电阻 一、碳膜电阻： 气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜的厚度和用刻槽的方法，改变碳膜的长度，可以得到不同的阻值。成本低，性能一般。 二、金属膜电阻： 在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽或改变金属膜厚度，可以控制阻值。这种电阻和碳膜电阻相比，体积小、噪声低，稳定性好，但成本教高。 三、碳质电阻： 把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经过热处理制成。在电阻上用色环表示它的阻值。这种电阻成本低，阻值范围宽，但性能差，很少采用。 四、线绕电阻： 用康铜或者镍铬合金电阻丝在陶瓷骨架上绕制而成。这种电阻分固定和可变两种。它的特点是工作稳定，耐热性能好，误差范围小，适用于大功率的场合，额定功率一般在1w 以上。 五、电位器： 又分碳膜电位器和绕线电位器。他的阻值是可以改变的。应用范围广 其实，对于不是搞计量的不需要分的那么清楚，可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是，对于“精度”一词，可以分解成分解成三个要素： 1、温度系数。温度变化是电阻的大敌，温度系数一般用ppm/℃表示，即温度变化1度对应电阻变化百万分之几。100ppm/℃就是0.01%/℃。 2、老化。也就是长期稳定性，一般用ppm/年来表示，也有用%/年来表示的。出厂再怎么准确的电阻，如果老化大，那么很快就变了，也就失去高准确的意义了。
第一章 光敏电阻及其特性1
第1章 光敏电阻及其特性 1.1 光敏电阻的功能与结构 光敏电阻是根据光电导效应制成的光电探测器件，所谓光电导效应就是光电材料受到光辐射后，材料的电导率发生变化。它可以这样理解：材料的电导率、电阻与该材料内部电子受到的束缚力有关，束缚力越大，电子越难自由运动，电导率越小，电阻越大；当电子吸收外来的一定能量的光子后，根据能量守恒原则，动能增加，材料对电子的束缚力减弱，电导率减小，电阻减小。从而等到结论：光敏电阻的阻值会随着光照强弱的变化而变化。光照强，光敏电阻的阻值就小；光照弱，光敏电阻的阻值就大。暗电阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻，亮电阻光敏电阻在受光照射时的电 阻称为亮电阻。 光敏电阻在应用时，通常采用的电路形式 如图1-1所示。R p 为光敏电阻，R L 为负载电阻， V b 为偏置电压，V L 为光敏电阻两端电压。 光敏电阻在使用时呈现一定的电路特性：光 敏电阻的两极加上一定电压后，当光照射在光电 导体时，由光照产生的光生载流子在外加电场作用下沿一定方向运动，在电路中产生电流。光敏电阻的电路特性（电阻、转换效率等）和光电导体长度有关。通常将光敏电阻的光敏面作成蛇形，电极作成梳状，如图1-2所示；这样既可 保证有较大的受光表面，也可以减小电极之间距离， 从而既可减小极间电子渡越时间，也有利于提高灵 敏度。 1.2 光敏电阻的特性 光敏电阻的材料和结构不同，会使光敏电阻 呈现不同的特性。在不同的应用场合下，就应选用不同特性的光敏电阻。光敏电阻的选择通常应考虑光电材料的光谱特性、光电电路的转换效率和响应时间等因素。 1.2.1 光谱特性 光敏电阻的光电导效应不是在任意的光照下都能呈现，只有光子能量大于材料的间接能隙（原子的能级之差）时，光敏电阻才能呈现光电导效应。 光敏电阻与入射光光谱之间的特 图1-1 光敏电阻基本应用电路 图1-2 光敏电阻的电路符号及蛇形结构
电容电阻基本常识
常规贴片阻容封装对照表 常规贴片电阻标准封装与额定功率对照表
常规钽电容封装对照表 常规电 解电容封装对 照表 (单位：m) 电阻电容包装形式
2、碳膜电阻 3、精密金属膜电阻 4金属氧化膜电阻 5、陶瓷电容
7、贴片电阻 贴片元件封装说明转 贴片元件封装说明 BGM SMT是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次 革命，被誉为电子业的”明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随 之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。 为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件：SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用 的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其 是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正 在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准 零件与IC类零件详细阐述。 标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节 只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感 (L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内 为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型， 一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成 了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。
光敏电阻特性
光敏电阻特性 【实验目的】 1. 了解光敏电阻的基本特性。2.测量光敏电阻的伏安特性曲线和光照特性曲线。 【实验仪器】 DH-CGOP1光电传感器实验仪1套（包括灯泡盒，光敏电阻LDR ，九孔板实验箱,1K 电阻）；DH-VC3直流恒压源1台；万用表1块；导线若干 【实验原理】 光敏电阻是采用半导体材料制作，利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因此，光敏电阻又称光导管。 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子一空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电导率增加，电导率的改变量为 p n pe ne σμμ?=?+?\*MERGEFORMAT (1) 式中e 为电荷电量，?p 为空穴浓度的改变量，?n 为电子浓度的改变量，μp 为空穴的迁移率，μn 为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U 后，光电流为 ph A I U d σ=?\*MERGEFORMAT (2) 其中A 为与电流垂直的截面积，d 为电极间的距离。由和可知，光照一定时，光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系，呈电阻特性。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子一空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。 1.伏安特性
贴片电容的精度规格书
贴片电容的精度规格书 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。 一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。 在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。 一、电容的型号命名： 1） 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2） 电容的标志方法： （1） 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2） 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V （4） 进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号 字母 颜色 温度系 数 允许 偏差 字母 颜色 温度系数 允许 偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470
金属电阻率及其温度系数
全系列金属电阻率及其温度系数
常用金属导体在20℃时的电阻率 材料电阻率(Ω m) (1)银 1.65 ×10-8 (2)铜 1.75 ×10-8 (3)铝 2.83 ×10-8 (4)钨 5.48 ×10-8 (5)铁9.78 ×10-8 (6)铂 2.22 ×10-7 (7)锰铜 4.4 ×10-7 (8)汞9.6 × 10-7 (9)康铜 5.0 ×10-7 (10)镍铬合金 1.0 × 10-6 (11)铁铬铝合金1.4 ×10-6 (12) 铝镍铁合金1.6 × 10-6 (13)石墨(8～13)×10-6 金属温度（0℃）ρ αo , 100 锌20 ×10-3 ×10-3 5.9 4.2 铝（软）20 2.75 4.2 铝（软）–78 1.64 阿露美尔合金20 33 1.2 锑0 38.7 5.4 铱20 6.5 3.9 铟0 8.2 5.1 殷钢0 75 2 锇20 9.5 4.2 镉20 7.4 4.2 钾20 6.9 5.1① 钙20 4.6 3.3
金20 2.4 4.0 银20 1.62 4.1 铬（软）20 17 镍铬合金（克露美尔）—70—110 .11—.54 钴a 0 6.37 6.58 康铜—50 –.04–1.01 锆30 49 4.0 黄铜–5—7 1.4–2 水银0 94.08 0.99 水银20 95.8 锡20 11.4 4.5 锶0 30.3 3.5 青铜–13—18 0.5 铯20 21 4.8 铋20 120 4.5 铊20 19 5 钨20 5.5 5.3 钨1000 35 钨3000 123 钨–78 3.2 钽20 15 3.5 金属温度（0℃）ρ αo , 100 杜拉铝（软）— 3.4 铁（纯）20 9.8 6.6 铁（纯）–78 4.9 铁（钢）—10—20 1.5—5 铁（铸）—57—114 铜（软）20 1.72 4.3 铜（软）100 2.28 铜（软）–78 1.03 铜（软）–183 0.30 钍20 18 2.4 钠20 4.6 5.5① 铅20 21 4.2 镍铬合金（不含铁）20 109 .10 镍铬合金（含铁）20 95—104 .3—.5 镍铬林合金—27—45 .2—.34 镍（软）20 7.24 6.7 镍（软）–78 3.9 铂20 10.6 3.9 铂1000 43 铂–78 6.7 铂铑合金②20 22 1.4 钯20 10.8 3.7 砷20 35 3.9 镍铜锌电阻线—34—41 .25—.32 铍（软）20 6.4 镁20 4.5 4.0